CN104865759A - 液晶显示装置的像素结构 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种液晶显示装置的像素结构。在本发明的一方面中，像素结构包含基材、设置于基材上的第一电极、设置于第一电极上的第一介电层、以及设置于第一介电层上的第二电极。第二电极包含一对第一分支电极以及设置于此对第一分支电极间的第二分支电极。每一第一分支电极具有宽度W1，而第二分支电极具有宽度W2，第二分支电极的宽度W2与第一分支电极的宽度W1在沿着第一方向上的宽度不同。在一实施例中，第一分支电极的宽度W1与第二分支电极的宽度W2在异于第一方向的第二方向上为定值。在另一实施例中，第一分支电极的宽度W1以及第二分支电极的宽度W2在沿着第二方向上为可变化。

Description

液晶显示装置的像素结构
【技术领域】
本发明大体是有关于一种液晶显示器(LCD)装置，特别是有关于一种具有可变电极宽度的像素结构。
【背景技术】
在此所提供的先前技术的叙述，其目的是为了大体表现本发明的脉络。在发明段落的先前技术中所讨论的主题不应仅仅因为在发明段落的先前技术中被提及，而被认为是已知技术。类似地，在发明段落的先前技术中所提到的问题，或者是与发明段落背景的主题相关的问题，不应该被认为以前就被确认过的已知技术。在发明段落的先前技术中所提到的主题仅仅表现出不同的方法，而在该多个方法中以及其本身也可能是发明。目前署名发明人的工作涵盖描述发明段落的先前技术中的工作以及在专利提申前没有另外地符合先前技术的说明的各方面，而且也没有明示或暗示该多个工作被认为本发明的先前技术。
广视角技术(Fringe Field Switching；FFS)广泛地应用于显示装置中，例如行动装置以及液晶显示面板，因为广视角技术具有较宽广的视角以及无色偏(color-washout)等特色。目前广视角技术趋向高解析度以及视网膜技术发展。由于显示装置的耗电量会影响待机时间。因此，减少显示装置的耗电量以达到节能的目的时，待机时间则可以被延长。降低操作频率为一种降低耗电量的方法。然而，如图5所示的已知显示装置10，其像素分支电极11、12、13具有相同的宽度，当已知显示装置10操作在较低的频率时会发生闪烁(flicker)，此是因为液晶分子的弯电效应(Flexoelectric effect)造成影像在极性反转时产生穿透率的差异。
【发明内容】
本发明是有关于一种像素结构。在一实施例中，此像素结构包含基材和设置于基材上的第一电极、设置于第一电极上的第一介电层、以及设置于第一介电层上的第二电极。第二电极包含一对第一分支电极以及设置于此对第一分支电极间的第二分支电极，以于此对第一分支电极的其中一者与第二分支电极之间定义出第一间距S1，以及于此对第一分支电极的另一者与第二分支电极163之间定义出第二间距S2。每一第一分支电极具有宽度W1，而第二分支电极具有一宽度W2，第二分支电极的宽度W2与第一分支电极的宽度W1在沿着第一方向上的宽度不同。
在一实施例中，每一第一分支电极的宽度W1与第二分支电极的宽度W2在沿着异于第一方向的第二方向上为定值。第一分支电极的宽度W1及第二分支电极的宽度W2的比值W1/W2实质上介于0.2至0.8的范围内，或实质上介于2至4的范围内。
在另一实施例中，每一第一分支电极的宽度W1以及第二分支电极的宽度W2在沿着第二方向上为可变化。
在一实施例中，每一第一分支电极包含具有第一宽度W1a的第一部以及具有第二宽度W1b的第二部，且自第一部沿着第二方向延伸，以及第二分支电极包含具有第一宽度W2a的第一部以及具有第二宽度W2b的第二部，且自第一部沿着第二方向延伸，其特征在于，每一第一分支电极的第一部与第二分支电极的第一部沿着第一方向互相平行，且每一第一分支电极的第二部与第二分支电极的第二部沿着第一方向互相平行。
在一实施例中，每一第一分支电极的第一部的第一宽度W1a小于第二分支电极的第一部的第一宽度W2a，每一第二分支电极的第二部的第二宽度W1b大于第二分支电极的第二部的第二宽度W2b，且W1a与W1b的比值W1a/W1b实质上介于0.2至0.8的范围内，而W2a与W2b的比值W2a/W2b实质上介于2至4的范围内。在另一实施例中，每一第一分支电极的第一部的第一宽度W1a大于第二分支电极的第一部的第一宽度W2a，每一第二分支电极的第二部的第二宽度W1b小于第二分支电极的第二部的第二宽度W2b，且W1a与W1b的比值W1a/W1b实质上介于2至4的范围内，而W2a与W2b的比值W2a/W2b实质上介于0.2至0.8的范围内。
在一实施例中，每一第一分支电极包含多个具有第一宽度W1a的第一部以及多个具有第二宽度W1b的第二部，其特征在于，第一部以及第二部沿着第二方向交错排列设置。第二分支电极包含多个具有第一宽度W2a的第一部以及多个具有第二宽度W2b的第二部，其特征在于，第一部以及第二部沿着第二方向交错排列设置。其中每一第一分支电极的第一部与第二分支电极的第一部沿着第一方向互相平行，且每一第二分支电极的第二部与第二分支电极的第二部沿着该第一方向互相平行。
在一实施例中，每一第一分支电极的第一部的第一宽度W1a小于第二分支电极的第一部的第一宽度W2a，每一第二分支电极的第二部的第二宽度W1b大于第二分支电极的第二部的第二宽度W2b，且W1a与W1b的比值W1a/W1b实质上介于0.2至0.8的范围内，而W2a与W2b的比值W2a/W2b实质上介于2至4的范围内。在另一实施例中，每一第一分支电极的第一部的第一宽度W1a大于第二分支电极的第一部的第一宽度W2a，每一第二分支电极的第二部的第二宽度W1b小于第二分支电极的第二部的第二宽度W2b，且W1a与W1b的比值W1a/W1b实质上介于2至4的范围内，而W2a与W2b的比值W2a/W2b实质上介于0.2至0.8的范围内。
在一实施例中，第一电极及第二电极其中一者为像素电极，而另一者为共通电极。
再者，此像素结构包含设置于第一电极与基材之间的第二介电层。
在本发明中，像素结构包含基材、设置于基材上的第一电极、设置于第一电极上的介电层、以及设置于介电层上的第二电极。第二电极包含一或多个第一分支电极以及一或多个第二分支电极，其中此一或多个第一分支电极以及此一或多个第二分支电极间隔设置，且沿着一第一方向平行排列，其中每一第一分支电极具有宽度W1，而每一第二分支电极在该第一方向上具有宽度W2，其中宽度W1和宽度W2在沿着第一方向上彼此不同。
在一实施例中，每一第一分支电极的宽度W1以及每一第二分支电极的宽度W2在沿着异于第一方向的第二方向上为定值。
在另一实施例中，每一第一分支电极的宽度W1以及每一第二分支电极的宽度W2在沿着第二方向上为可变化。
在一实施例中，每一第一分支电极包含具有第一宽度W1a的第一部以及具有第二宽度的第二部，且自第一部沿着第二方向延伸。每一第二分支电极包含具有第一宽度W2a的第一部以及具有第二宽度W2b的第二部，且自第一部沿着第二方向延伸，其中每一第一分支电极的第一部与每一第二分支电极的第一部沿着第一方向互相平行，且每一第一分支电极的第二部与每一第二分支电极的第二部沿着第一方向互相平行。
在一实施例中，每一第一分支电极包含一或多个具有第一宽度W1a的第一部以及一或多个具有第二宽度W1b的第二部，此一或多个第一部以及此一或多个第二部沿着第二方向交错排列设置。每一第二分支电极包含一或多个具有一第一宽度W2a的第一部以及一或多个具有一第二宽度W2b的一第二部，此一或多个第一部以及此一或多个第二部沿着第二方向交错排列设置，其中每一第一分支电极的第一部与每一第二分支电极的第一部沿该第一方向互相平行，且每一第一分支电极的第二部与每第二分支电极的第二部沿着第一方向互相平行。
在一实施例中，第一电极和第二电极其中一者为像素电极，而另一者为共通电极。
在本发明的再一方面中，此液晶显示器包含显示面板，其具有多个像素，每一像素包含如上所述的像素结构。
本发明的此些及其他态样，将借由结合下列附图进行的较佳实施例的如下描述而显而易见，虽然可在不脱离本揭露的新颖性概念的精神及范畴的情况下进行改变及修改。
【附图说明】
所附图式搭配文字记载说明了一或数个实施例，以解释本发明的原理。可能的话，在整份图式中相同的标号是对应至实施例中相同或类似的元件。
图1A系绘示根据本发明一实施例的像素结构的上视图以及剖面图。
图1B是绘示沿着图1A的剖线A-A’所示的像素结构剖面图。
图2A系绘示根据本发明一实施例的像素结构的上视图以及剖面图。
图2B系绘示沿着图2A的剖线A-A’所示的像素结构剖面图。
图2C是绘示沿着图2A的剖线B-B’所示的像素结构剖面图。
图3A系绘示根据本发明一实施例的像素结构的上视图。
图3B是绘示沿着图3A的剖线A-A’所示的像素结构剖面图。
图3C是绘示沿着图3A的剖线B-B’所示的像素结构剖面图。
图4系绘示根据本发明一实施例的像素结构的上视图。
图5系绘示根据已知技术的像素结构的上视图。
图6A系绘示如图1A所示的像素结构的电压对穿透率曲线(V-T curve)示意图。
图6B系绘示如图2A所示的像素结构的电压对穿透率曲线示意图。
图6C系绘示如图3A所示的像素结构的电压对穿透率曲线示意图。
图6D系绘示如图5所示的已知技术像素结构的电压对穿透率曲线示意图。
【符号说明】
10：像素结构
11、12、13：像素分支电极
100：像素结构
101：第一方向
102：第二方向
110：基材
120：资料线
130：第二介电层
140：第一电极
150：第一介电层
160、260、360、460：第二电极
161、261、361、461：第一分支电极
163、263、363、463：第二分支电极
170：栅极线
183：漏极
190：接触孔
200：像素结构
261a、263a、361a、363a：第一部
261b、263b、361b、363b：第二部
A-A’、B-B’：剖线
W1、W1a、W1b、W2、W2a、W2b：宽度
S1、S2：间距
【具体实施方式】
本发明现将于此后参照所附的图式绘示进行数个示范实施例并伴随着文字描述进一步说明本发明的原理。然而，本发明可以许多不同形式加以体现，而不应被解读成受限于在此所提出的实施例中。相反地，提供该多个实施例，使得本揭露会更完善且完整，而可充分地将本发明的范围表达给熟知此技艺者。相同的参考数字在各处标示相同元素。
可理解的是当称一元件位于另一元件「上(on)」时，其可为直接位于其他元件上、或介于中间的元件可出现在其间。相反地，当称一元件直接位于另一元件「上(directly on)」时，并无介于中间的元件出现。如于此所使用，用语(terms)「和/或(and/or)」包含一个或多个相关的列出项目的任一与所有组合。
可理解的是，虽然在此可使用用语第一(first)，第二(second)与第三(third)等来描述各种元件、零件、区域、层和/或部，但此些用语不应限制此些元件、零件、区域、层和/或部。此些用语仅用以区别一元件、零件、区域、层和/或部与另一元件、零件、区域、层和/或部。因此，可在不偏离本发明的教示的情况下，将以下讨论的第一元件、零件、区域、层和/或部称为第二元件、零件、区域、层和/或部。
于此使用的术语仅用于描述特定实施例的目的，并非用以限制本发明。如于此所使用，除非内容清楚指定，单数形式「一(a)」与「该(the)」亦欲包含多个形式。将进一步了解的是，用语「包含(comprises)」及/或「包含(comprising)」、或「包含(includes)」及/或「包含(including)」、或「具有(has)」及/或「具有(having)」应用在说明书中时，明确说明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元素、及/或构件的存在，但并未排除一或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、零件及/或其族群的存在或加入。
此外，相对用语，例如：「下(lower)」或「底部(bottom)」和「上(upper)」或「顶部(top)」于此可用以描述如图中所绘示的一元件与另一元件的关系。可理解的是，除了图中所描绘的方位外，相对用语意欲包含元件的不同方位。例如：若图中的元件翻转，被描述为在此另一元件的「下」侧的元件接下来将位于此另一元件的「上」侧的方位。因此，例示性用语「下」根据图的特定方位可包含「下」和「上」的两方位。相同地，若图中的元件翻转，被描述为在另一元件「的下(below)」或「下方(beneath)」的元件则接下来将位于此另一元件的「上方(above)」的方位。因此，例示性用语「的下」或「下方」可包含上方及下方两方位。
除非特别定义，否则在此所使用的所有用语(包含技术与科学用语)具有相同于熟习本发明所属技术领域者所广为了解的意义。将可进一步了解的是，用语，例如以常用辞典定义的用语，应解释成具有与它们在相关领域和本揭露的上下文中的意义一致的意义，且将不会以理想化或过度正式的意义来加以解读，除非在此直接如此地特别定义。
如在此所使用的用语「大约(around)」、「约(about)」或「近乎(approximately)」应大体上意味在给定值或范围的20％以内，较佳是在10％以内，更佳是在5％内。在此所提供的数量为近似的，因此意味着若无特别陈述，可以用语「大约」、「约」或「近乎」加以表示。
关于本发明的实施例将结合附图1A-1B、图2A-2C、图3A-3C、图4以及图6A-6C进行描述。依照本发明的目的，如同在此体现与概括描述的，在一方面中，本发明是关于一种应用广视角技术(Fringe Field Switching；FFS)的像素结构，其是透过设计具有可变电极宽度的像素结构。
图1A和图1B是绘示根据本发明一实施例的像素结构100的上视图以及剖面图，其特征在于，图1A是绘示像素结构100的上视图，而图1B是绘示像素结构100的剖面图。根据此实施例，像素结构100包含基材110和设置于基材110上的第一电极140、设置于第一电极140上的第一介电层150、以及设置于第一介电层150上的第二电极150。第二电极160包含一对第一分支电极161以及第二分支电极163。第二分支电极163设置于此对第一分支电极161之间，以于此对第一分支电极161的其中一者与第二分支电极163之间定义出第一间距S1，以及于此对第一分支电极161的另一者与第二分支电极163之间定义出第二间距S2。在一实施例中，第一间距S1与第二间距S2相等。在另一实施例中，第一间距S1与第二间距S2不相等。以上所揭露的内容并非意图限制本发明的范围。设计者可根据其需求来设计第一间距S1和第二间距S2。该多个相应的变更也在本发明的范围内。
根据本发明，每一第一分支电极161具有宽度W1，而第二分支电极163具有第二宽度W2。在第一方向101上宽度W1与第二宽度W2实质上不相等。在图1A和图1B所例示的实施例中，第一分支电极161的宽度W1和第二分支电极163的宽度W2在沿着第二方向102上为定值，且W1＜W2。详细而言，第一分支电极161的宽度W1和第二分支电极163的宽度W2为定值代表整个分支电极的宽度相同。第一方向101和第二方向101彼此交叉。在一些实施例中，第一方向101可沿着栅极线170，而第二方向102可沿着资料线120，但不限于此。
在一些实施例中，宽度W1和宽度W2大约介于1微米(μm)至4微米的范围内。
在一实施例中，宽度W1和宽度W2的比值W1/W2大约介于0.2至0.8的范围内。在另一实施例中，宽度W1和宽度W2的比值W1/W2大约介于2至4的范围内。
相较于如图5所示的已知技术的像素结构，根据本发明实施例的像素结构的弯电效应比(FEE ratio)可被显着地降低。表一列出根据本发明实施例I-VI的弯电效应比以及已知像素结构的弯电效应比。在实施例I、II以及III中，比值W1/W2大约介于0.2至0.8的范围内，而在实施例IV、V以及VI中，比值W1/W2大约介于2至4的范围内。在所有实施例I-VI中，其像素结构的弯电效应比低于已知像素结构的弯电效应比。若宽度W1或宽度W2低于1微米，此宽度在制程中的良率较差，且其弯电效应比也可能因此而增加。另外，当宽度W1或宽度W2高于4微米时，虽然弯电效应比可被降低，但是相对可能影响液晶效率或穿透率。根据本发明，具有宽度比值W1/W2位于约0.2至0.8范围内的像素结构或是具有宽度比值W1/W2位于约2至4范围内的像素结构不仅可以降低弯电效应比亦可维持较佳的液晶效率或穿透率。
表1：不同实施例的弯电效应比
在一些实施例中，第一电极140和第二电极160其中一者为像素电极，而第一电极140和第二电极160中的另一者为共通电极。在图1A和图1B所例示的实施例中，第二电极160为像素电极，且第二电极160透过接触孔190电性连接至漏极183。
另外，像素结构100更包含设置于第一电极140与基材110之间的第二介电层130。像素结构100则透过耦接至资料线120和栅极线170来作动。
在本发明的一方面，液晶显示器包含具有多个像素的显示面板。每一像素包含上述揭露的像素结构。相应地，弯电效应比被显着地降低，且亦可维持较佳的液晶效率或穿透率。
图2A-2C分别绘示根据本发明另一实施例的像素结构200的上视图以及沿着像素结构200的剖线A-A’和剖线B-B’的剖面图。像素结构200是类似于如图1A和1B所示的像素结构100，除了第二电极260的每一第一分支电极261的宽度W1和第二分支电极263的宽度W2可以在沿着第二方向102上变化之外。根据本发明，每一第一分支电极261的宽度W1更包含第一宽度W1a以及第二宽度W1b，而第二分支电极263的宽度W2更包含第一宽度W2a以及第二宽度W2b。在一些实施例中，每一第一分支电极261包含具有第一宽度W1a的第一部261a以及具有第二宽度W1b的第二部261b，其自第一部261a沿着第二方向102延伸。第二分支电极263包含具有第一宽度W2a的第一部263a以及具有第二宽度W2b的第二部263b，其自第一部263a沿着第二方向102延伸。在图2A-2C的实施例中，W1a>W2a且W1b<W2b。在另一实施例中，W1a<W2a且W1b>W2b。
在一实施例中，当W1a<W2a且W1b>W2b时，比值W1a/W1b大约介于0.2至0.8的范围内，而比值W2a/W2b大约介于2至4的范围内。在另一实施例中，当W1a>W2a且W1b<W2b时，比值W1a/W1b大约介于2至4的范围内，而比值W2a/W2b大约介于0.2至0.8的范围内。
参照图3A-3C，其是分别绘示根据本发明又一实施例的像素结构300的俯视图以及沿着像素结构300的剖线A-A’和剖线B-B’的剖面图。像素结构300是类似于如图2A-2C所示的像素结构200，除了第二电极360的每一第一分支电极361包含一或多个具有第一宽度W1a的第一部361a以及一或多个具有第二宽度W1b的第二部361b。此一或多个第一部361a以及此一或多个第二部361b沿着第二方向102依序地交错设置。换言之，亦即此一或多个第一部361a以及此一或多个第二部361b依序地沿着第二方向延伸排列。第二分支电极363包含一或多个具有第一宽度W2a的第一部363a以及一或多个具有第二宽度W2b的第二部363b。此一或多个第一部363a以及此一或多个第二部363b沿着第二方向102依序地交错交错设置。详细而言，亦即此一或多个第一部363a以及此一或多个第二部363b依序地沿着第二方向延伸排列。在图3A-3C的实施例中，W1a>W2a且W1b<W2b。在另一实施例中，W1a<W2a且W1b>W2b。
在一实施例中，当W1a<W2a且W1b>W2b时，比值W1a/W1b大约介于0.2至0.8的范围内，而比值W2a/W2b大约介于2至4的范围内。在另一实施例中，当W1a>W2a且W1b<W2b时，比值W1a/W1b大约介于2至4的范围内，而比值W2a/W2b大约介于0.2至0.8的范围内。
类似地，关于具有如上述揭露的像素结构200或300的液晶显示器，其弯电效应比被显着地降低，且亦可维持较佳的液晶效率或穿透率。
图6A、6B、6C以及6D分别代表像素结构100(图1A)、200(图2A)、300(图3A)、10(图5)的电压对穿透率曲线(V-T curve)示意图。表2列出像素结构100(图1A)、200(图2A)、300(图3A)、10(图5)的弯电效应比。如图6D和表2所示，像素结构100对应图5，其中第二电极具有三个分支电极11、12以及13，且三个分支电极11、12以及13具有相同的宽度，正极性图宽与负极性图框的V-T曲线的穿透率差来自弯电效应，且弯电效应比为41％。如图6B和表2所示，像素结构100对应图1A，降低正极性图框与负极性图框的V-T曲线之间的穿透率差值，且弯电效应比降低至13.48％。如图6C和表2所示，像素结构200对应图2A，降低正极性图框与负极性图框的V-T曲线之间的穿透率差值，且弯电效应比降低至11.4％。如图6D和表2所示，像素结构300对应图3A，降低正极性图框与负极性图框的V-T曲线之间的穿透率差值，且弯电效应比降低至11.08％。如上所述，正极性图框与负极性图框的V-T曲线之间的穿透率差值可借由调整分支电极宽度来降低弯电效应发生的几率。
表2:不同实施例的弯电效应比
在本发明的另一方面中，像素结构包含第一电极、形成于第一电极上的介电层、以及形成于介电层上的第二电极。第二电极包含多个第一分支电极以及多个第二分支电极，其中该多个第一分支电极以及第二分支电极间隔设置，且沿着第一方向平行排列。每一第一分支电极具有宽度W1，而每一第二分支电极具有宽度W2。宽度W1和宽度W2在沿着第一方向上彼此不同。
在一实施例中，每一第一分支电极的宽度W1以及每一第二分支电极的宽度W2在沿着第二方向上为定值。详细而言，第一分支电极161的宽度W1和第二分支电极163的宽度W2为定值代表整个分支电极的宽度相同。如图4所示，第二电极460包含两个第一分支电极461以及两个第二分支电极463，其间隔设置且沿着第一方向101排列。每一第一分支电极461的宽度W1以及每一第二分支电极463的宽度W2在第二方向102上为定值。在本实施例中，W1<W2。在一些实施例中，W1>W2。上述的揭露并非意图限制本发明的范围。设计者可根据其需求来设计宽度W1和宽度W2。该多个相应的变化也在本发明的范围内。
在另一实施例中，每一该至少一第一分支电极的宽度W1以及每一第二分支电极的宽度W2在沿着第二方向上为可变化。
在一实施例中，每一第一分支电极包含具有第一宽度W1a的第一部以及具有第二宽度的第二部，其自第一部沿着第二方向延伸，以及每一第二分支电极包含具有第一宽度W2a的第一部以及具有第二宽度W2b的第二部，且自第一部沿着第二方向延伸。在一实施例中，W1a>W2a且W1b<W2b。在另一实施例中，W1a<W2a且W1b>W2b。
在一实施例中，每一第一分支电极包含一或多个具有第一宽度W1a的第一部以及一或多个具有第二宽度W1b的第二部，此一或多个第一部以及此一或多个第二部沿着第二方向依序地交错设置。换言之，亦即此一或多个第一部以及此一或多个第二部依序地沿着第二方向延伸排列。每一第二分支电极包含一或多个具有第一宽度W2a的第一部以及一或多个具有第二宽度W2b的第二部，此一或多个第一部以及此一或多个第二部沿着第二方向依序地交错设置。换言之，亦即此一或多个第一部以及此一或多个第二部依序地沿着第二方向延伸排列。在一实施例中，W1a>W2a且W1b<W2b。在另一实施例中，W1a<W2a且W1b>W2b。
在一实施例中，第一电极和第二电极其中一者为像素电极，而另一者为共通电极。详细而言，当第一电极为像素电极电性连接至薄膜晶体管(未绘示)，则第二电极为共通电极。反之，当第二电极为像素电极电性连接至薄膜晶体管(未绘示)，则第一电极为共通电极。
在一方面中，本发明提供一种液晶显示器，其包含具有多个像素的显示面板，每一像素包含如上所述的像素结构。相应地，弯电效应比被显着地降低，且亦可维持较佳的液晶效率或穿透率。
简而言之，本发明除此之外还叙述了一种像素结构与应用此像素结构的液晶显示器。此像素结构包含第二电极，且此第二电极包含一或多个第一分支电极以及一或多个第二分支电极。此一或多个第一分支电极以及此一或多个第二分支电极间隔设置，且沿着第一方向平行排列。每一第一分支电极具有宽度W1，而每一第二分支电极具有宽度W2，其中宽度W1与宽度W2在沿着第一方向上彼此不同。在一实施例中，第一分支电极的宽度W1与第二分支电极的宽度W2在第二方向上为定值。在另一实施例中，第一分支电极的宽度W1以及第二分支电极的宽度W2在第二方向上为可变化。再者，比值W1/W2实质介于0.2至0.8的范围内，或实质介于2至4的范围内。相应地，弯电效应比被显着地降低，且亦可维持较佳的液晶效率或穿透率。
以上所述的本发明的例示性实施例仅用于说明及描述的目的，并无意图穷举或将本发明限于所揭示的精确形式。鉴于以上揭露内容，各种修改及变化是可能的。
为了更好地解释本发明及其实际应用的原理，选择并描述此些实施例，以使熟悉此项技术者能够使用本发明及各种实施例，且其中各种修改适于所预期的特定用途。在不脱离本发明的精神及范畴的情况下，与本发明相关的替代性实施例对熟悉此项技术者而言将显而易见。因此，本发明的范畴是由随附权利要求而非本文描述的以上描述及示例性实施例来界定。

Claims (24)

1.一种像素结构，其特征在于，包含：
一基材；
一第一电极，设置于该基材上；
一第一介电层，设置于该第一电极上；以及
一第二电极，设置于该第一介电层上；
其中该第二电极包含一对第一分支电极以及设置于该对第一分支电极间的一第二分支电极，其中每一该多个第一分支电极具有一宽度W1，而该第二分支电极具有一宽度W2，该第二分支电极的该宽度W2与该第一分支电极的该宽度W1在沿着一第一方向上的宽度不同。
2.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，
每一该多个第一分支电极的该宽度W1与该第二分支电极的该宽度W2在沿着异于该第一方向的一第二方向上为定值。
3.根据权利要求2所述的像素结构，其特征在于，
该第一分支电极的该宽度W1及该第二分支电极的该宽度W2的比值W1/W2实质上介于0.2至0.8的范围内，或实质上介于2至4的范围内。
4.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，
每一该多个第一分支电极的该宽度W1以及该第二分支电极的该宽度W2在沿着异于该第一方向的一第二方向上为可变化。
5.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，
每一该多个第一分支电极包含具有一第一宽度W1a的一第一部以及具有一第二宽度W1b的一第二部，且自该第一部沿着该第二方向延伸；以及
该第二分支电极包含具有一第一宽度W2a的一第一部以及具有一第二宽度W2b的一第二部，且自该第一部沿着该第二方向延伸；
其中每一该第一分支电极的该第一部与该第二分支电极的该第一部沿着该第一方向互相平行，且每一该第一分支电极的该第二部与该第二分支电极的该第二部沿着该第一方向互相平行。
6.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，
每一该第一分支电极的该第一部的该第一宽度W1a小于该第二分支电极的该第一部的该第一宽度W2a，每一该第二分支电极的该第二部的该第二宽度W1b大于该第二分支电极的该第二部的该第二宽度W2b，且W1a与W1b的比值W1a/W1b实质上介于0.2至0.8的范围内，而W2a与W2b的比值W2a/W2b实质上介于2至4的范围内。
7.根据权利要求5所述的像素结构，其特征在于，
每一该第一分支电极的该第一部的该第一宽度W1a大于该第二分支电极的该第一部的该第一宽度W2a，每一该第二分支电极的该第二部的该第二宽度W1b小于该第二分支电极的该第二部的该第二宽度W2b，且W1a与W1b的比值W1a/W1b实质上介于2至4的范围内，而W2a与W2b的比值W2a/W2b实质上介于0.2至0.8的范围内。
8.根据权利要求4所述的像素结构，其特征在于，
每一该多个第一分支电条包含多个具有一第一宽度W1a的第一部以及多个具有一第二宽度W1b的第二部，该多个第一部以及该多个第二部沿着该第二方向交错排列设置；以及
该第二分支电极包含具多个有一第一宽度W2a的第一部以及多个具有一第二宽度W2b的第二部，该多个第一部以及该多个第二部沿着该第二方向交错排列设置；
其中每一该第一分支电极的该多个第一部与该第二分支电极的该多个第一部沿着该第一方向互相平行，且每一该第二分支电极的该多个第二部与该第二分支电极的该多个第二部沿着该第一方向互相平行。
9.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，
每一该第一分支电极的该多个第一部的该第一宽度W1a小于该第二分支电极的该多个第一部的该第一宽度W2a，每一该第二分支电极的该多个第二部的该第二宽度W1b大于该第二分支电极的该多个第二部的该第二宽度W2b，且W1a与W1b的比值W1a/W1b实质上介于0.2至0.8的范围内，而W2a与W2b的比值W2a/W2b实质上介于2至4的范围内。
10.根据权利要求8所述的像素结构，其特征在于，
每一该第一分支电极的该多个第一部的该第一宽度W1a大于该第二分支电极的该多个第一部的该第一宽度W2a，每一该第二分支电极的该多个第二部的该第二宽度W1b小于该第二分支电极的该多个第二部的该第二宽度W2b，且W1a与W1b的比值W1a/W1b实质上介于2至4的范围内，而W2a与W2b的比值W2a/W2b实质上介于0.2至0.8的范围内。
11.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，
该第一电极及该第二电极其中一者为像素电极，而另一者为共通电极。
12.根据权利要求1所述的像素结构，其特征在于，
更包含一第二介电层，设置于该第一电极与该基材之间。
13.一种液晶显示器，包含一显示面板具有多个像素，每一该多个像素包含如权利要求1的像素结构。
14.一种像素结构，其特征在于，包含：
一基材；
一第一电极，设置于该基材上；
一介电层，设置于该第一电极上；以及
一第二电极，设置于该介电层上；
其中该第二电极包含至少一第一分支电极以及至少一第二分支电极，其中该至少一第一分支电极以及该至少一第二分支电极间隔设置，且沿着一第一方向平行排列，其中每一该至少一第一分支电极具有一宽度W1，而每一该至少一第二分支电极具有一宽度W2，其中该宽度W1和该宽度W2在沿着该第一方向上彼此不同。
15.根据权利要求14所述的像素结构，其特征在于，
每一该至少一第一分支电极的该宽度W1以及每一该至少一第二分支电极的该宽度W2在沿着异于该第一方向的一第二方向上为定值。
16.根据权利要求14所述的像素结构，其特征在于，
每一该至少一第一分支电极的该宽度W1以及每一该至少一第二分支电极的该宽度W2在沿着异于该第一方向的一第二方向上为可变化。
17.根据权利要求16所述的像素结构，其特征在于，
每一该至少一第一分支电极包含具有一第一宽度W1a的一第一部以及具有一第二宽度W2a的一第二部，且自该第一部沿着该第二方向延伸；以及
每一该至少一第二分支电极包含具有一第一宽度W2a的一第一部以及具有一第二宽度W2b的一第二部，且自该第一部沿着该第二方向延伸；
其中每一该至少一第一分支电极的该第一部与每一该至少一第二分支电极的该第一部沿着该第一方向互相平行，且每一该至少一第一分支电极的该第二部与每一该至少一第二分支电极的该第二部沿着该第一方向互相平行。
18.根据权利要求17所述的像素结构，其特征在于，
W1a>W2a且W1b<W2b。
19.根据权利要求17所述的像素结构，其特征在于，W1a<W2a且W1b>W2b。
20.根据权利要求16所述的像素结构，其特征在于，
每一该至少一第一分支电极包含至少一具有一第一宽度W1a的第一部以及至少一具有一第二宽度W1b的第二部，该至少一第一部以及该至少一第二部沿着该第二方向交错排列设置；以及
每一该至少一第二分支电极包含至少一具有一第一宽度W2a的第一部以及至少一具有一第二宽度W2b的一第二部，该至少一第一部以及该至少一第二部沿着该第二方向交错排列设置；
其中每一该至少一第一分支电极的该第一部与每一该至少一第二分支电极的该第一部沿着该第一方向互相平行，且每一该至少一第一分支电极的该第二部与每一该至少一第二分支电极的该第二部沿着该第一方向互相平行。
21.根据权利要求20所述的像素结构，其特征在于，
W1a>W2a且W1b<W2b。
22.根据权利要求20所述的像素结构，其特征在于，
W1a<W2a且W1b>W2b。
23.根据权利要求14所述的像素结构，其特征在于，
该第一电极和该第二电极其中一者为像素电极，而另一者为共通电极。
24.一种液晶显示器，包含一显示面板具有多个像素，每一该多个像素包含如权利要求14的像素结构。
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