CN104969045A - Cmos辐射热测量计 - Google Patents
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Abstract
一种用于制造半导体装置的方法包括在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间在衬底(100)上形成至少一个牺牲层(106，108，110)。在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层(130)。去除所述至少一个牺牲层(106，108，110)的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙(G1)，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方。所述牺牲层能够是CMOS工艺的氧化物，所述氧化物被利用选择性氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除以形成间隙。所述牺牲层也能够是聚合物层，其中，所述聚合物层被利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以形成间隙。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2012年8月22日提交的发明名称为“CMOS辐射热测量计”的美国临时申请61/691，837的优先权，其公开在此通过引用的方式全部并入本文。
技术领域
本发明总体涉及一种红外辐射传感器，并且尤其涉及一种辐射热测量计红外辐射传感器。
背景技术
通常，红外辐射(IR)传感器用在各种应用中以检测红外辐射并且提供电输出，所述电输出是入射红外辐射的测量。IR传感器通常使用光子探测器或热探测器来检测红外辐射。光子探测器通过利用光子的能量以激发材料中的电荷载流子来检测入射光子。然后电子地检测材料的激发。热探测器也检测光子。然而，热探测器利用所述光子的能量而提高部件的温度。通过测量温度方面的变化，能够确定产生温度变化的光子的强度。
光子探测器通常具有比热探测器更高的灵敏度和更快的响应时间。然而，光子探测器必须被低温冷却以使得热干扰最小，因此增加了装置的成本、复杂性、重量和功率消耗。相比之下，热探测器在室温下操作，因此避免了由光子探测器装置所需要的冷却。结果，热探测器能够通常具有比光子探测器装置更小的尺寸、更低的成本和更低的功率消耗。
红外热探测器的一种类型是热电堆。热电堆由串联连接的若干热电偶形成。每个热电偶由异种材料的两个导体构成，所述两个导体在所述导体的结点附近产生取决于结点与导体的其他部分之间的温度差的电压。热电偶与定位在最靠近探测器的IR吸收区域的“热结点”以及定位在最远离IR吸收区域的“冷结点”串联连接。为了获得在基于热电堆的IR探测器中合理的敏感度，热电堆的热结点和冷结点需要尽可能彼此热隔离并且与可能影响热结点的和冷结点的温度的其他热源热隔离。为了实现所述热隔离，热电堆通常放置在衬底上介电层的顶部上并且大的背腔在热电堆下方蚀刻到所述衬底中以增大热阻。
红外热探测器的另一类型是辐射热测量计。辐射热测量计包括用于吸收红外辐射的吸收体元件和与吸收体元件热接触的换能器元件，所述换能器元件具有随温度变化的电阻。在操作中，入射在辐射热测量计上的红外辐射将由辐射热测量计的吸收体元件吸收并且由所吸收的辐射产生的热量将传递到换能器元件。在换能器元件响应于所吸收的辐射而发热时，换能器元件的电阻将以预先确定的方式发生变化。通过检测电阻方面的变化，能够获得入射红外辐射的测量。辐射热测量计可以用作单独的传感器，但是辐射热测量计也可以设计为排或二维阵列，其称为微型辐射热测量计阵列。
技术方面的最新进展已经使得辐射热测量计的吸收体元件能够通过原子层沉积(ALD)形成。ALD使得吸收体元件能够形成为具有精确和均匀厚度的薄金属膜。结果，ALD薄膜辐射热测量计比热电堆传感器敏感数个数量级。ALD薄膜技术的使用已经允许辐射热测量计装配在互补金属氧化物半导体CMOS的顶部上实施。然而，仍然存在对于装配这样的辐射热测量计传感器的方法的需求，所述辐射热测量计传感器更加充分地将辐射热测量计的设计和结构集成到CMOS工艺中。
附图说明
图1是在形成用于辐射热测量计的吸收体层之前，用于实施辐射热测量计的CMOS衬底的横截面图；
图2是图1的CMOS衬底的、在形成用于辐射热测量计的吸收体层之后的横截面图；
图3是图2的CMOS衬底的、在已经进行蚀刻以释放吸收体层和暴露CMOS衬底中的金属化层以用作用于辐射热测量计的反射体之后的横截面图；
图4和图5示出图3的辐射热测量计的替代的实施例，其中，不同的金属化层被暴露以用作反射体；
图6是用于支承图1-图5的辐射热测量计的吸收体的锚的实施例的横截面图；
图7是图6的锚的横截面图，其示出所述锚与到CMOS的ASIC部分的布线之间的电连接。在此，所述锚机械连接到衬底并且经由一个或多个扩散装置(diffusion)136电绝缘；
图8是图6的锚的俯视图，其中，金属间通孔以虚线示出；
图9是热辐射热测量计的吸收体的俯视示意图；
图10是用于实施辐射热测量计的替代的CMOS衬底的横截面图，其示出形成在衬底上的氧化物的顶部上的聚合物牺牲层和用于辐射热测量计的形成在牺牲层之上的吸收体；
图11示出在牺牲层已经被去除之后图10的CMOS衬底；
图12示出图11的吸收体的替代的实施例，其具有辐射热测量计横截面的附加图案化以提高机械稳定性；
图13和图14示出辐射热测量计的替代的实施例，其包括由CMOS衬底中的不同的金属化层和通孔形成的经图案化的反射体；
图15示出用于实施辐射热测量计的CMOS衬底，其示出在去除氧化物之前电连接到通孔的辐射热测量计的吸收体层；
图16示出在去除氧化物以形成辐射热测量计之后图15的CMOS衬底；
图17示出具有用于图案化吸收体以提高机械稳定性的氧化物沟槽的CMOS衬底；
图18示出在氧化物已经被去除以形成辐射热测量计之后图17的CMOS衬底；
图19是装配在CMOS衬底的顶部上的辐射热测量计传感器的透视图；
图20是图19的辐射热测量计传感器的侧视图。
具体实施方式
为了促进理解本发明的原理的目的，现在将参考附图所示的和在以下书面说明中描述的实施例。应理解，并非旨在限制本发明的范围。还应理解，本发明包括对所示实施例的改动和修改并且还包括如本发明所属领域技术人员通常会想到的本发明的原理的应用。
图19和图20描绘实施在CMOS衬底12的顶部上的辐射热测量计传感器10的实施例。传感器10包括衬底12、反射体14和吸收体16。尽管在图19和图20中描绘单个传感器10，但衬底12——其在该实施例中是硅晶片——可以装配有多个辐射热测量计传感器，所述多个辐射热测量计传感器形成微辐射热测量计阵列(未示出)，其中，每个辐射热测量计对应于阵列的一个像素。衬底12包括用于访问传感器10的输出的电子电路(未示出)。反射体14可以包括例如形成在衬底12上的金属化层或多层电介质。
吸收体16通过柱18与反射体14间隔开。尽管可以设置任何合适的间隙宽度，但在该实施例中，反射体14与吸收体16之间的间隙G是大约2.5μm。在该实施例中的间隙被选择以优化在长波长的红外区域中的吸收。除了建立吸收体16与反射体14之间的间隙G以外，柱18由导电材料形成并且提供与设置在衬底10中的读取电路(未示出)的电接触。
除了从入射光子吸收能量以外，吸收体16被选择以提供良好的噪声等效温差(NETD)。为了使得吸收体16具有良好的NETD(噪声等效温差)，被选择以形成吸收体16的材料应该表现出高的电阻温度系数同时表现出低的过量噪声(1/f噪声、Johnson噪声)。半导体材料(诸如氧化钒)由于其高的电阻温度系数而在微机械的辐射热测量计中是常见的。尽管金属具有比一些半导体材料(诸如氧化钒)较低的电阻温度系数，然而金属通常具有比许多半导体材料低得多的过量噪声。
因此，在一个实施例中，吸收体16包括金属。钛和铂是表现出所需特性的两种金属。例如，钛表现出大约7*10-7欧姆的体电阻率。使用7*10-7的体电阻率，用来匹配自由空间(377欧姆/平方)的阻抗的吸收体106的厚度应该是大约1.9nm。然而，形成为小于大约50nm的厚度的材料的电阻率能够比所述体值高若干倍。因此，取决于工艺参数，如果由钛制成，则吸收体16的厚度优选大约10nm。必要时，还可以在形成期间将杂质引入吸收体16中以调节电阻率。因此，在该实施例中吸收体16的厚度是大约10nm并且吸收体16从柱到柱的长度是大约25μm。该构造提供吸收体16的宽度与吸收体16的长度之间的为1/1000级的比和吸收体16的厚度与间隙宽度G的大约1/100的比。
在操作中，当电磁辐射(例如红外光)到达传感器10时，电磁辐射以与吸收体16的电阻率、反射体14的质量、吸收体16与反射体14之间的间隙宽度和辐射波长相关的效率吸收在吸收体16的薄膜金属内。一旦吸收入射辐射，吸收体16经历温度的升高。温度升高转而导致吸收体16的电阻率的减小或增大。然后吸收体16被电探测以测量吸收体16的电阻率并且从而间接测量在吸收体16上的入射电磁辐射的量。
本发明涉及将辐射热测量计设计和结构集成到CMOS工艺中的方法。如上所述，辐射热测量计装配件可以通过利用用于布线、锚和反射的CMOS层集成到CMOS工艺中。将CMOS层合并到辐射热测量计的结构中能够降低用于装置的生产成本并且允许在设计方面的变化，所述设计否则将过于复杂或不切实际以致于不能实施。在一个实施例中，一种用于制造辐射热测量计传感器的方法包括将CMOS工艺的氧化物用作用于吸收体的牺牲层。该方法还包括选择性氢氟酸气相干式蚀刻工艺的使用，选择性氢氟酸气相干式蚀刻工艺用于去除牺牲层和防止脆性吸收体层的粘滞(Stiction)。将辐射热测量计装配集成到CMOS工艺中使得能够通过利用CMOS流程的不同金属层实现不同的反射体间隙。CMOS集成还使得辐射热测量计的反射体和/或吸收体层能够被图案化以改善吸收和提高机械稳定性。
图1至图3描绘CMOS衬底100的横截面图，所述CMOS衬底100包括用于实施辐射热测量计传感器的结构特征。CMOS衬底100包括基部衬底层102(诸如硅)，多个氧化物层104、106、108、110和金属化层112、114、116、118已经形成在所述基部衬底层上。金属化层112、114、116、118已经被图案化以形成用于辐射热测量计传感器的导体120和接触结构122。金属化层112、114、116、118也已经被图案化以使得所述金属化层中的至少一个能够用作用于辐射热测量计的反射体124。通孔126设置在CMOS衬底100中的策略位置中以使得接触结构122互相连接。如下所述，通孔126和接触结构122对齐以形成柱128，所述柱128构造用于将所述吸收体层130(图2)锚定到衬底100并且将吸收体层130悬挂在反射体124上方。柱128还可以构造用于悬挂金属化层的一部分以提供用于辐射热测量计的经图案化的反射体。
图1示出在形成用于辐射热测量计的吸收体层130之前用于实施辐射热测量计的CMOS衬底。图2示出在吸收体层130已经形成在氧化物层110的顶部上之后的CMOS衬底100。在一个实施例中，吸收体层130通过原子层沉积(ALD)形成。由于所沉积的金属的和半导体的典型电阻率，悬挂的薄膜设有小于50nm的厚度。
在图1和图2的实施例中，CMOS衬底100的氧化物层用作用于释放吸收体130和暴露反射体124的牺牲层。图3描绘在牺牲氧化物层已经被去除以释放吸收体130和暴露反射体124之后的CMOS衬底100。如图3所示，氧化物层110已经被完全去除。氧化物层108已经部分去除，而留下氧化物层108的一部分作为用于反射体124的支承件。氧化物层106的一部分也已经被去除到反射体区域的任一侧并且去除到图3中柱18的右边。为了防止吸收体层130的粘滞，进行氢氟酸气相干式刻蚀释放工艺以去除牺牲层。通孔126和金属化接触部122对齐以形成柱128，所述柱128从衬底突出以将吸收体130悬挂在反射体124上方以提供间隙G1。金属导体层和金属通孔还可以水平地和竖直地用作固有蚀刻终止层。在一个替代的实施例中，氧化物可以通过各向异性反应离子蚀刻(RIE)和各向同性气相HF蚀刻的组合去除。
在一个实施例中，通孔126包括如图6-8所示的由包围内氧化物层134的导电材料形成的外层132。通孔126的内氧化物层134由导电层132保护以使得所述内氧化物层134在蚀刻工艺中不与牺牲层一起被去除。在一个实施例中，柱128可以使用一个或多个掺杂步骤与衬底电绝缘地机械耦合。在另一实施例中，柱128可以如图7所示通过在衬底100中在柱128的基部处形成的植入区域136电连接到衬底。图9示出吸收体130在柱128和反射体124之上的定位。吸收体130能够实现为包括蛇形、矩形、纹理的、穿孔等各种型式/几何形状。
在图3的实施例中，选择金属化层116用作用于辐射热测量计的反射体124。金属化层116限定吸收体130与辐射热测量计的反射体124之间的间隙宽度G1。图4和图5描绘辐射热测量计实施方式的替代的实施例，其中，在CMOS衬底上的不同金属化层被选择以用作用于辐射热测量计的反射体。在图4的实施例中，金属化层114用来形成用于辐射热测量计的反射体124，所述金属化层114限定吸收体130与反射体124之间的间隙宽度G2，所述间隙宽度G2大于G1。在图5的实施例中，金属化层112用来形成限定比G1和G2更大的间隙宽度G3的反射体。
图10和图11描绘辐射热测量计实施方式的替代的实施例，其包括：在CMOS衬底140上形成聚合物层142以用作用于释放吸收体144的牺牲层。CMOS衬底包括多个氧化物层146、148、150、152和金属化层154、156、158、160。金属化层154、156、158、160已经被图案化以形成用于辐射热测量计传感器的导体162和接触结构164。在该实施例中，金属化层160已经被图案化以形成反射体166。通孔168被设置用于电连接接触结构。通孔168和接触结构164对齐以形成将吸收体连接到衬底的锚170。
吸收体144形成在聚合物层142上。聚合物牺牲层142例如利用氧气等离子体蚀刻工艺去除以释放吸收体144和暴露反射体166。在该实施例中，沟槽172设置在聚合物层142中，所述沟槽172延伸通过聚合物层142到金属化层160中的金属接触部164以允许吸收体层144接触锚。如图11所示，一旦去除聚合物层，吸收体的由沟槽172限定的几何形状就允许吸收体层悬挂在反射体166上方以形成具有与聚合物层142的厚度对应的宽度的间隙。沟槽还可以设置在聚合物层中用于使吸收体图案化以提高机械稳定性。例如，图12描绘图10和图11的吸收体的替代的实施例，其包括通过设置在聚合物层中的附加沟槽(未示出)形成的U形结构特征174。
图13和图14示出这样的辐射热测量计的示例，所述辐射热测量计包括经图案化的反射体，其通过在CMOS衬底中的不同的金属化层和通孔形成以调节反射体的反射特性。在图13中，CMOS衬底176包括金属化层178、180、182、184，它们已经被图案化以形成将吸收体188悬挂在经图案化的反射体190上方的柱186。经图案化的反射体190的基部192通过由衬底上的氧化物层198的剩余部分支承的金属化层180形成。经图案化的反射体190包括将金属化层182的部分196悬挂在基部反射体192上方的通孔/柱194。在图13的示例性实施例中，经图案化的反射体190通过两个金属化层180、182和一个金属间通孔194形成。图14描绘图13的衬底176的替代的示例性实施例，其包括通过三个金属化层和两个金属间通孔形成的经图案化的反射体190’。在图14中，反射体190’的基部192通过由氧化物层200支承的金属化层178形成。柱194通过两个金属化层180、182和两个金属间通孔形成在基部192之上。氧化物层198已经完全从柱194之间的区域去除。
图15和图16描绘这样的辐射热测量计的一个实施例，其中，所述辐射热测量计的吸收体层电连接到通孔而不是金属化层接触部。如图15所示，CMOS衬底202包括氧化物层204、206、208、210和金属化层212、214、216。金属化层212、214、216被图案化以形成导体218和接触部220以及潜在反射体222。通孔224被设置用于电连接接触部220和形成柱226。吸收体层228形成在氧化物层210上，该吸收体层电连接到氧化物层210中的通孔224，因此顶部金属化层不必设置在最上部氧化物层210的表面上。
图16示出在牺牲氧化物也就是，氧化物层208、210和层206的一部分已经利用氢氟酸气相干式刻蚀工艺去除以后图15的衬底202。在该实施例中，金属化层216用于形成反射体222。在替代的实施例中，反射体22也可以通过金属化层214或金属化层212形成。
图17和图18描绘这样的辐射热测量计的一个实施例，其中，与图12的实施例相似，沟槽设置在CMOS衬底的氧化物中以使辐射热测量计的吸收体层图案化。如图17所示，CMOS衬底230包括氧化物层232、234、236、238和金属化层240、242、244、246。金属化层被图案化以形成导体248、接触部250和潜在反射体252。通孔254被设置用于电连接接触部和形成柱256。吸收体层258形成在氧化物层238上。沟槽260设置在氧化物层238中以将结构特征添加到吸收体中用于增强性能或提高结构稳定性。
在图17和图18的实施例中，设有两个沟槽260，所述两个沟槽被构造用于在吸收体258中形成U形凹槽或U形梁262。在替代的实施例中，可以使用具有不同形状的更多或更少的沟槽以将不同结构特征施加到吸收体。在一些实施例中，附加材料(诸如垫或凸块(未示出))可以增加到氧化物层238的顶部上以将从氧化物层238向上延伸的结构元件添加到吸收体。
尽管在附图和在之前的描述中已经示出和详细描述了本发明，所述附图和所述描述应认为是示例性的而不是在特征方面进行限定。应理解，仅仅已经呈现优选的实施例，而期望保护在本发明的精神内的所有改变、修改和进一步的应用。
Claims (18)
1.一种用于制造半导体装置的方法，其包括：
在互补金属氧化物半导体(CMOS)工艺期间，在衬底上形成至少一个牺牲层；
在所述至少一个牺牲层的顶部上沉积吸收体层；
去除所述至少一个牺牲层的在所述吸收体层下方的一部分以形成间隙，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙之上。
2.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
在所述衬底上沉积至少一个金属化层；
在所述金属化层的顶部上形成至少一个氧化物层；
在所述至少一个氧化物层中形成柱结构，所述柱结构电连接到所述至少一个金属化层；
在所述至少一个氧化物层的和所述柱结构的顶部上沉积所述吸收体层以使得所述吸收体层电连接到所述柱结构；
通过在所述吸收体层下方和围绕所述柱结构去除所述至少一个氧化物层来将所述至少一个氧化物层用作牺牲层以形成间隙，其中，所述吸收体层的所述部分通过所述柱结构悬挂在所述间隙之上。
3.根据权利要求2所述的方法，其还包括：
将多个金属化层和多个氧化物层以交替的图案在彼此的顶部上沉积在所述衬底上；
使所述金属化层图案化以在所述衬底上在不同的水平处形成导体和接触结构以将所述吸收体层电连接到外部电路，其中，在不同水平处的接触结构相对于彼此竖直地对齐；
形成延伸通过所述氧化物层并且电连接所述接触结构以形成柱结构的通孔。
4.根据权利要求3所述的方法，其还包括：
在所述氧化物层中的一个的顶部上沉积反射体金属化层；
使所述反射体金属化层图案化以用作用于所述吸收体的反射体；
在所述反射体的顶部上沉积至少一个氧化物层；
在所述反射体上的所述至少一个氧化物层的顶部上沉积所述吸收体层；
将所述至少一个氧化物层的在所述吸收体层下方的一部分去除到所述反射体以形成所述间隙和所述反射体，其中，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方并且所述反射体在所述吸收体下方暴露。
5.根据权利要求4所述的方法，其中，在所述反射体金属化层的顶部上沉积多个氧化物层和多个金属化层以在所述吸收体层与所述反射体金属化层之间限定预先确定的间隙距离。
6.根据权利要求4所述的方法，其还包括：
在第一氧化物层的顶部上沉积第一反射体金属化层；
在所述第一反射体金属化层的顶部上形成第二氧化物层；
在所述第二氧化物层中形成向下延伸到所述第二反射体金属化层的通孔；
在所述第二氧化物层和所述通孔的顶部上沉积第二反射体金属化层；
通过去除所述第二金属化层的围绕所述通孔的部分来使所述第二反射体金属化层图案化；
在所述第二反射体金属化层的顶部上形成第三氧化物层；
在所述第三氧化物层的顶部上沉积所述吸收体层；
将所述第三氧化物层的在所述吸收体之下的一部分向下去除到所述第二反射体金属化层并且将所述第二氧化物层的在所述通孔之间的部分向下去除到所述第一反射体金属化层以形成间隙，其中，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方并且所述第一和第二反射体金属化层在所述吸收体下方暴露以形成经图案化的反射体结构。
7.根据权利要求6所述的方法，其还包括：
在所述第三氧化物层的顶部上沉积第三反射体金属化层；
在所述第三氧化物层中形成向下延伸到所述第二反射体金属化层并且与所述第二氧化物层中的通孔对齐的通孔；
通过去除所述第三反射体金属化层的围绕所述第三氧化物层中的通孔的部分来使所述第三反射体金属化层图案化；
在所述第三反射体金属化层的顶部上形成第四氧化物层；
在所述第四氧化物层的顶部上沉积所述吸收体层；
将所述第四氧化物层的在所述吸收体下方的部分向下去除到所述第三反射体结构、将所述第三氧化物层的在所述通孔之间的部分向下去除到所述第二反射体金属化层并且将所述第二氧化物层的在所述通孔之间的部分向下去除到所述第一反射体金属化层以形成间隙，其中，所述吸收体层的一部分悬挂在所述间隙上方并且所述第一、第二和第三反射体金属化层在所述吸收体的下方暴露以形成经图案化的反射体结构。
8.根据权利要求1所述的方法，其还包括：
在所述牺牲层中形成U形沟槽以在所述吸收体层中限定U形梁；
将所述吸收体层沉积到所述牺牲层的顶部上以及所述U形沟槽中；
去除包括在所述吸收体下方的U形沟槽的所述牺牲层以形成间隙，其中，所述吸收体层的包括由所述U形沟槽限定的U形梁的一部分悬挂在所述间隙上方。
9.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括所述CMOS工艺的氧化物；
其中，利用选择性的氢氟酸气相干式蚀刻释放工艺去除所述氧化物以形成间隙。
10.根据权利要求1所述的方法，其中，所述牺牲层包括聚合物层，
其中，利用氧气等离子体蚀刻工艺去除所述聚合物层以形成间隙。
11.根据权利要求1所述的方法，其中，利用原子层沉积工艺沉积所述吸收体层。
12.根据权利要求11所述的方法，其中，以大约50nm或更小的厚度沉积所述吸收体层。
13.根据权利要求12所述的方法，其中，所述吸收体层由金属形成。
14.根据权利要求13所述的方法，其中，所述吸收体层包括钛和铂中的至少一种。
15.一种辐射热测量计传感器，其包括：
CMOS衬底；
在CMOS工艺期间沉积在所述衬底上的多个氧化物层；
在所述CMOS工艺期间在所述氧化物层之间在不同水平处沉积的多个金属化层，所述多个金属化层被图案化以在不同水平处形成导体和接触结构以将所述传感器电连接到外部电路，其中，在不同水平处的所述接触结构相对于彼此竖直地对齐，所述金属化层中的至少一个被图案化以形成反射体结构；
在所述氧化物层中形成的通孔，所述通孔竖直地与所述接触结构对齐，并且所述通孔在所述接触结构之间延伸并且电连接所述接触结构，所述竖直对齐的通孔和接触结构形成柱结构；
通过所述柱结构悬挂在所述反射体结构上方的吸收体层，所述氧化物层在所述吸收体层和所述反射体结构之间被去除以在二者之间限定间隙。
16.根据权利要求15所述的传感器，其中，至少两个金属化层用于形成所述反射体结构，
其中，用于所述反射体的第一金属化层沉积在第一水平处，
其中，至少第二金属化层沉积在所述第一水平上方的第二水平处，所述第二金属化层被图案化并且通过柱支承在所述第一水平上方，
其中，所述经图案化的第二金属化层和所述第一金属化层的在所述柱之间的部分在所述间隙中暴露以形成经图案化的反射体结构。
17.根据权利要求16所述的传感器，其中，第三金属化层沉积在所述第二水平上方的第三水平处，所述第三金属化层被图案化并且通过与支承所述第二金属化层的柱对齐的柱支承在所述第二水平上方，
其中，所述经图案化的第三金属化层、所述经图案化的第二金属化层和所述第一金属化层的在所述柱之间的部分在所述间隙中暴露以形成所述经图案化的反射体结构。
18.根据权利要求15所述的传感器，其中，所述吸收体层包括在所述吸收体层的沉积期间通过在牺牲层中的在所述吸收体之下的U形沟槽限定的U形梁。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |