CN104947036A - 一种降低成膜腔室中微粒杂质的方法及装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种降低成膜腔室中微粒杂质的方法及装置，其中方法包括：对玻璃进行表面活化，将玻璃置于成膜腔室中，通过玻璃吸附成膜腔室中的微粒杂质，将吸附有微粒杂质的玻璃从成膜腔室中取出。通过上述方式，本发明可降低液晶工艺中的PVD或CVD制程中成膜腔室中的微粒杂质，避免由于微粒杂质导致的成膜后膜层损伤、膜脱、器件失效等缺陷，降低因为微粒杂质造成的产品良率损失。
Description
技术领域
本发明涉及液晶制程技术领域，特别是涉及一种液晶成膜制程中降低成膜腔室中微粒杂质的方法及装置。
背景技术
薄膜晶体管液晶显示器TFT-LCD(英文为：Thin FilmTransistor-Liquid Crystal Display)的制程中往往需要要用到PVD(物理气相沉积，英文为：Physical Vapor Deposition)或CVD(化学气相沉积，英文为：Chemical Vapor Deposition)工艺来制程各种薄膜，而现今的技术，在PVD/CVD成膜腔室中，往往会存在较多的微粒杂质，这些微粒杂质在后续的制程中会造成膜内或膜上缺陷，导致成膜后膜层损伤、膜脱、器件失效等问题，从而会导致由于微粒杂质造成的产品良率损失。
发明内容
本发明提供一种降低成膜腔室中微粒杂质的方法及装置，其采用活化后的玻璃吸附并带出成膜腔室中的微粒杂质，从而避免由于微粒杂质造成的产品良率损失。
本发明的一方面提供一种降低成膜腔室中微粒杂质的方法，该方法包括：对玻璃进行表面活化，将玻璃置于成膜腔室中，通过玻璃吸附成膜腔室中的微粒杂质，将吸附有微粒杂质的玻璃从成膜腔室中取出。
其中，对玻璃进行表面活化的步骤包括：对玻璃进行HF表面活化，以增加玻璃的表面粗糙度。
其中，通过玻璃吸附成膜腔室中的微粒杂质的步骤包括：通过传片吸附将微粒杂质吸附在玻璃的表面。
其中，该方法还包括：通过清洗降低玻璃表面上吸附的微粒杂质。
其中，成膜腔窒为PVD或CVD成膜腔室。
本发明的另一方面提供一种降低成膜腔窒中微粒杂质的装置，该装置包括一玻璃，装置对玻璃进行表面活化，并将玻璃置于成膜腔室中，以通过玻璃吸附成膜腔室中的微粒杂质，装置将吸附有微粒杂质的玻璃从成膜腔室中取出。
其中，装置对玻璃进行HF表面活化，以增加玻璃的表面粗糙度。
其中，装置通过传片吸附将微粒杂质吸附在玻璃的表面。
其中，装置通过清洗降低玻璃表面上吸附的微粒杂质。
其中，成膜腔窒为PVD或CVD成膜腔室。
通过上述方案，本发明的有益效果是：区别于现有技术，本发明的降低成膜腔室中微粒杂质的方法通过对玻璃进行表面活化，并将玻璃置于成膜腔室中，通过玻璃吸附成膜腔室中的微粒杂质，并将吸附有微粒杂质的玻璃从成膜腔室中取出，从而通过活化处理后的玻璃吸附成膜腔室中的微粒杂质，实现降低成膜腔室中的微粒杂质，避免出于微粒杂质造成的成膜后的膜层损伤、膜脱、器件失效等缺陷，提高产品的良率。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。其中：
图1是本发明降低成膜腔室中微粒杂质的方法的流程示意图；
图2是本发明降低成膜腔室中微粒杂质的装置的结构示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性的劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
气相沉积技术(英文为：Vapor Deposition；缩写为VD)是指通过气态物质或使材料气化后，使其沉积于固体材料或制品(基片)表面并形成固态沉积物的技术，其包括物理气相沉积(Physical VaporDeposition，缩写为PVD)和化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition，缩写为CVD)。其中，PVD指利用物理过程实现物质转移，将原子或分子由源转移到基材表面上的过程。它的作用是可以使某些有特殊性能(强度高、耐磨性、散热性、耐腐性等)的微粒喷涂在性能较低的母体上，使得母体具有更好的性能；CVD指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应腔室，在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程；而无论是PVD还是CVD制程，其都需要一个反应腔室，即成膜腔室，例如，PVD离子镀膜技术，其是真空条件下，采用低电压、大电流的电弧放电技术，利用气体放电使靶材蒸发并使被蒸发物质与气体都发生电离，利用电场的加速作用，使被蒸发物质及其反应物沉积在工件上。因此，成膜腔室内通常会存在较多的微粒杂质，该微粒杂质如果不进行去除处理，则会在成膜制程时造成膜内或膜上缺陷，导致成膜后膜层损伤、膜脱、器件失效等，因此，本发明针对成膜腔室中的微粒杂质，提出一种降低成膜腔室中微粒杂质的方法。
请参看图1，图1是本发明降低成膜腔室中微粒杂质的方法的流程示意图。如图1所示，该方法包括：
S11：对玻璃进行表面活化。
在本实施例中，准备一块干净的玻璃，并对玻璃进行HF表面活化，以增加玻璃的表面粗糙度。其中，HF(Hydrofluoric acid；氢氟酸)是一种用于雕刻玻璃、清洗铸件上的残砂、控制发酵、电抛光和清洗腐蚀半导体硅片的化学试剂，而玻璃的主要成分为二氧化硅(SiO2)，HF与玻璃进行反应的化学式为：
SiO2+4HF＝SiF4+2H20
SiF4+2HF＝H2[SiF6]
通过HF对玻璃进行表面活化，使得玻璃由光滑的表面变成一个具有一定粗糙度的玻璃表面，如图2所示，经过HF活化处理的玻璃表面变得高低不平，增大了接触面积和表面粗糙度，从而使得玻璃的吸附能力大大提高。
S12：将玻璃置于成膜腔窒中。
其中，将经过HF表面活化处理后的玻璃置于成膜腔室中。
S13：通过玻璃吸附成膜腔室中的微粒杂质。
由于在PVD或CVD制程中，其成膜腔窒中存在较多的微粒杂质，而将经过HF表面活化处理后的玻璃置于成膜腔室内，由于玻璃经过HF表面活化后，其表面具有一定的粗糙度，使得其吸附能力大大提高了，因此，经过反复多次传片，这里的传片，即传递玻璃片进入成膜腔室内，将微粒杂质吸附在玻璃的表面。
S14：将吸附有微粒杂质的玻璃从成膜腔室中取出。
其中，将吸附有微粒杂质的玻璃从成膜腔窒中取出，并对玻璃表面进行清洗，以降低玻璃表面上吸附的微粒杂质，并对清洗出来的微粒杂质进行回收，以循环利用。进一步地，将清洗后的玻璃再次通过传片进入成膜腔室中，并再次吸附成膜腔窒中的微粒杂质，然后取出清洗，因此，通过多次传片吸附，从而可以大大降低成膜腔室中的微粒杂质，避免成膜腔室中存在过多的微粒杂质影响膜的产品良率。
其中，成膜腔室指的是PVD或CVD成膜腔室。
本发明还提供一种降低成成膜腔窒中微粒杂质的装置，如图2所示，该装置1包括一玻璃2，装置1对玻璃2进行HF表面活化，使得玻璃2的表面增大表面接触表面和粗糙力，以增加吸附能力，然后将玻璃2置于成膜腔室(图未示)中，该成膜腔室指的是PVD或CVD成膜腔室，使得玻璃2吸附成膜腔室中的微粒杂质，装置1进一步将吸附有微粒杂质的玻璃2从成膜腔窒中取出并清洗，通过清洗以降低玻璃2表面吸附的微粒杂质，并回收清洗出来的微粒杂质以循环利用，并减少环境污染。并且，将清洗后的玻璃2可反复多次通过传片手段进入成膜腔室中，通过传片吸附将微粒杂质吸附在玻璃2的表面带出，从而实现利用玻璃2重复多次的将成膜腔室中的微粒杂质取出，使得成膜腔窒中的微粒杂质大大的减少，避免微粒杂质影响成膜的良率。
综上所述，本发明的降低成膜腔室中微粒杂质的方法包括通过对玻璃进行表面活化，将玻璃置于成膜腔室中，通过玻璃吸附成膜腔室中的微粒杂质，将吸附有微粒杂质的玻璃从成膜腔室中取出，从而实现通过活化处理后的玻璃吸附成膜腔室中的微粒杂质，降低成膜腔室中的微粒杂质，避免出于微粒杂质造成的成膜后的膜层损伤、膜脱、器件失效等缺陷，提高产品的良率，并且回收的微粒杂质可循环利用，减少环境污染。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种降低成膜腔室中微粒杂质的方法，其特征在于，所述方法包括：
对玻璃进行表面活化；
将所述玻璃置于所述成膜腔室中；
通过所述玻璃吸附所述成膜腔室中的所述微粒杂质；
将吸附有所述微粒杂质的所述玻璃从所述成膜腔室中取出。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述玻璃进行表面活化的步骤包括：对所述玻璃进行HF表面活化，以增加所述玻璃的表面粗糙度。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述通过所述玻璃吸附所述成膜腔室中的所述微粒杂质的步骤包括：通过传片吸附将所述微粒杂质吸附在所述玻璃的表面。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述方法还包括：通过清洗降低所述玻璃表面上吸附的所述微粒杂质。
5.根据权利要求1-4任意一项所述的方法，其特征在于，所述成膜腔窒为PVD或CVD成膜腔室。
6.一种降低成膜腔窒中微粒杂质的装置，其特征在于，所述装置包括一玻璃，所述装置对所述玻璃进行表面活化，并将所述玻璃置于所述成膜腔室中，以通过所述玻璃吸附所述成膜腔室中的所述微粒杂质，所述装置将吸附有所述微粒杂质的所述玻璃从所述成膜腔室中取出。
7.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置对所述玻璃进行HF表面活化，以增加所述玻璃的表面粗糙度。
8.根据权利要求6所述的装置，其特征在于，所述装置通过传片吸附将所述微粒杂质吸附在所述玻璃的表面。
9.根据权利要求8所述的装置，其特征在于，所述装置通过清洗降低所述玻璃表面上吸附的所述微粒杂质。
10.根据权利要求9所述的装置，其特征在于，所述成膜腔窒为PVD或CVD成膜腔室。
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