CN105021345A - 一种全硅结构的mens真空传感器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种全硅结构的MENS真空传感器，载体（1）的中心设有通孔（2），载体（1）一侧的外侧设有芯片架Ⅰ（3），载体（1）另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ（4），在载体（1）一侧的内侧设有电极片Ⅰ（5），载体Ⅱ（2）另一侧的内侧设有电极片Ⅱ（6），芯片架Ⅰ（3）与芯片架Ⅱ（4）之间横向设有电极片Ⅲ（7），电极片Ⅲ（7）覆盖在电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）的上部，电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）相对，电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）之间设有真空层（8），电极片Ⅲ（7）的上部设有感应片（9），感应片（9）的中心设有弹性元件（10）。
Description
技术领域
本发明涉及一种全硅结构的MENS真空传感器。
背景技术
目前的真空传感器的电极片采用普通的电极片，它不但耐热性能比较差，无法满足真空灭弧室产生的900℃的高温，，而且无法产生气体阻尼，从而真空度的测量范围比较小。
发明内容
本发明提供了一种全硅结构的MENS真空传感器，它不但可以使真空度的测控I昂范围大，而且可以耐高温，不放气，避免出现破坏真空度的现象。
本发明采用了以下技术方案：一种全硅结构的MENS真空传感器，它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体，在载体的中心设有通孔，在载体一侧的外侧设有芯片架Ⅰ，在载体另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ，芯片架Ⅰ与芯片架Ⅱ对称设置，在载体一侧的内侧设有电极片Ⅰ，在载体Ⅱ另一侧的内侧设有电极片Ⅱ，电极片Ⅰ与电极片Ⅱ对称设置在通孔的两侧与通孔相邻，在芯片架Ⅰ与芯片架Ⅱ之间横向设有电极片Ⅲ，电极片Ⅲ覆盖在电极片Ⅰ、通孔和电极片Ⅱ的上部，电极片Ⅲ与电极片Ⅰ、通孔和电极片Ⅱ相对，在电极片Ⅲ与电极片Ⅰ、通孔和电极片Ⅱ之间设有真空层，在电极片Ⅲ的上部设有感应片，在感应片的中心设有弹性元件。
所述的电极片Ⅰ为多晶硅。所述的电极片Ⅱ为多晶硅。所述的电极片Ⅲ为多晶硅。所述的弹性元件为上窄下宽的梯形，弹性元件为弹片。
本发明具有以下有益效果：采用了以上技术方案，本发明在电极片Ⅲ与电极片和电极片Ⅱ之间设有真空层，这样在电极片Ⅲ与电极片Ⅰ以及电极片Ⅲ与电极片Ⅱ设有气隙，气隙形成强烈的气体阻尼，利用气压与气体运动阻尼的关系，从气体阻尼的衰减特性既可以测量谐振腔的真空度，测量范围10—2—102Pa，从而可以满足真空断路器10—2—10—1 Pa真空测量范围的要求，而且电极片Ⅰ为多晶硅，电极片Ⅱ为多晶硅，电极片Ⅲ为多晶硅，这样在测量时经受真空灭弧室制造的900℃的高温，不放气，直接埋入真空灭弧室，实现对真空灭弧室真空度的直接测量，信号采用电容耦合和无线传输，在埋入真空灭弧室时不会破坏真空度，满足埋入真空灭弧室的要求。本发明感应片的中心设有弹性元件，弹性元件为上窄下宽的梯形，弹性元件为弹片，这样弹片与真空断路器内设有的振荡器相对应进行真空度的检测，无需穿过绝缘外壳的直接的电极引线，采用无线传输，使用更加安全方便。
附图说明
图1为本发明的结构示意图。
具体实施方式
在图1中，本发明提供了一种全硅结构的MENS真空传感器，是它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体1，在载体1的中心设有通孔2，在载体1一侧的外侧设有芯片架Ⅰ3，在载体1另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ4，芯片架Ⅰ3与芯片架Ⅱ4对称设置，在载体1一侧的内侧设有电极片Ⅰ5，电极片Ⅰ5为多晶硅，在载体Ⅱ2另一侧的内侧设有电极片Ⅱ6，电极片Ⅱ6为多晶硅，电极片Ⅰ5与电极片Ⅱ6对称设置在通孔2的两侧与通孔2相邻，在芯片架Ⅰ3与芯片架Ⅱ4之间横向设有电极片Ⅲ7，电极片Ⅲ7为多晶硅，电极片Ⅲ7覆盖在电极片Ⅰ5、通孔2和电极片Ⅱ6的上部，电极片Ⅲ7与电极片Ⅰ5、通孔2和电极片Ⅱ6相对，在电极片Ⅲ7与电极片Ⅰ5、通孔2和电极片Ⅱ6之间设有真空层8，在电极片Ⅲ7的上部设有感应片9，在感应片9的中心设有弹性元件10，弹性元件10为上窄下宽的梯形，弹性元件10为弹片。
Claims (5)
1.一种全硅结构的MENS真空传感器，其特征是它设有真空传感器的主体，所述的真空传感器的主体设有载体（1），在载体（1）的中心设有通孔（2），在载体（1）一侧的外侧设有芯片架Ⅰ（3），在载体（1）另一侧的外侧设有芯片架Ⅱ（4），芯片架Ⅰ（3）与芯片架Ⅱ（4）对称设置，在载体（1）一侧的内侧设有电极片Ⅰ（5），在载体Ⅱ（2）另一侧的内侧设有电极片Ⅱ（6），电极片Ⅰ（5）与电极片Ⅱ（6）对称设置在通孔（2）的两侧与通孔（2）相邻，在芯片架Ⅰ（3）与芯片架Ⅱ（4）之间横向设有电极片Ⅲ（7），电极片Ⅲ（7）覆盖在电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）的上部，电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）相对，在电极片Ⅲ（7）与电极片Ⅰ（5）、通孔（2）和电极片Ⅱ（6）之间设有真空层（8），在电极片Ⅲ（7）的上部设有感应片（9），在感应片（9）的中心设有弹性元件（10）。
2.根据权利要求1所述的全硅结构的MENS真空传感器，其特征是所述的电极片Ⅰ（5）为多晶硅。
3.根据权利要求1所述的全硅结构的MENS真空传感器，其特征是所述的电极片Ⅱ（6）为多晶硅。
4.根据权利要求1所述的全硅结构的MENS真空传感器，其特征是所述的电极片Ⅲ（7）为多晶硅。
5.根据权利要求1所述的全硅结构的MENS真空传感器，其特征是所述的弹性元件（10）为上窄下宽的梯形，弹性元件（10）为弹片。
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Publications (1)
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