CN104931571A - 一种免疫传感器及其制备方法和2,4-d的检测方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了一种免疫传感器及其制备方法、2,4-D的检测方法。根据本发明的免疫传感器为修饰了2,4-D的电极。免疫传感器的制备方法包括：羟基化步骤；氨基硅烷化步骤；2,4-D修饰步骤。本发明2,4-D的检测方法，提供免疫传感器；该方法包括：待测液处理步骤：在待测液中加入辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体；竞争结合步骤：将免疫传感器置于待测液中温育，待测液中2,4-D和免疫传感器上修饰的2,4-D竞争结合辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体；伏安法测定步骤：用伏安法测定免疫传感器结合的辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体产生的响应电流，将响应电流量与标准曲线比对得待测液中2,4-D含量。

Description

一种免疫传感器及其制备方法和2,4-D的检测方法

技术领域

本发明涉及2,4-D的检测领域，尤其涉及一种免疫传感器及其制备方法和2,4-D的检测方法。

背景技术

2,4-二氯苯氧基乙酸(2,4-D)是一种常见的环境激素，在农业生产中经常用作除草剂和植物生长调节剂，自然条件下不易降解。若2,4-D通过皮肤、呼吸***或消化***进入人体会引起内分泌***、免疫***或神经***紊乱，严重时会产生性机能障碍，威胁人类繁衍生存。

目前，2,4-D的检测方法包括：高效液相色谱法(HPLC)、气相色谱法(GC)以及液相色谱-质谱联用法(LC-MS)。其中GC采用气体作流动相，适用于检测挥发性物质；HPLC利用化学手段分离混合物，通过柱分离得到不相同化合物的信号峰，通过信号峰面积比例判断待测物的含量；LC-MS通过不同化合物的信号峰面积比例判断待测物含量，同时通过MS检测不同化合物的分子量。

上述检测方法虽然灵敏度高、准确度好，但所用仪器昂贵，需要专业技术人员操作，样本分离提纯等预处理繁琐耗时(如：GC需要进行酯化衍生才能进样，且用到的氟化硼毒性较大；HPLC的前处理需要耗费大量有机溶剂等)，因此传统仪器分析方法难以满足对大量样品快速检测的需求。

免疫分析法是检测环境中有毒污染物的一种重要方法，具有快速、简单和灵敏度高的特点，因此，希望提供一种用于2,4-D检测的免疫传感器和检测方法。

发明内容

本发明提供了一种免疫传感器用于检测2,4-D；本发明提供了一种免疫传感器的制备方法用于得到检测2,4-D的免疫传感器；本发明提供了一种2,4-D的检测方法解决了现有技术检测仪器昂贵、处理过程繁琐复杂，不能满足快速检测筛选的问题。

根据本发明的一方面，提供了一种免疫传感器，该免疫传感器为修饰了2,4-D的电极。

可选地，根据本发明的免疫传感器，所述2,4-D通过3-氨基丙基三乙氧基硅烷修饰在所述电极上。

可选地，根据本发明的免疫传感器，所述电极为引入了羟基的电极。

可选地，根据本发明的免疫传感器，所述电极为玻碳电极。

根据本发明的另一方面，提供了一种免疫传感器的制备方法，该方法包括：

羟基化步骤：电极与H₂SO₄溶液接触，在电极上引入羟基；

氨基硅烷化步骤：羟基化电极与3-氨基丙基三乙氧基硅烷接触，在电极上引入氨基硅烷；

2,4-D修饰步骤：氨基硅烷化电极与2,4-D接触，在电极上引入2,4-D。

可选地，根据本发明的制备方法，所述羟基化步骤具体为：

将电极置于0.1～0.3mol/L的H₂SO₄溶液中，在0～2.0V(vs.SCE)的电位下循环伏安扫描6～8圈。

可选地，根据本发明的制备方法，所述氨基硅烷化步骤具体为：

将羟基化的电极置于质量浓度为4～6％的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的溶液中，在36～38℃温育13～17min。

可选地，根据本发明的制备方法，所述2,4-D修饰步骤具体为：将氨基硅烷化电极置于2,4-D溶液中，在36～38℃温育8～12min。

可选地，根据本发明的制备方法，在所述2,4-D修饰步骤中，所述2,4-D为经碳化二亚胺和N-羟基琥珀酰亚胺活化的2,4-D。

根据本发明的另一方面，提供了一种2,4-D的检测方法，提供根据本发明的免疫传感器，该免疫传感器为修饰了2,4-D的电极；

其中，该方法包括：

待测液处理步骤：在待测液中加入辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体；

竞争结合步骤：将所述免疫传感器置于所述待测液中温育，待测液中2,4-D和免疫传感器上修饰的2,4-D竞争结合所述辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体；

伏安法测定步骤：用伏安法测定免疫传感器结合的辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体产生的响应电流，将响应电流量与标准曲线比对得待测液中2,4-D含量。

本发明有益效果如下：

根据本发明的免疫传感器，在电极上修饰了2,4-D，用该免疫传感器，利用抗原抗体的特异性反应来检测环境中的2,4-D。

根据本发明的免疫传感器的制备方法，在电极上引入羟基、在引入羟基的电极上引入氨基，在引入氨基的电极上修饰2,4-D，将2,4-D修饰在电极上，可以用该免疫传感器检测待测液中的2,4-D。

根据本发明的检测方法，提供了一种快速、简单且灵敏度高的2,4-D的检测方法。

附图说明

图1为根据本发明的一种实施方式的免疫传感器制备方法机理图；

图2为根据本发明检测方法2,4-D的检测机理图；

图3为玻碳电极的X射线光电子能谱图；

图4为引入羟基后的玻碳电极的X射线光电子能谱图；

图5为氨基硅烷化后的玻碳电极的X射线光电子能谱图；

图6为修饰了2,4-D的玻碳电极的X射线光电子能谱图；

图7为结合了酶标抗体的免疫传感器的循环伏安图；

图8为结合了酶标抗体的免疫传感器的方波伏安图；

图9为方波伏安法检测2,4-D的标准曲线图。

具体实施方式

具体的实施方式仅为对本发明的说明，而不构成对本发明内容的限制，下面将结合附图和具体的实施方式对本发明进行进一步说明和描述。

根据本发明的免疫传感器为修饰了2,4-D的电极。

根据本发明的免疫传感器，在电极上修饰了2,4-D，可以利用抗原与抗体的特异性反应检测待测液中2,4-D的含量，并且使结合在电极上的酶标抗体中的酶更加牢固、检测信号更稳定，提高了免疫传感器检测的稳定性。

根据本发明一种实施方式的免疫传感器，2,4-D通过3-氨基丙基三乙氧基硅烷修饰在电极上。

根据本发明的免疫传感器，在电极上修饰3-氨基丙基三乙氧基硅烷即在电极上引入了氨基，氨基与2,4-D中的羧基发生反应生成酰胺，使2,4-D修饰在电极上。

根据本发明一种实施方式的免疫传感器，电极为引入了羟基的电极。

在电极上引入羟基，羟基与3-氨基丙基三乙氧基硅烷中的乙氧基结合，通过生成醚键连接，3-氨基丙基三乙氧基硅烷分子之间的乙氧基之间也连接生成分子间的硅醚键。

根据本发明一种实施方式的免疫传感器，优选玻碳电极，也可以选用石墨电极、氧化铟锡电极、金电极和铂电极。

根据本发明的免疫传感器的制备方法，该方法包括：

羟基化步骤：电极与H₂SO₄溶液接触，在电极上引入羟基；

氨基硅烷化步骤：羟基化电极与3-氨基丙基三乙氧基硅烷接触，在电极上引入氨基硅烷；

2,4-D修饰步骤：氨基硅烷化电极与2,4-D接触，在电极上引入2,4-D。

根据本发明免疫传感器的制备方法，优选玻碳电极(GCE)，优选进行预处理的GCE，预处理过程优选将GCE在0.3～0.6um的氧化铝粉末的悬浊液中抛光成镜面，然后依次在无水乙醇和二次水中超声洗涤3～5min。

图1示出了该免疫传感电极的制备方法的原理图，从图1可以看出，GCE通过羟基化在电极表面引入了羟基；然后羟基化的电极与3-氨基丙基三乙氧基硅烷接触，其中3-氨基丙基三乙氧基硅烷中的乙氧基与羟基发生反应生成醚键，结合在羟基上的3-氨基丙基三乙氧基硅烷分子之间的乙氧基之间生成醚键连接，形成了网状结构；另外在电极的表面形成了一层带有-NH₂的聚合物薄膜；电极表面带有-NH₂，2,4-D上的羧基与-NH₂反应生成酰胺，从而修饰在了电极上，形成免疫传感器。根据抗原和抗体之间的特异吸附性，利用本发明方法制备得到的免疫传感器，可以检测2,4-D的含量。

根据本发明一种实施方式的制备方法，所羟基化步骤具体为：

将电极置于0.1～0.3mol/L的H₂SO₄溶液中，在0～2.0V(vs.SCE)的电位下循环伏安扫描6～8圈。

根据本发明的免疫传感器的制备方法，羟基化步骤优选在H₂SO₄溶液中进行：将清洗后的GCE置于0.1～0.3mol/L的H₂SO₄中，优选0.2mol/L，然后在0～2.0V(vs.SCE)电位范围循环伏安扫描6～8圈进行活化，在GCE表面引入羟基，然后用二次水冲洗，N₂吹干。

根据本发明的制备方法，氨基硅烷化步骤具体为：

将羟基化的电极置于质量浓度为4～6％的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的溶液中，在36～38℃温育13～17min。

根据本发明的免疫传感器的制备方法，氨基硅烷化步骤优选将引入羟基的电极浸入以质量百分比计的4～6％，优选5％，的3-氨基丙基三乙氧基硅烷(APS)的丙酮溶液中，在36～38℃，优选37℃，的恒温箱中温育13～17min，优选15min，在电极表面通过C-O-Si形成一层带-NH₂的聚合物薄膜，用二次水冲洗，N₂吹干，标记为APS/GCE。

根据本发明的一种实施方式的制备方法，2,4-D修饰步骤具体为：将氨基硅烷化电极置于2,4-D溶液中，在36～38℃温育8～12min。

根据本发明的免疫传感器的制备方法，2,4-D修饰步骤，优选将APS/GCE放入2,4-D溶液中，在36～38℃，优选37℃，的恒温箱中温育8～12min，优选10min，2,4-D通过羧基与电极聚合物膜上的-NH₂相连，标记2,4-D/APS/GCE。

根据本发明的免疫传感器的制备方法，2,4-D修饰步骤具体为：将氨基硅烷化电极置于2,4-D溶液中，在36～38℃温育8～12min。

根据本发明的免疫传感器的制备方法，在2,4-D修饰步骤中，2,4-D为经碳化二亚胺和N-羟基琥珀酰亚胺活化的2,4-D。

在2,4-D修饰步骤，优选经过碳化二亚胺(EDC)和N-羟基琥珀酰亚胺(NHS)活化后的2,4-D，具体活化操作为，在5ml的0.5000g/L的2,4-D标准溶液中加入2.0mgEDC和3.0mgNHS，振荡1min，室温活化15min，其用量可以依据比例扩大和缩小，活化过程中将2,4-D的羧基活化为羰基，使羰基与氨基更易于发生缩合反应。

根据本发明2,4-D的检测方法，提供了根据本发明的免疫传感器，该免疫传感器为修饰了2,4-D的电极；

其中，该方法包括：

待测液处理步骤：在待测液中加入辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体；

竞争结合步骤：将免疫传感器置于待测液中温育，待测液中2,4-D和免疫传感器上修饰的2,4-D竞争结合辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体；

伏安法测定步骤：用伏安法测定免疫传感器结合的辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体产生的响应电流，将响应电流量与标准曲线比对得待测液中2,4-D含量。

根据图2示出的根据本发明的检测机理图，可以看出，免疫传感器结合了辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体(简称酶标抗体，简写为HRP-anti-2,4-D)，结合以后的电极标记为HRP-anti-2,4-D/2,4-D/APS/GCE。可以用伏安法测定HRP-anti-2,4-D/2,4-D/APS/GCE产生的响应电流。结合到电极上的HRP催化底物发生如下的氧化还原反应以产生响应电流：

HRP(Fe³+)+H₂O₂→HRP(Ⅰ)+H₂O；

HRP(Ⅰ)+QH₂→HRP(Ⅱ)+Q；

HRP(Ⅱ)+QH₂→HRP(Fe³+)+Q+H₂O；

Q+2e→QH₂

其中，HRP(Ⅰ)和HRP(Ⅱ)表示酶在参与催化过程中的中间态，HRP(Ⅰ)为+5价氧化态，HRP(Ⅱ)为+4价氧化态；QH₂和Q则分别表示对苯二酚及其氧化态形式对苯醌。

根据上述机理，可以采用伏安法测定HRP-anti-2,4-D/2,4-D/APS/GCE的响应电流。在一定范围内待测液中2,4-D的浓度越大，待测液中2,4-D结合HRP-anti-2,4-D就越多，电极上修饰的2,4-D结合的HRP-anti-2,4-D就会减少，伏安法测定的响应电流也会随之相应减小。而在2,4-D的一定浓度范围，响应电流与2,4-D的浓度呈线性关系，因此可以配制标准溶液在此浓度范围内制备标准曲线，然后根据待测物测定的响应电流与标准曲线比对得出待测液中2,4-D的含量。

由此可见，根据本发明的免疫传感器及其制备方法、2,4-D的检测方法可选因素较多，根据本发明的权利要求可以组合出不同的实施例。因此实施例仅为对本发明的说明，而不是对本发明范围的限制，下面将结合具体的实施例对本发明进行进一步地描述。

实施例1

根据本发明免疫传感器的制备方法，选用GCE，首先对GCE进行预处理：将GCE在0.3um的氧化铝粉末的悬浊液中抛光成镜面，然后依次在无水乙醇和二次水中超声洗涤3min；之后进入羟基化步骤：将电极置于0.1mol/L的H₂SO₄溶液中，在0～2.0V(vs.SCE)的电位下循环伏安扫描6圈，用二次水冲洗，N₂吹干；之后进入氨基硅烷化步骤：将羟基化的电极置于质量浓度为4％的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的溶液中，在36℃温育13min，用二次水冲洗，N₂吹干，标记为APS/GCE；最后进入2,4-D修饰步骤，将APS/GCE放入2,4-D溶液中，在36℃的恒温箱中温育8min，其中2,4-D为经碳化二亚胺和N-羟基琥珀酰亚胺活化的2,4-D。

实施例2

根据本发明免疫传感器的制备方法，选用GCE，首先对GCE进行预处理：将GCE在0.6um的氧化铝粉末的悬浊液中抛光成镜面，然后依次在无水乙醇和二次水中超声洗涤5min；之后进入羟基化步骤：将电极置于0.3mol/L的H₂SO₄溶液中，在0～2.0V(vs.SCE)的电位下循环伏安扫描8圈，用二次水冲洗，N₂吹干；之后进入氨基硅烷化步骤：将羟基化的电极置于质量浓度为6％的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的溶液中，在38℃温育17min，用二次水冲洗，N₂吹干，标记为APS/GCE；最后进入2,4-D修饰步骤，将APS/GCE放入2,4-D溶液中，在38℃的恒温箱中温育12min，其中2,4-D为经碳化二亚胺和N-羟基琥珀酰亚胺活化的2,4-D。

实施例3

根据本发明免疫传感器的制备方法，选用GCE，首先对GCE进行预处理：将GCE在0.4um的氧化铝粉末的悬浊液中抛光成镜面，然后依次在无水乙醇和二次水中超声洗涤4min；之后进入羟基化步骤：将电极置于0.2mol/L的H₂SO₄溶液中，在0～2.0V(vs.SCE)的电位下循环伏安扫描7圈，用二次水冲洗，N₂吹干；之后进入氨基硅烷化步骤：将羟基化的电极置于质量浓度为5％的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的溶液中，在37℃温育15min，用二次水冲洗，N₂吹干，标记为APS/GCE；最后进入2,4-D修饰步骤，将APS/GCE放入2,4-D溶液中，在37℃的恒温箱中温育10min，其中2,4-D为经碳化二亚胺和N-羟基琥珀酰亚胺活化的2,4-D。

实施例4

根据本发明免疫传感器的制备方法，选用GCE，首先对GCE进行预处理：将玻碳电极在0.4um的氧化铝粉末的悬浊液中抛光成镜面，然后依次在无水乙醇和二次水中超声洗涤5min；之后进入羟基化步骤：将电极置于0.1mol/L的H₂SO₄溶液中，在0～2.0V(vs.SCE)的电位下循环伏安扫描8圈，用二次水冲洗，N₂吹干；之后进入氨基硅烷化步骤：将羟基化的电极置于质量浓度为6％的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的溶液中，在36℃温育14min，用二次水冲洗，N₂吹干，标记为APS/GCE；最后进入2,4-D修饰步骤，将APS/GCE放入2,4-D溶液中，在36℃的恒温箱中温育9min，其中2,4-D为经碳化二亚胺和N-羟基琥珀酰亚胺活化的2,4-D。

实施例5

根据本发明免疫传感器的制备方法，选用GCE，首先对GCE进行预处理：将GCE在0.5um的氧化铝粉末的悬浊液中抛光成镜面，然后依次在无水乙醇和二次水中超声洗涤5min；之后进入羟基化步骤：将电极置于0.2mol/L的H₂SO₄溶液中，在0～2.0V(vs.SCE)的电位下循环伏安扫描6圈，用二次水冲洗，N₂吹干；之后进入氨基硅烷化步骤：将羟基化的电极置于质量浓度为4％的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的溶液中，在38℃温育16min，用二次水冲洗，N₂吹干，标记为APS/GCE；最后进入2,4-D修饰步骤，将APS/GCE放入2,4-D溶液中，在37℃的恒温箱中温育11min，其中2,4-D为经碳化二亚胺和N-羟基琥珀酰亚胺活化的2,4-D。

本发明实施例1～5均制备得到了可以检测2,4-D的免疫传感器。

申请人在制备实施例3中的免疫传感器时，对每一步均做了X射线光电子能谱图(XPS)。其XPS图如图3-6所示。

图3为玻碳电极的XPS图，图4为引入羟基后的XPS图，图4与图3相比可以看出玻碳电极表面氧元素和碳元素的比率由13.31％上升至24.7％，氧元素的光电子谱线强度明显增大，这说明羟基成功地引入到电极表面上。

图5为氨基硅烷化步骤后的XPS图，图5与图4相比，电极表面分别出现了N元素和Si元素，这说明3-氨基丙基三乙氧基硅烷成功地引入了电极表面。

图6为2,4-D修饰步骤后的XPS图，图6与图5相比，在电极表面出现了氯元素，这表明含有氯原子的2,4-D被修饰在了电极表面。

由此可见，根据本发明的方法制备得到了本发明的免疫传感器。

选用了实施例3制备得到的免疫传感器，对待测液中的2,4-D进行检测。对待测液中的2,4-D进行检测可以采用循环伏安法也可以采用方波伏安法。

申请人将根据实施例3的制备方法得到的免疫传感器放入1.0ug/ml的辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体中，在37℃的恒温箱中温育30min，用上述处理后的免疫传感器分别进行循环伏安法检测和方波伏安法检测，其检测条件均为在含有1.0mmol/L对苯二酚、1.6mmol/LH₂O₂的0.01mol/L的缓冲溶液(PBS，pH7.4)中；空白为0.01mol/L的缓冲溶液(PBS，pH7.4)，扫描结果如图7和图8所示。

图7示出了电极HRP-anti-2,4-D/2,4-D/APS/GCE的循环伏安图。其中，a为含有1.0mmol/L对苯二酚和1.6mmol/L H₂O₂的0.01mol/L缓冲溶液(PBS，pH 7.4)，b为空白0.01mol/L PBS(pH 7.4)，通过图6可以看出，a产生了明显的响应电流，而b中则没有产生响应电流。

图8示出了电极HRP-anti-2,4-D/2,4-D/APS/GCE的方波阳极伏安图，a为含有1.0mmol/L HQ₂和1.6mmol/L H₂O₂的0.01mol/L PBS(pH 7.4)，b为空白0.01mol/L PBS(pH 7.4)。通过图7可以看出，a中产生了明显的响应电流，而b中则没有产生响应电流。

根据图7和图8可以看出，两种方法均可以用于2,4-D的检测，方波伏安法的灵敏度会更好。因此在下述描述中采用方波伏安法。

在采用方波伏安法检测待测液中的2,4-D前，先制备出标准曲线。制备标准曲线的条件如下：将实施例3制备出的免疫传感器分别放置在0ug/ml、0.1ug/ml、0.5ug/ml、4.8ug/ml、10ug/ml、15ug/ml的标准溶液中，在所述标准溶液中均含有浓度为1.0ug/ml的辣根过氧化物标记的2,4-D，将置于溶液中的免疫传感器在37℃的恒温箱中温育30min后利用方波伏安法检测免疫传感器上产生的响应电流。根据检测响应电流与标准液中2,4-D的浓度存在如图8所示的线性关系。如图9所示，在0.10～15.0ug/ml范围内，响应电流与2,4-D的浓度呈良好的线性关系，线性回归方程为ip(μA)＝-1.267c(μg/mL)+75.193，相关系数r＝0.9973，检测限为0.01ug/ml(S/N＝3)，该免疫传感器的检出限低于世界卫生组织修订的《饮用水水质准则》中限定检出浓度0.03ug/ml。

申请人分别取河流A、河流B、河流C中的河水进行2,4-D的检测。在该检测过程中采用实施例3制备得到的免疫传感器。首先，在预处理后的河水样品中加入辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体，使辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体浓度为1.00mg/ml；然后将根据实施例3制备得到的免疫传感器置于水样中，在37℃的恒温箱中温育30min，待测水样中2,4-D和免疫传感器上修饰的2,4-D竞争结合辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体；用伏安法测定上述免疫传感器结合的辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体产生的响应电流，将响应电流量与标准曲线比对得待测液中2,4-D含量，结果如表1所示：

表1

样品	响应电流(μA)	浓度(μg/mL)
			河水A	75	0
河水B	67.5	6
			河水C	61.5	10

将实施例3制备得到的免疫传感器，置于河水A中进行加标回收实验，测定结果见表2。

表2

根据表2的实验结果可以看出，该方法的回收率在96.4％～98.7％之间，回收率远大于95％，因此该检测方法适用于2,4-D的检测，且检测方法的准确性和稳定性高。

显然，本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样，倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内，则本发明也意图包含这些改动和变型在内。

Claims (10)

1.一种免疫传感器，其特征在于，该免疫传感器为修饰了2,4-D的电极。

2.如权利要求1所述的免疫传感器，其特征在于，所述2,4-D通过3-氨基丙基三乙氧基硅烷修饰在所述电极上。

3.如权利要求2所述的免疫传感器，其特征在于，所述电极为引入了羟基的电极。

4.如权利要求3所述的免疫传感器，其特征在于，所述电极为玻碳电极。

5.一种免疫传感器的制备方法，其特征在于，该方法包括：

羟基化步骤：电极与H₂SO₄溶液接触，在电极上引入羟基；

氨基硅烷化步骤：羟基化电极与3-氨基丙基三乙氧基硅烷接触，在电极上引入氨基硅烷；

2,4-D修饰步骤：氨基硅烷化电极与2,4-D接触，在电极上引入2,4-D。

6.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述羟基化步骤具体为：

将电极置于0.1～0.3mol/L的H₂SO₄溶液中，在0～2.0V(vs.SCE)的电位下循环伏安扫描6～8圈。

7.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述氨基硅烷化步骤具体为：

将羟基化的电极置于质量浓度为4～6％的3-氨基丙基三乙氧基硅烷的溶液中，在36～38℃温育13～17min。

8.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，所述2,4-D修饰步骤具体为：将氨基硅烷化电极置于2,4-D溶液中，在36～38℃温育8～12min。

9.如权利要求5所述的制备方法，其特征在于，在所述2,4-D修饰步骤中，所述2,4-D为经碳化二亚胺和N-羟基琥珀酰亚胺活化的2,4-D。

10.一种2,4-D的检测方法，其特征在于，提供权利要求1～5任一所述免疫传感器，该免疫传感器为修饰了2,4-D的电极；

其中，该方法包括：

待测液处理步骤：在待测液中加入辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体；

竞争结合步骤：将所述免疫传感器置于所述待测液中温育，待测液中2,4-D和免疫传感器上修饰的2,4-D竞争结合所述辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体；

伏安法测定步骤：用伏安法测定免疫传感器结合的辣根过氧化物酶标记的2,4-D抗体产生的响应电流，将响应电流量与标准曲线比对得待测液中2,4-D含量。