CN101591146A - 石英部件的洗净方法和洗净*** - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种除去附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上的金属污染物质的方法。该方法包括：得到未安装于上述立式热处理装置的状态的上述石英部件的工序；接着利用稀氢氟酸对上述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；接着利用纯水对上述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；接着利用盐酸对上述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和接着利用纯水对上述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。
Description
技术领域
本发明涉及除去附着在半导体处理用的立式热处理装置的选自反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上的金属污染物质的方法和***。在此，所谓半导体处理意味着，通过在晶片或LCD(Liquid CrystalDisplay：液晶显示器)那样的FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用的玻璃基板等被处理基板上以规定图案形成半导体层、绝缘层、导电层等，用于在该被处理基板上制造半导体设备或包括与半导体设备连接的配线、电极等构造物而实施的各种处理。
背景技术
随着半导体装置的高集成化，装置图案逐渐微细化，因而对附着在半导体晶片上的污染物质量的许可范围也越来越严格。因此，为除去附着在石英部件上的污染物质，例如金属物污染物质，在使用半导体处理用的立式热处理装置之前，对由石英构成的反应管、晶舟、保温筒等石英部件进行石英部件的洗净。
为了洗净石英部件，例如在使用用纯水(DIW)稀释氢氟酸(HF)得到的稀氢氟酸(DHF)进行洗净之后，进行用纯水洗净的HDF洗净。并且，在日本特开2006-188419号公报中，提出了一种石英玻璃夹具或部件的洗净方法，该洗净方法在酸洗净后，在30～70℃的纯水中进行超声波洗净，除去金属污染物质。
发明内容
本发明的目的在于提供一种能够更可靠地除去附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上的金属污染物质的方法和***。
本发明的第一方面提供一种除去金属污染物质的方法，该金属污染物质附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上，其特征在于，包括：得到未安装于所述立式热处理装置的状态的所述石英部件的工序；接着利用稀氢氟酸对所述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；接着利用纯水对所述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；接着利用盐酸对所述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和然后利用纯水对所述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。
本发明的第二方面提供一种除去金属污染物质的***，该金属污染物质附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上，其特征在于，包括：利用稀氢氟酸对所述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净部；利用盐酸对所述石英部件进行洗净的盐酸洗净部；利用纯水对所述石英部件进行洗净的纯水洗净部；和控制所述***的动作的控制部。对所述控制部进行预设定，使得实施包括下述工序的方法：在所述稀氢氟酸洗净部中，利用稀氢氟酸对未安装于所述立式热处理装置的状态的所述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；接着在所述纯水洗净部中，利用纯水对所述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；接着在所述盐酸洗净部中，利用盐酸对所述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和然后在所述纯水洗净部中，利用纯水对所述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。
本发明的其他目的和优点将在以下说明中阐明、通过以下说明部分变得明显、或可通过对本发明的实施而获知。本发明的目的和优点可通过以下具体指出的手段及组合而实现和获得。
附图说明
结合在本说明书中且构成其一部分的附图，图解显示了本发明目前的优选实施例，与以上给出的总体说明和以下给出的优选实施例的详细说明一起，用于解释本发明的本质。
图1为表示本发明实施方式的用于除去附着在石英部件上的金属污染物质的洗净***的示意图。
图2为表示本发明实施方式的用于除去附着在石英部件上的金属污染物质的洗净方法的顺序的流程图。
图3为表示上述实施方式的变形例的用于除去附着在石英部件上的金属污染物质的洗净方法的顺序的流程图。
图4A、B、C、D、E为实验中使用的实施例PE1、PE2和比较例CE1、CE2、CE3的各处理顺序的图。
图5为表示通过实验得到的实施例PE1、PE2和比较例CE1、CE2、CE3的最终工序的排出液中所含的铝的量的图表。
图6为表示使用本发明实施方式的洗净方法的作为处理对象的石英部件(反应管、晶舟、保温筒等)的半导体处理用的立式热处理装置(立式成膜装置)的示意图。
具体实施方式
如图6所示，半导体处理用的立式热处理装置(立式成膜装置)，使用本发明实施方式的洗净方法的作为处理对象的若干个石英部件而构成。具体而言，处理装置100具有用于例如对半导体晶片(以下也称为晶片)等多个被处理基板进行规定的成膜处理的立式的石英制的反应管102。在反应管102内，以载置在石英制的保温筒106上的状态收纳有隔开间隔层叠多片半导体晶片(被处理基板)的石英制的晶舟104。晶舟104和保温筒106能够通过反应管102底部的搬送口搬入反应管102内或从其中搬出。石英制的保温筒106用于防止反应管102底部侧的温度下降。在反应管102上连接有用于供给成膜用处理气体的处理气体供给***112、用于排出反应管102内气体的真空排气***114。在反应管102的周围，设置有通过对反应管102内的气氛进行加热而加热晶片W的加热器116。
在现有技术中，例如反应管102、晶舟104和保温筒106等石英部件如上所述使用DHF进行洗净。但是，本发明人发现，即使对石英部件进行DHF洗净，在石英部件的表面仍会附着有金属污染物质。本发明人认为这是由于石英体(bulk)所含有的金属，例如铝(Al)在DHF洗净液中溶出，其附着在石英部件的表面。在为Al的情况下，在水洗中Al变为Al(OH)3，再次附着于水洗后的石英部件的表面。这样一来，如果使用附着有Al(OH)3的状态的石英部件，进行在被处理基板例如半导体晶片上形成薄膜的成膜处理，则例如由于300℃以上的加热，Al(OH)3变为Al2O3，该Al2O3在反应管内扩散，Al附着在半导体晶片上。
下面，参照附图说明基于上述观点构成的本发明的实施方式。在本实施方式中，作为洗净对象，例示石英制的反应管102，作为除去对象的金属污染物质，例示铝。其中，在下述说明中，对于具有相同功能和结构的构成要素标注相同符号，仅在必要时进行重复说明。
图1为表示本发明实施方式的用于除去附着在石英部件上的金属污染物质的洗净***的示意图。如图1所示，石英部件的洗净***1包括：利用稀氢氟酸(DHF)对反应管102进行洗净的DHF洗净装置3、利用纯水(DIW：deionized water)对反应管102进行洗净的纯水洗净装置4、利用盐酸(HCl)对反应管102进行洗净的HCl洗净装置5。
在本实施方式中，石英部件的洗净***1分别具备具有其本身的洗净槽的DHF洗净装置3、纯水洗净装置4和HCl洗净装置5的三个洗净装置。但是，例如也可以使DHF洗净装置3和HCl洗净装置5中的一个或两个为具有纯水洗净功能的洗净装置。在这种情况下，该洗净装置能够进行利用DHF或HCl的反应管102的洗净和利用纯水的反应管102的洗净。在这种本发明的实施方式时，石英部件的洗净***可以只具有两个洗净装置。
如图1所示，DHF洗净装置3具有收容DHF的洗净槽31。洗净槽31由不成为金属污染源的材料构成，例如，由合成树脂、玻璃、陶瓷等构成。在洗净槽31的上方，设置有供给调节为规定浓度的DHF的DHF供给源32，与调节由DHF供给源32供给的DHF的量的阀33连接。因此，规定量的DHF从DHF供给源32经由阀33供给至洗净槽31。
在DHF洗净装置3的洗净槽31的底面设置有排出管34，洗净槽31内的DHF排出液从排出管34排出。在排出管34上，从其上游一侧依次设置有泵35、过滤器36和阀37。泵35经由排出管34强制排出洗净槽31内的DHF的排出液。过滤器36从经由排出管34排出的DHF排出液中除去金属污染物质等污染物质。阀37通过控制其开度调节从排出管34排出的DHF排出液的量。其中，DHF洗净装置3也可以构成为对由过滤器36等除去污染物质后的DHF的排出液进行再利用。
纯水洗净装置4具有收容纯水的洗净槽41。洗净槽41与洗净槽31同样，由不成为金属污染源的材料构成，例如由合成树脂、玻璃、陶瓷等构成。在洗净槽41的上方，设置有供给纯水的纯水供给源42，与调节从纯水供给源42供给的纯水的量的阀43连接。因此，规定量的纯水从纯水供给源42经由阀43供给至洗净槽41。
在纯水洗净装置4的洗净槽41的底面设置有排出管44，洗净槽41内的排出液从排出管44排出。与排出管34同样，在排出管44上，从其上游一侧依次设置有泵45、过滤器46和阀47。
并且，在排出管44上，设置有将来自洗净槽41的排出液导入测定装置8、例如导入颗粒计数器的旁通配管48。在颗粒计数器中，测定从旁通配管48供给的排出液所含的颗粒数量。如后所述，该测定的颗粒数量作为除去金属污染物质的指标，判断是否有必要进行反复洗净。
并且，也可以取代在旁通配管48上连接测定装置8，而使用测定从洗净槽41溢出的洗净液的测定装置8m(参照图1中的假想线)，例如使用颗粒计数器。在这样的变更例中，也能够由纯水洗净装置4的洗净液获得金属污染物质的除去指标。
HCl洗净装置5具有收容HCl的洗净槽51。洗净槽51与洗净槽31同样，由不成为金属污染源的材料构成，例如由合成树脂、玻璃、陶瓷等构成。在洗净槽51的上方，设置有供给调节为规定浓度的HCl的HCl供给源52，与调节从HCl供给源52供给的HCl的量的阀53连接。因此，规定量的HCl从HCl供给源52经由阀53供给至洗净槽51。
在HCl洗净装置5的洗净槽51的底面设置有排出管54，洗净槽51内的HCl的排出液从排出管54排出。与排出管34同样，在排出管54上，从其上游一侧依次设置有泵55、过滤器56和阀57。
并且，在石英部件的洗净***1中配设有搬送装置6。搬送装置6只要是能够在DHF洗净装置3、纯水洗净装置4和HCl洗净装置5之间搬送反应管102这种石英部件的结构即可，可以使用各种搬送装置。例如，在DHF洗净装置3中，搬送装置6将反应管102搬入DHF洗净装置3的洗净槽31内，将反应管102保持在该洗净槽31中，使其浸渍规定时间，再从DHF洗净装置3的洗净槽31搬出反应管102。
洗净***1具备控制***整体动作的由计算机等构成的控制部10。控制部10按照预先存储在其附带的存储部12中的工艺方案，例如，根据被洗净的石英部件的条件等进行后述的洗净处理。在该存储部12中还预先存储有石英部件的条件与各处理液的条件之间的关系作为控制数据。因此，控制部10能够基于存储在其中的处理方案和控制数据，控制洗净***1的各部分(DHF洗净装置3、纯水洗净装置4、HCl洗净装置5、搬送装置6和测定装置8等)。其中，存储部12的存储介质例如为磁盘(软盘、硬盘(其中一例为存储部所包括的硬盘)等)、光盘(CD、DVD等)、磁光盘(MO等)、半导体存储器等。
下面，说明本实施方式涉及的石英部件的洗净方法。该石英部件的洗净方法，对未安装于立式热处理装置100的状态的石英部件(反应管102)进行DHF洗净和纯水洗净，然后再进行HCl洗净和纯水洗净。图2为表示本发明实施方式的用于除去附着在石英部件上的金属污染物质的洗净方法的顺序的流程图。其中，在以下的说明中，石英部件的洗净***1的各装置的动作由控制部10控制。并且，在本实施方式中，说明纯水洗净的排出液中所含的颗粒数量在规定数量以下时，结束纯水洗净的情况。
首先，将作为洗净对象的反应管102从立式热处理装置100取出，然后，采用手动方式和机械方式将反应管102从立式热处理装置100向洗净***1搬运。或者，将安装在立式热处理装置100前的新的反应管102向洗净***1搬运。
然后，最初，对如上搬运的作为洗净对象的反应管102进行DHF洗净(步骤S1)。具体而言，控制DHF洗净装置3(阀33)，向DHF洗净装置3的洗净槽31供给调节为规定浓度的DHF。并且，控制搬送装置6，将作为洗净对象的反应管102搬送至DHF洗净装置3。接着，将搬送的反应管102搬入(投入)充满DHF的洗净槽31中，将反应管102保持在该洗净槽31中，使其浸渍规定时间。通过将反应管102浸渍在洗净槽31中规定时间，反应管102的DHF洗净结束。
接着，对DHF洗净后的反应管102进行纯水洗净(步骤S2)。首先，控制搬送装置6，将DHF洗净后的反应管102从洗净槽31取出，搬送至纯水洗净装置4。并且，控制纯水洗净装置4(阀43)，向纯水洗净装置4的洗净槽41供给纯水，接着，将搬送的反应管102投入充满纯水的洗净槽41，将反应管102保持在该洗净槽41中，使其浸渍规定时间。
接着，判断是否可以结束该纯水洗净(步骤S3)。即，判断纯水洗净的排出液中所含的颗粒数量是否为规定数量以下。此时，控制搬送装置6，将纯水洗净后的反应管102从洗净槽41取出。并且，控制纯水洗净装置4的泵45和阀47，将洗净槽41内的排出液排出至排出管4，并且将规定量的排出液经由旁通配管48供给至测定装置8(颗粒计数器)。当排出液被供给至颗粒计数器时，控制颗粒计数器，使其测定供给的排出液所含的颗粒数量。控制部10使用该测定的颗粒数量作为金属污染物质除去的指标，并基于该指标，判断是否可以结束该纯水洗净。
如果判断颗粒数量大于规定数量(步骤S3，否)，则处理流程返回步骤S2，再次进行纯水洗净。即，控制纯水洗净装置4(阀43)，向纯水洗净装置4的洗净槽41供给纯水，将反应管102投入充满纯水的洗净槽41中，将反应管102保持在该洗净槽41中，使其浸渍规定时间。
如果判断颗粒数量为规定数量以下(步骤S3，是)，则对纯水洗净后的反应管102进行HCl洗净(步骤S4)。具体而言，控制HCl洗净装置5(阀53)，向HCl洗净装置5的洗净槽51供给调节为规定浓度的HCl。并且，控制搬送装置6，将纯水洗净后的反应管102搬送至HCl洗净装置5。然后，将搬送的反应管102投入充满HCl的洗净槽51，将反应管102保持在洗净槽51中，使其浸渍规定时间。通过将反应管102浸渍在洗净槽51中规定时间，反应槽102的HCl洗净结束。
向HCl洗净装置5的洗净槽51供给的HCl的浓度，只要是能够除去附着在反应管102表面的A1等金属污染物质、并且不蚀刻作为材料的石英的程度的浓度即可。HCl的浓度优选为例如1～30重量％，更优选为5～15重量％。
接着，对HCl洗净后的反应管102进行纯水洗净(步骤S5)。首先，控制搬送装置6，将HCl洗净后的反应管102从洗净槽51取出，搬送至纯水洗净装置4。并且，控制纯水洗净装置4(阀43)，向纯水洗净装置4的洗净槽41供给纯水。然后，将搬送的反应管102投入充满纯水的洗净槽41，将反应管102保持在该洗净槽41中，使其浸渍规定时间。
接着，判断纯水洗净的排出液中所含的颗粒数量是否为规定数量以下(步骤S6)。此时，控制搬送装置6，将纯水洗净后的反应管102从洗净槽41取出。并且，与步骤S3同样，将洗净槽41内的排出液排出至排出管4，并且将规定量的排出液经由旁通配管48供给至测定装置8(颗粒计数器)。当排出液被供给至颗粒计数器时，控制颗粒计数器，使其测定供给的排出液所含的颗粒数量。控制部10使用该测定的颗粒数量作为金属污染物质除去的指标，并基于该指标，判断是否可以结束该纯水洗净。
如果判断颗粒数量大于规定数量(步骤S6，否)，则处理流程返回步骤S5，再次进行纯水洗净。即，控制纯水洗净装置4(阀43)，向纯水洗净装置4的洗净槽41供给纯水，将反应管102投入充满纯水的洗净槽41，将反应管102保持在该洗净槽41中，使其浸渍规定时间。
取而代之，当判断颗粒数量大于规定数量时(步骤S6，否)，也可以如图3所示，处理流程返回步骤S4，进行HCl洗净(步骤S4)和纯水洗净(步骤S5)。此时，能够进一步可靠地除去污染物质。
另一方面，如果判断颗粒数量为规定数量以下(步骤S6，是)，则结束该处理流程。
<实验>
为了确认本发明的效果，在各种处理条件下对受到铝污染的合成石英基板进行洗净处理。并且，测定各洗净处理的最终工序的排出液中所含的铝的量(atoms/cm2)。图4A、B、C、D、E为该实验中使用的实施例PE1、PE2和比较例CE1、CE2、CE3的各处理顺序的图。在实施例PE1、PE2中，使HCl的浓度为10重量％，进行HCl洗净。其中，由于合成石英中不含铝，所以在各处理的最初强制进行合成石英基板的Al污染。
图5为表示通过该实验得到的实施例PE1、PE2和比较例CE1、CE2、CE3的最终工序的排出液中所含的铝的量的图表。如图5所示能够确认，通过进行HCl洗净和纯水洗净，最终工序的排出液所含的铝的量减少。并且，通过实施例PE1、PE2的比较能够确认，通过进行多次HCl洗净和纯水洗净，最终工序的排出液所含的铝的量大大减少。
并且，如比较例CE1、CE2、CE3所示，即使不进行HCl洗净，而进行多次纯水洗净，也能够减少最终工序的排出液所含的铝的量。但是，比较例CE2、CE3之间铝的量的差异小，且比较例CE3表示比较高的值(5×1010(atoms/cm2))。因此，可以认为难以通过反复进行纯水洗净进一步减少铝的量，能够确认HCl洗净和纯水洗净的组合对进一步减少铝的量而言非常有效。
<结论和变更例>
如上述说明，根据本实施方式，对反应管102进行DHF洗净和纯水洗净后，进一步进行HCl洗净和纯水洗净。由此，能够进一步可靠地除去附着在反应管102上的金属污染物质，例如铝。
此外，本发明不限于上述实施方式，可以进行各种变形、应用。下面，说明本发明的变更例。
在上述实施方式中，以被除去的金属污染物质为铝的情况为例对本发明进行了说明，但并不限于此。关于这一点，作为金属污染物质，可以为钠(Na)、镁(Mg)、铁(Fe)、钛(Ti)、铬(Cr)等与铝具有同样倾向的金属。
在上述实施方式中，在纯水洗净中，将反应管102投入充满纯水的洗净槽41，将反应管102保持在该洗净槽41中，使其浸渍规定时间。取而代之，也可以使用其它方法，例如可以向反应管102喷淋纯水，进行纯水洗净。
在上述实施方式中，利用纯水洗净的排出液或溢出液中所含的颗粒数量判断是否可以结束纯水洗净。取而代之，也可以通过测定其它参数，例如测定纯水洗净的排出液或溢出液的比电阻值或pH值，进行判断。
在上述实施方式中，例示了洗净对象是石英部件反应管102的情况。取而代之，可以将分批式立式热处理装置所使用的其他石英部件作为洗净对象，例如将晶舟、保温筒作为洗净对象。
在上述实施方式中，使用供给调节为规定浓度的DHF的DHF供给源32。取而代之，例如也可以设置纯水供给源和HF供给源，调节DHF的浓度。并且，对于供给调节为规定浓度的HCl的HCl供给源52，也可以设置纯水供给源和HCl供给源，调节HCl的浓度。
在上述实施方式中，在纯水洗净后，判断是否可以结束该纯水洗净。取而代之，也可以不判断是否可以结束纯水洗净而结束纯水洗净。
其他优点和改型对于本领域技术人员将是显而易见的。因此，本发明的更广泛的实施方式不局限于在此显示和说明的具体细节和代表性的实施例。因此，可进行不同的改型，而不脱离由所附权利要求及其等效物所确定的总体发明构思的实质和范围。
Claims (20)
1.一种除去金属污染物质的方法，该金属污染物质附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上，其特征在于，包括：
得到未安装于所述立式热处理装置的状态的所述石英部件的工序；
接着利用稀氢氟酸对所述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；
接着利用纯水对所述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；
接着利用盐酸对所述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和
接着利用纯水对所述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述稀氢氟酸洗净、所述第一纯水洗净、所述盐酸洗净和所述第二纯水洗净，分别通过将所述石英部件浸渍在收容有处理液的洗净槽中规定时间，对所述石英部件进行洗净。
3.如权利要求2所述的方法，其特征在于：
所述洗净槽由选自合成树脂、玻璃、陶瓷中的材料构成。
4.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述方法还包括测定所述第一纯水洗净和所述第二纯水洗净各自的排出液或溢出液的颗粒数量、比电阻值或pH值，作为所述金属污染物质的除去指标的工序。
5.如权利要求4所述的方法，其特征在于：
所述颗粒数量、比电阻值或pH值的测定，是通过在所述第一纯水洗净和所述第二纯水洗净的各自结束后，将浸渍所述石英部件规定时间的使用后的纯水作为排出液从洗净槽排出，供给到测定部而进行的。
6.如权利要求4所述的方法，其特征在于：
所述方法包括测定所述第一纯水洗净的排出液或溢出液中所含的颗粒数量作为第一数量的工序，和判断所述第一数量是否比第一规定数量多的工序，
在所述第一数量比所述第一规定数量多的情况下，再次进行所述第一纯水洗净。
7.如权利要求4所述的方法，其特征在于：
所述方法包括测定所述第二纯水洗净的排出液或溢出液中所含的颗粒数量作为第二数量的工序，和判断所述第二数量是否比第二规定数量多的工序，
在所述第二数量比所述第二规定数量多的情况下，再次进行所述第二纯水洗净。
8.如权利要求4所述的方法，其特征在于：
所述方法包括测定所述第二纯水洗净的排出液或溢出液中所含的颗粒数量作为第二数量的工序，和判断所述第二数量是否比第二规定数量多的工序，
在所述第二数量比所述第二规定数量多的情况下，再次进行所述盐酸洗净和所述第二纯水洗净。
9.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
在所述盐酸洗净中，将对所述石英部件进行洗净的盐酸的浓度设定为1～30重量％。
10.如权利要求1所述的方法，其特征在于：
所述金属污染物质选自铝、钠、镁、铁、钛和铬。
11.一种除去金属污染物质的***，该金属污染物质附着在选自半导体处理用的立式热处理装置的反应管、晶舟、保温筒中的石英部件上，其特征在于，包括：
利用稀氢氟酸对所述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净部；
利用盐酸对所述石英部件进行洗净的盐酸洗净部；
利用纯水对所述石英部件进行洗净的纯水洗净部；和
控制所述***的动作的控制部，其中，
对所述控制部进行预设定，使得实施包括下述工序的方法：
在所述稀氢氟酸洗净部中，利用稀氢氟酸对未安装于所述立式热处理装置的状态的所述石英部件进行洗净的稀氢氟酸洗净工序；
接着在所述纯水洗净部中，利用纯水对所述石英部件进行洗净的第一纯水洗净工序；
接着在所述盐酸洗净部中，利用盐酸对所述石英部件进行洗净的盐酸洗净工序；和
接着在所述纯水洗净部中，利用纯水对所述石英部件进行洗净的第二纯水洗净工序。
12.如权利要求11所述的***，其特征在于：
所述稀氢氟酸洗净部、所述纯水洗净部和所述盐酸洗净部，分别通过将所述石英部件浸渍在收容有处理液的洗净槽中规定时间，对所述石英部件进行洗净。
13.如权利要求12所述的***，其特征在于：
所述洗净槽由选自合成树脂、玻璃、陶瓷中的材料构成。
14.如权利要求12所述的***，其特征在于：
所述稀氢氟酸洗净部、所述纯水洗净部和所述盐酸洗净部各自具有其本身的洗净槽。
15.如权利要求11所述的***，其特征在于：
还包括测定部，该测定部配置于所述纯水洗净部，用于测定所述纯水洗净部中使用的纯水的颗粒数量、比电阻值或pH值。
16.如权利要求15所述的***，其特征在于：
对所述控制部进行预设定，以测定所述第一纯水洗净和所述第二纯水洗净各自的排出液或溢出液的颗粒数量、比电阻值或pH值，作为所述金属污染物质的除去指标。
17.如权利要求16所述的***，其特征在于：
对所述控制部进行预设定，使得进行测定所述第一纯水洗净的排出液或溢出液中所含的颗粒数量作为第一数量的工序、和判断所述第一数量是否比第一规定数量多的工序，并且，
在所述第一数量比所述第一规定数量多的情况下，再次进行所述第一纯水洗净。
18.如权利要求16所述的***，其特征在于：
对所述控制部进行预设定，使得进行测定所述第二纯水洗净的排出液或溢出液中所含的颗粒数量作为第二数量的工序、和判断所述第二数量是否比第二规定数量多的工序，并且，
在所述第二数量比所述第二规定数量多的情况下，再次进行所述第二纯水洗净。
19.如权利要求16所述的***，其特征在于：
对所述控制部进行预设定，使得进行测定所述第二纯水洗净的排出液或溢出液中所含的颗粒数量作为第二数量的工序、和判断所述第二数量是否比第二规定数量多的工序，并且，
在所述第二数量比所述第二规定数量多的情况下，再次进行所述盐酸洗净和所述第二纯水洗净。
20.如权利要求11所述的***，其特征在于：
所述盐酸洗净部，将对所述石英部件进行洗净的盐酸的浓度设定为1～30重量％。
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