CN104911705A - 低温溶液中生长abx3钙钛矿单晶的方法 - Google Patents

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CN104911705A CN201510254128.5A CN201510254128A CN104911705A CN 104911705 A CN104911705 A CN 104911705A CN 201510254128 A CN201510254128 A CN 201510254128A CN 104911705 A CN104911705 A CN 104911705A
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Abstract

本发明提供一种低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，采用连续生长的方法，连续多周期分阶段在低温溶液中快速生长ABX3钙钛矿单晶，所用溶液浓度大，生长所需原料溶解均匀，增加生长周期和对生长条件的精细控制，很容易得到尺寸大、形状规则、质量高的ABX3钙钛矿单晶，方法工艺简单、可操作性强；生长条件温和，所需温度低，节能；设备要求低、成本低；成功率高、生长单晶速度快；缺陷少、稳定性好，所得单晶尺寸大(10mm)×(10mm)×(10mm)等优点。从而促进对钙钛矿材料及相关光电器件(包括太阳电池、光探测器、LED及激光器等)的基础机理理论研究。

Description

低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法
【技术领域】
本发明属于太阳能电池领域，具体涉及一种低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法。
【背景技术】
随着经济全球化的快速发展，世界各国对能源的需求量逐年增加，煤、石油、天然气等传统化石能源逐渐消耗殆尽，且使用传统能源的同时也带来了一系列的生态环境问题。因此，改变当前的能源结构，寻找可再生、经济、绿色环保的清洁能源供给，如太阳能、氢能、风能、潮汐能等，已经成为世界各国重点关注的研究课题。太阳能是世界上最丰富的清洁能源，其每年辐射到地球表面的总量远超过地球上化石能源总储备量的百倍。充分利用太阳能，是满足全球范围内日益增长的能源需求的重要方法之一。
将太阳能转换为电能的一种行之有效的方法是制备基于光生伏特效应的太阳电池。研发低成本高效率的新型太阳电池，是实现太阳能光伏发电广泛推广应用的技术基础。一种基于钙钛矿结构的CH3NH3PbX3(X代表卤族元素)材料的太阳电池在最近几年引起了光伏研究领域的极大关注。经过短短6年的发展，到目前为止，钙钛矿太阳电池的最高认证效率已达到了20.1％。
目前，人们将注意力更多的是放在如何改善薄膜的合成方法或者材料的性能、提高电池光电转换效率和电池稳定性等方面。其快速的发展使相关机理性的研究并没有赶上效率的提高速率，尚缺乏对钙钛矿太阳电池微观物理机制的深层认识。我们需要更多的关注钙钛矿材料的基本性质和电池工作原理，这不仅有助于进一步提高钙钛矿型太阳电池的性能，也能为人们寻找更简单或更有效的新结构提供思路。因此，生长出大尺寸、形状规则、高质量的ABX3钙钛矿单晶用以对钙钛矿材料的基础研究是非常迫切和必要的。
到目前为止，关于ABX3钙钛矿单晶的生长和研究报道的并不多。2015年初，Science接连报道了两篇关于CH3NH3PbX3钙钛矿单晶对钙钛矿太阳电池的微观物理特性研究(
(1)Q.F.Dong,Y.Fang,；Y.Shao,P.Mulligan,J.Qiu,L.Cao,J.S.Huang,Science 2015,347,967-970.
(2)D.Shi,V.Adinolfi,R.Comin,M.Yuan,E.Alarousu,A.Buin,Y.Chen,S.Hoogland,A.Rothenberger,K.v；Y.Losovyj,X.Zhang,P.A.Dowben,O.F.Mohammed,E.H.Sargent,O.M.Bakr,Science 2015,347,519-522.)。然而，文献中生长单晶所使用的工艺较为复杂、繁琐，实际操作起来具有一定的难度；且生长条件相对苛刻、可控性差；最重要的是文献中报道的方法生长出的单晶尺寸较小，约10mm。
【发明内容】
本发明的目的在于提供一种低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，具有实验操作简单、成功率高、所得单晶尺寸大等优点。
为达到上述目的，本发明低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法如下：
ABX3钙钛矿单晶，其中A为CH3NH3 +、H2N-CH＝NH2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、Cs+或C3H11SN3 2+，B为Pb、Ge或Sn；X为Cl、Br或I，取提供铅源、锡源或锗源的金属化合物，卤代物和能溶解该金属化合物的溶剂；将卤代物和溶剂混合配制成溶液，将金属化合物加入后配成单晶生长液，采用连续生长的方法生长得到ABX3钙钛矿单晶。
进一步，配制单晶生长液时称取卤代物在容器中用溶剂搅拌溶解，然后密封容器后置于磁力搅拌器上，在室温～90℃温度下加热连续搅拌、震荡或超声处理12h以上，得到单晶生长液。
进一步，配制单晶生长液时称取卤代物在容器中用溶剂搅拌溶解，然后密封容器后置于磁力搅拌器上，在20～80℃温度下加热连续搅拌、震荡或超声处理12h以上，得到单晶生长液。
进一步，配制单晶生长液时称取卤代物在容器中用溶剂搅拌溶解，然后密封容器后置于磁力搅拌器上，在40～70℃温度下加热连续搅拌、震荡或超声处理12h以上，得到单晶生长液。
进一步，先生长出尺寸较小的晶粒，之后将籽晶转移到新鲜的单晶生长液中生长；生长一段时间后，再将长大的晶粒取出放入新鲜的单晶生长液；每换一次新鲜的单晶生长液到下一次换单晶生长液的生长时间为一个生长周期，如此往复连续多个生长周期直到得到需要的单晶。
进一步，所述单晶生长温度为50-200℃，每个生长周期时间为24h以上。
进一步，所述单晶生长温度为70～120℃，每个生长周期时间为24h以上。
进一步，单晶生长时由加热鼓风干燥箱、油浴或水浴提供所需的温度，使生长体系受热均匀，通过调整容器的密封程度来控制溶剂的挥发速度，以控制单晶生长的速度。
进一步，所述溶剂为氢碘酸、γ-丁内酯(GBA)、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中的一种。
进一步，所述提供铅源的金属化合物为氯化铅(PbCl2)、溴化铅(PbBr2)、碘化铅(PbI2)或醋酸铅(Pb(CH3COO)2·xH2O)；所述提供锡源的金属化合物为氯化亚锡(SnCl2)、四氯化锡(SnCl4)、溴化亚锡(SnBr2)或碘化锡(SnI2)；所述提供锗源的金属化合物为氯化锗(GeCl2)、溴化锗(GeBr2)或碘化锗(GeI2)。
进一步，所述卤代物为含有有机或无机离子半径为的有机或无机卤代物中的一种，包括氯甲胺(CH3NH3Cl)、氯甲脒(H2N-CH＝NH2Cl)、氯化四甲胺((CH3)4NCl)、氯卓鎓(C7H7Cl)、氯代2-异硫脲(C3H11SN3Cl2)、溴甲胺(CH3NH3Br)、溴甲脒(H2N-CH＝NH2Br)、溴化四甲胺((CH3)4N Br)、溴卓鎓(C7H7Br)、溴代2-异硫脲(C3H11SN3Br2)、碘甲胺(CH3NH3I)、碘甲脒(H2N-CH＝NH2I)、碘化四甲胺((CH3)4N I)、碘卓鎓(C7H7I)、碘代2-异硫脲(C3H11SN3I2)及无机CsI。
进一步，所述单晶生长液中金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比为1:(0.5～10)。
进一步，所述单晶生长液中金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比为1:(0.8～5)。
进一步，所述单晶生长液中金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比为1:(1～3)。
进一步，所述单晶生长液的浓度为0.05-5.0mol/L。
本发明在低温溶液中快速生长ABX3钙钛矿单晶，与现有技术相比，具有以下优点：
本发明采用连续生长的方法，连续多周期分阶段在低温溶液中快速生长ABX3钙钛矿单晶，所用溶液浓度大，生长所需原料溶解均匀，增加生长周期和对生长条件的精细控制，很容易得到尺寸大、形状规则、质量高的ABX3钙钛矿单晶。方法工艺简单、可操作性强；生长条件温和，所需温度低，节能；设备要求低、成本低；成功率高、生长单晶速度快；缺陷少、稳定性好，所得单晶尺寸大(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)等优点。从而促进对钙钛矿材料及相关光电器件(包括太阳电池、光探测器、LED及激光器等)的基础机理理论研究。
【附图说明】
图1是单晶生长简易流程图。
图2是部分在溶液中分别生长了1～4周期的单晶图片。
【具体实施方式】
下面通过实施例，对本发明作进一步的说明，但本发明并不限于以下实施例。
本发明提供的ABX3钙钛矿单晶生长方法，A为CH3NH3 +、H2N-CH＝NH2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、Cs+或C3H11SN3 2+；B为Pb、Ge或Sn；X为Cl、Br或，具体方法包含以下步骤：
1)称取合成好的如上所述的卤代有机无机物，加入100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子；
2)向步骤1烧杯中加入相关溶剂；
3)将烧杯置于磁力搅拌加热器上室温～90℃搅拌，此过程中卤代有机无机物迅速溶解；
4)称量如上所述的金属化合物加到步骤3得到的溶液中；
5)用保鲜膜将烧杯封口，继续置于磁力加热搅拌器上室温～90℃搅拌12h以上，得到澄清、透明的单晶生长液；单晶生长液的浓度为0.05～5.0mol/L。
6)将配制好的单晶生长液转移到结晶皿中；
7)用保鲜膜将步骤6中结晶皿封口后，于加热鼓风干燥箱中50～200℃加热24h以上，在结晶皿底部得到较多细小的钙钛矿单晶(籽晶)；
8)将每粒钙钛矿单晶(籽晶)分别转移到新的结晶皿中；
9)向步骤8的结晶皿中加入配制好的单晶生长液；浓度为0.05～5.0mol/L；
10)用保鲜膜将步骤9中结晶皿封口后，于加热鼓风干燥箱中50～200℃加热48h以后，结晶皿底部的ABX3钙钛矿单晶尺寸明显增大；
11)将步骤10的结晶皿中的旧的单晶生长液倾出，重新加入配制好的单晶生长液(浓度为0.05～5.0mol/L)；
12)用保鲜膜将步骤11中结晶皿封口后，于加热鼓风干燥箱中50-200℃加热48h以后，结晶皿底部的ABX3钙钛矿单晶尺寸进一步增大；
13)同理，如此重复步骤11和12，经过4～5个周期后，便可以得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的ABX3钙钛矿单晶；
14)将生长好的ABX3钙钛矿单晶从结晶皿中的单晶生长液中取出，用无水***、甲苯、氯苯、异丙醇、甲胺溶液等清洗；
15)清洗完毕的ABX3钙钛矿单晶在真空干燥箱中60℃干燥24h；
16)ABX3钙钛矿单晶干燥后真空包装，以备测试使用。
进一步地，实验中使用的高型烧杯和结晶皿均为普通玻璃材质。
进一步地，步骤5中所使用的保鲜膜为普通塑料保鲜膜，未经特殊处理。
进一步地，本发明中单晶生长液的浓度为溶液金属化合物中的金属离子的浓度，金属化合物中的金属离子与卤代有机无机物中离子半径为的离子的摩尔比为1:0.5～1:10。
进一步地，步骤7中的加热温度为50～200℃，最好为100～120℃。
实施例1
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取0.159g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上20℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取0.461g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上20℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.05M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
2、配制单晶生长液
称取3.91g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上20℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取11.34g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上20℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：1.23M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)，上述卤代物也可以使用C7H7I、(CH3)4N I或H2N-CH＝NH2I替代。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中50℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，如图2所示。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中50℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶明显增大，如图2所示。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中50℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，如图2所示。
6、CH3NH3PbI3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例2
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取0.318g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上40℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取0.461g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上40℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.05M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:2)。
2、配制单晶生长液
称取7.82g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上40℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取11.34g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上40℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：1.23M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:2)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中70℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中70℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中70℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbI3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例3
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取0.112g已合成的溴甲胺(CH3NH3Br)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热。待溴甲胺(CH3NH3Br)全部溶解后，再称取0.367g溴化铅(PbBr2)加入，继续于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.05M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
2、配制单晶生长液
称取1.12g已合成的溴甲胺(CH3NH3Br)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热。待溴甲胺(CH3NH3Br)全部溶解后，再称取3.67g溴化铅(PbBr2)加入，继续于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)，单晶生长液浓度单位为M(mol/L)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例4
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取0.68g已合成的氯甲胺(CH3NH3Cl)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热。待氯甲胺(CH3NH3Cl)全部溶解后，再称取2.78g氯化铅(PbCl2)加入，继续于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
2、配制单晶生长液
称取1.66g已合成的氯甲胺(CH3NH3Cl)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺加入，于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热。待氯甲胺(CH3NH3Cl)全部溶解后，再称取6.84g氯化铅(PbCl2)加入，继续于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：1.23M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)，以上铅源的金属化合物也可以用醋酸铅(Pb(CH3COO)2·xH2O)替代。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例5
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取1.59g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上80℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取4.61g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上80℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
2、配制单晶生长液
称取3.91g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上80℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取11.34g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上80℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：1.23M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中120℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中120℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中120℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbI3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例6
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取4.77g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上90℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取4.61g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上90℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:3)。
2、配制单晶生长液
称取11.73g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上90℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取11.34g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上90℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：1.23M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:3)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中150℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中150℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中150℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbI3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例7
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取1.12g已合成的溴甲胺(CH3NH3Br)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上90℃搅拌加热。待溴甲胺(CH3NH3Br)全部溶解后，再称取3.67g溴化铅(PbBr2)加入，继续于磁力搅拌加热器上90℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
2、配制单晶生长液
称取2.24g已合成的溴甲胺(CH3NH3Br)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上90℃搅拌加热。待溴甲胺(CH3NH3Br)全部溶解后，再称取7.34g溴化铅(PbBr2)加入，继续于磁力搅拌加热器上90℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：1M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中150℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中150℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中150℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例8
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取1.59g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上20℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取4.61g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上20℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
2、配制单晶生长液
称取3.91g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上20℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取11.34g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上20℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：1.23M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中200℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中200℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中200℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbI3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例9
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取3.18g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上40℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取4.61g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上40℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:2)。
2、配制单晶生长液
称取7.82g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上40℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取11.34g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上40℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：1.23M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:2)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中70℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中70℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中70℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbI3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例10
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取0.68g已合成的氯甲胺(CH3NH3Cl)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL二甲基亚砜(DMSO)加入，于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热。待氯甲胺(CH3NH3Cl)全部溶解后，再称取2.78g氯化铅(PbCl2)加入，继续于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
2、配制单晶生长液
称取0.68g已合成的氯甲胺(CH3NH3Cl)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL二甲基亚砜(DMSO)加入，于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热。待氯甲胺(CH3NH3Cl)全部溶解后，再称取2.78g氯化铅(PbCl2)加入，继续于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:1)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例11
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取0.745g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取4.61g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:0.5)。
2、配制单晶生长液
称取4.77g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取27.66g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：3M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:0.5)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中110℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中110℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中110℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbI3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例12
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取0.745g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取4.61g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:0.5)。
2、配制单晶生长液
称取7.95g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取46.11g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:0.5)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中120℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中120℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中120℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbI3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例13
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取0.896g已合成的溴甲胺(CH3NH3Br)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热。待溴甲胺(CH3NH3Br)全部溶解后，再称取3.67g溴化铅(PbBr2)加入，继续于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:0.8)。
2、配制单晶生长液
称取5.37g已合成的溴甲胺(CH3NH3Br)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL N，N-二甲基甲酰胺(DMF)加入，于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热。待溴甲胺(CH3NH3Br)全部溶解后，再称取22.03g溴化铅(PbBr2)加入，继续于磁力搅拌加热器上70℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：3M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:0.8)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱、油浴或水浴中100℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbBr3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例14
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取3.376g已合成的氯甲胺(CH3NH3Cl)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL二甲基亚砜(DMSO)加入，于磁力搅拌加热器上60℃搅拌加热。待氯甲胺(CH3NH3Cl)全部溶解后，再称取2.78g氯化铅(PbCl2)加入，继续于磁力搅拌加热器上60℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:5)。
2、配制单晶生长液
称取6.75g已合成的氯甲胺(CH3NH3Cl)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mL二甲基亚砜(DMSO)加入，于磁力搅拌加热器上60℃搅拌加热。待氯甲胺(CH3NH3Cl)全部溶解后，再称取5.56g氯化铅(PbCl2)加入，继续于磁力搅拌加热器上60℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：1M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:5)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中100℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
实施例15
1、配制单晶(籽晶)生长液
称取15.89已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取4.61g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：0.5M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:10)。
2、配制单晶生长液
称取95.38g已合成的碘甲胺(CH3NH3I)，加入到100mL的高型烧杯中，放入一粒磁力搅拌子，量取20mLγ-丁内酯(GBA)加入，于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热。待碘甲胺(CH3NH3I)全部溶解后，再称取27.66g碘化铅(PbI2)加入，继续于磁力搅拌加热器上45℃搅拌加热12h以上，得到单晶生长液(浓度：3M，金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比：1:10)。
3、生长小尺寸单晶(籽晶)
将配制好的单晶(籽晶)生长液转移到洁净干燥的结晶皿中，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中120℃加热24h以后，在结晶皿底部得到小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
4、生长大尺寸单晶
将步骤3中生长的小尺寸CH3NH3PbI3钙钛矿单晶分别转移到洁净干燥的结晶皿中，加入配制好的单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中120℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶明显增大。
5、换新鲜单晶生长液
将步骤4结晶皿中旧的单晶生长液倾出，加入配制好的新鲜单晶生长液，用三层保鲜膜封口后，于加热鼓风干燥箱中120℃加热48h以后，结晶皿底部的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶尺寸进一步增大。如此重复此步骤多次后，便可得到尺寸达(>10mm)×(>10mm)×(>10mm)的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶。
6、CH3NH3PbI3钙钛矿单晶的清洗、干燥和收集
用无水***清洗生长完毕的CH3NH3PbI3钙钛矿单晶，在真空干燥箱中60℃干燥24h后，真空包装。
其余实施例见下表：

Claims (10)

1.低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其中A为CH3NH3 +、H2N-CH＝NH2 +、(CH3)4N+、C7H7 +、Cs+或C3H11SN3 2+，B为Pb、Ge或Sn；X为Cl、Br或I，其特征在于：取提供铅源、锡源或锗源的金属化合物，卤代物和能溶解该金属化合物的溶剂；将卤代物和溶剂混合配制成溶液，将金属化合物加入后配成单晶生长液，采用连续生长的方法生长得到ABX3钙钛矿单晶。
2.根据权利要求1所述的低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其特征在于：配制单晶生长液时称取卤代物在容器中用溶剂搅拌溶解，然后加入金属化合物，密封容器后置于磁力搅拌器上，在室温～90℃温度下加热连续搅拌、震荡或超声处理12h以上，得到单晶生长液。
3.根据权利要求1所述的低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其特征在于：先生长出尺寸较小的晶粒，之后将籽晶转移到新鲜的单晶生长液中生长；生长一段时间后，再将长大的晶粒取出放入新鲜的单晶生长液；每换一次新鲜的单晶生长液到下一次换单晶生长液的生长时间为一个生长周期，如此往复连续多个生长周期直到得到需要的单晶。
4.根据权利要求3所述的低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其特征在于：所述单晶生长温度为50-200℃，每个生长周期时间为24h以上。
5.根据权利要求3所述的低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其特征在于：单晶生长时由加热鼓风干燥箱、油浴或水浴提供所需的温度，使生长体系受热均匀，通过调整容器的密封程度来控制溶剂的挥发速度，以控制单晶生长的速度。
6.根据权利要求1-5任一项所述的低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其特征在于：所述溶剂为氢碘酸、γ-丁内酯(GBA)、N，N-二甲基甲酰胺(DMF)、二甲基亚砜(DMSO)、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)中的一种。
7.根据权利要求1-5任一项所述的低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其特征在于：所述提供铅源的金属化合物为氯化铅(PbCl2)、溴化铅(PbBr2)、碘化铅(PbI2)或醋酸铅(Pb(CH3COO)2·xH2O)；所述提供锡源的金属化合物为氯化亚锡(SnCl2)、四氯化锡(SnCl4)、溴化亚锡(SnBr2)或碘化亚锡(SnI2)；所述提供锗源的金属化合物为氯化锗(GeCl2)、溴化锗(GeBr2)或碘化锗(GeI2)。
8.根据权利要求1-5任一项所述的低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其特征在于：所述卤代物为含有有机或无机离子半径为的有机或无机卤代物中的一种，包括氯甲胺(CH3NH3Cl)、氯甲脒(H2N-CH＝NH2Cl)、氯化四甲胺((CH3)4N Cl)、氯卓鎓(C7H7Cl)、氯代2-异硫脲(C3H11SN3Cl2)、溴甲胺(CH3NH3Br)、溴甲脒(H2N-CH＝NH2Br)、溴化四甲胺((CH3)4NBr)、溴卓鎓(C7H7Br)、溴代2-异硫脲(C3H11SN3Br2)、碘甲胺(CH3NH3I)、碘甲脒(H2N-CH＝NH2I)、碘化四甲胺((CH3)4N I)、碘卓鎓(C7H7I)、碘代2-异硫脲(C3H11SN3I2)及无机CsI。
9.根据权利要求1-5任一项所述的低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其特征在于：所述单晶生长液中金属化合物的金属离子与卤代物的离子摩尔比为1:(0.5～10)。
10.根据权利要求1-5任一项所述的低温溶液中生长ABX3钙钛矿单晶的方法，其特征在于：所述单晶生长液的浓度为0.05-5.0mol/L。
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Cited By (40)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105350078A (zh) * 2015-11-10 2016-02-24 暨南大学 一种快速制备大面积钙钛矿晶体的方法
CN105390614A (zh) * 2015-11-05 2016-03-09 吉林大学 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN105405979A (zh) * 2015-12-03 2016-03-16 中国科学院半导体研究所 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法
CN105470395A (zh) * 2015-12-29 2016-04-06 中国科学院物理研究所 一种基于钙钛矿甲胺铅碘单晶切片的异质结太阳能电池及其制备方法
CN105926040A (zh) * 2016-06-24 2016-09-07 哈尔滨工业大学 一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机-无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法
CN105951168A (zh) * 2016-05-20 2016-09-21 中山大学 大面积abx3型钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置
CN106006722A (zh) * 2016-06-24 2016-10-12 中国科学院合肥物质科学研究院 斜方相碘化铯铅单晶纳米线的制备方法和用途
CN106065494A (zh) * 2016-06-07 2016-11-02 中国科学院新疆理化技术研究所 一种形貌可控有机‑无机杂化铋基晶体的合成方法
CN106245114A (zh) * 2016-07-14 2016-12-21 陕西师范大学 一种在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄abx3钙钛矿单晶薄片的方法
CN106283195A (zh) * 2016-09-07 2017-01-04 上海大学 连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法
CN106319625A (zh) * 2016-10-18 2017-01-11 陕西师范大学 液‑液两相法生长钙钛矿单晶的方法
CN106637403A (zh) * 2016-11-28 2017-05-10 华中科技大学 一种钙钛矿单晶的制备方法
CN106676631A (zh) * 2016-11-28 2017-05-17 昆明理工大学 一种制备abx3钙钛矿单晶薄膜的方法
CN106757342A (zh) * 2016-11-28 2017-05-31 昆明理工大学 一种抗溶剂扩散生长abx3钙钛矿单晶的方法
CN106784316A (zh) * 2016-07-22 2017-05-31 河北工业大学 一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
CN106811794A (zh) * 2017-03-03 2017-06-09 苏州协鑫纳米科技有限公司 用于钙钛矿晶体的结晶生长板、结晶釜及结晶装置
CN106887520A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 北京大学 一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN107819123A (zh) * 2017-10-31 2018-03-20 南京旭羽睿材料科技有限公司 一种石墨烯复合电极材料
CN107829139A (zh) * 2017-11-07 2018-03-23 西北工业大学 全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法
CN108842185A (zh) * 2018-06-06 2018-11-20 太原理工大学 一种用于光电探测的甲胺铅碘钙钛矿单晶薄片
WO2018219153A1 (zh) * 2017-06-02 2018-12-06 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钙钛矿薄膜后处理设备及使用方法和应用
CN108950675A (zh) * 2018-07-25 2018-12-07 陕西师范大学 基于两相法的有机-无机杂化钙钛矿单晶制备方法
CN109328178A (zh) * 2016-06-24 2019-02-12 住友化学株式会社 组合物
CN110176540A (zh) * 2019-06-05 2019-08-27 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶的制备方法与紫外探测器
CN110195252A (zh) * 2019-07-09 2019-09-03 湘潭大学 一种层溶液法生长钙钛矿单晶的方法
CN110205678A (zh) * 2019-04-15 2019-09-06 安徽建筑大学 一种碳纸负载有机-无机钙钛矿微晶的制备方法
CN110541187A (zh) * 2019-10-10 2019-12-06 陕西师范大学 一种具有陷光结构的钙钛矿单晶及其制备方法
CN110565165A (zh) * 2018-06-05 2019-12-13 上海大学 基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法
CN110578175A (zh) * 2019-08-09 2019-12-17 北京工业大学 一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法
CN111180495A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN111244281A (zh) * 2020-01-14 2020-06-05 陕西师范大学 一种非金属有机钙钛矿低电压辐射探测器及其制备方法
CN112522776A (zh) * 2020-11-11 2021-03-19 成都新柯力化工科技有限公司 一种连续制备钙钛矿光伏单晶薄膜复合材料的方法
CN112853466A (zh) * 2020-12-31 2021-05-28 江苏第二师范学院（江苏省教育科学研究院） 一种低温溶剂法生长铜基无铅钙钛矿单晶的方法
CN112981538A (zh) * 2021-02-04 2021-06-18 广西大学 一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法
CN113845428A (zh) * 2021-09-10 2021-12-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 钙钛矿材料粉体的制备方法
CN114395801A (zh) * 2022-01-21 2022-04-26 华中科技大学温州先进制造技术研究院 一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法
CN114703547A (zh) * 2022-04-20 2022-07-05 西安工业大学 一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法
CN114836817A (zh) * 2022-05-30 2022-08-02 陕西师范大学 一种全无机CsPbBr3-xIx单晶及其制备方法
CN115094508A (zh) * 2022-06-13 2022-09-23 南昌大学 一种诱导a位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法及其应用
CN116655572A (zh) * 2022-04-28 2023-08-29 上海交通大学 一种绿色溶剂及使用绿色溶剂常温制备钙钛矿单晶的方法

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112280555A (zh) * 2020-10-28 2021-01-29 天津理工大学 低温溶剂法合成铜基钙钛矿粉体的方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104131352A (zh) * 2014-07-17 2014-11-05 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法
CN104141166A (zh) * 2014-07-17 2014-11-12 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺溴铅晶体的制备方法
CN104372412A (zh) * 2014-10-24 2015-02-25 山东大学 甲胺卤化铅酸盐化合物大尺寸晶体生长方法及装置

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104131352A (zh) * 2014-07-17 2014-11-05 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺碘铅晶体的制备方法
CN104141166A (zh) * 2014-07-17 2014-11-12 南京信息工程大学 大尺寸钙钛矿结构甲胺溴铅晶体的制备方法
CN104372412A (zh) * 2014-10-24 2015-02-25 山东大学 甲胺卤化铅酸盐化合物大尺寸晶体生长方法及装置

Non-Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
CONSTANTINOS C. STOUMPOS，等: "Semiconducting Tin and Lead Iodide Perovskites with Organic Cations: Phase Transitions, High Mobilities, and Near-Infrared Photoluminescent Properties", 《INORGANIC CHEMISTRY》 *
DONG SHI,等: "Low trap-state density and long carrier diffusion in organolead trihalide perovskite single crystals", 《SCIENCE》 *
J. SU，等: "Growth of large CH3NH3PbX3(X=I, Br) single crystals in solution", 《JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH》 *
NAM JOONG JEON，等: "Solvent engineering for high-performance inorganic–organic hybrid perovskite solar cells", 《NATURE MATERIALS》 *
QINGFENG DONG，等: "Electron-hole diffusion lengths >175mmm in solution-grown CH3NH3PbI3 single crystals", 《SCIENCE》 *
YANGYANG DANG，等: "Bulk crystal growth of hybrid perovskite material CH3NH3PbI3", 《CRYSTENGCOMM》 *

Cited By (58)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105390614A (zh) * 2015-11-05 2016-03-09 吉林大学 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN105390614B (zh) * 2015-11-05 2018-03-30 吉林大学 一种钙钛矿太阳电池及其制备方法
CN105350078A (zh) * 2015-11-10 2016-02-24 暨南大学 一种快速制备大面积钙钛矿晶体的方法
CN105405979A (zh) * 2015-12-03 2016-03-16 中国科学院半导体研究所 有机无机杂化钙钛矿单晶的制备方法
CN106887520B (zh) * 2015-12-15 2019-04-02 北京大学 一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN106887520A (zh) * 2015-12-15 2017-06-23 北京大学 一种添加剂辅助的钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105470395A (zh) * 2015-12-29 2016-04-06 中国科学院物理研究所 一种基于钙钛矿甲胺铅碘单晶切片的异质结太阳能电池及其制备方法
CN105951168A (zh) * 2016-05-20 2016-09-21 中山大学 大面积abx3型钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置
CN105951168B (zh) * 2016-05-20 2018-08-17 中山大学 大面积abx3型钙钛矿晶体薄膜生长方法及装置
CN106065494A (zh) * 2016-06-07 2016-11-02 中国科学院新疆理化技术研究所 一种形貌可控有机‑无机杂化铋基晶体的合成方法
CN106065494B (zh) * 2016-06-07 2018-09-18 中国科学院新疆理化技术研究所 一种形貌可控有机-无机杂化铋基晶体的合成方法
CN105926040A (zh) * 2016-06-24 2016-09-07 哈尔滨工业大学 一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机-无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法
CN109328178B (zh) * 2016-06-24 2021-07-06 住友化学株式会社 组合物
CN105926040B (zh) * 2016-06-24 2019-01-04 哈尔滨工业大学 一种以二异丙胺卤盐为前体材料的有机-无机杂化钙钛矿结构晶体的制备方法
CN106006722A (zh) * 2016-06-24 2016-10-12 中国科学院合肥物质科学研究院 斜方相碘化铯铅单晶纳米线的制备方法和用途
CN109328178A (zh) * 2016-06-24 2019-02-12 住友化学株式会社 组合物
CN106245114B (zh) * 2016-07-14 2019-03-05 陕西师范大学 一种在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄abx3钙钛矿单晶薄片的方法
CN106245114A (zh) * 2016-07-14 2016-12-21 陕西师范大学 一种在流动液相微反应体系中生长形状和厚度可控的超薄abx3钙钛矿单晶薄片的方法
CN106784316A (zh) * 2016-07-22 2017-05-31 河北工业大学 一种钙钛矿单晶材料与微晶硅复合材料结合的薄膜太阳电池及其制备方法
CN106283195B (zh) * 2016-09-07 2018-12-07 上海大学 连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法
CN106283195A (zh) * 2016-09-07 2017-01-04 上海大学 连续生长大尺寸钙钛矿单晶的装置及方法
CN106319625B (zh) * 2016-10-18 2019-03-05 陕西师范大学 液-液两相法生长钙钛矿单晶的方法
CN106319625A (zh) * 2016-10-18 2017-01-11 陕西师范大学 液‑液两相法生长钙钛矿单晶的方法
CN106757342A (zh) * 2016-11-28 2017-05-31 昆明理工大学 一种抗溶剂扩散生长abx3钙钛矿单晶的方法
CN106637403B (zh) * 2016-11-28 2019-04-12 华中科技大学 一种钙钛矿单晶的制备方法
CN106637403A (zh) * 2016-11-28 2017-05-10 华中科技大学 一种钙钛矿单晶的制备方法
CN106676631A (zh) * 2016-11-28 2017-05-17 昆明理工大学 一种制备abx3钙钛矿单晶薄膜的方法
CN106811794A (zh) * 2017-03-03 2017-06-09 苏州协鑫纳米科技有限公司 用于钙钛矿晶体的结晶生长板、结晶釜及结晶装置
WO2018219153A1 (zh) * 2017-06-02 2018-12-06 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钙钛矿薄膜后处理设备及使用方法和应用
CN108987577A (zh) * 2017-06-02 2018-12-11 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钙钛矿薄膜后处理设备及使用方法和应用
CN108987577B (zh) * 2017-06-02 2024-02-02 杭州纤纳光电科技有限公司 一种钙钛矿薄膜后处理设备及使用方法和应用
CN107819123A (zh) * 2017-10-31 2018-03-20 南京旭羽睿材料科技有限公司 一种石墨烯复合电极材料
CN107829139A (zh) * 2017-11-07 2018-03-23 西北工业大学 全无机钙钛矿单晶的逆温溶液生长方法
CN110565165A (zh) * 2018-06-05 2019-12-13 上海大学 基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法
CN110565165B (zh) * 2018-06-05 2022-04-01 上海大学 基于溶液的碘化铯单晶薄片的生长方法
CN108842185A (zh) * 2018-06-06 2018-11-20 太原理工大学 一种用于光电探测的甲胺铅碘钙钛矿单晶薄片
CN108950675A (zh) * 2018-07-25 2018-12-07 陕西师范大学 基于两相法的有机-无机杂化钙钛矿单晶制备方法
CN110205678A (zh) * 2019-04-15 2019-09-06 安徽建筑大学 一种碳纸负载有机-无机钙钛矿微晶的制备方法
CN110176540A (zh) * 2019-06-05 2019-08-27 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种CH3NH3PbCl3钙钛矿单晶的制备方法与紫外探测器
CN110195252A (zh) * 2019-07-09 2019-09-03 湘潭大学 一种层溶液法生长钙钛矿单晶的方法
CN110578175A (zh) * 2019-08-09 2019-12-17 北京工业大学 一种禁带宽度可调的钙钛矿单晶生长方法
CN110541187A (zh) * 2019-10-10 2019-12-06 陕西师范大学 一种具有陷光结构的钙钛矿单晶及其制备方法
CN111180495A (zh) * 2020-01-06 2020-05-19 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板及其制造方法
CN111244281A (zh) * 2020-01-14 2020-06-05 陕西师范大学 一种非金属有机钙钛矿低电压辐射探测器及其制备方法
CN111244281B (zh) * 2020-01-14 2022-10-25 陕西师范大学 一种非金属有机钙钛矿低电压辐射探测器及其制备方法
CN112522776A (zh) * 2020-11-11 2021-03-19 成都新柯力化工科技有限公司 一种连续制备钙钛矿光伏单晶薄膜复合材料的方法
CN112853466A (zh) * 2020-12-31 2021-05-28 江苏第二师范学院（江苏省教育科学研究院） 一种低温溶剂法生长铜基无铅钙钛矿单晶的方法
CN112853466B (zh) * 2020-12-31 2022-04-12 江苏第二师范学院（江苏省教育科学研究院） 一种低温溶剂法生长铜基无铅钙钛矿单晶的方法
CN112981538A (zh) * 2021-02-04 2021-06-18 广西大学 一种生长大尺寸钙钛矿单晶的方法
CN113845428A (zh) * 2021-09-10 2021-12-28 中国科学院上海光学精密机械研究所 钙钛矿材料粉体的制备方法
CN114395801A (zh) * 2022-01-21 2022-04-26 华中科技大学温州先进制造技术研究院 一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法
CN114395801B (zh) * 2022-01-21 2023-10-20 华中科技大学温州先进制造技术研究院 一种大尺寸、高质量二维卤化物钙钛矿单晶制备方法
CN114703547A (zh) * 2022-04-20 2022-07-05 西安工业大学 一种具有择优取向的大尺寸高质量辐射探测器用甲胺基金属卤化物钙钛矿单晶及其制备方法
CN116655572A (zh) * 2022-04-28 2023-08-29 上海交通大学 一种绿色溶剂及使用绿色溶剂常温制备钙钛矿单晶的方法
CN114836817A (zh) * 2022-05-30 2022-08-02 陕西师范大学 一种全无机CsPbBr3-xIx单晶及其制备方法
CN114836817B (zh) * 2022-05-30 2024-02-27 陕西师范大学 一种全无机CsPbBr3-xIx单晶及其制备方法
CN115094508A (zh) * 2022-06-13 2022-09-23 南昌大学 一种诱导a位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法及其应用
CN115094508B (zh) * 2022-06-13 2024-05-03 南昌大学 一种诱导a位混合阳离子碘基钙钛矿单晶有序生长的制备方法及其应用

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