CN104916765A - 发光装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种发光装置,其即便以不使光反射性树脂直接覆盖于ZD的上表面的方式将其注入,也能够可靠地覆盖ZD的上表面。另外,在使光反射性树脂为ZD的底部填料的情况下,不使ZD的下方产生空隙。发光装置具备:基板;LED;重叠在LED上的荧光体板;安装于LED的旁边的ZD;包围LED以及ZD的框状的坝材;以及注入于坝材的内侧并覆盖LED的侧面并且覆盖ZD的侧面以及上表面的光反射性树脂,框状的坝材的一部分向外鼓出而包围ZD的三个侧面。从分配器喷嘴的开口部,以不使光反射性树脂直接覆盖于荧光体板以及ZD的上表面的方式,将其注入荧光体板与ZD的侧面之间,而使其进入LED的下方的缝隙以及ZD的下方的缝隙。
Description
技术领域
本发明涉及具备发光二极管(LED)以及作为其保护元件的齐纳二极管(ZD),并用光反射性树脂覆盖发光二极管(LED)的侧面的发光装置。此外,在本说明书中,存在将LED芯片简称为“LED”、将ZD芯片简称为“ZD”、将LED芯片以及ZD芯片的两者统称为“芯片”的情况。
背景技术
近年来,LED的利用范围迅速扩大,也在汽车的前照灯中加以利用。对于前照灯,不仅要求高亮度,还要求具有特定的配光分布。为了控制该配光分布,提出了用光反射性树脂覆盖LED的侧面的发光装置。
例如,如图14所示,专利文献1所记载的发光装置具备:上表面设置有布线图案52的基板51;倒装安装于隔着规定的间隔的两个布线图案52之上的发出蓝色光的LED53;与LED53的上表面抵接的包含荧光体的透光性的荧光体板54;倒装安装于隔着规定的间隔的两个布线图案52之上的作为保护元件的ZD55;包围LED53以及ZD55的框状的坝材56;以及注入于坝材56的内侧、并覆盖LED53的侧面与荧光体板54的侧面并且覆盖ZD55的侧面以及上表面的光反射性树脂57。作为光导出面的荧光体板54的上表面未被光反射性树脂57覆盖而露出。
对于LED53所发出的蓝色光而言,从侧面朝向侧方的成分被光反射性树脂57反射而被遮挡,从下表面朝向下方的成分被布线图案52反射而被遮挡,因此仅仅从上表面射出而进入荧光体板54。上述蓝色光与荧光体板54所包含的荧光体被蓝色光激励而发出的荧光进行合成,从而从荧光体板54的上表面射出白色光。
多个LED53隔着规定的芯片间距离排列为1列。一张荧光体板54盖在多个LED53上,并且俯视观察时呈四边形。而且,坝材56相对于荧光体板54隔着规定的分离距离形成为一圈大的俯视观察时呈四边框状的形状。坝材56的高度比ZD55的上表面的高度高,并且在荧光体板54的上表面的高度以下。
ZD55是用于保护使LED53不受静电破坏的部件,其与LED53并列并且取向于相反方向。从可靠性提高的观点来看,需要将ZD55与外部空气等隔绝,因此将ZD55配置于坝材56的内侧,并用光反射性树脂57覆盖侧面以及上表面。
专利文献1:日本特开2012-99544号公报
如上所述,以往利用俯视观察呈四边框状的坝材56来包围LED53与ZD55,因此存在如下的问题。
(a)如图14所示,在制造时,从分配器喷嘴60的开口部将光反射性树脂57向荧光体板54与坝材56之间排出而进行光反射性树脂57的注入。
假设以不使光反射性树脂57直接覆盖于ZD55的上表面的方式将其注入,则光反射性树脂57难以从ZD55的侧面上到上表面,因此存在未完全覆盖该上表面的担心。
因此,以使光反射性树脂57直接覆盖于ZD55的上表面的方式将其注入,但是注入后的光反射性树脂57在ZD55的上表面迅速地横向流动,从而存在上到接近的荧光体板54之上、或者向坝材56之外泄漏的担心。为了防止该情况,出现增加荧光体板54的厚度、或增加坝材56的高度等条件。
(b)由于在荧光体板54与坝材56之间配置ZD55,所以荧光体板54与坝材56的分离距离增大,与其增大量相应地坝材56的框尺寸变大。因此,坝材56的外侧的基板51的面积变小,难以形成用于将基板51安装于设备的安装夹具(板簧等)的配置场所。另外,若为了形成该配置场所而增大基板51的尺寸,则在成本方面不利。
(c)在以使坝材56的框尺寸变小的方式缩小ZD55与LED53之间的芯片间距离的情况下,LED53的热容易传递至ZD55,另外,由于它们之间的光反射性树脂57变薄,所以存在无法得到充分的反射作用的担心。
(d)在ZD55的下方产生缝隙。第一,ZD55安装在隔着规定的间隔的两个布线图案52之上,因此它们的间隔成为缝隙。第二,ZD55与配线图案52之间也因凸块59而产生缝隙。从可靠性提高的点来看,优选使光反射性树脂57进入该ZD55的下方的缝隙并作为底部填料而发挥功能。在该情况下,若以使光反射性树脂57直接覆盖于ZD55的上表面的方式将其注入,则如图14(b)的箭头所示,光反射性树脂57经由ZD55的周围而从多个方向进入ZD55的下方,因此存在空气作为气泡而封入于ZD55的下方从而成为空隙61的可能性。
发明内容
因此,本发明的目的在于提供如下发光装置:即便以不使光反射性树脂直接覆盖于ZD的上表面的方式将其注入,也能够可靠地覆盖ZD的上表面,并且光反射性树脂难以上到荧光体板之上或向坝材之外泄漏,另外能够缩小坝材的框尺寸。进一步的目的在于当将光反射性树脂作为ZD的底部填料的情况下,不使ZD的下方产生空隙。
(1)本发明的发光装置具备:基板;被安装在基板上的LED;被安装在基板上的LED的旁边的ZD;在基板上形成的包围LED以及ZD的框状的坝材;以及被注入于坝材的内侧、并覆盖LED的侧面并且覆盖ZD的侧面以及上表面的光反射性树脂,上述发光装置的特征在于,框状的坝材的一部分向外鼓出而包围ZD的三个侧面。
这里,能够例示出LED的上表面是光导出面的形态、以及使荧光体板重叠在LED之上并且该荧光体板的上表面是光导出面的形态。
另外,能够例示出光反射性树脂进入ZD的下方的缝隙而成为底部填料的形态。
另外,能够例示出光反射性树脂进入LED的下方的缝隙而成为底部填料的形态。
并且,能够例示出光反射性树脂由在固化前相对低粘度的下层的光反射性树脂与在固化前相对高粘度的上层的光反射性树脂构成,并且下层的光反射性树脂的一部分成为上述底部填料的形态。
根据本发明可得到如下的作用。
·注入于坝材的内侧的光反射性树脂流入ZD与包围其三个侧面的坝材的鼓出部之间并进行填充,沿着ZD的侧面与坝材的内侧面的两者而容易增加高度,并且从ZD的三个侧面的全部爬到上表面,因此可靠地覆盖ZD的侧面以及上表面。
·因此,能够以不使光反射性树脂直接覆盖于ZD的上表面的方式将其注入,因此能够防止光反射性树脂在ZD的上表面迅速地横向流动而上到LED或者荧光体板之上或向坝材之外泄漏。
·利用坝材的鼓出部,能够使ZD周边的光反射性树脂的涂覆体积较小,因此容易覆盖ZD。
·ZD被坝材的鼓出部包围,因此能够减小荧光体板与坝材的鼓出部以外的一般部分的分离距离,并能够与其减小量相应地减小坝材的框尺寸。因此,坝材的外侧的基板的面积变大,容易形成用于将基板安装于设备的安装夹具(板簧等)的配置场所。另外,也能够减小基板的尺寸,从而在成本方面也有利。
·并且,通过使光反射性树脂形成为在固化前相对低粘度的下层的光反射性树脂与在固化前相对高粘度的上层的光反射性树脂,由此下层的光反射性树脂为低粘度从而容易进入ZD、LED的下方的缝隙,上层的光反射性树脂可以为高粘度从而能够使光反射性物质的含量变多而提高光反射性。
(2)本发明的发光装置的制造方法的发光装置具备:基板;被安装在基板上的LED;被安装在基板上的LED的旁边的ZD;在基板上形成的包围LED以及ZD的框状的坝材;以及被注入于坝材的内侧、并覆盖LED的侧面并且覆盖ZD的侧面以及上表面的光反射性树脂,
上述发光装置的制造方法的特征在于,
使框状的坝材的一部分形成为向外鼓出而包围ZD的三个侧面,
使光导出面与ZD的距离在分配器喷嘴的开口部的内径以上,从分配器喷嘴的开口部以不使光反射性树脂直接覆盖于光导出面以及ZD的上表面的方式,将光反射性树脂注入光导出面与ZD的侧面之间,而使光反射性树脂进入LED的下方的缝隙以及ZD的下方的缝隙。
这里,能够例示出LED的上表面为光导出面的形态、以及使荧光体板重叠在LED之上并且该荧光体板的上表面为光导出面的形态。
另外,能够例示出将多个LED排列,边使分配器喷嘴沿LED的排列方向移动边注入光反射性树脂的形态。
另外,能够例示出边使分配器喷嘴沿LED移动边注入光反射性树脂,并且在分配器喷嘴通过光导出面与ZD之间时,以使分配器喷嘴离开光导出面并接近ZD的侧面的方式,使分配器喷嘴沿上述坝材的一部分的鼓出形状转弯并移动的形态。
另外,能够例示出光反射性树脂构成为,如上述那样注入相对低粘度的下层的光反射性树脂,并且在使该下层的光反射性树脂的一部分进入上述缝隙后,如上述那样注入相对高粘度的上层的光反射性树脂的形态。
并且,能够例示出光反射性树脂构成为,如上所述地注入在固化前相对低粘度的下层的光反射性树脂,并且在使该下层的光反射性树脂的一部分进入上述缝隙后,如上所述地注入在固化前相对高粘度的上层的光反射性树脂的形态。
另外,能够例示出在将光反射性树脂注入时或者注入后形成为抽真空气氛的形态。
根据本发明可得到如下的作用。
·注入于光导出面的侧面与ZD的侧面之间的光反射性树脂单向地进入LED的下方的缝隙以及ZD的下方的缝隙,并且单向地压出存在于上述缝隙的空气,因此难以残留气泡、即不产生空隙。
·另外,在包围ZD的三个侧面的坝材的鼓出的一部分的内侧,与其他部分的内侧相比,需要更多量的光反射性树脂。因此,在分配器喷嘴通过光导出面与ZD之间时,以使分配器喷嘴离开光导出面并接近ZD的侧面的方式,使其沿上述坝材的一部分的鼓出形状转弯并移动。由此,分配器喷嘴的行程变长,光反射性树脂朝向分配器喷嘴所接近的ZD侧的注入量变多,因此能够可靠地填充坝材的鼓出的一部分的内侧。另一方面,光反射性树脂朝向离开分配器喷嘴的LED侧的注入量未变多,因此光反射性树脂不会上到光导出面。
·并且,光反射性树脂构成为,如上所述地注入相对低粘度的下层的光反射性树脂,并且在使该下层的光反射性树脂的一部分进入上述缝隙后,如上所述地注入相对高粘度的上层的光反射性树脂,由此下层的光反射性树脂为低粘度从而容易进入ZD、LED的下方的缝隙,上层的光反射性树脂可以为高粘度从而能够使光反射性物质的含量变多而提高光反射性。
·另外,通过在将光反射性树脂注入时或者注入后形成为抽真空气氛,从而使得该光反射性树脂的一部分更容易进入ZD、LED的下方的缝隙,因此能够进一步可靠地防止空隙的产生。
根据本发明的发光装置,起到如下优良的效果:即便以不使光反射性树脂直接覆盖于ZD的上表面的方式将其注入,也能够可靠地覆盖ZD的上表面,并且光反射性树脂难以上到荧光体板之上或者向坝材之外泄漏,还能够缩小坝材的框尺寸。
另外,根据本发明的发光装置的制造方法,能够在将光反射性树脂作为ZD的底部填料的情况下,不使ZD的下方产生空隙。
附图说明
图1(a)是用于对实施例1的发光装置的制造方法进行说明的基板的俯视图,图1(b)是用于对实施例1的发光装置的制造方法进行说明的安装LED与ZD时的俯视图。
图2(c)同样地是形成坝材时的俯视图,图2(d)同样地是注入光反射性树脂的中途的俯视图。
图3(e)同样地是光反射性树脂的注入进行时的俯视图,图3(f)同样地是光反射性树脂的注入结束时的俯视图。
图4(a)~(f)分别是图1~图3的各剖面指示线的剖视图。
图5同样地是光反射性树脂的注入中途的主要部分立体图。
图6是所制造出的发光装置的立体图。
图7(a)是在实施例2的发光装置中形成坝材时的俯视图,图7(b)是在实施例3的发光装置中形成坝材时的俯视图。
图8(a)是在实施例4的发光装置中形成坝材时的俯视图,图8(b)是在实施例5的发光装置中形成坝材时的俯视图。
图9(a)是用于对实施例6的发光装置的制造方法进行说明的注入光反射性树脂的步骤的俯视图,图9(b)是用于对实施例6的发光装置的制造方法进行说明的主要部分放大俯视图。
图10(c)同样地是注入光反射性树脂的中途的俯视图,图10(d)同样地是光反射性树脂的注入进行时的俯视图。
图11(a)、图11(b)是图10(c)的各剖面指示线的剖视图。
图12是用于对实施例7的发光装置的制造方法进行说明的俯视图。
图13表示实施例8的发光装置,图13(a)是注入下层的光反射性树脂时的剖视图,图13(b)是注入上层的光反射性树脂时的剖视图。
图14表示现有例的发光装置,图14(a)是形成坝材时的俯视图,图14(b)是注入光反射性树脂时的俯视图。
附图标记的说明
1…基板;2…布线图案;3…LED;4…荧光体板;5…ZD;6…坝材;6a…鼓出部;7光反射性树脂;7a…底部填料;7b…底部填料;8…线状凸块;9…柱形凸块;10…分配器喷嘴。
具体实施方式
1.基板
作为基板的材料,虽然没有特别地限定,但是能够例示出陶瓷、树脂、对表面进行了绝缘包覆的金属等。作为陶瓷,能够例示出氮化铝(AlN)、氧化铝等。
作为基板的形状,虽然没有特别地限定,但是能够例示出四边形、圆形、三角形等。
作为布线图案的材料,虽然没有特别地限定,但是能够例示出金、银、铜、铝等。
2.LED
作为LED的发光色,虽然没有特别地限定,但是优选为能够激励荧光体而通过荧光的合成导出白色的蓝色、紫色或者紫外光。
作为LED的半导体层材料,虽然没有特别地限定,但是能够例示出氮化镓(GaN)系、氧化锌(ZnO)系、硒化锌(ZnSe)系、炭化硅(SiC)系等。
作为将LED与布线图案接合的手段,虽然没有特别地限定,但是能够例示出利用凸块、焊接、导电膏、金属微粒子、表面活性化等实现的倒装安装、利用粘合剂等实现的接合。作为凸块,能够例示出柱形凸块、线状凸块、焊料凸块等,作为其材料,能够例示出金(Au)、铜(Cu)、银锡合金(Ag/Sn)等。作为焊接的材料,能够例示出金锡合金(Au/Sn)等。
作为LED的安装个数,虽然没有特别地限定,但是能够例示出1~20个。优选多个LED隔着规定的芯片间距离排列。作为排列的列数,虽然没有特别地限定,但是能够例示出1~3列。
3.荧光体
虽然非必需,但是在发光装置是导出白色光的装置的情况下,能够使用荧光体。荧光体只要发出通过LED的发光色与荧光色的合成或者多个荧光色的合成而导出白色那样的荧光色即可。例如,在使用蓝色LED的情况下,能够单独使用黄色荧光体、或者组合使用红色荧光体与绿色荧光体。
荧光体例如是荧光体板的形态,其能够重叠地存在于LED的上表面。荧光体板是包含荧光体的透光性的板,其虽然没有特别地限定,但是能够例示出荧光体的单晶体、荧光体的多晶体、荧光体的烧结体、以及使荧光体分散或者涂覆于树脂或玻璃的荧光体板等。
在安装多个LED的情况下,对于荧光体板而言,可以形成多张覆盖各LED的上表面的大小的荧光体板,也可以形成一张集中覆盖整个LED的上表面的大小的荧光体板,但是优选为前者。在为后者的情况下,因将LED与布线图案接合时的偏差,从而LED与荧光体板的距离产生偏差。其结果是,LED与荧光体板的光/热特性产生偏差,从而整体形成不均匀的发光。
在使用荧光体板的情况下,优选LED例如是倒装安装的正面朝下型LED。
4.坝材
作为坝材的材料,虽然没有特别地限定,但是能够例示出树脂等。作为树脂,虽然没有特别地限定,但是能够例示出有机硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂等。优选树脂在光反射性树脂容易爬到坝材这一点以及紧贴性良好这一点上,是与光反射性树脂的树脂同种的树脂。并且,坝材的树脂也可以含有光反射性物质。
作为坝材的框形状,虽然没有特别地限定,但是能够例示出四边框状、长圆框状、椭圆框状、圆框状等。
作为坝材的一部分的鼓出形状,虽然没有特别地限定,但是能够例示出半圆状、V字状、“コ”形状等。
5.光反射性树脂
作为光反射性树脂,虽然没有特别地限定,但是能够例示出树脂中含有光反射性物质的树脂。
作为树脂,虽然没有特别地限定,但是能够例示出有机硅树脂、环氧树脂、丙烯酸树脂等。
作为光反射性物质,虽然没有特别地限定,但是能够例示出Ti、Zr、Nb、Al、Si等的氧化物或AlN、MgF等。
6.用途
作为本发明的发光装置的用途,虽然没有特别地限定,但是能够例示出汽车、火车、船舶、飞机等各种交通工具的前照灯、投光机、一般照明设备等。
实施例1
以下,参照图1~图6对将本发明具体化为例如作为汽车的前照灯的光源来使用的发光装置的实施例1进行说明。
发光装置具备:在上表面设置有布线图案2的基板1;被安装在隔着规定的间隔的两个布线图案2之上的发出蓝色光的LED3;重叠地与LED3的上表面接合的包含荧光体的透光性的荧光体板4;被安装在隔着规定的间隔的两个布线图案2之上且在LED3的旁边的作为LED3的保护元件的ZD5;形成在基板1之上的包围LED3以及ZD5的框状的坝材6;以及被注入于坝材6的内侧、并覆盖LED3的侧面与荧光体板4的侧面、并且覆盖ZD5的侧面以及上表面的光反射性树脂7。
基板1是由耐热性以及耐久性优良的金属、例如AlN构成的例如俯视观察时呈长方形的平板。布线图案2由正图案、负图案、以及LED间图案构成。上述图案相互之间存在规定的间隔,对于该间隔而言,在LED3下表面与基板1之间形成缝隙,另外,在ZD5下表面与基板1之间形成缝隙。
LED3是正面朝下型的俯视观察时呈四边形的蓝色LED3,其通过由Au构成的线状凸块8而被倒装安装于布线图案2。该线状凸块将LED3稍微抬起而对其进行支撑,因此在LED3下表面的没有线状凸块的部位与布线图案2之间形成缝隙。而且,LED3被安装为,例如三个LED3隔着规定的芯片间间隔地排列为一列,并例如以形成串联连接的方式依次跨越布线图案2的正图案、LED3间图案、以及负图案。
荧光体板4是比各LED3的上表面稍微大的俯视观察时呈四边形的平板,每一张荧光体板4通过粘合剂而与各LED3的上表面接合,并且上述三张荧光体板4隔着规定的板间间隔地配置为一列。荧光体板4包含被LED3所发出的蓝色光激励而发出黄色的荧光的荧光体,并具有透光性。该荧光体板4的上表面是由LED3所发出的蓝色光与荧光体所发出的黄色光的合成而成的白色光的光导出面。
对于ZD5而言,在本例中,在三个LED3的排列方向的中央部的侧方,相对于荧光体板4的上表面(光导出面)隔着第一距离D1(参照图2(c))地配置有一个ZD5,其通过由Au构成的柱形凸块9而被安装于正图案和负图案。该第一距离D1被设为后述分配器喷嘴10的开口部的内径(0.18mm)以上,例如为0.4~0.9mm。ZD5是用于保护使得LED3不被静电破坏的部件,其与LED3并列并且极性取向于相反方向。柱形凸块将ZD5稍微抬起而对其进行支撑,因此在ZD5下表面的没有柱形凸块的部位与布线图案2之间形成缝隙。
坝材6例如通过有机硅树脂在基板1之上堆成突条而成。坝材6的主要部分(接下来的一部分以外的部分)相对于荧光体板4的上表面(光导出面)隔着第二距离D2地形成为一圈大的俯视观察时呈长方形框状的形状。坝材6的一部分(一条长边的中央部)形成为向外鼓出呈例如半圆形的形状,并隔着第三距离D3包围ZD5的除与LED面对面的一个侧面外的三个侧面。第二距离D2为后述分配器喷嘴10的开口部的内径(0.18mm)以上,例如为0.4~0.8mm。第三距离D3例如为0.15~0.6mm。为了得到充分的光反射性,优选第二距离D2较大,并且为了减小坝材6的框尺寸,优选第三距离D3较小。若D2>D3,则相互的平衡良好。另外,通过使D1与D2为同程度,能够在其间配置分配器喷嘴10,并能够在坝材/芯片间、芯片/芯片间稳定地进行树脂注入。
坝材6的高度比ZD5的上表面的高度高,比荧光体板4的上表面的高度低。
光反射性树脂7例如将有机硅树脂中含有作为光反射性物质的氧化钛(TiO2)的树脂注入坝材6的内侧后使其固化而成。
光反射性树脂7的第一目的以及功能在于使从LED3的侧面与荧光体板4的侧面射出的光反射来遮挡它,因此光反射性树脂7覆盖LED3的侧面与荧光体板4的侧面(也填充于芯片间间隔以及板间间隔。),并使作为光导出面的荧光体板4的上表面露出。
光反射性树脂7的第二目的以及功能在于保护ZD5不受外部的湿气等的影响,因此光反射性树脂7覆盖ZD5的侧面以及上表面。
光反射性树脂7的第三目的以及功能在于作为底部填料而发挥功能,因此光反射性树脂7也进入上述LED3下方以及ZD5下方的缝隙(布线图案2相互间的间隔、以及芯片-布线图案2间的缝隙)而成为底部填料7a、7b,上述缝隙形成为无空隙的状态。
光反射性树脂7的上表面的高度在荧光体板4的侧面的上端部附近以及坝材6的内侧面的上端部附近较高,并在它们之间成为凹状而稍稍变低。
对于LED3所发出的蓝色光而言,从侧面朝向侧方的成分被光反射性树脂7反射而被遮挡,从下表面朝向下方的成分被布线图案2反射而被遮挡,因此仅仅从上表面射出而进入荧光体板4。该蓝色光与荧光体板4所包含的荧光体被蓝色光激励而发出的荧光进行合成,从而从荧光体板4的上表面射出白色光。
按步骤顺序对如上构成的发光装置的制造方法进行说明。
(1)在图1(a)以及图4(a)所示的基板1的布线图案2之上,如图1(b)以及图4(b)所示,利用凸块分别接合LED3与ZD5。此时,在芯片下方产生缝隙(布线图案2相互间的间隔、以及芯片-布线图案2间的缝隙)。
(2)如图2(c)以及图4(c)所示,在LED3之上使荧光体板4重叠并利用粘合剂等进行接合。另外,涂覆形成坝材6,并利用坝材6的一部分包围ZD5的三个侧面。在注入后述光反射性树脂7前使坝材6半固化或者完全固化。但是,在坝材6的粘度较高从而即使注入光反射性树脂7,坝材6也不变形的情况下,也可以使坝材6与光反射性树脂7同时固化。
(3)如图2(d)以及图4(d)所示,以不使光反射性树脂7直接覆盖于LED3以及ZD5的各上表面的方式,在排列着的荧光体板4的朝向ZD5的侧面与坝材6以及ZD5的侧面之间的部位(以下,称为“注入部位”。),注入光反射性树脂7。为此,首先,如图2(d)的双点划线所示,使分配器喷嘴10的开口部位于注入部位的一端的上方,接着,如空心箭头所示,边使分配器喷嘴10沿LED3的排列方向移动,边从该开口部排出光反射性树脂7从而进行注入。
图3(e)以及图4(e)表示进一步进行分配器喷嘴10的移动的状态,并且使其移动至图3(e)的上部的双点划线所示的注入部位的另一端的上方。图5表示上述移动中途的ZD5附近的状态。此外,对于涂覆方向而言,只要能够从一侧进行填充,就能够任意地选择涂覆方向。
这样,所注入的光反射性树脂7填充注入部位,并且沿朝向与LED3的排列方向交叉的接下来的LED3侧以及ZD5侧这两个方向流动。
(i)对于朝向LED3侧而言,光反射性树脂7以单向流动的方式填充一端侧的LED3的端侧面与坝材6之间,并且以单向流动的方式填充LED3相互间的间隔。
并且,光反射性树脂7以单向流动的方式进入LED3下方的缝隙,并成为底部填料7a。尤其LED3下方的缝隙是容易封入空气的地方,但是由于光反射性树脂7从一侧以单向流动的方式将其填充,从而如图5的箭头所示地压出空气,因此不存在空气作为气泡而残留的担心、即不会产生空隙。
另外,由于以不使光反射性树脂7直接覆盖于ZD5的上表面的方式将其注入,并且ZD5与荧光体板4的间隔较大,从而能够防止光反射性树脂7上到荧光体板4之上。
(ii)对于朝向ZD5侧而言,光反射性树脂7流入ZD5与包围其三个侧面的坝材6的鼓出部6a之间而将其填充,并沿着ZD5的侧面与坝材6的内侧面的两者而容易增加高度,从而从ZD5的三个侧面的全部爬到ZD5的上表面上,因此,可靠地覆盖ZD5的侧面以及上表面。在坝材6不具有这种鼓出部6a的情况下,光反射性树脂7的上爬从朝向坝材6的ZD5的一个侧面进行,因此无法进行ZD5的上表面中的靠近LED3的部分的包覆,从而该部分露出的可能性变高。
并且,光反射性树脂7以单向流动的方式进入ZD5下方的缝隙,从而成为底部填料7b。尤其ZD5下方的缝隙是容易封入空气的地方,但是由于光反射性树脂7从一侧以单向流动的方式将其填充,从而压出空气,因此不存在空气作为气泡而残留的担心,即不产生空隙。
另外,由于以不使光反射性树脂7直接覆盖于ZD5的上表面的方式将其注入,从而能够防止光反射性树脂7上到坝材6之上以致进一步向外泄漏
由于能够通过观察光反射性树脂7向相反侧的脱离来确认由光反射性树脂7填充了芯片相互间的间隔以及芯片下方的缝隙,所以能够可靠地进行填充。而且在进行上述确认后,光反射性树脂7还在排列着的荧光体板4的与朝向ZD5的侧面相反的一侧的侧面和坝材6之间的部位(以下,称为“相反部位”。)流动而进行填充。其中,在通过该流动无法充分填充相反部位时,在进行上述确认后,如图3(f)的箭头所示,也能够与上述相同地边使分配器喷嘴10沿LED3的排列方向移动边对相反部位进行填充。此外,如图3(f)所示,通过使分配器喷嘴10的移动方向与先前的光反射性树脂的注入工序相同(从左至右),从而在芯片间、芯片下的缝隙的流动/填充当中,能够从相反侧(相反部位)进行填充而防止封入空气(可争取到流动的时间)。
(4)如图3(f)以及图4(f)所示,在光反射性树脂7朝向坝材6的内侧的填充结束后,若使光反射性树脂7固化,则完成发光装置(LED3封装体)。
实施例2
对于实施例2的发光装置而言,如图7(a)中示出注入光反射性树脂7前的状态那样,仅在坝材6的一部分(一条长边的中央部)形成为向外鼓出呈V字形的形状、而隔着第三距离地包围ZD5的三个侧面这一点上与实施例1不同。其他与实施例1相同,并与实施例1相同地注入光反射性树脂7。
实施例3
对于实施例3的发光装置而言,如图7(b)中示出注入光反射性树脂7前的状态那样,仅在坝材6的一部分(一条长边的一端部)形成为向外鼓出呈“コ”形的形状、而隔着第三距离地包围ZD5的三个侧面这一点上与实施例1不同。其他与实施例1相同,并与实施例1相同地注入光反射性树脂7。
实施例4
对于实施例4的发光装置而言,如图8(a)中示出注入光反射性树脂7前的状态那样,仅在坝材6的一部分(一条短边的中央部)形成为向外鼓出呈V字形的形状、而隔着第三距离地包围ZD5的三个侧面这一点上与实施例1不同。其他与实施例1相同,并与实施例1相同地注入光反射性树脂7。
实施例5
对于实施例5的发光装置而言,如图8(b)中示出注入光反射性树脂7前的状态那样,仅在6个LED3排列为2列、且荧光体板4也同样地排列这些点上与实施例1不同。其他与实施例1相同,并与实施例1相同地注入光反射性树脂7。
根据上述实施例2~5,也可得到与实施例1相同的作用效果。
实施例6
接下来,对于图9~图11所示的实施例6的发光装置而言,仅在变更了制造方法中的光反射性树脂的注入工序这一点上与实施例1不同。其他与实施例1相同。
在上述坝材6的鼓出部6a的内侧,与直线状的坝材6的内侧相比,需要更多量的光反射性树脂7。
在实施例1中,在光反射性树脂7的注入工序(段落0041~0044中说明的步骤(3))中,使分配器喷嘴10呈直线状地移动,例如在通过暂时停止该分配器喷嘴10的移动从而增加鼓出部6a的附近的光反射性树脂7的注入量的情况下,存在光反射性树脂7高高地***、上到荧光体板4的上表面(光导出面)的担心。
因此,在实施例6中,在分配器喷嘴10通过荧光体板4的上表面(光导出面)与ZD5之间时,使其沿坝材6的鼓出部6a的形状转弯并移动。具体而言,如下地变更实施例1的步骤(3)的一部分。
在图9以及图10中,用双点划线示出了分配器喷嘴10的开口部的移动轨迹。
如图9(a)~图10(c)所示,与实施例1相同,使分配器喷嘴10的开口部位于注入部位的一端(图中为左端)的上方,并且边如空心箭头所示地使分配器喷嘴10沿LED3的排列方向移动,边从该开口部排出光反射性树脂7并将其注入。此时,优选在荧光体板4与坝材6的主要部分之间,如图9(b)以及图11(a)所示地使从荧光体板4到分配器喷嘴10的开口部中心的距离为第二距离D2(从荧光体板4到坝材6的主要部分的距离)的0.5倍以上~0.7倍以下(例如0.6倍)。这是因为,通过使分配器喷嘴10在荧光体板4与坝材6的中央或者稍稍靠近坝材6,从而使得光反射性树脂7难以上到荧光体板4的上表面。
而且,在分配器喷嘴10通过荧光体板4与ZD5之间时,以使分配器喷嘴10离开荧光体板4的上表面并接近ZD5的侧面的方式,边使分配器喷嘴10沿坝材6的鼓出部6a的形状转弯并移动边排出光反射性树脂7而将其注入。
这样,由于使分配器喷嘴10转弯并移动,从而分配器喷嘴10的行程变长,并且如图11(b)所示,光反射性树脂7朝向分配器喷嘴10所接近的ZD5侧的注入量变多,因此能够可靠地填充坝材6的鼓出部6a的内侧。另一方面,光反射性树脂7朝向离开分配器喷嘴10的LED3侧的注入量未变多,因此光反射性树脂7不会上到荧光体板4的上表面。
为了更可靠地得到上述作用效果,优选在分配器喷嘴10最接近ZD5的侧面时,如图9(b)以及图11(b)所示地使从荧光体板4到分配器喷嘴10的开口部中心的距离为第二距离D2(从荧光体板4到坝材6的主要部分的距离)的超过0.7倍~0.95倍以下(例如0.85倍)。另外,优选分配器喷嘴10的开口部的边缘不紧紧地覆盖于ZD5的侧面。
之后,若分配器喷嘴10的开口部移动至注入部位的另一端(图中为右端)移动,则如图10(c)所示,继续使分配器喷嘴10的开口部在右端的LED3与坝材6之间沿与LED3的排列方向成直角的方向移动,若分配器喷嘴10的开口部移动至相反部位的右端,则如图10(d)所示,继续使分配器喷嘴10的开口部在相反部位沿LED3的排列方向移动,若分配器喷嘴10的开口部移动至左端,则使分配器喷嘴10的开口部在左端的LED3与坝材6之间沿与LED3的排列方向成直角的方向移动,从而也向它们之间排出光反射性树脂7而将其注入。此外,与实施例1相同,当使分配器喷嘴10在相反部位移动而将光反射性树脂7注入时,由于芯片相互间的间隔以及芯片下方的缝隙已经被光反射性树脂7填充,所以不会产生空隙。
另外,通过在将光反射性树脂7注入时或者注入后形成为抽真空气氛,从而使得该光反射性树脂7的一部分更容易进入上述缝隙,因此能够进一步可靠地防止空隙的产生。
根据该实施例6,除了上述作用效果之外,还能得到与实施例1相同的作用效果。
实施例7
接下来,对于图12所示的实施例7的发光装置而言,仅在变更了分配器喷嘴10的移动顺序这一点上与实施例6不同。其他与实施例6相同。
在图12中,用双点划线示出了分配器喷嘴10的开口部的移动轨迹。
在注入开始时,使分配器喷嘴10的开口部位于实施例6中所述的相反部位的一端(图中为左端)的上方。然后,边如空心箭头所示地使分配器喷嘴10沿LED3的排列方向移动,边从该开口部排出光反射性树脂7而将其注入。之后,若分配器喷嘴10的开口部移动至相反部位的另一端(图中为右端),则继续使分配器喷嘴10的开口部在右端的LED3与坝材6之间沿与LED3的排列方向成直角的方向移动,若分配器喷嘴10的开口部移动至实施例6中所述的注入部位的右端,则继续使分配器喷嘴10的开口部在注入部位沿LED3的排列方向移动,若分配器喷嘴10的开口部移动至左端,则使分配器喷嘴10的开口部在左端的LED3与坝材6之间沿与LED3的排列方向成直角的方向移动,从而也向它们之间排出光反射性树脂7而将其注入。此外,当使分配器喷嘴10在注入部位移动而将光反射性树脂7注入时,由于芯片相互间的间隔以及芯片下方的缝隙已经被光反射性树脂7填充,所以不会产生空隙。
另外,通过在将光反射性树脂7注入时或者注入后形成抽真空气氛,使得该光反射性树脂7的一部分更容易进入上述缝隙,因此能够进一步可靠地防止空隙的产生。
根据该实施例7,也能得到与实施例6相同的作用效果。
实施例8
接下来,对于图13所示的实施例8的发光装置而言,仅在由相对低粘度的下层的光反射性树脂7L与相对高粘度的上层的光反射性树脂7H构成光反射性树脂这一点上与实施例1不同。其他与实施例1相同。
对于光反射性树脂7而言,如上所述地注入在固化前相对低粘度的下层的光反射性树脂7L,并且在使该下层的光反射性树脂7L的一部分进入上述缝隙后,如上所述地注入在固化前相对高粘度的上层的光反射性树脂7H。下层的光反射性树脂7L为低粘度从而容易进入ZD5、LED3的下方的缝隙,上层的光反射性树脂7H可以为高粘度从而能够使光反射性物质的含量增多而提高光反射性。
另外,通过在将下层的光反射性树脂7L注入时或者注入后形成抽真空气氛,从而使得该下层的光反射性树脂7L的一部分更容易进入上述缝隙,因此能够进一步可靠地防止空隙的产生。
并且,通过作为低粘度的下层的光反射性树脂7L使用相对玻璃透射率低的树脂、而作为高粘度的上层的光反射性树脂7H使用相对玻璃透射率高的树脂,特别是利用下层的光反射性树脂7L,能够有效地防止基板1上的电极图案2、LED3的电极、凸块的腐蚀或劣化。作为这样的反射性树脂,优选在下层的光反射性树脂7L中使用苯基硅树脂,在上层的光反射性树脂7H中使用二甲基硅树脂。
根据该实施例8,除了上述作用效果之外,还能得到与实施例1相同的作用效果。另外,也能够在任一实施例中采用该手法。
此外,本发明并不限定于上述实施例,例如,也能够如下述那样在不脱离发明的主旨的范围内适当地进行变更并具体化。
(1)在上述实施例中,示出了使光反射性树脂7也作为底部填料而发挥功能的例子,但是为了更有效地防止空气的封入(空隙),也可以在光反射性树脂7的注入前涂覆粘度与光反射性树脂7同等或者在它以下的底部填料用树脂(光反射性或者透明的热固化性树脂)。
(2)为了进一步防止空气的封入,可以在涂覆上述底部填料用树脂后,在将光反射性树脂7注入前,使其加热(固化)。通过加热,从而在固化前暂时降低粘度,由此能够更可靠地压出芯片下的空气。也能够兼作坝材的半固化而进行该加热。
(3)分配器的工作台温度虽然没有特别地限定,但是优选为40℃以上。特别是通过使其为50~70℃,能够降低光反射性树脂的粘度,从而能够使光反射性树脂容易流入上述缝隙。
Claims (11)
1.一种发光装置,其具备:基板;被安装在基板上的发光二极管芯片;被安装在基板上的发光二极管芯片的旁边的齐纳二极管芯片;在基板上形成的包围发光二极管芯片以及齐纳二极管芯片的框状的坝材;以及被注入于坝材的内侧、并覆盖发光二极管芯片的侧面并且覆盖齐纳二极管芯片的侧面以及上表面的光反射性树脂,所述发光装置的特征在于,
框状的坝材的一部分向外鼓出而包围齐纳二极管芯片的三个侧面。
2.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
荧光体板重叠在发光二极管芯片之上,并且该荧光体板的上表面是光导出面。
3.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
光反射性树脂进入齐纳二极管芯片的下方的缝隙而成为底部填料。
4.根据权利要求1所述的发光装置,其特征在于,
光反射性树脂进入发光二极管芯片的下方的缝隙而成为底部填料。
5.根据权利要求3所述的发光装置,其特征在于,
光反射性树脂由在固化前相对低粘度的下层的光反射性树脂和在固化前相对高粘度的上层的光反射性树脂构成,下层的光反射性树脂的一部分成为所述底部填料。
6.一种发光装置的制造方法,所述发光装置具备:基板;被安装在基板上的发光二极管芯片;被安装在基板上的发光二极管芯片的旁边的齐纳二极管芯片;在基板上形成的包围发光二极管芯片以及齐纳二极管芯片的框状的坝材;以及被注入于坝材的内侧、并覆盖发光二极管芯片的侧面并且覆盖齐纳二极管芯片的侧面以及上表面的光反射性树脂,所述发光装置的制造方法的特征在于,
使框状的坝材的一部分形成为向外鼓出而包围齐纳二极管芯片的三个侧面,
使光导出面与齐纳二极管芯片的距离在分配器喷嘴的开口部的内径以上,从分配器喷嘴的开口部以不使光反射性树脂直接覆盖于光导出面以及齐纳二极管芯片的上表面的方式,将光反射性树脂注入光导出面与齐纳二极管芯片的侧面之间,而使光反射性树脂进入发光二极管芯片的下方的缝隙以及齐纳二极管芯片的下方的缝隙。
7.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
将荧光体板重叠在发光二极管芯片之上,并使该荧光体板的上表面为光导出面。
8.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
将多个发光二极管芯片排列,并且边使分配器喷嘴沿发光二极管芯片的排列方向移动边注入光反射性树脂。
9.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
边使分配器喷嘴沿发光二极管芯片移动边注入光反射性树脂,在分配器喷嘴通过光导出面与齐纳二极管芯片之间时,以使分配器喷嘴离开光导出面并接近齐纳二极管芯片的侧面的方式,使分配器喷嘴沿所述坝材的一部分的鼓出形状转弯并移动。
10.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
光反射性树脂按如下方式注入:如所述那样注入相对低粘度的下层的光反射性树脂,并且在使该下层的光反射性树脂的一部分进入所述缝隙后,如所述那样注入相对高粘度的上层的光反射性树脂。
11.根据权利要求6所述的发光装置的制造方法,其特征在于,
在将光反射性树脂注入时或者注入后,形成抽真空气氛。
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---|---|---|---|
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Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106257695A (zh) * | 2015-06-19 | 2016-12-28 | 三星电子株式会社 | 发光二极管封装件及其制造方法 |
Families Citing this family (34)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102012113003A1 (de) * | 2012-12-21 | 2014-04-03 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines optoelektronischen Halbleiterbauteils und optoelektronisches Halbleiterbauteil |
USD761214S1 (en) * | 2015-04-02 | 2016-07-12 | Genesis Photonics Inc. | Light emitting diode package |
JP6587161B2 (ja) * | 2015-07-22 | 2019-10-09 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | 発光装置 |
JP6142902B2 (ja) * | 2015-07-23 | 2017-06-07 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
JP6217705B2 (ja) * | 2015-07-28 | 2017-10-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
CN106601898A (zh) * | 2015-10-19 | 2017-04-26 | 展晶科技(深圳)有限公司 | 发光二极管封装结构 |
USD783548S1 (en) * | 2015-11-05 | 2017-04-11 | Epistar Corporation | Portions of light-emitting device |
JP6269702B2 (ja) * | 2015-11-30 | 2018-01-31 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
EP3174109B1 (en) | 2015-11-30 | 2020-11-18 | Nichia Corporation | Method of manufacturing a light emitting device |
JP6572757B2 (ja) | 2015-11-30 | 2019-09-11 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP6118437B1 (ja) * | 2015-12-21 | 2017-04-19 | ルーメンス カンパニー リミテッド | Ledモジュール |
JP6614414B2 (ja) * | 2016-03-18 | 2019-12-04 | 豊田合成株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
JP6729025B2 (ja) * | 2016-06-14 | 2020-07-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
US10290777B2 (en) | 2016-07-26 | 2019-05-14 | Cree, Inc. | Light emitting diodes, components and related methods |
JP6699432B2 (ja) * | 2016-07-29 | 2020-05-27 | 豊田合成株式会社 | 発光装置の製造方法 |
TWD186014S (zh) * | 2016-09-29 | 2017-10-11 | 新世紀光電股份有限公司 | 發光二極體模組之部分 |
CN107946441A (zh) * | 2016-10-12 | 2018-04-20 | 亿光电子工业股份有限公司 | 发光装置及发光二极管封装结构 |
KR102680862B1 (ko) | 2016-12-16 | 2024-07-03 | 삼성전자주식회사 | 반도체 발광장치 |
US10700252B2 (en) * | 2017-04-18 | 2020-06-30 | Bridgelux Chongqing Co., Ltd. | System and method of manufacture for LED packages |
JP2019029459A (ja) * | 2017-07-27 | 2019-02-21 | 豊田合成株式会社 | 発光装置、及びその製造方法 |
US10193042B1 (en) * | 2017-12-27 | 2019-01-29 | Innolux Corporation | Display device |
US11024785B2 (en) * | 2018-05-25 | 2021-06-01 | Creeled, Inc. | Light-emitting diode packages |
JP6879270B2 (ja) * | 2018-07-20 | 2021-06-02 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
USD902448S1 (en) | 2018-08-31 | 2020-11-17 | Cree, Inc. | Light emitting diode package |
US11233183B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-01-25 | Creeled, Inc. | Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices |
US11335833B2 (en) | 2018-08-31 | 2022-05-17 | Creeled, Inc. | Light-emitting diodes, light-emitting diode arrays and related devices |
JP6920619B2 (ja) * | 2018-10-18 | 2021-08-18 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP7202869B2 (ja) * | 2018-12-10 | 2023-01-12 | ヌヴォトンテクノロジージャパン株式会社 | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
JP7082290B2 (ja) * | 2018-12-28 | 2022-06-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置とその製造方法 |
US11101411B2 (en) | 2019-06-26 | 2021-08-24 | Creeled, Inc. | Solid-state light emitting devices including light emitting diodes in package structures |
JP7054017B2 (ja) | 2020-03-09 | 2022-04-13 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法及び発光装置の検査方法 |
US11521956B2 (en) | 2020-03-31 | 2022-12-06 | Nichia Corporation | Method of manufacturing light-emitting device |
JP7219407B2 (ja) * | 2020-03-31 | 2023-02-08 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置の製造方法 |
JP7415305B2 (ja) * | 2020-04-09 | 2024-01-17 | 東芝ライテック株式会社 | 車両用照明装置、および車両用灯具 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110068467A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US20110147954A1 (en) * | 2008-09-11 | 2011-06-23 | Masahiro Kitamura | Semiconductor device, and resin composition used for semiconductor device |
US20120104452A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
US20120112227A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
Family Cites Families (11)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP5453713B2 (ja) * | 2007-07-06 | 2014-03-26 | 日亜化学工業株式会社 | 半導体装置およびその形成方法 |
US8049237B2 (en) | 2007-12-28 | 2011-11-01 | Nichia Corporation | Light emitting device |
JP5689225B2 (ja) * | 2009-03-31 | 2015-03-25 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5768435B2 (ja) | 2010-04-16 | 2015-08-26 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置 |
JP5703663B2 (ja) * | 2010-09-30 | 2015-04-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置および発光装置の製造方法 |
TWI442540B (zh) * | 2010-10-22 | 2014-06-21 | Paragon Sc Lighting Tech Co | 直接電性連接於交流電源之多晶封裝結構 |
JP2012099544A (ja) * | 2010-10-29 | 2012-05-24 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光装置の製造方法 |
US9490235B2 (en) * | 2010-11-22 | 2016-11-08 | Cree, Inc. | Light emitting devices, systems, and methods |
KR20140097284A (ko) * | 2011-11-07 | 2014-08-06 | 크리,인코포레이티드 | 고전압 어레이 발광다이오드(led) 장치, 기구 및 방법 |
JP5788854B2 (ja) | 2012-11-15 | 2015-10-07 | シライ電子工業株式会社 | 回路基板 |
JP2014099545A (ja) | 2012-11-15 | 2014-05-29 | Ps4 Luxco S A R L | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 |
-
2014
- 2014-09-10 JP JP2014183831A patent/JP6213428B2/ja active Active
-
2015
- 2015-02-06 EP EP15154164.6A patent/EP2919285B1/en active Active
- 2015-02-06 US US14/616,568 patent/US9379094B2/en active Active
- 2015-02-13 CN CN201510079304.6A patent/CN104916765B/zh active Active
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20110147954A1 (en) * | 2008-09-11 | 2011-06-23 | Masahiro Kitamura | Semiconductor device, and resin composition used for semiconductor device |
US20110068467A1 (en) * | 2009-09-24 | 2011-03-24 | Renesas Electronics Corporation | Semiconductor device and method of manufacturing same |
US20120104452A1 (en) * | 2010-10-29 | 2012-05-03 | Nichia Corporation | Light emitting apparatus and production method thereof |
US20120112227A1 (en) * | 2010-11-05 | 2012-05-10 | Rohm Co., Ltd. | Semiconductor light emitting device |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN106257695A (zh) * | 2015-06-19 | 2016-12-28 | 三星电子株式会社 | 发光二极管封装件及其制造方法 |
CN106257695B (zh) * | 2015-06-19 | 2020-01-21 | 三星电子株式会社 | 发光二极管封装件及其制造方法 |
US10971662B2 (en) | 2015-06-19 | 2021-04-06 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Light emitting diode package and method of manufacturing the same |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
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