CN104981915A - 发光模块 - Google Patents

发光模块 Download PDF

Info

Publication number
CN104981915A
CN104981915A CN201480007775.XA CN201480007775A CN104981915A CN 104981915 A CN104981915 A CN 104981915A CN 201480007775 A CN201480007775 A CN 201480007775A CN 104981915 A CN104981915 A CN 104981915A
Authority
CN
China
Prior art keywords
light
wavelength conversion
layer
scattering
emitting module
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201480007775.XA
Other languages
English (en)
Inventor
堤康章
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koito Manufacturing Co Ltd
Original Assignee
Koito Manufacturing Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Koito Manufacturing Co Ltd filed Critical Koito Manufacturing Co Ltd
Publication of CN104981915A publication Critical patent/CN104981915A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/36—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes
    • H01L33/38—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the electrodes with a particular shape
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/501—Wavelength conversion elements characterised by the materials, e.g. binder
    • H01L33/502—Wavelength conversion materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/50—Wavelength conversion elements
    • H01L33/505—Wavelength conversion elements characterised by the shape, e.g. plate or foil
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/13—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of an individual bump connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0083—Periodic patterns for optical field-shaping in or on the semiconductor body or semiconductor body package, e.g. photonic bandgap structures
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
    • H01L2933/0091—Scattering means in or on the semiconductor body or semiconductor body package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/483—Containers
    • H01L33/486—Containers adapted for surface mounting
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
    • H01L33/58—Optical field-shaping elements
    • H01L33/60—Reflective elements

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Led Device Packages (AREA)

Abstract

发光模块(10)包括：发出第1颜色的光的半导体发光元件(12)；将第1颜色的光的至少一部分波长变换而发出第2颜色的光的波长变换层(14)；以及使第1颜色的光和第2颜色的光的至少一者的光散射的散射层(16)。散射层(16)具有基质(16a)和被分散在该基质中的散射材料(16b)。波长变换层(14)包含波长变换物质。波长变换层的折射率和基质的折射率的差在0.3以下，基质的折射率和散射材料的折射率的差在0.05以上。

Description

发光模块
技术领域
本发明涉及具有半导体发光元件的发光模块。
背景技术
以往，作为照明用的灯具，多采用荧光灯或电灯泡。近年来，作为这样的灯具的替代品，基于耗电和寿命的观点而开发出了多种使用发光二极管(LED)的白色发光装置。
在一般的白色LED中，要使用蓝色发光的LED芯片。然后，通过设置包含将蓝色光的一部分作为激发光而变换成黄色光的荧光体的波长变换层，并将蓝色光与黄色光混色，来生成模拟白色光。但在该构成中，蓝色光和黄色光是从不同的位置发光的，故存在容易发生色度不均这样的问题。
专利文献1中记载了如下内容：在具备覆盖发光元件的第1树脂层，和以比第1树脂层的粘度低的粘度形成、被配设在第1树脂层的上侧的第2树脂层的照明装置中，第1树脂层中含有散射剂或反射剂，第2树脂层中含有荧光体。由此，利用散射剂或反射剂使LED芯片的发光向多方向散射，并增加基于荧光体的黄色光的激发，从而减少白色光的色度不均。
[在先技术文献]
[专利文献]
[专利文献1]日本特开2007-43074号公报
发明内容
〔发明所要解决的课题〕
半导体发光元件在其内部具有电极，但该电极部分并不发光。因此，仅如专利文献1那样在树脂层内包含散射剂或反射剂，有时在发光模块的发光面上仍会发生亮度不均或色度不均。
本发明是鉴于这样的状况而研发的，其目的在于提供一种明亮且不均较少的发光模块。
〔用于解决课题的手段〕
为解决上述课题，本发明一个方案的发光模块包括：发出第1颜色的光的半导体发光元件；将第1颜色的光的至少一部分波长变换而发出第2颜色的光的波长变换层；以及使第1颜色的光和第2颜色的光的至少一者的光散射的散射层。散射层具有基质和分散在该基质中的散射材料。波长变换层包含波长变换物质。波长变换层的折射率与基质的折射率的差在0.3以下，基质的折射率与散射材料的折射率的差在0.05以上。
根据该方案，由于波长变换层的折射率与散射层的基质的折射率的差在预定值以下，故波长变换层与散射层间的反射、例如全反射会减少。因此，半导体发光元件发出的光中的、透射过波长变换层和散射层而从发光面射出的光会増加。此外，由于基质的折射率与散射材料的折射率的差在预定值以上，则散射层内的光的散射增加，能减少发光面的亮度不均和色度不均等。
可以还具有粘接散射层和波长变换层的粘接层。粘接层的厚度可以在1.0[μm]以下。由此，能减少粘接层对在散射层和波长变换层间发生的光的折射和反射的影响。
半导体发光元件发出蓝色的光，若将蓝色的光的峰值波长记作λp[μm]，则优选粘接层的厚度t[μm]满足(1/8)λp<t<(3/8)λp。由此，相对于蓝色的光的峰值波长，粘接层的厚度为1/4程度，故能更加减少粘接层的影响。
波长变换层是具有活化成分的板状的YAG陶瓷，基质是板状的YAG陶瓷。由此，波长变换层和散射层的主要材料是共通的，几乎没有折射率差，故能减少波长变换层与散射层间的分界面处的反射。
波长变换层可以被配置在半导体发光元件与散射层之间。由此，能使第1颜色的光和第2颜色的光的两者散射，故能更加减少色度不均。
半导体发光元件可以介由凸点被倒装芯片地安装于安装基板，并且具有被形成在透明基板上的发光层，和与凸点电连接、贯通发光层地形成的电极。
此外，将以上构成要素的任意组合、本发明的表现形式在方法、装置、***等间变换后的实施方式，作为本发明的方案也是有效的。
〔发明效果〕
通过本发明，能提供一种明亮且不均较少的发光模块。
附图说明
图1是第1实施方式的发光模块的概略剖视图。
图2的(a)是图1的半导体发光元件的概略剖视图；图2的(b)是半导体发光元件的概略平面图。
图3是示意性地表示散射层的散射材料附近的光的折射情况的图。
图4是表示比较例1、2的各发光模块的构成和测定结果的表。
图5是表示实施例1～6的发光模块的构成和测定结果的表。
图6是表示实施例7～11的发光模块的构成和测定结果的表。
附图标记说明
10发光模块、12半导体发光元件、14波长变换层、16散射层、16a基质、16b散射材料、16c发光面、18元件安装用基板、20凸点、22封装基板、24引线、26粘接层、28白色树脂、30基板、34发光层、40第1电极。
具体实施方式
以下参照附图对用于实施本发明的方式进行详细说明。在附图的说明中，对相同的要素标注相同的标号，并适当省略重复的说明。
(第1实施方式)
[发光模块]
图1是第1实施方式的发光模块10的概略剖视图。图1所示的发光模块10包括：发出第1颜色的光的半导体发光元件12；将半导体发光元件发出的第1颜色的光(例如蓝色光)的至少一部分进行波长变换而发出与第1颜色的光不同且处于补色关系的第2颜色的光(例如黄色光)的波长变换层14；以及使第1颜色的光和第2颜色的光的至少一者的光散射的散射层16。散射层16具有基质16a和被分散在基质中的散射材料16b。波长变换层14例如包含作为波长变换物质的荧光体。
半导体发光元件12介由凸点20以倒装芯片的方式安装于元件安装用基板18。元件安装用基板18被载置于封装基板22上。并且，元件安装用基板18和封装基板22的电极彼此通过引线24而导通。引线24是金线等导电部件，例如通过超声波热压结合等粘接于元件安装用基板18的上面侧电极和封装基板22的上面侧电极，将两者电连接。
此外，本实施方式的发光模块10还包括将散射层16和波长变换层14粘接的粘接层26。当然，若能够直接粘接散射层16和波长变换层14，则也可以不设置粘接层26。
作为半导体发光元件12，例如能够采用发出蓝色光的LED(LightEmitting Diode：发光二极管)或LD(Laser Diode：激光二极管)等。作为具体例子，可以例举InGaN系的化合物半导体。InGaN系的化合物半导体通过In的含有量而使得其发光波长区域变化。虽然呈现出若In的含有量较多，则发光波长成为长波长，若含有量较少，则成为短波长的倾向，但已确认当峰值波长在400nm附近时含有In的InGaN系的化合物半导体的发光的量子效率最高。
波长变换层14优选所谓的发光陶瓷、或被称为荧光陶瓷的构件，例如可以通过对由被蓝色光激发的荧光体YAG(Yttrium Aluminum Garnet：钇铝石榴石)粉末制成的陶瓷坯料进行烧结来得到。本实施方式的波长变换层14是具有活化成分的板状的YAG陶瓷。这样的光波长变换陶瓷的制造方法是公知的，故省略详细的说明。这样得到的波长变换层14与例如粉末状的荧光体不同，能抑制粉末表面的光散射，半导体发光元件12发出的光的损耗非常少。
本实施方式的波长变换层14将半导体发光元件12主要发出的蓝色光的波长变换而射出黄色光。因此，从发光模块10射出直接透射过波长变换层14的蓝色光与被波长变换层14进行波长变换后的黄色光的合成光。在此情况下，发光模块10能发出白色的光。
另外，波长变换层14采用透明的材料。在本实施方式中，所谓“透明”是指变换光波长区域的全光线透射率在40％以上。通过发明人的深入研究开发，发现若是变换光波长区域的全光线透射率在40％以上的透明状态，则能由波长变换层14恰当地变换光的波长，并且能适当地抑制透过波长变换层14的光的光度的减少。因此，通过使波长变换层14成为这样透明的状态，能更高效地变换半导体发光元件12发出的光。
元件安装用基板18优选由不具有导电性、但热传导性高的材料形成，例如可以采用陶瓷基板(氮化铝基板、氧化铝基板、莫来石基板、玻璃陶瓷基板)或玻璃环氧树脂基板等。此外，若在粘接凸点20的电极下形成绝缘层，则也可以采用金属基板(优选铝、铜、黄铜等热传导率高的材质)、SiC基板、碳基板、金属与碳的复合基板等。
另外，发光模块10以覆盖半导体发光元件12和波长变换层14的下面及侧面的方式设有白色树脂28。白色树脂28作为使从半导体发光元件12朝下方或侧方射出的光、以及从波长变换层14朝下方或侧方射出的光反射的反射部件来发挥功能。由此，从发光模块10的发光面(图1中为散射层16的发光面16c)射出的光增加，能增加发光模块的亮度。
图1中仅表示了一个半导体发光元件12，但实际上也可以按照与发光模块的用途相应的数量和配置，在元件安装用基板18上排列多个半导体发光元件12。例如半导体发光元件12可以在元件安装用基板18上方格状地排列，也可以交错状地排列，还可以直线状地排列。
[半导体发光元件]
下面说明半导体发光元件的构造。图2的(a)是图1的半导体发光元件12的概略剖视图；图2的(b)是半导体发光元件12的概略平面图。在透光性的基板30上，第1导电型半导体层32、发光层34、第2导电型半导体层36按该顺序依次层叠。在通过蚀刻而除去第2导电型半导体层36、发光层34及第1导电型半导体层32的一部分后所露出的第1导电型半导体层32的表面，形成第1电极40。另外，在第2导电型半导体层36上形成第2电极38。这样，半导体发光元件12具有被形成在透明的基板30上的发光层34，和与凸点电连接、贯通发光层34地形成的第1电极40。
由图2的(a)、图2的(b)可知，在第1电极40的部分，发光层34被蚀刻掉了，故即使在电极间施加电流也不会发光。因此，当从上面观察半导体发光元件12时，第1电极部分会比周围暗，发生亮度不均。此外，在第1电极的上部，入射到位于发光元件上侧的波长变换层的光的量会比其它部分少，故蓝色光的生成变少，也发生色度不均。
因此，本实施方式的散射层16具有由板状的YAG陶瓷构成的基质16a和被分散在基质中的散射材料16b。散射材料16b是分散有由空气构成的中空的气泡、或与作为基质16a的YAG陶瓷折射率不同的比较透明的物质的材料。
在这样构成的散射层16中，入射从半导体发光元件12和波长变换层14射出的光时，例如在基质16a与散射材料16b的分界面会发生折射或反射，故在散射层16的内部，光被散射。其结果，能减少发光模块10的发光面的亮度不均、色度不均。图3是示意性地表示散射层的散射材料16b附近的光的折射情况的图。
基于上述认识的结果是，本实施方式的发光模块10的波长变换层14的折射率与散射层16的基质16a的折射率的差在预定值以下，基质16a的折射率与散射材料16b的折射率的差在预定值以上。
由此，因波长变换层14的折射率与散射层16的基质16a的折射率的差在预定值以下，故波长变换层14与散射层16之间的反射、例如全反射会减少。因此，半导体发光元件12发出的光中的透射过波长变换层14和散射层16而从发光面16c射出的光増加。在此，波长变换层14的折射率与散射层16的基质16a的折射率的差例如在0.4以下，优选在0.3以下，更优选在0.2或0.1以下。
本实施方式的波长变换层14和散射层16的基质16a虽存在有无活化成分的差别，但主要材料都是板状的YAG陶瓷，几乎没有折射率差，故能更加减少波长变换层14与散射层16之间的分界面处的反射。
另外，由于基质16a的折射率与散射材料16b的折射率的差在预定值以上，故散射层16内的光的散射增加，能够减少发光面16c的亮度不均或色度不均等。在此，基质16a的折射率与散射材料16b的折射率的差例如在0.05以上，优选在0.10以上，更优选在0.5以上。
(第2实施方式)
第1实施方式的散射层16被配置在波长变换层14的出射面侧。在第2实施方式的发光模块中，将散射层16配置在了波长变换层14的入射面侧。另外，还根据需要在波长变换层14的入射面和散射层16之间设有粘接层26。
[实施例]
以下针对上述各实施方式的发光模块的实施例，与比较例一起说明。
首先，组装起发光模块10后组装于压铸铝制的散热片。然后，对发光模块10施加700mA的电流，使其稳定15分钟左右后，用柯尼卡美能达公司生产的二维色彩色度计测定发光模块10上面(发光面)的亮度[cd]、亮度不均[cd/mm2]、色度不均。亮度不均表示发光模块的发光面的最高亮度与最低亮度的差，色度不均表示发光模块的发光面内的色度Cx的最高值与最低值的差。
图4是表示比较例1、2的各发光模块的构成和测定结果的表。图5是表示实施例1～6的发光模块的构成和测定结果的表。图6是表示实施例7～11的发光模块的构成和测定结果的表。
在将发光模块装入车辆用灯具来照射路面的情况下，希望亮度不均在5cd/mm2以下。这是因为，若亮度不均大于此，则会在路面上产生配光肋纹(配光スジ)，夜间长距离行驶时的疲劳会变大。另外，已知色度不均在0.1以上时，夜间长距离行驶时的疲劳也会变大。
另外，关于各发光模块，作为通常的发光模块，亮度越高，越能将照明器具设计得小型化。因为通过能使其小型化，外观设计的自由度也变高，能制作出好看的照明器具。
各比较例和各实施例的发光模块采用在板状的YAG陶瓷中添加了Ce作为活化剂的波长变换层。在比较例1和比较例2的发光模块的构造中，虽然有相当于各实施例的光散射层的由板状无色的YAG陶瓷所构成的层，但却不含有散射材料。因此，可知亮度不均、色度不均的值都较大，不适于车辆用灯具中的使用。
而实施例1～11的各发光模块在光散射层中含有散射材料，基质的折射率与散射材料的折射率的差在0.05以上。因此，可知实施例1至11的任一者的构造都比比较例的亮度提高了，并且亮度不均、色度不均被大幅改善了。具体来说，在将实施例1～11的发光模块装入车辆用灯具的情况下，亮度不均在5cd/mm2以下，色度不均在0.1以下，故能减轻夜间长距离行驶时的疲劳。
此外，将实施例1与实施例2的发光模块的测定结果进行比较可知，在将散射层16配置在波长变换层14的出射面侧时，与将散射层16配置在波长变换层14的入射面侧时相比，亮度不均、色度不均都被减少了。即，波长变换层14优选被配置在半导体发光元件12与散射层16之间。通过这样的配置，能使半导体发光元件12发出的蓝色光和波长变换层14发出的黄色光两者都散射，故认为能更加减少色度不均。
在各实施例中，粘接层26的厚度为0.1～10μm程度，但特别优选厚度在1.0[μm]以下。由此，能减少粘接层对在散射层与波长变换层之间发生的光的折射和反射的影响。
特别是粘接层的厚度不足0.5μm、具体来说厚度为0.1μm的实施例5～10的发光模块，其亮度、亮度不均、色度不均都大大改善了。
即，作为实施例5～10的发光模块，若半导体发光元件12发出的蓝色光的峰值波长λp为0.4[μm](＝400[nm])，则粘接层的厚度t[μm]满足(1/8)λp<t<(3/8)λp。这样，当粘接层的厚度为蓝色光的峰值波长的1/4程度时，能更加减少粘接层的影响。
此外，在采用折射率比基质高的YAP(YAlO3)作为散射材料的实施例9～11中，亮度非常高，亮度不均、色度不均都变得非常低。
以上参照上述实施方式和各实施例说明了本发明，但本发明并不限定于上述实施方式和实施例，将实施方式和实施例的构成适当组合或置换后的方案也包含在本发明内。此外，还可以基于本领域技术人员的知识适当重组实施方式和各实施例中的组合或处理的顺序，或者对实施方式和各实施例施加各种设计变更等变形，被施加了这样的变形的实施方式也包含在本发明的范围内。
在实施方式中说明了通过从半导体发光元件发出蓝色光、通过波长变换层变换成黄色光，将两者混色，来生成白色光的情况，但也可以通过其它方法生成白色光。例如，也可以从半导体发光元件发出紫外光，通过波长变换层内的两种荧光体分别变换成蓝色光和黄色光，将两者混色来生成白色光。
〔工业可利用性〕
本发明能适用于具有半导体发光元件的发光模块。

Claims (6)

1.一种发光模块，其特征在于，包括：
发出第1颜色的光的半导体发光元件，
将所述第1颜色的光的至少一部分波长变换而发出第2颜色的光的波长变换层，以及
使所述第1颜色的光和所述第2颜色的光的至少一者的光散射的散射层；
所述散射层具有基质和分散在该基质中的散射材料；
所述波长变换层包含波长变换物质；
所述波长变换层的折射率与所述基质的折射率的差在0.3以下；
所述基质的折射率与所述散射材料的折射率的差在0.05以上。
2.如权利要求1所述的发光模块，其特征在于，还包括：
将所述散射层和所述波长变换层粘接的粘接层；
所述粘接层的厚度在1.0[μm]以下。
3.如权利要求2所述的发光模块，其特征在于，
所述半导体发光元件发出蓝色的光；
在将所述蓝色的光的峰值波长记作λp[μm]时，所述粘接层的厚度t[μm]满足(1/8)λp<t<(3/8)λp。
4.如权利要求1至3的任一项所述的发光模块，其特征在于，
所述波长变换层是具有活化成分的板状的YAG陶瓷；
所述基质是板状的YAG陶瓷。
5.如权利要求1至4的任一项所述的发光模块，其特征在于，
所述波长变换层被配置在所述半导体发光元件和所述散射层之间。
6.如权利要求1至5的任一项所述的发光模块，其特征在于，
所述半导体发光元件被介由凸点以倒装芯片的方式安装于安装基板；
所述半导体发光元件具有：
被形成在透明的基板上的发光层，和
与所述凸点电连接、且贯通所述发光层地形成的电极。
CN201480007775.XA 2013-02-06 2014-01-17 发光模块 Pending CN104981915A (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2013-021789 2013-02-06
JP2013021789 2013-02-06
PCT/JP2014/000218 WO2014122888A1 (ja) 2013-02-06 2014-01-17 発光モジュール

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104981915A true CN104981915A (zh) 2015-10-14

Family

ID=51299489

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201480007775.XA Pending CN104981915A (zh) 2013-02-06 2014-01-17 发光模块

Country Status (6)

Country Link
US (1) US20150340565A1 (zh)
EP (1) EP2955764A4 (zh)
JP (1) JPWO2014122888A1 (zh)
KR (1) KR20150113183A (zh)
CN (1) CN104981915A (zh)
WO (1) WO2014122888A1 (zh)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105485573A (zh) * 2015-12-31 2016-04-13 广东晶科电子股份有限公司 一种高色域直下式led背光模组
CN107611232A (zh) * 2017-08-21 2018-01-19 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101691818B1 (ko) * 2014-06-19 2017-01-03 삼성디스플레이 주식회사 광원모듈 및 이를 포함하는 백라이트 유닛
EP3189550B8 (en) * 2014-09-02 2018-08-29 Lumileds Holding B.V. Light source
JP2016102999A (ja) * 2014-11-14 2016-06-02 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
WO2016075949A1 (ja) * 2014-11-14 2016-05-19 富士フイルム株式会社 波長変換部材及びそれを備えたバックライトユニット、液晶表示装置
US20160225962A1 (en) * 2015-01-30 2016-08-04 Empire Technology Development Llc Nanoparticle gradient refractive index encapsulants for semi-conductor diodes
JP2018186165A (ja) * 2017-04-25 2018-11-22 株式会社ディスコ 発光ダイオードチップの製造方法及び発光ダイオードチップ
US10749086B2 (en) * 2017-07-21 2020-08-18 Maven Optronics Co., Ltd. Asymmetrically shaped light-emitting device, backlight module using the same, and method for manufacturing the same
JP6848997B2 (ja) * 2018-04-11 2021-03-24 日亜化学工業株式会社 発光装置
TWI685988B (zh) * 2018-06-01 2020-02-21 宏齊科技股份有限公司 手持式電子裝置及其色溫可調控的倒裝式發光元件
JP6669292B2 (ja) * 2019-02-28 2020-03-18 日亜化学工業株式会社 発光装置及びその製造方法
JP6849139B1 (ja) * 2019-08-02 2021-03-24 日亜化学工業株式会社 発光装置および面発光光源

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101546795A (zh) * 2008-03-25 2009-09-30 旭丽电子(广州)有限公司 半导体发光元件
CN102106003A (zh) * 2008-07-22 2011-06-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于发光器件的光学元件及其制备方法
CN102428583A (zh) * 2009-05-19 2012-04-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于led的光散射和转换板
CN102484924A (zh) * 2009-07-10 2012-05-30 克里公司 包括含荧光粉基质材料的漫射体颗粒的发光结构

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4109756B2 (ja) * 1998-07-07 2008-07-02 スタンレー電気株式会社 発光ダイオード
JP2007043074A (ja) 2005-06-27 2007-02-15 Toshiba Lighting & Technology Corp 照明装置
US7795600B2 (en) * 2006-03-24 2010-09-14 Goldeneye, Inc. Wavelength conversion chip for use with light emitting diodes and method for making same
JP2007335798A (ja) * 2006-06-19 2007-12-27 Toyoda Gosei Co Ltd 発光装置
US7901565B2 (en) * 2006-07-11 2011-03-08 Basf Corporation Reforming sulfur-containing hydrocarbons using a sulfur resistant catalyst
US7507012B2 (en) * 2007-05-16 2009-03-24 Rohm And Haas Denmark Finance A/S LCD displays with light redirection
JP2008303363A (ja) * 2007-06-11 2008-12-18 Toyo Ink Mfg Co Ltd 紫外線遮蔽性感圧式接着剤組成物及びそれを用いてなる積層体
KR20110113177A (ko) * 2009-01-26 2011-10-14 아사히 가라스 가부시키가이샤 유기 ｌｅｄ 소자의 산란층용 유리 및 유기 ｌｅｄ 소자
CN102782089B (zh) * 2010-02-04 2015-07-22 日东电工株式会社 发光陶瓷层压制件及其制造方法
JP5486431B2 (ja) * 2010-07-27 2014-05-07 日東電工株式会社 発光装置用部品、発光装置およびその製造方法
US8610341B2 (en) * 2010-10-05 2013-12-17 Intematix Corporation Wavelength conversion component
KR20120134375A (ko) * 2011-06-02 2012-12-12 삼성전자주식회사 발광소자 패키지 및 그 제조방법
JP2013016588A (ja) * 2011-07-01 2013-01-24 Citizen Electronics Co Ltd Ｌｅｄ発光装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101546795A (zh) * 2008-03-25 2009-09-30 旭丽电子(广州)有限公司 半导体发光元件
CN102106003A (zh) * 2008-07-22 2011-06-22 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于发光器件的光学元件及其制备方法
CN102428583A (zh) * 2009-05-19 2012-04-25 皇家飞利浦电子股份有限公司 用于led的光散射和转换板
CN102484924A (zh) * 2009-07-10 2012-05-30 克里公司 包括含荧光粉基质材料的漫射体颗粒的发光结构

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105485573A (zh) * 2015-12-31 2016-04-13 广东晶科电子股份有限公司 一种高色域直下式led背光模组
CN105485573B (zh) * 2015-12-31 2019-02-15 广东晶科电子股份有限公司 一种高色域直下式led背光模组
CN107611232A (zh) * 2017-08-21 2018-01-19 天津三安光电有限公司 发光二极管及其制作方法

Also Published As

Publication number Publication date
KR20150113183A (ko) 2015-10-07
JPWO2014122888A1 (ja) 2017-01-26
EP2955764A4 (en) 2016-10-05
US20150340565A1 (en) 2015-11-26
WO2014122888A1 (ja) 2014-08-14
EP2955764A1 (en) 2015-12-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104981915A (zh) 发光模块
US10141491B2 (en) Method of manufacturing light emitting device
US7922352B2 (en) Device and method for emitting output light using multiple light sources with photoluminescent material
JP4699681B2 (ja) Ｌｅｄモジュール、および照明装置
JP5307881B2 (ja) 半導体発光装置
WO2014080567A1 (ja) 発光モジュール、照明装置および照明器具
WO2011132716A1 (ja) 半導体発光装置及び半導体発光装置の製造方法
JP2007165811A (ja) 発光装置
JP5443959B2 (ja) 照明装置
JP2009065137A (ja) 発光装置
JP5561330B2 (ja) 発光装置
JP2005109289A (ja) 発光装置
JP2008085302A (ja) 照明装置
CN105280801A (zh) 发光模块
JP2007258620A (ja) 発光装置
JP2014060328A (ja) 発光装置
JP2008218998A (ja) 発光装置
JP2009070892A (ja) Ｌｅｄ光源
JP2007288138A (ja) 発光装置
JP2007180234A (ja) 発光光源及び照明器具
JP2007043074A (ja) 照明装置
JP2018129492A (ja) 発光装置、及び、照明装置
JP2008244468A (ja) 発光装置
CN102800800A (zh) 发光二极管器件及其制作方法
JP2008235552A (ja) 発光装置の製造方法および発光装置

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
RJ01 Rejection of invention patent application after publication
RJ01 Rejection of invention patent application after publication

Application publication date: 20151014