CN104919572A - 导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜 - Google Patents
导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104919572A CN104919572A CN201380068899.4A CN201380068899A CN104919572A CN 104919572 A CN104919572 A CN 104919572A CN 201380068899 A CN201380068899 A CN 201380068899A CN 104919572 A CN104919572 A CN 104919572A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- base material
- conductive ink
- groove
- filled
- conductive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 175
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 304
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 56
- 238000011049 filling Methods 0.000 claims abstract description 17
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 90
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 83
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 74
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 73
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 58
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 58
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 57
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 50
- -1 cyclic acid anhydride Chemical class 0.000 claims description 44
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 39
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 34
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims description 31
- 238000007639 printing Methods 0.000 claims description 19
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 15
- ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N Ammonium bicarbonate Chemical compound [NH4+].OC([O-])=O ATRRKUHOCOJYRX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000001099 ammonium carbonate Substances 0.000 claims description 14
- 235000012501 ammonium carbonate Nutrition 0.000 claims description 14
- 150000002596 lactones Chemical class 0.000 claims description 14
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 14
- YOWAEZWWQFSEJD-UHFFFAOYSA-N quinoxalin-2-amine Chemical compound C1=CC=CC2=NC(N)=CN=C21 YOWAEZWWQFSEJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims description 11
- 150000003951 lactams Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002105 nanoparticle Substances 0.000 claims description 11
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims description 11
- 239000002243 precursor Substances 0.000 claims description 10
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 claims description 7
- 239000013528 metallic particle Substances 0.000 claims description 7
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 7
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000010936 titanium Substances 0.000 claims description 7
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims description 7
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 claims description 4
- 238000001548 drop coating Methods 0.000 claims description 3
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 3
- 238000010329 laser etching Methods 0.000 claims description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 205
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 95
- 239000010408 film Substances 0.000 description 88
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 52
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 51
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 33
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 30
- 229920005644 polyethylene terephthalate glycol copolymer Polymers 0.000 description 30
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 21
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 16
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 15
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 15
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 14
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 14
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 13
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 12
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropanamine Chemical compound CC(C)CN KDSNLYIMUZNERS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 8
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 8
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 7
- ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 2-Butanone Chemical compound CCC(C)=O ZWEHNKRNPOVVGH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- AVMSWPWPYJVYKY-UHFFFAOYSA-N 2-Methylpropyl formate Chemical compound CC(C)COC=O AVMSWPWPYJVYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N Benzene Chemical compound C1=CC=CC=C1 UHOVQNZJYSORNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N Ethyl acetate Chemical compound CCOC(C)=O XEKOWRVHYACXOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N Toluene Chemical compound CC1=CC=CC=C1 YXFVVABEGXRONW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N benzoic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1 WPYMKLBDIGXBTP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001723 curing Methods 0.000 description 6
- 238000007647 flexography Methods 0.000 description 6
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 6
- VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N n-Hexane Chemical compound CCCCCC VLKZOEOYAKHREP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 229920000180 alkyd Polymers 0.000 description 5
- 239000006071 cream Substances 0.000 description 5
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 5
- 238000007650 screen-printing Methods 0.000 description 5
- NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N (2s)-2,6-diaminohexanoic acid;(2s)-2-hydroxybutanedioic acid Chemical compound OC(=O)[C@@H](O)CC(O)=O.NCCCC[C@H](N)C(O)=O NWZSZGALRFJKBT-KNIFDHDWSA-N 0.000 description 4
- BRUZQRBVNRKLJG-UHFFFAOYSA-N 2-methylpropyl carbamate Chemical compound CC(C)COC(N)=O BRUZQRBVNRKLJG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 5-valerolactone Chemical compound O=C1CCCCO1 OZJPLYNZGCXSJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 7,7-dimethyloctanoic acid Chemical compound CC(C)(C)CCCCCC(O)=O YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N Chloroform Chemical compound ClC(Cl)Cl HEDRZPFGACZZDS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N N-Heptane Chemical compound CCCCCCC IMNFDUFMRHMDMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 4
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 4
- JBFHTYHTHYHCDJ-UHFFFAOYSA-N gamma-caprolactone Chemical compound CCC1CCC(=O)O1 JBFHTYHTHYHCDJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N hexanoic acid Chemical compound CCCCCC(O)=O FUZZWVXGSFPDMH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N hydrazine monohydrate Substances O.NN IKDUDTNKRLTJSI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000002985 plastic film Substances 0.000 description 4
- 229920006255 plastic film Polymers 0.000 description 4
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 4
- VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N tetrachloromethane Chemical compound ClC(Cl)(Cl)Cl VZGDMQKNWNREIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N Acetonitrile Chemical compound CC#N WEVYAHXRMPXWCK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000005711 Benzoic acid Substances 0.000 description 3
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N Oxalic acid Chemical compound OC(=O)C(O)=O MUBZPKHOEPUJKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 3
- 239000004840 adhesive resin Substances 0.000 description 3
- 229920006223 adhesive resin Polymers 0.000 description 3
- 235000010233 benzoic acid Nutrition 0.000 description 3
- YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N butan-1-olate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-].CCCC[O-] YHWCPXVTRSHPNY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000003638 chemical reducing agent Substances 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 3
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 3
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 3
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 3
- 239000002082 metal nanoparticle Substances 0.000 description 3
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 3
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 3
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 3
- OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M (2r)-2-ethylhexanoate Chemical compound CCCC[C@@H](CC)C([O-])=O OBETXYAYXDNJHR-SSDOTTSWSA-M 0.000 description 2
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 1,4-Dioxane Chemical compound C1COCCO1 RYHBNJHYFVUHQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WURBVZBTWMNKQT-UHFFFAOYSA-N 1-(4-chlorophenoxy)-3,3-dimethyl-1-(1,2,4-triazol-1-yl)butan-2-one Chemical compound C1=NC=NN1C(C(=O)C(C)(C)C)OC1=CC=C(Cl)C=C1 WURBVZBTWMNKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 2-(2-ethoxyethoxy)ethyl acetate Chemical compound CCOCCOCCOC(C)=O FPZWZCWUIYYYBU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 description 2
- DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N Butyl acetate Natural products CCCCOC(C)=O DKPFZGUDAPQIHT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M Chlorate Chemical compound [O-]Cl(=O)=O XTEGARKTQYYJKE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 241001662103 Cryptocarya corrugata Species 0.000 description 2
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N Malonic acid Chemical compound OC(=O)CC(O)=O OFOBLEOULBTSOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920000877 Melamine resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004640 Melamine resin Substances 0.000 description 2
- 208000003351 Melanosis Diseases 0.000 description 2
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical class CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004677 Nylon Substances 0.000 description 2
- CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N O-Xylene Chemical compound CC1=CC=CC=C1C CTQNGGLPUBDAKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004696 Poly ether ether ketone Substances 0.000 description 2
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 2
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N Tetrahydrofuran Chemical compound C1CCOC1 WYURNTSHIVDZCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001242 acetic acid derivatives Chemical class 0.000 description 2
- WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N adipic acid Chemical compound OC(=O)CCCCC(O)=O WNLRTRBMVRJNCN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 2
- 239000012670 alkaline solution Substances 0.000 description 2
- OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N alpha-ethylcaproic acid Natural products CCCCC(CC)C(O)=O OBETXYAYXDNJHR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000003118 aryl group Chemical group 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical group [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 125000004093 cyano group Chemical group *C#N 0.000 description 2
- GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N decanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCC(O)=O GHVNFZFCNZKVNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N dimethylselenoniopropionate Natural products CCC(O)=O XBDQKXXYIPTUBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000007598 dipping method Methods 0.000 description 2
- 239000002270 dispersing agent Substances 0.000 description 2
- 238000006073 displacement reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000000609 electron-beam lithography Methods 0.000 description 2
- 238000004049 embossing Methods 0.000 description 2
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 2
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 description 2
- 239000000945 filler Substances 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N gamma-valerolactone Chemical compound CC1CCC(=O)O1 GAEKPEKOJKCEMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229930195733 hydrocarbon Natural products 0.000 description 2
- 150000002430 hydrocarbons Chemical class 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 description 2
- KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N isobutyric acid Chemical compound CC(C)C(O)=O KQNPFQTWMSNSAP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000002576 ketones Chemical class 0.000 description 2
- 239000002905 metal composite material Substances 0.000 description 2
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 2
- 150000007522 mineralic acids Chemical class 0.000 description 2
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 229920001778 nylon Polymers 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 238000000016 photochemical curing Methods 0.000 description 2
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001230 polyarylate Polymers 0.000 description 2
- 229920002530 polyetherether ketone Polymers 0.000 description 2
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920001343 polytetrafluoroethylene Polymers 0.000 description 2
- 239000004810 polytetrafluoroethylene Substances 0.000 description 2
- 229960000380 propiolactone Drugs 0.000 description 2
- 238000000518 rheometry Methods 0.000 description 2
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N silver(1+) nitrate Chemical compound [Ag+].[O-]N(=O)=O SQGYOTSLMSWVJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N succinic acid Chemical compound OC(=O)CCC(O)=O KDYFGRWQOYBRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 2
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- 239000013008 thixotropic agent Substances 0.000 description 2
- 230000009974 thixotropic effect Effects 0.000 description 2
- JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N titanium ethoxide Chemical compound [Ti+4].CC[O-].CC[O-].CC[O-].CC[O-] JMXKSZRRTHPKDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 2
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000080 wetting agent Substances 0.000 description 2
- 238000004804 winding Methods 0.000 description 2
- 229960003487 xylose Drugs 0.000 description 2
- DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N β‐Mercaptoethanol Chemical compound OCCS DGVVWUTYPXICAM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JYVXNLLUYHCIIH-UHFFFAOYSA-N (+/-)-mevalonolactone Natural products CC1(O)CCOC(=O)C1 JYVXNLLUYHCIIH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N (E)-8-Octadecenoic acid Natural products CCCCCCCCCC=CCCCCCCC(O)=O WRIDQFICGBMAFQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019931 (NH4)2Fe(SO4)2 Inorganic materials 0.000 description 1
- RYSXWUYLAWPLES-MTOQALJVSA-N (Z)-4-hydroxypent-3-en-2-one titanium Chemical compound [Ti].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O RYSXWUYLAWPLES-MTOQALJVSA-N 0.000 description 1
- HYZQBNDRDQEWAN-LNTINUHCSA-N (z)-4-hydroxypent-3-en-2-one;manganese(3+) Chemical compound [Mn+3].C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O.C\C(O)=C\C(C)=O HYZQBNDRDQEWAN-LNTINUHCSA-N 0.000 description 1
- RKDVKSZUMVYZHH-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxane-2,5-dione Chemical compound O=C1COC(=O)CO1 RKDVKSZUMVYZHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PIYNUZCGMLCXKJ-UHFFFAOYSA-N 1,4-dioxane-2,6-dione Chemical compound O=C1COCC(=O)O1 PIYNUZCGMLCXKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 1-(2-bromo-5-chlorophenyl)-3-methylpyrazole Chemical compound N1=C(C)C=CN1C1=CC(Cl)=CC=C1Br QYIGOGBGVKONDY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 1-ethenylazepan-2-one Chemical compound C=CN1CCCCCC1=O JWYVGKFDLWWQJX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxy-5-methylphenyl)ethanamine Chemical compound COC1=CC=C(C)C=C1CCN SMZOUWXMTYCWNB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1,3-hexanediol Chemical compound CCCC(O)C(CC)CO RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZFFTZDQKIXPDAF-UHFFFAOYSA-N 2-Furanmethanethiol Chemical compound SCC1=CC=CO1 ZFFTZDQKIXPDAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 2-METHOXYETHANOL Chemical compound COCCO XNWFRZJHXBZDAG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RFCQDOVPMUSZMN-UHFFFAOYSA-N 2-Naphthalenethiol Chemical compound C1=CC=CC2=CC(S)=CC=C21 RFCQDOVPMUSZMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 2-Propenoic acid Natural products OC(=O)C=C NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IHEDBVUTTQXGSJ-UHFFFAOYSA-M 2-[bis(2-oxidoethyl)amino]ethanolate;titanium(4+);hydroxide Chemical compound [OH-].[Ti+4].[O-]CCN(CC[O-])CC[O-] IHEDBVUTTQXGSJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexan-1-amine Chemical compound CCCCC(CC)CN LTHNHFOGQMKPOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMPXSWBXXUOKFP-UHFFFAOYSA-N 2-ethylhexylazanium;n-(2-ethylhexyl)carbamate Chemical class CCCCC(CC)C[NH3+].CCCCC(CC)CNC([O-])=O JMPXSWBXXUOKFP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 2-hydroxypropanoate;titanium(4+) Chemical compound [Ti+4].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O AIFLGMNWQFPTAJ-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- LYPJRFIBDHNQLY-UHFFFAOYSA-J 2-hydroxypropanoate;zirconium(4+) Chemical compound [Zr+4].CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O.CC(O)C([O-])=O LYPJRFIBDHNQLY-UHFFFAOYSA-J 0.000 description 1
- LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 20:1omega9c fatty acid Natural products CCCCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O LQJBNNIYVWPHFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ACJPFLIEHGFXGP-UHFFFAOYSA-N 3,3-dimethyloxolane-2,5-dione Chemical compound CC1(C)CC(=O)OC1=O ACJPFLIEHGFXGP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-M 3-mercaptopropionate Chemical compound [O-]C(=O)CCS DKIDEFUBRARXTE-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 3-methoxypropyl acetate Chemical compound COCCCOC(C)=O CCTFMNIEFHGTDU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 3-methylideneoxolane-2,5-dione Chemical compound C=C1CC(=O)OC1=O OFNISBHGPNMTMS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 4-Butyrolactone Chemical group O=C1CCCO1 YEJRWHAVMIAJKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FUDDLSHBRSNCBV-UHFFFAOYSA-N 4-hydroxyoxolan-2-one Chemical compound OC1COC(=O)C1 FUDDLSHBRSNCBV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CMNQZZPAVNBESS-UHFFFAOYSA-N 6-sulfanylhexanoic acid Chemical compound OC(=O)CCCCCS CMNQZZPAVNBESS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 9-Heptadecensaeure Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O QSBYPNXLFMSGKH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- RIQGBMGSBMEAER-UHFFFAOYSA-L CO[Zr](Cl)(Cl)OC Chemical compound CO[Zr](Cl)(Cl)OC RIQGBMGSBMEAER-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 239000005632 Capric acid (CAS 334-48-5) Substances 0.000 description 1
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N Dodecane Natural products CCCCCCCCCCCC SNRUBQQJIBEYMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N Ethene Chemical compound C=C VGGSQFUCUMXWEO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005977 Ethylene Substances 0.000 description 1
- 229910001111 Fine metal Inorganic materials 0.000 description 1
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 description 1
- VPIAKHNXCOTPAY-UHFFFAOYSA-N Heptane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCS VPIAKHNXCOTPAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000530268 Lycaena heteronea Species 0.000 description 1
- 239000005041 Mylar™ Substances 0.000 description 1
- 241000872931 Myoporum sandwicense Species 0.000 description 1
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SPTDSJPZHWGXBE-UHFFFAOYSA-N N1C(CCC1)=O.N1C(CC1)=O Chemical compound N1C(CCC1)=O.N1C(CC1)=O SPTDSJPZHWGXBE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002651 NO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N Nitrate Chemical compound [O-][N+]([O-])=O NHNBFGGVMKEFGY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M Nitrite anion Chemical compound [O-]N=O IOVCWXUNBOPUCH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000005642 Oleic acid Substances 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N Oleic acid Natural products CCCCCCCCC=CCCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000005662 Paraffin oil Substances 0.000 description 1
- 229920012266 Poly(ether sulfone) PES Polymers 0.000 description 1
- 239000004743 Polypropylene Substances 0.000 description 1
- JYVXNLLUYHCIIH-ZCFIWIBFSA-N R-mevalonolactone, (-)- Chemical compound C[C@@]1(O)CCOC(=O)C1 JYVXNLLUYHCIIH-ZCFIWIBFSA-N 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000021355 Stearic acid Nutrition 0.000 description 1
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L Sulfate Chemical compound [O-]S([O-])(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical group [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000005864 Sulphur Chemical group 0.000 description 1
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007983 Tris buffer Substances 0.000 description 1
- 238000003848 UV Light-Curing Methods 0.000 description 1
- XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[O-2].[V+5].[V+5] XHCLAFWTIXFWPH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CHUYYOSIZBKMJD-UHFFFAOYSA-N acetic acid;gold Chemical compound [Au].CC(O)=O CHUYYOSIZBKMJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000001361 adipic acid Substances 0.000 description 1
- 235000011037 adipic acid Nutrition 0.000 description 1
- 238000001856 aerosol method Methods 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000004703 alkoxides Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N aluminium isopropoxide Chemical compound [Al+3].CC(C)[O-].CC(C)[O-].CC(C)[O-] SMZOGRDCAXLAAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001408 amides Chemical class 0.000 description 1
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 1
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 description 1
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 description 1
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N benzenecarbothioic s-acid Chemical compound SC(=O)C1=CC=CC=C1 UIJGNTRUPZPVNG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEZXCJBBBCKRPI-UHFFFAOYSA-N beta-propiolactone Chemical compound O=C1CCO1 VEZXCJBBBCKRPI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 description 1
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 1
- LOCHFZBWPCLPAN-UHFFFAOYSA-N butane-2-thiol Chemical compound CCC(C)S LOCHFZBWPCLPAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N butyl prop-2-enoate;methyl 2-methylprop-2-enoate;prop-2-enoic acid Chemical compound OC(=O)C=C.COC(=O)C(C)=C.CCCCOC(=O)C=C QHIWVLPBUQWDMQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000007942 carboxylates Chemical class 0.000 description 1
- 150000001732 carboxylic acid derivatives Chemical class 0.000 description 1
- 229920002301 cellulose acetate Polymers 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000013522 chelant Substances 0.000 description 1
- 238000003486 chemical etching Methods 0.000 description 1
- 239000002894 chemical waste Substances 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005253 cladding Methods 0.000 description 1
- 229910021446 cobalt carbonate Inorganic materials 0.000 description 1
- ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L cobalt(2+);carbonate Chemical compound [Co+2].[O-]C([O-])=O ZOTKGJBKKKVBJZ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- AEJIMXVJZFYIHN-UHFFFAOYSA-N copper;dihydrate Chemical compound O.O.[Cu] AEJIMXVJZFYIHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M cyanate Chemical compound [O-]C#N XLJMAIOERFSOGZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- CMKBCTPCXZNQKX-UHFFFAOYSA-N cyclohexanethiol Chemical compound SC1CCCCC1 CMKBCTPCXZNQKX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N decane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCS VTXVGVNLYGSIAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PGRHXDWITVMQBC-UHFFFAOYSA-N dehydroacetic acid Natural products CC(=O)C1C(=O)OC(C)=CC1=O PGRHXDWITVMQBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000280 densification Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- HRKQOINLCJTGBK-UHFFFAOYSA-N dihydroxidosulfur Chemical compound OSO HRKQOINLCJTGBK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960001760 dimethyl sulfoxide Drugs 0.000 description 1
- 238000010434 drip painting Methods 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 1
- WPLAAMFEOPALSB-UHFFFAOYSA-N ethane-1,2-diol;zirconium Chemical compound [Zr].OCCO WPLAAMFEOPALSB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N ethanethiol Chemical compound CCS DNJIEGIFACGWOD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005082 etohexadiol Drugs 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003365 glass fiber Substances 0.000 description 1
- 239000008103 glucose Substances 0.000 description 1
- VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N glutaric anhydride Chemical compound O=C1CCCC(=O)O1 VANNPISTIUFMLH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M gold monochloride Chemical compound [Cl-].[Au+] FDWREHZXQUYJFJ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910021505 gold(III) hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052736 halogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002367 halogens Chemical group 0.000 description 1
- ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N hexadecane-1-thiol Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCS ORTRWBYBJVGVQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 238000001027 hydrothermal synthesis Methods 0.000 description 1
- APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N indium atom Chemical compound [In] APFVFJFRJDLVQX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007641 inkjet printing Methods 0.000 description 1
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- XHQSLVIGPHXVAK-UHFFFAOYSA-K iron(3+);octadecanoate Chemical compound [Fe+3].CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O.CCCCCCCCCCCCCCCCCC([O-])=O XHQSLVIGPHXVAK-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 230000001788 irregular Effects 0.000 description 1
- QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N isooleic acid Natural products CCCCCCCC=CCCCCCCCCC(O)=O QXJSBBXBKPUZAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JJTUDXZGHPGLLC-UHFFFAOYSA-N lactide Chemical compound CC1OC(=O)C(C)OC1=O JJTUDXZGHPGLLC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N maleic anhydride Chemical compound O=C1OC(=O)C=C1 FPYJFEHAWHCUMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011572 manganese Substances 0.000 description 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 238000001465 metallisation Methods 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- KJIOQYGWTQBHNH-UHFFFAOYSA-N methyl butylhexanol Natural products CCCCCCCCCCCO KJIOQYGWTQBHNH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940057061 mevalonolactone Drugs 0.000 description 1
- 238000000593 microemulsion method Methods 0.000 description 1
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 1
- 235000010755 mineral Nutrition 0.000 description 1
- 239000003595 mist Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000178 monomer Substances 0.000 description 1
- PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N monothioglycerol Chemical compound OCC(O)CS PJUIMOJAAPLTRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000465 moulding Methods 0.000 description 1
- PEQJBOMPGWYIRO-UHFFFAOYSA-N n-ethyl-3,4-dimethoxyaniline Chemical compound CCNC1=CC=C(OC)C(OC)=C1 PEQJBOMPGWYIRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000004123 n-propyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZPNKQREYVVATQ-UHFFFAOYSA-L nickel(2+);diformate Chemical compound [Ni+2].[O-]C=O.[O-]C=O HZPNKQREYVVATQ-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 1
- QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Chemical compound CCCCCCCCCCCCCCCCCC(O)=O QIQXTHQIDYTFRH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N octadecanoic acid Natural products CCCCCCCC(C)CCCCCCCCC(O)=O OQCDKBAXFALNLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N octane-1-thiol Chemical group CCCCCCCCS KZCOBXFFBQJQHH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N oleic acid Chemical compound CCCCCCCC\C=C/CCCCCCCC(O)=O ZQPPMHVWECSIRJ-KTKRTIGZSA-N 0.000 description 1
- 235000021313 oleic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000012044 organic layer Substances 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 235000006408 oxalic acid Nutrition 0.000 description 1
- PZKNFJIOIKQCPA-UHFFFAOYSA-N oxalic acid palladium Chemical compound [Pd].OC(=O)C(O)=O PZKNFJIOIKQCPA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N palladium Substances [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 150000004965 peroxy acids Chemical class 0.000 description 1
- 229920001568 phenolic resin Polymers 0.000 description 1
- 239000005011 phenolic resin Substances 0.000 description 1
- 229920006287 phenoxy resin Polymers 0.000 description 1
- 239000013034 phenoxy resin Substances 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 1
- 238000000053 physical method Methods 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L platinum dichloride Chemical compound Cl[Pt]Cl CLSUSRZJUQMOHH-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920001228 polyisocyanate Polymers 0.000 description 1
- 239000005056 polyisocyanate Substances 0.000 description 1
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 1
- 229920001155 polypropylene Polymers 0.000 description 1
- 229920002635 polyurethane Polymers 0.000 description 1
- 239000004814 polyurethane Substances 0.000 description 1
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 1
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 235000019260 propionic acid Nutrition 0.000 description 1
- KOUKXHPPRFNWPP-UHFFFAOYSA-N pyrazine-2,5-dicarboxylic acid;hydrate Chemical compound O.OC(=O)C1=CN=C(C(O)=O)C=N1 KOUKXHPPRFNWPP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N quinbolone Chemical compound O([C@H]1CC[C@H]2[C@H]3[C@@H]([C@]4(C=CC(=O)C=C4CC3)C)CC[C@@]21C)C1=CCCC1 IUVKMZGDUIUOCP-BTNSXGMBSA-N 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000012827 research and development Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 229910001961 silver nitrate Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000002002 slurry Substances 0.000 description 1
- 238000003980 solgel method Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 235000015096 spirit Nutrition 0.000 description 1
- 125000003003 spiro group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003381 stabilizer Substances 0.000 description 1
- 239000008117 stearic acid Substances 0.000 description 1
- 229960005137 succinic acid Drugs 0.000 description 1
- RINCXYDBBGOEEQ-UHFFFAOYSA-N succinic anhydride Chemical compound O=C1CCC(=O)O1 RINCXYDBBGOEEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000725 suspension Substances 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 1
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 1
- 150000003573 thiols Chemical class 0.000 description 1
- NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N thiosalicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1S NBOMNTLFRHMDEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940103494 thiosalicylic acid Drugs 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N titanium(IV) isopropoxide Chemical compound CC(C)O[Ti](OC(C)C)(OC(C)C)OC(C)C VXUYXOFXAQZZMF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N tris Chemical compound OCC(N)(CO)CO LENZDBCJOHFCAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- WGIWBXUNRXCYRA-UHFFFAOYSA-H trizinc;2-hydroxypropane-1,2,3-tricarboxylate Chemical compound [Zn+2].[Zn+2].[Zn+2].[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O.[O-]C(=O)CC(O)(CC([O-])=O)C([O-])=O WGIWBXUNRXCYRA-UHFFFAOYSA-H 0.000 description 1
- 229960004418 trolamine Drugs 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940057402 undecyl alcohol Drugs 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001935 vanadium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011746 zinc citrate Substances 0.000 description 1
- 229940068475 zinc citrate Drugs 0.000 description 1
- 235000006076 zinc citrate Nutrition 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
- H01L21/283—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current
- H01L21/288—Deposition of conductive or insulating materials for electrodes conducting electric current from a liquid, e.g. electrolytic deposition
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09D—COATING COMPOSITIONS, e.g. PAINTS, VARNISHES OR LACQUERS; FILLING PASTES; CHEMICAL PAINT OR INK REMOVERS; INKS; CORRECTING FLUIDS; WOODSTAINS; PASTES OR SOLIDS FOR COLOURING OR PRINTING; USE OF MATERIALS THEREFOR
- C09D11/00—Inks
- C09D11/52—Electrically conductive inks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02107—Forming insulating materials on a substrate
- H01L21/02225—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer
- H01L21/0226—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process
- H01L21/02282—Forming insulating materials on a substrate characterised by the process for the formation of the insulating layer formation by a deposition process liquid deposition, e.g. spin-coating, sol-gel techniques, spray coating
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76801—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing
- H01L21/76802—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics
- H01L21/76817—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the dielectrics, e.g. smoothing by forming openings in dielectrics using printing or stamping techniques
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/70—Manufacture or treatment of devices consisting of a plurality of solid state components formed in or on a common substrate or of parts thereof; Manufacture of integrated circuit devices or of parts thereof
- H01L21/71—Manufacture of specific parts of devices defined in group H01L21/70
- H01L21/768—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics
- H01L21/76838—Applying interconnections to be used for carrying current between separate components within a device comprising conductors and dielectrics characterised by the formation and the after-treatment of the conductors
- H01L21/76877—Filling of holes, grooves or trenches, e.g. vias, with conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/12—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns
- H05K3/1258—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using thick film techniques, e.g. printing techniques to apply the conductive material or similar techniques for applying conductive paste or ink patterns by using a substrate provided with a shape pattern, e.g. grooves, banks, resist pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
- H10K71/10—Deposition of organic active material
- H10K71/12—Deposition of organic active material using liquid deposition, e.g. spin coating
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
- H05K2201/01—Dielectrics
- H05K2201/0104—Properties and characteristics in general
- H05K2201/0108—Transparent
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0108—Male die used for patterning, punching or transferring
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/01—Tools for processing; Objects used during processing
- H05K2203/0104—Tools for processing; Objects used during processing for patterning or coating
- H05K2203/0139—Blade or squeegee, e.g. for screen printing or filling of holes
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Wood Science & Technology (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
本发明提供导电图案的形成方法及导电图案部件。所述方法的特征在于,包括步骤:a)在具有槽的基材的所述槽中填充导电墨;和b)在填充所述导电墨时,用蚀刻液溶解残留在所述基材的表面的导电墨,并将所述导电墨引导至所述槽,从而使所述槽中填充所述导电墨。如此,提供一种现有技术很难实现的低电阻超细导电图案的形成方法,所述方法通过在基材的槽中填充导电墨而形成导电图案,并且用蚀刻液溶解残留在基材表面的导电墨,并将所述导电墨推入并填充于基材的槽中。并且,本发明还能够提高基材的透明性和绝缘特性。
Description
技术领域
本发明涉及一种导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜;尤其涉及一种在基材的槽中填充导电墨从而形成导电图案的导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜,其中在所述导电图案的形成方法中,是用蚀刻液溶解残留在基材表面的导电墨,将其压入并填充于基材的槽中,从而形成导电图案。
背景技术
最近,随着电子产品的轻薄小型化的趋势,要求将显示器或晶体管等电子元件制成高密度、高集成的形式,于是,能够用于电极或金属排线(metallization lines)的,且能形成微细金属图案的技术备受瞩目。
迄今广为人知的金属的微细图案的制作技术一般是通过与薄膜的真空沉积相结合的照相平版印刷工艺实现的。该方法在基材上沉积导电材料之后,为了形成微细图案电路,在导电材料的表面上涂敷干膜(Dry Film)或感光液后,照射紫外线(UV)进行固化,并使用显影液进行显影,之后使用化学蚀刻液形成需要实现的微细图案。照相平版印刷工艺虽然具有能够形成高分辨率(resolution)图案的优点,但具有设备费用昂贵,生产工艺复杂,由反复进行的蚀刻工艺产生过量的化学废物的缺点。
此外,最近随着柔性电子元件的到来,能够在低温下进行大面积化的构图工艺的重要性被提出,且为了取代以高额设备以及高费用为特点的现有的照相平版印刷工艺,正在进行着寻找替代方法的诸多研究开发。例如有使用喷墨印刷的构图、使用凹版胶印的构图、使用反向平版印刷法的构图以及使用激光蚀刻的构图等。
这些方式的优点为其是直接构图方式,且部分方式还表现出相当大的技术进步性,但由于各自在微细线宽的实现性、可靠性和生产工艺速度上的局限性,仍无法代替照相平版印刷工艺。
纳米压印技术是为了弥补上述直接构图方式的缺点,并解决照相平版印刷工艺的问题而提出的,该技术是在基材基板上涂敷光固化型树脂或热固化型树脂后,将包含纳米至微米大小的凹凸的模具加压于所述被涂敷的树脂层上,并且施加紫外线或热量,使其固化,从而将图案转印到基材基板的技术。与作为形成几十微米(μm)线宽的线的技术而被应用的直接的图案形成方法和照相平版印刷方法相比较时,上述的纳米压印技术在制造单价和分辨率方面,是两种技术的中等程度,其在纳米和微米领域的桥梁作用的同时,部分地逐步取代上述两种技术。
最近,开发了很多种采用上述纳米压印方法来形成一般微细图案的技术,但用于电极或排线的低电阻超细图案电极形成技术还需要进一步的开发。韩国公开专利第10-2007-0102263号涉及一种图案形成方法,该方法在基材基板上涂敷能够进行光固化或热固化的导电性光刻胶层后采用模具进行加压,之后对导电性光刻胶层进行蚀刻,从而形成图案,但为了形成低电阻电极,需要导电性金属层,但用上述方法实现则有一定的难度。此外,还有一种金属微细图案的形成方法,即在基材基材上沉积金属层后,在其上面涂敷光固化或热固化型树脂层,并采用模具加压而形成图案,之后再对残留的树脂层进行蚀刻,但该方法的工艺非常繁杂,有生产效率较低的问题。韩国公开专利第10-2011-0100034号涉及一种通过压印工艺形成微槽,并将金属层填充到上述槽中,从而形成金属微细线宽的方法,但上述方法在实现亚微米线宽存在问题,且在形成低电阻电极上有一定的局限性。
作为另一种形成金属微细图案的方法,本申请人的韩国授权专利第10-0922810号公开了采用激光直接对树脂层表面或者同时直接对树脂层与基材进行蚀刻,形成微槽后填充金属层,从而形成微细线宽的电极的技术。但该方法在形成纳米大小的微槽时,由于激光光源的线宽实现性问题,具有一定的局限性。
虽然上述的现有技术公开了采用各种工艺形成金属微细图案电极的多种方法,但形成低电阻的超细图案电极,仍存在一定的问题。
发明内容
发明所要解决的技术问题
本发明的目的在于,提供一种导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜,所述导电图案的形成方法在基材基材的槽中填充导电墨来形成导电图案,其中用蚀刻液溶解残留在基材基材表面的导电墨,并将所述导电墨推入并填充于基材基材的槽中,从而可形成采用现有技术难以实现的微细的低电阻导电图案。
技术方案
本发明的一实施例提供一种导电图案的形成方法,其特征在于,包括步骤:a)在具有槽的基材的所述槽中填充导电墨;以及b)在填充所述导电墨时,用蚀刻液溶解残留在所述基材表面的导电墨,并将所述导电墨引导至所述槽中,从而使所述槽中填充所述导电墨。
在所述步骤a)之前,可进一步包括在所述基材上形成槽的步骤。
在所述基材上形成槽的步骤中,可采用压印法、激光蚀刻法或照相平版印刷法在所述基材基材上形成槽,但是还可以应用在本领域中能够形成槽的所有方法,而并不仅限于此。
采用所述压印法时,在所述基材基材上形成槽之前,可进一步包括涂敷UV固化树脂或热固化树脂以形成树脂层的步骤。其中,除了所述的树脂之外,当然还可以采用能够用于压印法的所有树脂。
作为所述导电墨可使用包含金属错合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片或纳米粒子的导电墨,但并不限于此。只要是能够被蚀刻液溶解,且移动被引导,填充至槽中,从而形成导电图案的物质均能适用。
在所述步骤a)中,可采用喷墨法、平板丝网印刷法、旋转涂敷法、辊涂法、流动(flow)涂敷法、刮板涂敷法、滴涂法(dispensing)、凹版印刷法或柔版印刷法填充所述导电墨,但并不限于此。
在所述步骤b)中,所述蚀刻液可包含选自氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系化合物、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇类复合物及巯基类化合物中的一种以上的物质和氧化剂。但并不限于此,只要是能够溶解金属物质的蚀刻液均可适用。
在所述步骤b)中,可采用平板丝网印刷法、旋转涂敷法、辊涂法、流动涂敷法、刮板涂敷法、凹版印刷法或柔版印刷法涂敷所述蚀刻液,溶解残留在所述基材基材表面上的导电墨,并将所述导电墨引导至所述槽中。但涂敷方法并不限于此。
在所述步骤b)中,可在残留有所述导电墨的所述基材的表面上涂敷所述蚀刻液,以溶解所述导电墨,并通过物理力将被所述蚀刻液溶解的所述导电墨推入并填充于所述槽中。
在所述步骤b)之后,可选择性地进一步包括进行发黑处理的发黑步骤。
在所述发黑步骤中,可通过使用酸或碱溶液的化学处理法、镀覆法或者使用发黑组合物印刷表面的方法进行发黑处理。但并不限于此,只要是能够使由导电墨形成的图案发黑的方法,可适用各种方法。
所述使用发黑组合物印刷表面的方法可采用平板丝网印刷法、辊涂法、流动涂敷法、刮板涂敷法、凹版印刷法或柔版印刷法,但并不限于此。
所述发黑组合物可包括钛系或锆系错合物,但并不限于此,只要是能够使表面发黑的物质,均可适用。
本发明的另一实施例提供一种导电膜,包括:具有槽的基材;填充于所述槽内,并由导电墨形成的膜;以及填充于所述槽内的所述膜上,由蚀刻液和所述导电墨混合而形成的混合体。
所述膜的厚度可小于所述槽的深度。
所述膜及混合体的厚度之和可等于或小于所述槽的深度。
可进一步包括发黑部,所述发黑部由填充于所述槽内的所述膜及混合体中的至少一个上面的发黑组合物形成。
所述发黑部可设置在所述槽的内表面与所述膜及混合体中的至少一个之间。
本发明的另一实施例提供一种导电图案,包括:一次图案部,其由填充于具有槽的基材上的所述槽内的导电墨形成;以及二次图案部,其通过采用蚀刻液溶解在形成所述一次图案部时残留在所述基材表面的导电墨,并将所述导电墨填充于所述槽中而形成。
所述导电墨可为包含金属错合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片或纳米粒子的导电墨。
所述蚀刻液可包含选自氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系化合物、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇类复合物及巯基类化合物中的一种以上的物质和氧化剂。
所述二次图案部可通过将所述蚀刻液涂敷于所述基材的表面,溶解残留在所述基材的表面上的导电墨,并通过物理力将被所述蚀刻液溶解的所述导电墨推入所述槽中而形成。
并且,可进一步包括由填充于所述槽中的发黑组合物形成的发黑部。
本发明的另一实施例提供一种透明导电膜,其特征在于,包括:具有槽的基材;以及由填充于所述槽中的导电墨形成的导电图案,且所述导电图案包括:一次图案部,其由一次填充于所述槽中的导电墨形成;以及二次图案部,其通过采用蚀刻液溶解在进行所述一次填充时残留在所述基材表面的导电墨,并将所述导电墨二次填充于所述槽中而形成。
本发明的另一实施例提供一种透明导电膜,其特征在于,包括:具有槽的基材;以及导电图案,其在所述槽中一次填充导电墨,并采用蚀刻液溶解在进行所述导电墨的一次填充时残留在所述基材的表面的导电墨,并将所述导电墨引导至所述槽中,从而在所述槽中二次填充所述导电墨而形成。
所述导电墨可为包含金属错合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片或纳米粒子的导电墨。
所述蚀刻液可包含选自氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系化合物、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇类复合物及巯基类化合物中的一种以上的物质和氧化剂。
所述二次图案部可通过将所述蚀刻液涂敷于所述基材的表面,溶解残留在所述基材的表面上的导电墨,并通过物理力将被所述蚀刻液溶解的所述导电墨推入所述槽中而形成。
所述导电图案可通过将所述蚀刻液涂敷于所述基材的表面,溶解残留在所述基材的表面上的导电墨,并通过物理力将被所述蚀刻液溶解的所述导电墨推入所述槽中,进行二次填充而形成。
并且,可进一步包括由填充于所述槽中的发黑组合物形成的发黑部。
有益效果
根据本发明,提供一种现有技术难以实现的低电阻超细图案的形成方法,其是通过在基材的槽中填充导电墨形成导电图案,并且采用蚀刻液溶解残留在基材的表面的导电墨并将所述导电墨推入并填充于基材的槽中而实现的。并且,上述方法能够提高基材的透明性和绝缘特性。
附图说明
图1a至图1f为按顺序表示本发明的一实施例的导电图案形成方法的剖视图。
图2a至图2g为按顺序表示本发明的另一实施例的导电图案形成方法的剖视图。
图3为图2g的A部分的放大剖视图。
图4a及图4b为表示本发明的另一实施例的导电图案形成方法的部分步骤的剖视图。
图5a至图5c为表示本发明的另一实施例的导电图案形成方法的部分步骤的剖视图。
图6a至图6c为实施例1~36的扫描电子显微镜(SEM)图片。
具体实施方式
本发明提供一种导电图案的形成方法,其特征在于,包括步骤:a)在具有槽的基材的所述槽中填充导电墨;以及b)在填充所述导电墨时,用蚀刻液溶解残留在所述基材的表面的导电墨,并将所述导电墨引导至所述槽中,从而在所述槽中填充所述导电墨。
在所述步骤a)中,基材的种类不受特别的限制。所述基材可由透明材质,例如塑料薄膜或玻璃形成。所述塑料薄膜可使用聚酰亚胺(PI)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚醚砜(PES)、尼龙(Nylon)、聚四氟乙烯(PTFE)、聚醚醚酮(PEEK)、聚碳酸盐(PC)或聚芳酯(PAR)。基材也可由不透明材质构成。例如,可采用表面经绝缘处理的金属制板材,或者可适用不透明的塑料薄膜、不透明的玻璃或不透明的玻璃纤维材料。如上所述,可使用塑料薄膜或玻璃基板等,但并且不受限制。此外,可根据后述导电墨的热处理温度,可配合基材特性而选择使用。
如上所述,本发明的导电图案的形成方法,可不仅在树脂层,而且还可在玻璃或陶瓷等基材上用各种方法形成阴刻槽,填充导电墨而形成导电图案后,用蚀刻液溶解未填充于槽中而残留在表面上的填充物质,并且再次填充所述填充物质而制造导电图案。其中,当基材为陶瓷时,可使用激光进行蚀刻,或者采用压印方式对可塑性陶瓷片进行挤压成型,后进行热处理而制造。例如,可在基材表面上形成绝缘物质的树脂层,例如可采用UV固化型或热固化型树脂形成树脂层。所述树脂并不仅限于此,还可由无机膜、有机-无机混合膜、有机层压膜、无机层压膜、或者有机-无机复合层压膜所构成。当所述基材为透明材质时,所述树脂层优选由透明绝缘物质形成,但并不仅限于此。
如上所述,在所述步骤a)之前在所述基材上形成槽的步骤中,可根据所要实现的微细线宽的大小,选择使用通过压印工艺将UV固化树脂或热固化树脂用模具压印而形成的方法、通过激光直接蚀刻基材而形成使用的方法或者通过照相平版印刷方式形成的方法等。
其中,对压印工艺具体说明如下。在压印工艺中代表性的方式为通过热工艺和由UV照射引起的固化的图案转印方式。首先,为了进行压印工艺,需要图章,所述图章表面突出有所需的图案,为了制造阳刻有这种图案的图章,一般通过电子束平印术(electron-beam lithography)和干式蚀刻而制造。
具体地说,是一种在基材上利用具有微细凹凸的模具压印UV固化树脂或固化型树脂的树脂层,从而形成阴刻的微槽的工艺。上述工艺还可使用热塑性基材,并将微细凹凸高温加压,从而形成阴刻的微槽。
其次,在所述步骤a)中,例如作为包含金属错合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片或纳米粒子的导电墨,可将导电膏填充于阴刻的槽中。
为了提高微槽中的填充性,可使用金属错合物或金属前体。此外,也可将金属错合物或金属前体还原,制备成纳米大小的金属粒子,并作为混合物使用。如果使用该物质,能够容易形成现有技术不能形成的纳米大小的微细导电图案。除了这些混合物之外,也可根据需要包含如溶剂、稳定剂、分散剂、粘合剂树脂(binder resin)、离型剂、还原剂、表面活性剂(surfactant)、润湿剂(wetting agent)、触变剂(thixotropicagent)、均化剂(levelling)或增粘剂的添加剂等。
作为本发明中使用的金属错合物,通过与选自氨基甲酸铵系化合物、碳酸铵系化合物、碳酸氢铵系化合物、羧酸系化合物、内酯系化合物、内酰胺系化合物或环状酸酐系化合物、酸-碱盐复合物和酸-碱-醇系复合物中的一种或两种以上的混合物进行反应,从而制备成能够溶解于溶剂中的金属错合物而使用。
在本发明中使用的金属前体可由通式MnX表示,其中M表示Ag、Au、Cu、Ni、Co、Pd、Ti、V、Mn、Fe、Cr、Zr、Nb、Mo、W、Ru、Cd、Ta、Re、Os、Ir、Al、Ga、Ge、In、Sn、Sb、Pb或Bi;n表示1~10的整数;X表示氧、硫磺、卤素、氰基(cyano)、氰酸盐、碳酸盐、硝酸盐、亚硝酸盐、硫酸盐、磷酸盐、硫氰酸盐、氯酸盐、高氯酸盐四氟硼酸盐 乙酰丙酮化物、巯基、酰胺、醇盐或羧酸酯等。具体举例来说,可以选择使用一种以上的醋酸金、草酸钯、2-乙基己酸银、2-乙基己酸铜、硬脂酸铁、甲酸镍或柠檬酸锌等羧酸金属;硝酸银、氰化铜、碳酸钴、氯化铂、氯金酸、四丁氧基钛、二甲氧基二氯化锆、异丙氧基铝、氧化钒、甲醇钽、醋酸铋、巯基金酸十二烷基酯或乙酰丙酮铟等金属化合物。
常规的金属纳米粒子的制备方法包括以物理方式研磨金属块从而进行制备的物理方法和以化学方式制备的方法。对化学方法进行具体说明,其包括:喷射高压气体制备粉末的气溶胶法;使用金属化合物和气体还原剂,通过热分解方式制备粉末的热解法;对蒸发原料进行加热蒸发,从而制备粉末的蒸发凝缩法;溶胶-凝胶法、水热合成法、超声波合成法、微乳液法和液相还原法等。利用分散剂和还原剂进行制备的液相还原法,由于容易控制纳米粒子的形成,且经济效果最佳,因此是使用最为广泛的方法。但在本发明中,只要能够形成纳米粒子,所有方法均可使用。
在本申请人提出的韩国专利申请第2006-0074246号中记载了关于液相还原法制备纳米粒子的方法的具体说明。上述专利申请中记载的金属纳米粒子具有粒子大小均匀,凝聚性降至最小化的优点,而含有上述金属纳米粒子的导电墨具有即使在150℃以下的低温条件下,进行短时间的烧成,也可轻易形成具有高导电率的均匀且致密的薄膜或微细图案的优点。
在所述步骤a)中用于导电墨的粘合剂树脂优选与各种基材的具有优异的附着力的粘合剂树脂。可使用的物质为有机高分子物质,例如可以是聚丙烯、聚碳酸盐、聚丙烯酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、醋酸纤维素、聚氯乙烯、聚氨酯、聚酯、醇酸树脂、环氧树脂、苯氧树脂、密胺树脂、酚醛树脂、酚醛改性醇酸树脂、环氧改性醇酸树脂、乙烯改性醇酸树脂、硅改性醇酸树脂、丙烯酸三聚氰胺树脂聚异氰酸盐树脂和环氧酯树脂等,只要符合本发明,就不限于此。在所述步骤a)中使用的导电墨中,即使在没有粘合剂的情况下也可使用Ag错合物或纳米粒子,因此并不仅限于上述内容。
此外,为了形成均匀的薄膜,有时需要溶剂,可使用的溶剂,可以是乙醇、异丙醇或丁醇等醇类;乙二醇或丙三醇等二醇类;醋酸乙酯、醋酸丁酯、甲氧基乙酸丙酯、卡必醇醋酸酯或乙基卡必醇醋酸酯等醋酸酯类;甲基溶纤剂、丁基溶纤剂、二***、四氢呋喃或二氧杂环乙烷等醚类;甲乙酮、丙酮、二甲基甲酰胺或1-甲基-2-吡咯烷酮等酮类;己烷、庚烷、月桂烷、石蜡油或矿物油精等烃类;苯、甲苯或二甲苯等芳香族;以及氯仿、二氯甲烷或四氯化碳等卤代溶剂;乙腈;二甲亚砜;或者上述物质的混合溶剂等。但溶剂的种类并不仅限于此。
在所述步骤a)中,导电墨的填充方法例如可以使用平板丝网印刷、旋转(spin)涂敷、辊(roll)涂、流动(flow)涂敷、刮板(doctor blade)涂敷、滴涂(dispensing)、凹版印刷或柔版(flexography)印刷方法,但并不仅限于此,且此时进行的填充次数可为一次或者反复填充多次。根据所述不同的填充方法,可能会导致填充特性互不相同,其需要调节导电墨的成分,使组合物的流变能力最适于填充方法,从而使导电墨适于各填充方法。根据不同的金属组合物的金属含量、溶剂含量及挥发温度、粘度和触变性的特性,可能会产生特性的差异。
通过上述方法形成的导电图案的厚度优选等于或小于阴刻的图案深度,但并不限于此。根据后处理工艺条件,有时也可优选导电图案的厚度厚于图案的深度,从而提高与上部电路之间的接触力。具体地说,优选为10μm以下,更加优选为0.1μm以上且5μm以下。根据所要实现的线宽、所需电阻及后处理条件,需要对导电图案的厚度进行调节。导电图案的干燥温度可为22~600℃,也可优选为80~400℃,但并不仅限于此。可根据基材种类,优选在不导致基材变形的温度范围内进行。
所述步骤b)是使用蚀刻液溶解在所述步骤a)中填充导电墨时不可避免地残留在所述基材表面上的导电墨,引导所述导电墨进入槽中,从而使留在基材表面的墨也都进入槽中形成导电图案的步骤,不仅如此,还是去除留在基材表面的导电墨,从而洗净表面的步骤。本步骤还是改善表面的透明性和绝缘性特性的同时,进一步使导电墨流入槽中,完成导电图案,从而完成低电阻微细导电图案的步骤。
导电墨的蚀刻机制一般是反复执行一下过程而构成:即,由氧化剂对金属表面进行氧化,形成金属氧化物,并利用溶解上述金属氧化物的化合物来溶解的过程和膨润过程。
作为最符合所述导电墨的蚀刻特性的蚀刻组合物,可包含氧化剂和能够溶解金属化合物的氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系化合物、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇系复合物或巯基类化合物等而制备。例如,可在没有溶剂的常压或加压条件下,直接使氧化剂与一种以上的所述化合物及其混合物进行反应,或者在使用溶剂的情况下,可使用水;甲醇、异丙醇、丁醇或乙醇胺等醇类;乙二醇或丙三醇等二醇类;醋酸乙酯、醋酸丁酯或卡必醇醋酸酯等醋酸酯类;二***、四氢呋喃或二氧杂环乙烷等醚类;甲乙酮或丙酮等酮类;己烷或庚烷等烃类;苯或甲苯等芳香族;以及氯仿、二氯甲烷或四氯化碳等氯代溶剂;全氟化碳等氟类溶剂或者上述物质的混合溶剂等。在如压力容器等的加压状态下还可使用低沸点的氟类溶剂或液化二氧化碳等。对本发明的蚀刻组合物的制备方法没有特别的限制。即,只要符合本发明的目的,可使用任何公知的技术。
在本申请人的韩国授权专利第0727466号中,对其中的氨基甲酸铵系化合物、碳酸铵系化合物及碳酸氢铵系化合物进行了具体的说明。羧酸系化合物可使用苯甲酸、油酸、丙酸、丙二酸、己酸、辛酸、癸酸、新癸酸、草酸、柠檬酸、水杨酸、硬脂酸、丙烯酸、琥珀酸、己二酸、乙醇酸、异丁酸或抗坏血酸等。巯基类化合物可使用1-甲硫醇1-乙硫醇、2-丁硫醇、1-庚硫醇、1-辛硫醇、1-癸硫醇、1-十六烷基硫醇、硫代乙酸、6-巯基己酸、硫代苯甲酸、糠硫醇、环己硫醇、11-巯基-1十一醇、2-巯基乙醇、3-巯基-1-丙醇、硫代水杨酸、1-硫代甘油、2-萘硫酚、3-巯基丙酸甲酯或γ-巯基丙基三甲氧基硅烷等。内酯系化合物可使用β-丙酸内酯、γ-丙酸内酯、γ-丁酸内酯、γ-硫代丁酸内酯、α-甲基-γ-丁酸内酯、β-甲基-γ-丁酸内酯、γ-戊内酯、γ-己内酯、γ-辛酸内酯、δ-戊内酯、1,6-二氧杂螺[4.4]壬烷-2,7-二酮、α-亚甲基-γ-丁酸内酯、γ-亚甲基-γ-丁酸内酯、ε-己内酯、丙交酯、乙交酯、季酮酸、2(5氢)-呋喃酮、β-羟基-γ-丁酸内酯、甲瓦龙酸内酯、5,6-二氢-2H-吡喃-2-吡喃-2-酮、δ-戊内酯、ε-己内酯、γ-己内酯或γ-辛酸内酯等。内酰胺系化合物可使用2-氮杂环丁酮2-吡咯烷酮、5-甲氧基-2-吡咯烷酮、5-甲基-2-吡咯烷酮、N-甲基已内酰胺、2-氮杂环壬酮 或N-乙酰基己内酰胺等。环状酸酐可使用衣康酸酐、琥珀酸酐、马来酸酐、戊二酸酐、十八烷基琥珀酸酐2,2-二甲基琥珀酸酐、2-十二烯-1-基丁二酸酐六氟戊二酸酐、3,3-二甲基戊二酸酐、3-乙基-3-甲基戊二酸酐、3,5-二乙酰基四氢吡喃-2,4,6-三酮或二乙醇酸酐等,但并不仅限于此,上述物质可以作为单一成分使用,也可从由两种以上的混合物构成的组中选择使用。
关于所述蚀刻液,作为蚀刻组合物的主成分之一的氧化剂,例如可包括:氧气、臭氧等氧化性气体;过氧化氢、Na2O2、KO2、NaBO3、(NH4)S2O8、H2SO5或(CH3)3CO2H,(C6H5CO2)2等过氧化物;HCO3H、CH3CO3H、CF3CO3H、C6H5CO3H或m-ClC6H5-CO3H等过氧酸;硝酸、硫酸、I2、Fe(NO3)3、Fe2(SO4)3、K3Fe(CN)6、(NH4)2Fe(SO4)2、Ce(NH4)4(SO4)4、NaIO4、KMnO4或K2CrO4等常见的氧化性无机酸,或者金属或非金属化合物等。在使用这种氧化剂时,可以单独使用或者也可混合至少一种以上的氧化剂使用。
关于所述蚀刻组合物,为了有效地溶解未被填充到基材的槽中而残留在基材表面的导电墨,并且提高对微槽的再填充性,优选对蚀刻液组合物赋予亲水特性。优选通过调节氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇系复合物或巯基类化合物的碳原子数来调节亲水特性的程度。
所述蚀刻组合物的涂敷方法可从常规的平板丝网印刷、辊涂、流动(flow)涂敷、刮板(doctor blade)涂敷、凹版印刷或柔版(flexography)印刷方法等中选择使用。但只要符合本发明的特征,对其没有需特别的限制。
关于所述蚀刻组合物的蚀刻速度,优选通过调节涂敷时的蚀刻剂的沉积时间,或者通过调节蚀刻组合物的氧化剂或氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇系复合物或巯基类化合物的浓度对其进行控制,且必要时可反复进行蚀刻过程。此外,当使用包含无机酸或碱的蚀刻液时,可使用额外的水或有机溶剂进行洗涤而去除。例如,也可再包括一次洗涤工序,从而将基材表面的导电墨导入槽中。
在本发明的导电图案的形成方法中,在所述步骤b)以后,可进一步包括使导电图案的表面发黑的发黑步骤。该步骤可根据需要选择性地进行。
在所述发黑步骤中,可使用发黑组合物对填充到槽中的导电图案的表面进行薄膜涂敷,以对表面进行发黑处理,从而能够控制金属固有的反射特性,并且还可提高与基材之间的贴紧力。
金属表面的发黑一般是出于提高可见性的目的,可以采用通过酸或碱溶液处理金属层表面的方法、镀覆方法或通过印刷方式印刷至金属层表面的方法等。
其中,关于印刷方法说明如下:可以将对金属表面进行发黑处理的同时能够提高与基材之间的附着力的发黑组合物,利用平板丝网印刷、辊涂、流动(flow)涂敷、刮板(doctor blade)涂敷、凹版印刷或柔版(flexography)印刷法填充到导电图案的表面上并进行发黑处理。发黑组合物的干燥温度一般优选为22~600℃,可在不导致基材变形的温度范围内进行干燥。
在本发明中可使用的发黑组合物包括钛系或锆系错合物、溶剂、均化剂和增粘剂,且如果需要也可包括所述步骤a)中的导电墨。钛系或锆系错合物具体可使用钛酸异丙酯、钛酸乙酯、钛酸正丁酯、聚钛酸正丁酯(poly-N-butyl titanate)、钛酸-2-乙基己酯、钛酸正丙酯、钛酸辛二醇酯钛酸四异辛酯、钛酸木糖酯单体、钛酸木糖酯聚合物、三乙醇胺钛酸酯、四乙酰丙酮络钛、乙基乙酰乙酸乙酯钛酸酯异硬脂酰基钛酸酯 乳酸钛螯合物三乙醇胺锆酸酯、乳酸锆、乙二醇锆锆酸正丁酯或锆酸正丙酯等。必要时,可将两种以上的错合物混合使用。在上述发黑组合物中,可通过调节钛系或锆系错合物的浓度而调节导电图案的表面黑化度。
下面,将参照附图具体说明本发明。虽然参照附图对本发明进行说明,但其仅是示例性的,本领域中具备通常知识的技术人员能够理解可由此进行各种变形并且实施等同的其他实施例。因此,本发明真正的保护范围仅由所附的权利要求书所确定。
图1a至图1f为按顺序表示本发明的一实施例的导电图案形成方法的剖视图。
如图1a所示,在基材1上形成第一膜2以作为树脂层,之后,准备具有阳刻图案的突出部41、41’的模具4。
将所述模具4配置在所述第一膜2的上面,使所述突出部41、41’与所述第一膜2相对,之后通过所述模具4加压所述第一膜2,从而在第一膜2上印出如图1b所示的槽21、21’。此时,所述第一膜2优选至少应使其中的被所述突出部41加压的部分未固化,或者使之成为假固化状态,从而顺利实现使用模具4的压印。
在使用所述模具4进行压印之后,可使所述第一膜2固化,但并不仅限于此。
如图1a所示,所述突出部41、41’可包括一部分的侧剖面为四边形的突出部41和一部分的侧剖面为三角形的突出部41’。如图1a所示,一个模具4可以包括侧剖面为四边形的突出部41和侧剖面为三角形的突出部41’,但并不仅限于此。一个模具4可以只具备侧剖面为四边形的突出部41,也可以只具备侧剖面为三角形的突出部41’。突出部的形状也并不仅限于此,可为多种形状。
如图1b所示,根据所述突出部41、41’的形状,所述槽21、21’可包括一部分的侧剖面为四边形的槽21和一部分的侧剖面为三角形的槽21’。如图1b所示,在一个第一膜2上可以混合形成侧剖面为四边形的槽21和侧剖面为三角形的槽21’,但并不仅限于此。在一个第一膜2上可以只形成侧剖面为四边形的槽21,也可以只形成侧剖面为三角形的槽21’。槽的形状与所述突出部的形状对应,因此并不仅限于此,可为多种形状。另外,虽然没有图示,所述槽21、21’的侧壁及/或底面的至少一部可形成有规定的曲率。
具体地说,作为树脂层形成于第一膜2上的槽,以剖面形状为基准,可形成选自梯形形状、三角形形状、正方形形状、矩形形状、具有不同斜角的斜面连续连接的多边形形状及半圆形形状中的至少一种形状。例如,可以只形成选自上述形状中的一种形状,也可以将所选的两种以上的形状混合形成。
另外,以对第一膜2的平面图为基准,从上方观察第一膜2的槽时,有可能呈现为多个线排列的形状,这可以配置成多个线相互交叉的网目图案形状,也可以以多个线互不交叉,且彼此间隔开距离地反复或者不规则的形状配置,这些槽的配置可以有多种组合。
如图1b所示,所述槽21、21’的深度可以小于所述第一膜2的厚度。
另一方面,在形成所述槽21、21’之前可对所述第一膜2的上表面22进行疏水性处理。由此,如在后面所述,能够更加容易地从第一膜2的上表面22去除导电膏。这种对上表面22的疏水性处理,例如可通过对第一膜2的上表面22进行等离子处理而实现。
接下来,如图1c所示,在如上的第一膜2上涂敷作为导电墨的导电膏3之后,在所述槽21、21’中填充所述导电膏3。通过挤压件7推动第一膜2的上表面22,将位于第一膜2的上表面22上的导电膏3填充到槽21、21’内。此时,在所述第一膜2的上表面22不规则地排列有导电膏的残留物。因此,所述导电膏3包括填充到所述槽21、21’内的第二膜31和残留在所述第一膜2的上表面22的第三膜32。
然后,可以使所述导电膏一次固化,但并不仅限于此。
作为涂敷所述导电膏的方法,可以采用平板丝网印刷法、旋转(spin)涂敷法、辊(roll)涂法、流动(flow)涂敷法、刮板(doctor blade)涂敷法、滴涂法(dispensing)、凹版印刷法或柔版(flexography)印刷法填充所述导电墨。导电膏的涂敷不仅限于一次,而是可以反复进行多次。
根据上述不同的涂敷方法,导电膏向槽21、21’内的填充特性有可能不同,但其需要调节导电膏中的成分,使组合物的流变能力最适于填充方法,从而使导电膜适于各种填充方法。根据不同的金属组合物的金属含量、溶剂含量及挥发温度、粘度和触变性的特性,所述填充特性有可能不同。
通过上述方法一次填充于所述槽21、21’内而形成的一次图案部即第二膜31的厚度可以等于或小于槽21、21’的深度。例如,所述第二膜31的厚度可为10μm以下,更详细地可为0.1μm以上且5μm以下,该厚度可根据所要实现的线宽及所需电阻条件进行调节。
所述导电膏的一次固化温度,可根据所述导电膏的成分及/或基材的材质而选择,可在25~600℃温度条件下,不导致所述基材变形的温度范围内进行。
接下来,在所述第一膜2上涂敷规定的溶液。
所述溶液是能够溶解一次固化的所述导电膏的溶液,例如可使用蚀刻液,将其涂敷在形成于所述第一膜2上的经过一次固化的导电膏3上。因此,所述溶液被涂敷在填充于所述槽21、21’内的第二膜31及在第一膜2的上表面22上残留的第三膜32上。
从而如图1d所示,所述溶液与一次固化的导电膏3反应,从而可在所述槽21、21’内与所述第二膜31的至少一部分混合而形成第一混合体33,并可在所述第一膜2的上表面22与所述第三膜32混合而形成第二混合体34。
所述溶液可具有亲水特性,从而能够有效地溶解所述第三膜32并形成第二混合体34,且还可将所述第二混合体34很好地填充到槽21、21’内。例如,当所述溶液6包含氨基甲酸铵系、碳酸铵系或碳酸氢铵系化合物时,可通过调节其碳原子数来调节亲水特性。
所述溶液的涂敷方法可从平板丝网印刷、辊(roll)涂、流动(flow)涂敷、刮板(doctor blade)涂敷、凹版印刷或柔版(flexography)印刷法等中选择使用。
所述溶液对所述导电膏3的蚀刻速度可通过调节在涂敷溶液时溶液的沉积时间进行控制,或者通过调节溶液的氧化剂或铵系化合物的浓度进行控制,必要时可反复进行涂敷过程。
如上所述,通过溶液的涂敷,在所述第一膜2的上表面22上形成的第二混合体34二次填充到槽21、21’内。
为了将所述第二混合体34填充到所述槽21、21’内,例如,如图1e所示,可通过挤压件7额外的推动第一膜2的上表面22,使位于第一膜2的上表面22的第二混合体34填充到槽21、21’内,并与第一混合体33混合,从而形成如图1f所示的第三混合体35。除此之外,可对将所述第二混合体34填充到槽21内的方法进行多种变形。例如,对整个基材1另行施加振荡及/或摇动,从而使第二混合体34填充到槽21、21’内,或者可以采用利用空气的方法。
此时,如前所述,当第一膜2的上表面22被施以疏水性处理时,所述第二混合体34能够更加顺利地从所述上表面22填充到所述槽21、21’内。
如上所述,通过使用蚀刻液溶解残留的导电膏32,并将其推入槽21、21’内而进行二次填充,其中,所述残留的导电膏32为将导电膏3一次填充于21、21’时,残留于第一膜2的上表面22的第三膜32。更具体地说,如图1f所示,通过将第二混合体34填充到槽21、21’内,第一膜2的上表面22的导电膏已是去除的状态,且在第一膜2的槽21、21’内,已是作为一次图案部的第二膜31和作为二次图案部的第三混合体35构成层压结构的状态。在此状态下,对所述导电膏3进行二次固化,从而形成填充于槽21、21’内的微细导电图案。
所述导电膏3的二次固化温度可根据所述导电膏的成分及/或基材的材质而选择,可在25~600℃温度条件下,不导致所述基材变形的温度范围内进行。在图1f中表示槽21、21’内的导电膏3由第二膜31和第三混合体35构成层压结构,而在二次固化之后这种层压结构消失,已固化的导电膏3作为单层的导电图案存在。但是并不仅限于此,在二次固化之后,填充于槽21、21’内的导电膏3可呈两层层压结构。
通过上述方法制造的本发明的一实施例的导电图案部件,由于将已经形成的导电膏再次溶解并在微槽内形成导电图案,因此能够提高所述导电图案的导电性。尤其是,当所述导电膏包含金属时,通过对一次固化的导电膏的再次溶解,产生金属粒子的重新排列及/或重新形成,因此可进一步提高导电图案的导电性,从而实现微细导电图案的低电阻化。
另外,使基材及/或第一膜2透明时,通过从第一膜2的上表面22去除导电膏,可提高整个装置的透明性,因此能够制造透明导电膜。不仅如此,当所述基材及/或第一膜2具有绝缘性时,通过从第一膜2的上表面22去除导电膏,可提高第一膜2的绝缘性。
图2a至图2g为按顺序表示本发明的另一实施例的导电图案形成方法的剖视图。
按照图2a至图2f,在槽21、21’中填充导电膏3。在所述槽21、21’内填充导电膏3的方法与前述图1a至图1f的方法相同,因此省略详细的说明。
接下来,如图2g所示,在所述二次固化的导电膏3上可进一步形成不透明的发黑部即第四膜8。当所述二次固化的导电膏3包含金属时,可将不透明的第四膜8形成在二次固化的导电膏3上,从而控制二次固化的导电膏3的反射特性。
如图2g所示,可根据需要在二次固化的导电膏3上涂敷发黑组合物来形成所述第四膜8,在涂敷到第一膜2的上表面22之后,可擦除涂敷在第一膜2的上表面22的发黑组合物。从第一膜2的上表面22去除发黑组合物的方法可适用前述的通过挤压件推出的方法,但并不仅限于此,还可用空气或刷子等各种方式擦除。
通过调节所述发黑组合物中钛系或锆系错合物的浓度,可调节二次固化的导电膏3的表面的黑化度。
所述发黑组合物的涂敷方法可从平板丝网印刷、旋转(spin)涂敷、辊(roll)涂、流动(flow)涂敷、刮板(doctor blade)涂敷、滴涂(dispensing)、凹版印刷或柔版(flexography)印刷方法等方法中选择使用。
可在25~600℃条件下,对所述发黑组合物进行干燥。
另一方面,如图2g所示,当所述发黑组合物涂敷于槽21内的二次固化的导电膏3的表面时,如图3所示,发黑组合物可浸入二次固化的导电膏3和槽21的内表面之间,从而在二次固化的导电膏3和槽21的内表面之间形成薄的第五膜81。所述第五膜81与第四膜8为同一组分的物质,可从第四膜8连续及/或不连续地延伸。虽然没有图示,所述第五膜81也可连续及/或不连续地设置于所述第二膜31和第三混合体35之间。
如上所述,发黑组合物浸入二次固化的导电膏3和槽21的内表面之间并固化,能够进一步提高二次固化的导电膏3和槽21的内表面之间的贴紧力,从而可进一步提高微细导电图案的耐剥离特性。
另一方面,所述二次固化的导电膏3的表面发黑并不仅限于前述方法,还可适用将酸性溶液或碱性溶液涂敷于二次固化的导电膏3的表面而进行处理的方法、将不透明物质镀覆于二次固化的导电膏3的表面的方法或将不透明物质直接印刷于二次固化的导电膏3的表面的方法。
在前述实施例中,所述槽21、21’的深度浅于第一膜2的厚度,但本发明并不仅限于此,如图4a及图4b所示,第一膜2’的厚度和槽21、21’的深度也可以相同。
此外,所述槽可通过多种方法形成。
例如,如图5a所示,在基材1上形成第一膜2之后,从第一膜2的上部照射激光束,从而如图5b所示,去除所述第一膜2的部分,使与所述槽21"的图案相对应。此时,如图5a所示,可在不使用额外的遮光罩的情况下照射所述激光束,但并不仅限于此。也可将遮光罩配置在所述第一膜2上的状态下照射激光束而进行蚀刻,其中,所述遮光罩具有与所述槽21"的图案相对应的开口。
如图5b所示,可使通过照射激光束形成的槽21"仅形成在第一膜2上,但并不仅限于此,如图5c所示,也可以形成具有延伸到基材1的深度的槽21’"。
在如此形成的槽21"、21’"中填充导电膏的方法与前述的图1c至图1f相同。
所述槽可通过另一种方法形成。
首先,在基材上形成第一膜后,在所述第一膜上配置感光膜。然后,使用具有与所述槽的图案对应的遮光图案的光罩进行曝光及灰化,从而在所述感光膜上形成与所述槽的图案对应的开口。通过蚀刻去除由上述开口露出的所述第一膜的部分,从而在第一膜上形成槽,之后去除所述感光膜。
除此之外,如上的槽还可用多种方法形成。例如,在所述基材上形成所述第一膜的步骤中,可在所述基材上配置与所述槽的图案对应的掩模后形成第一膜,从而形成包含槽的第一膜。
以下,将通过实施例具体说明本发明,但本发明的范围并不限于实施例。
[制备例1](400CAM蚀刻剂)
在200ml烧杯中加入18g的氨基甲酸异丁酯、70g的异丁胺、2g的95%2-氨基-2-甲基-1-丙醇之后,使用超声波破碎仪(Sonicator)充分溶解20分钟,后缓慢地添加10g的30%过氧化氢,搅拌10分钟制备蚀刻剂。
[制备例2](400-800CAM蚀刻剂)
在200ml烧杯中加入10g的氨基甲酸异丁酯和氨基甲酸2-乙基己酯(两者的摩尔比为1:1)、78g的2-乙基己胺、2g的95%2-氨基-2-甲基-1-丙醇之后,使用超声波破碎仪(Sonicator)充分溶解20分钟,后缓慢地添加10g的30%过氧化氢,搅拌10分钟制备蚀刻剂。
[制备例3](800CAM蚀刻剂)
在200ml烧杯中加入15g的氨基甲酸2-乙基己酯、73g的异丁胺、2g的95%2-氨基-2-甲基-1-丙醇之后,使用超声波破碎仪(Sonicator)充分溶解20分钟,然后缓慢地添加10g的30%过氧化氢之后,搅拌10分钟制备蚀刻剂。
[制备例4](400CAM蚀刻剂(7%过氧化氢))
在200ml烧杯中加入18g的氨基甲酸异丁酯、79g的异丁胺、2g的95%2-氨基-2-甲基-1-丙醇之后,使用超声波破碎仪(Sonicator)充分溶解20分钟,后缓慢地添加7g的30%过氧化氢之后,搅拌10分钟制备蚀刻剂。
[制备例5](400CAM蚀刻剂(5%过氧化氢))
在200ml烧杯中加入18g的氨基甲酸异丁酯、79g的异丁胺、2g的95%2-氨基-2-甲基-1-丙醇之后,使用超声波破碎仪(Sonicator)充分溶解20分钟,然后缓慢地添加5g的30%过氧化氢之后,搅拌10分钟制备蚀刻剂。
[制备例6](氨基甲酸铵蚀刻剂)
除了用氨基甲酸铵取代氨基甲酸异丁酯之外,与制备例5相同的方法制备蚀刻剂。
[制备例7](碳酸铵蚀刻剂)
除了用碳酸铵取代氨基甲酸异丁酯之外,通过与制备例5相同的方法制备蚀刻剂。
[制备例8](新癸酸(Neodecanoic acid)蚀刻剂)
除了用新癸酸取代氨基甲酸异丁酯之外,通过与制备例5相同的方法制备蚀刻剂。
[制备例9](巯基蚀刻剂)
除了用正辛硫醇取代氨基甲酸异丁酯之外,通过与制备例5相同的方法制备蚀刻剂。
[制备例10](内酯蚀刻剂)
除了用γ-丁内酯取代氨基甲酸异丁酯之外,通过与制备例5相同的方法制备蚀刻剂。
[制备例11](苯甲酸蚀刻剂)
除了用苯甲酸取代氨基甲酸异丁酯之外,通过与制备例5相同的方法制备蚀刻剂。
[制备例12](铜膏墨)
在22g的乙基卡必醇醋酸酯中浸渍8g的聚酯树脂(SKC公司),搅拌12小时进行溶解后,在完成的组合物中浸渍具有2μm平均粒度的球形铜粒子70g,并且以15bar的压力使之通过三辊式轧机(艾卡特(EXAKT)公司制造)三次以制备导电膏。
[制备例13](铜错合物)
在配有搅拌器的50ml舒伦克(Schlenk)烧瓶中,在具有粘性的2-乙基己基铵2-乙基己基氨基甲酸酯9.52g(31.48mmol)与10ml甲醇的混合溶液中添加氢氧化铜3.07g(31.48mmol),并在常温下使其反应两个小时。随着反应的进行,起初深绿色的悬浮液(Slurry)的颜色逐渐变浅,最后获得蓝色的透明溶液。在真空条件下,去除上述反应溶液中的全部溶剂,则获得蓝色的铜错合物12.6g。
[制备例14](铜膏+铜错合物)
在30g的PA-30NT(印可得株式会社(Inktec Co.,Ltd)制造)中浸渍具有2μm平均粒度的球形铜粒子70g,使用调糊机(DAE-WHA TECH CO.LTD)以1000rpm的速度搅拌20分钟,制备导电膏。
[实施例1]
将UV树脂涂敷于聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)之后,用模具压印,并用紫外线固化而形成3μm大小的凹陷的微槽,将其作为基材使用。在基材上涂敷作为导电墨的PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用刮板方式初步涂敷制备例1中制备的蚀刻剂,用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例2]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印,并用紫外线固化而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例3]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成20μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于20μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例4]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,并且用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并且反复推动两次,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例5]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,并且用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并且反复推动三次,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例6]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PSP-009(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例7]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PSP-010(印可得株式会社制造)导电墨,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例8]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积10秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例9]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积30秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例10]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例2中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例11]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例3中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例12]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式在3μm大小的微槽中反复填充两次,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例13]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式在3μm大小的微槽中反复填充三次,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例14]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用棒涂(Bar coating)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例15]
用热压缩成型模具对PET进行压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例16]
使用UV激光器(EO技术有限公司制造),以5W皮秒脉冲(PICO PULSE)、365nm波长在玻璃上形成25μm的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于25μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例17]
使用UV激光器(EO技术有限公司制造),以5W皮秒脉冲(PICO PULSE)、365nm波长在玻璃上形成25μm的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式在25μm大小的微槽中反复填充两次,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例18]
使用UV激光器(EO技术有限公司制造),以5W皮秒脉冲(PICO PULSE)、365nm波长在玻璃上形成25μm的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式在25μm大小的微槽中反复填充三次,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例19]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,在将制备例6中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例20]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例7中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例21]
将UV树脂涂敷于玻璃上之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例8中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在200℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例22]
将UV树脂涂敷于玻璃上之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例9中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在200℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例23]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在80g的甲醇中添加20g的80%水合肼并进行搅拌,在基材的整个表面上涂敷上述溶液后,在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例24]
将UV固化树脂涂敷于PET之后,使用压印用阳刻模具压印并进行紫外线固化而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为压印基材使用。在80g的甲醇中添加20g的80%水合肼并进行搅拌,在基材的整个表面上涂敷上述溶液后,在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例25]
将UV树脂涂敷于玻璃上之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在80g的异丙醇中添加20g的葡萄糖并进行搅拌,在基材的整个表面上涂敷上述溶液后,在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行施再次压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在250℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例26]
用热压缩成型模具对PET进行压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。在99g的异丙醇中添加1g的Tazor TE(杜邦公司制备)而形成发黑组合物,将其以刮板方式涂敷在金属层上,并在150℃条件下干燥三分钟。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例27]
用热压缩成型模具对PET进行压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。在99g的异丙醇中添加1g的乙酰丙酮锰(Aldrich公司制造)而形成发黑组合物,将其以刮板方式涂敷在金属层上,并在150℃条件下干燥三分钟。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例28]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例10中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例29]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式填充于3μm大小的微槽中,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例11中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例30]
使用UV激光器(EO技术有限公司制造),以5W皮秒脉冲(PICO PULSE)、365nm波长在由Al2O3烧结的基材上形成25μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式在25μm大小的微槽中填充一次,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例1中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例31]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式在3μm大小的微槽中填充一次,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例4中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例32]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式在3μm大小的微槽中填充一次,并在120℃条件下烧成一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例5中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在120℃条件下,将填充有金属物质的压印基材干燥五分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例33]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷PA-M010(印可得株式会社制造)导电膏,用刮板(Blade)方式在3μm大小的微槽中填充一次,并在120℃条件下干燥五分钟以形成金属层。
[实施例34]
使用UV激光器(EO技术有限公司制造),以5W皮秒脉冲(PICO PULSE)、365nm波长在玻璃上形成25μm的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷在制备例12中制备的导电膏,用刮板(Blade)方式在25μm大小的微槽中填充一次,并在140℃条件下烧成20分钟以形成金属层。作为下一个步骤,在60g的甲醇中添加40g的80%水合肼并进行搅拌而形成溶液,将其涂敷在基材上,沿着基材方向对刮板施压并推动而去除基材表面的残留金属物质。作为下一个步骤,在140℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥十分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例35]
将UV树脂涂敷于PET之后,用模具压印而形成3μm大小的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷在制备例13中制备的导电墨,用刮板(Blade)方式在3μm大小的微槽中填充一次,并在140℃条件下干燥一分钟以形成金属层。作为下一个步骤,用制备例8中制备的蚀刻剂沉积五秒钟后,用刮板方式进行初步涂敷,然后用刮板对被蚀刻剂溶解或者分散的表面的残留金属物质沿着基材方向进行再次施压并推动,从而将基材表面上的残留金属物质再次填充于微槽中或者去除。作为下一个步骤,在140℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥20分钟,以形成微细线宽的电极。
[实施例36]
使用UV激光器(EO技术有限公司制造),以5W皮秒脉冲(PICO PULSE)、365nm波长在玻璃上形成25μm的凹陷的微槽,并将其作为基材使用。在基材上涂敷制备例14中制备的导电膏,用刮板(Blade)方式在25μm大小的微槽中填充一次,并在140℃条件下烧成20分钟以形成金属层。作为下一个步骤,在60g的甲醇中添加40g的80%水合肼并进行搅拌而形成溶液,将其涂敷在基材上,并沿着基材方向对刮板施压并推动而去除基材表面的残留金属物质。作为下一个步骤,在140℃条件下,对填充有金属物质的压印基材干燥十分钟,以形成微细线宽的电极。
在下述表1中示出了根据实施例1至实施例36制备的微细线宽电极的方块电阻、透射率、雾度和黄色指数结果,并且在图6a至图6c中示出实施例1至实施例36的SEM结果。
表1
如上所述,本发明可提供如表1以及图6a至图6c所示的,现有技术很难实现的低电阻超细导电图案的形成方法,所述方法通过在基材的槽中填充导电墨而形成导电图案,并且用蚀刻液溶解残留在基材表面的导电墨,将其推入并填充于基材的槽中。本发明尤其能够提供现有技术难以实现的几十纳米至几十微米线宽(例如50nm~50μm线宽)的低电阻超细导电图案。并且,本发明还能够提高基材的透明性和绝缘特性。
实用性
本发明可适用于具有微细导电图案的各种电子产品等。
Claims (30)
1.一种导电图案的形成方法,其特征在于,包括步骤:
a)在具有槽的基材的所述槽中填充导电墨;以及
b)在填充所述导电墨时,用蚀刻液溶解残留在所述基材表面的导电墨,并将所述导电墨引导至所述槽中,从而使所述槽中填充所述导电墨。
2.权利要求1所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
在所述步骤a)之前,进一步包括在所述基材上形成槽的步骤。
3.权利要求2所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
在所述基材上形成槽的步骤中,采用压印法、激光蚀刻法或者照相平版印刷法在所述基材上形成槽。
4.权利要求3所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
在采用所述压印法时,在所述基材上形成槽之前,进一步包括涂敷紫外线固化树脂或热固化树脂以形成树脂层的步骤。
5.权利要求1所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
作为所述导电墨使用包含金属错合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片或纳米粒子的导电墨。
6.权利要求1所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
在所述步骤a)中,采用喷墨法、平板丝网印刷法、旋转涂敷法、辊涂法、流动涂敷法、刮板涂敷法、滴涂法、凹版印刷法或柔版印刷法填充所述导电墨。
7.权利要求1所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
在所述步骤b)中,所述蚀刻液包含选自氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系化合物、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇类复合物及巯基类化合物中的一种以上的物质和氧化剂。
8.权利要求1所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
在所述步骤b)中,采用平板丝网印刷法、旋转涂敷法、辊涂法、流动涂敷法、刮板涂敷法、凹版印刷法或柔版印刷法涂敷所述蚀刻液,溶解残留在所述基材的表面上的导电墨,并将所述导电墨引导至所述槽中。
9.权利要求1所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
在所述步骤b)中,将所述蚀刻液涂敷在残留有所述导电墨的所述基材的表面上,溶解所述导电墨,并且通过物理力将被所述蚀刻液溶解的所述导电墨推入并填充于所述槽中。
10.权利要求1所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
在所述步骤b)之后,进一步包括进行发黑处理的发黑步骤。
11.权利要求10所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
在所述发黑步骤中,通过使用酸或碱溶液的化学处理法、镀覆法或者使用发黑组合物对表面进行印刷的方法进行发黑处理。
12.权利要求11所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
所述使用发黑组合物对表面进行印刷的方法采用平板丝网印刷法、辊涂法、流动涂敷法、刮板涂敷法、凹版印刷法或柔版印刷法。
13.权利要求12所述的导电图案的形成方法,其特征在于,
所述发黑组合物包括钛系或锆系错体化合物。
14.一种导电膜,包括:
具有槽的基材;
填充于所述槽内,并由导电墨形成的膜;以及
填充于所述槽内的所述膜上,由蚀刻液和所述导电墨混合而成的混合体。
15.权利要求14所述的导电膜,其特征在于,
所述膜的厚度小于比所述槽的深度。
16.权利要求14所述的导电膜,其特征在于,
所述膜及混合体的厚度之和等于或小于所述槽的深度。
17.权利要求14至16中的任一项所述的导电膜,其特征在于,
进一步包括发黑部,所述发黑部由填充于所述槽内的所述膜及混合体中的至少一个上面的发黑组合物形成。
18.权利要求17所述的导电膜,其特征在于,
所述发黑部设置在所述槽的内表面与所述膜及混合体中的至少一个之间。
19.一种导电图案,包括:
一次图案部,其由填充于具有槽的基材上的所述槽内的导电墨形成;
二次图案部,其通过采用蚀刻液溶解在形成所述一次图案部时残留在所述基材表面的导电墨,并将所述导电墨填充于所述槽而形成。
20.权利要求19所述的导电图案,其特征在于,
所述导电墨为包含金属错合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片或纳米粒子的导电墨。
21.权利要求19所述的导电图案,其特征在于,
所述蚀刻液包含选自氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系化合物、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇类复合物及巯基系化合物中的一种以上的物质和氧化剂。
22.权利要求19所述的导电图案,其特征在于,
所述二次图案部通过将所述蚀刻液涂敷于所述基材的表面,溶解残留在所述基材的表面上的导电墨,并且通过物理力将被所述蚀刻液溶解的所述导电墨推入所述槽中而形成。
23.权利要求19所述的导电图案,其特征在于,
进一步包括由填充于所述槽中的发黑组合物形成的发黑部。
24.一种透明导电膜,其特征在于,包括:
具有槽的基材;以及
由填充于所述槽中的导电墨形成的导电图案,
所述导电图案包括:一次图案部,其由一次填充于所述槽中的导电墨形成;及二次图案部,其通过采用蚀刻液溶解在进行所述一次填充时残留在所述基材的表面的导电墨,并将所述导电墨二次填充于所述槽中而形成。
25.一种透明导电膜,其特征在于,包括:
具有槽的基材;及
导电图案,其通过在所述槽中一次填充导电墨,并采用蚀刻液溶解在进行所述导电墨的一次填充时残留在所述基材的表面的导电墨,并将所述导电墨引导至所述槽中,从而在所述槽中二次填充所述导电墨而形成。
26.权利要求24或25所述的透明导电膜,其特征在于,
所述导电墨为包含金属错合物、金属前体、球形金属粒子、金属薄片或纳米粒子的导电墨。
27.权利要求24或25所述的透明导电膜,其特征在于,
所述蚀刻液包含选自氨基甲酸铵系、碳酸铵系、碳酸氢铵系、羧酸系、内酯系、内酰胺系、环状酸酐系化合物、酸-碱盐复合物、酸-碱-醇类复合物及巯基系化合物中的一种以上的物质和氧化剂。
28.权利要求24所述的透明导电膜,其特征在于,
所述二次图案部通过将所述蚀刻液涂敷于所述基材的表面,溶解残留在所述基材的表面上的导电墨,并且通过物理力将被所述蚀刻液溶解的所述导电墨推入所述槽中而形成。
29.权利要求25所述的透明导电膜,其特征在于,
所述导电图案通过将所述蚀刻液涂敷于所述基材的表面,溶解残留在所述基材的表面上的导电墨,并且通过物理力将被所述蚀刻液溶解的所述导电墨推入所述槽中,进行二次填充而形成。
30.权利要求24或25所述的透明导电膜,其特征在于,
进一步包括由填充于所述槽中的发黑组合物形成的发黑部。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020120157403A KR101555015B1 (ko) | 2012-12-28 | 2012-12-28 | 전도성 패턴의 형성방법 |
KR10-2012-0157403 | 2012-12-28 | ||
PCT/KR2013/012353 WO2014104846A1 (ko) | 2012-12-28 | 2013-12-27 | 전도성 패턴의 형성방법, 전도성 필름, 전도성 패턴 및 투명 전도성 필름 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104919572A true CN104919572A (zh) | 2015-09-16 |
CN104919572B CN104919572B (zh) | 2017-08-15 |
Family
ID=51021779
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201380068899.4A Active CN104919572B (zh) | 2012-12-28 | 2013-12-27 | 导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
KR (1) | KR101555015B1 (zh) |
CN (1) | CN104919572B (zh) |
TW (1) | TWI524826B (zh) |
WO (1) | WO2014104846A1 (zh) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN104425085A (zh) * | 2013-09-06 | 2015-03-18 | 印可得株式会社 | 导电图形的形成方法及导电图形 |
CN105393314A (zh) * | 2013-05-16 | 2016-03-09 | 印可得株式会社 | 混合型透明电极的制造方法及混合型透明电极 |
CN108962435A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-07 | 无锡众创未来科技应用有限公司 | 图案化透明电极制造方法 |
CN110045866A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-07-23 | 苏州蓝沛光电科技有限公司 | 刮涂残留物的去除方法 |
CN110392489A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-29 | 江苏大学 | 一种基于形状记忆聚合物的可变形线路板的制备方法 |
TWI710848B (zh) * | 2017-12-18 | 2020-11-21 | 日商Hoya股份有限公司 | 圖案描繪方法、光罩之製造方法、顯示裝置用之光罩、及顯示裝置之製造方法 |
CN113068311A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-07-02 | 四会富仕电子科技股份有限公司 | 一种精密线路的制作方法及电路板 |
Families Citing this family (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP3035122B1 (en) * | 2014-12-16 | 2019-03-20 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for fine line manufacturing |
CN107852821A (zh) * | 2015-07-03 | 2018-03-27 | 加拿大国家研究委员会 | 印刷超窄间隙线的方法 |
KR102044204B1 (ko) * | 2015-07-08 | 2019-11-13 | 주식회사 엘지화학 | 전극필름의 제조방법 및 이를 통해 제조된 전극필름 |
JP7172211B2 (ja) | 2017-07-28 | 2022-11-16 | Tdk株式会社 | 導電性基板、電子装置及び表示装置 |
KR102032288B1 (ko) * | 2017-12-14 | 2019-10-15 | 그린산업 주식회사 | 은 페이스트를 이용한 투명전극필름 제조방법 |
KR102030807B1 (ko) * | 2017-12-18 | 2019-10-10 | 그린산업 주식회사 | 은 페이스트 충전용 닥터블레이드 |
KR102133653B1 (ko) * | 2018-12-13 | 2020-07-21 | 그린산업 주식회사 | 은 페이스트의 멀티 충전 방식을 이용한 투명전극필름 제조방법 |
CN113314266B (zh) * | 2020-02-26 | 2022-08-12 | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 | 一种高电导效率的自然仿生学脉网状电极制备方法 |
KR102445231B1 (ko) * | 2020-05-07 | 2022-09-20 | (주)이지켐 | 태양광 모듈용 전극필름, 이를 가지는 태양광 모듈 및 이들의 제조방법 |
CN113539811B (zh) * | 2021-07-06 | 2022-07-15 | 深圳技术大学 | 导电图案结构及其制备方法与图案化的基底 |
Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5587342A (en) * | 1995-04-03 | 1996-12-24 | Motorola, Inc. | Method of forming an electrical interconnect |
KR20040023225A (ko) * | 2002-09-11 | 2004-03-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 설비 |
JP2011035372A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性バンプ付基板シートの製造方法および多層プリント配線板の製造方法 |
TW201221032A (en) * | 2010-11-03 | 2012-05-16 | Ta I Technology Co Ltd | Cermet heat dissipation board manufacturing method |
CN102782624A (zh) * | 2010-03-03 | 2012-11-14 | 未来奈米科技股份有限公司 | 静电容式触控面板及其制造方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004063943A (ja) * | 2002-07-31 | 2004-02-26 | Koa Corp | 導電パターン形成方法 |
KR100922810B1 (ko) * | 2007-12-11 | 2009-10-21 | 주식회사 잉크테크 | 흑화 전도성 패턴의 제조방법 |
KR20110100034A (ko) * | 2010-03-03 | 2011-09-09 | 미래나노텍(주) | 정전 용량 방식 터치 패널 및 그 제조방법 |
-
2012
- 2012-12-28 KR KR1020120157403A patent/KR101555015B1/ko active IP Right Grant
-
2013
- 2013-12-27 WO PCT/KR2013/012353 patent/WO2014104846A1/ko active Application Filing
- 2013-12-27 CN CN201380068899.4A patent/CN104919572B/zh active Active
- 2013-12-30 TW TW102149113A patent/TWI524826B/zh active
Patent Citations (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5587342A (en) * | 1995-04-03 | 1996-12-24 | Motorola, Inc. | Method of forming an electrical interconnect |
KR20040023225A (ko) * | 2002-09-11 | 2004-03-18 | 삼성전자주식회사 | 반도체 웨이퍼를 연마하기 위한 설비 |
JP2011035372A (ja) * | 2009-07-08 | 2011-02-17 | Dainippon Printing Co Ltd | 導電性バンプ付基板シートの製造方法および多層プリント配線板の製造方法 |
CN102782624A (zh) * | 2010-03-03 | 2012-11-14 | 未来奈米科技股份有限公司 | 静电容式触控面板及其制造方法 |
TW201221032A (en) * | 2010-11-03 | 2012-05-16 | Ta I Technology Co Ltd | Cermet heat dissipation board manufacturing method |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN105393314A (zh) * | 2013-05-16 | 2016-03-09 | 印可得株式会社 | 混合型透明电极的制造方法及混合型透明电极 |
CN105393314B (zh) * | 2013-05-16 | 2017-05-17 | 印可得株式会社 | 混合型透明电极的制造方法及混合型透明电极 |
CN104425085A (zh) * | 2013-09-06 | 2015-03-18 | 印可得株式会社 | 导电图形的形成方法及导电图形 |
US9832882B2 (en) | 2013-09-06 | 2017-11-28 | Inktec Co., Ltd. | Method for making conductive pattern and conductive pattern |
TWI710848B (zh) * | 2017-12-18 | 2020-11-21 | 日商Hoya股份有限公司 | 圖案描繪方法、光罩之製造方法、顯示裝置用之光罩、及顯示裝置之製造方法 |
CN108962435A (zh) * | 2018-06-22 | 2018-12-07 | 无锡众创未来科技应用有限公司 | 图案化透明电极制造方法 |
CN110045866A (zh) * | 2019-03-06 | 2019-07-23 | 苏州蓝沛光电科技有限公司 | 刮涂残留物的去除方法 |
CN110392489A (zh) * | 2019-07-09 | 2019-10-29 | 江苏大学 | 一种基于形状记忆聚合物的可变形线路板的制备方法 |
CN113068311A (zh) * | 2021-03-18 | 2021-07-02 | 四会富仕电子科技股份有限公司 | 一种精密线路的制作方法及电路板 |
CN113068311B (zh) * | 2021-03-18 | 2022-11-18 | 四会富仕电子科技股份有限公司 | 一种精密线路的制作方法及电路板 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN104919572B (zh) | 2017-08-15 |
TWI524826B (zh) | 2016-03-01 |
TW201440594A (zh) | 2014-10-16 |
WO2014104846A1 (ko) | 2014-07-03 |
KR101555015B1 (ko) | 2015-09-22 |
KR20140086662A (ko) | 2014-07-08 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104919572A (zh) | 导电图案的形成方法、导电膜、导电图案及透明导电膜 | |
CN102338983B (zh) | 图案制造方法 | |
CN105393314B (zh) | 混合型透明电极的制造方法及混合型透明电极 | |
JP6574757B2 (ja) | ディスプレイ用透明電極フィルムの製造方法およびディスプレイ用透明電極フィルム | |
KR100965904B1 (ko) | 나노임프린트를 이용한 금속 산화박막 패턴 형성방법 및 led 소자의 제조방법 | |
JP5606908B2 (ja) | 微細伝導性構造体を表面に製造する方法 | |
JP6373360B2 (ja) | 透明電極フィルムの製造方法 | |
EP2902115A1 (en) | Pattern forming method, electronic wiring substrate, optical device, and pattern forming device | |
CN106752381A (zh) | 无颗粒银墨水及其制备方法和透明银导电薄膜及其制备方法 | |
JP2014170973A5 (zh) | ||
DE112006001203T5 (de) | Verfahren zum Bilden eines hoch auflösenden Musters und Substrat mit einem Vormuster, das dadurch gebildet wird | |
JP2011146661A (ja) | ナノインプリントを利用した金属酸化薄膜パターンの形成方法及びこれを利用したled素子の製造方法 | |
CN104583814A (zh) | 防污体、显示装置、输入装置和电子设备 | |
Han et al. | Recent patterning methods for halide perovskite nanoparticles | |
CN105519242B (zh) | 黑化导电图案的形成方法及黑化导电油墨组合物 | |
WO2013065683A1 (ja) | 導電性パターン形成用基材、回路基板及びそれらの製造方法 | |
GB2476697A (en) | Mask template for generating a micropattern utilising conductive ink placed on a patterned polymer containing polyanaline. | |
KR101769749B1 (ko) | 수평방향으로 굴절률이 제어된 양면 패턴의 제조 방법 및 그에 의해 제조된 양면 패턴 | |
KR101681753B1 (ko) | 메타-열경화 임프린팅과 포토리소그래피 공정에 의한 금속 산화물 복합 구조체 제조방법 | |
KR101421696B1 (ko) | 투명전극의 제조방법 | |
TWI842105B (zh) | 電子電路的製造方法以及金屬離子溶液 | |
KR102659412B1 (ko) | 금속 미세 프린팅방법 및 그 장치 | |
CN114950920A (zh) | 一种基于光还原纳米银功能墨水的激光原位还原图案工艺 | |
KR101886303B1 (ko) | 나노구조의 미세패턴을 갖는 실리카 박막 제조방법 | |
KR101205826B1 (ko) | 하나의 스탬프를 이용해 패턴 모양이나 크기가 변화된 다른 스탬프를 제조 하는 방법 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
C10 | Entry into substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
GR01 | Patent grant | ||
GR01 | Patent grant |