CN104854512A - 电子照相感光构件、处理盒及电子照相设备和镓酞菁晶体 - Google Patents

电子照相感光构件、处理盒及电子照相设备和镓酞菁晶体 Download PDF

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Abstract

提供不仅在常温常湿环境下，而且在作为特别严厉条件的低温低湿环境下，能够输出具有归因于重影现象的图像缺陷少的图像的电子照相感光构件，和各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。所述电子照相感光构件为包括感光层的电子照相感光构件，其中所述感光层包括其中包含由下式(1)或下式(2)表示的化合物的镓酞菁晶体。

Description

电子照相感光构件、处理盒及电子照相设备和镓酞菁晶体
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件，各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备，和镓酞菁晶体。
背景技术
已频繁地用作电子照相感光构件的图像曝光装置的半导体激光的振荡波长目前为长波长如650至820nm。因此，对具有这种长波长的光具有高灵敏度的电子照相感光构件的开发是先进的。
酞菁颜料作为对具有这种长-波长区域的光具有高灵敏度的电荷产生物质是有效的。特别地，氧钛酞菁和镓酞菁具有优良的灵敏度特性，且至今为止已报道了其各种晶体形态。
使用酞菁颜料的电子照相感光构件具有优良的灵敏度特性。然而，电子照相感光构件涉及以下问题。生成的光载流子(photo-carrier)易于残存在其感光层上并且易于用作一种存储器以引起电位变化如重影现象。
另外，专利文献1报道了以下内容。当颜料和特定的有机电子受体进行湿式粉碎处理时，在晶体变换的同时将有机电子受体取入晶体的表面，从而改进电子照相特性。
另外，专利文献2和3公开了氮化的杯芳烃化合物或间苯二酚芳烃化合物用于感光层。该化合物用于试图减轻重影现象。
现有技术文献
专利文献
PTL1：日本专利申请特开2006-72304号公报
PTL2：日本专利申请特开2001-66804号公报
PTL3：日本专利申请特开2002-229228号公报
发明内容
发明要解决的问题
如上所述，对电子照相感光构件已尝试各种改进。
然而，近年来与图像品质的额外改进相关，已期望在各种环境下的归因于重影现象的图像品质的劣化的额外减轻。专利文献1中公开的方法仍具有改进的空间，这是因为该方法中待获得的酞菁晶体在其内部不包含有机电子受体，并且仅仅具有混合于其中或附着至其表面的受体。各专利文献2和3中公开的方法具有抑制归因于重影现象的图像品质劣化的进一步改进的空间。
考虑到前述，本发明旨在提供不仅在常温常湿环境下，而且在作为特别严厉条件的低温低湿环境下，能够输出具有归因于重影现象的图像缺陷少的图像的电子照相感光构件，和各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
进一步地，本发明旨在提供其中包含特定化合物的镓酞菁晶体。
用于解决问题的方案
根据本发明的一个方面，提供包括支承体和形成在支承体上的感光层的电子照相感光构件，其中感光层包括其中包含由下式(1)表示的化合物的镓酞菁晶体。
(式(1)中，n表示选自4至8的整数，n个R1可相同或互不同，并表示氢原子或者取代或未取代的烷基，n个R2可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，n个R3可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，和n个Ar1可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。)
根据本发明的另一方面，提供包括支承体和形成在支承体上的感光层的电子照相感光构件，其中感光层包括其中包含由下式(2)表示的化合物的镓酞菁晶体。
(式(2)中，4个R11可相同或互不同，并表示氢原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基，和4个Ar11可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。)
根据本发明的进一步的方面，提供可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，其中处理盒一体化支承：上述电子照相感光构件；和选自由充电装置、显影装置、转印装置、和清洁装置组成的组中的至少一种装置。
根据本发明的更进一步的方面，提供电子照相设备，其包括：上述电子照相感光构件；充电装置；图像曝光装置；显影装置；和转印装置。
根据本发明的更进一步的方面，提供其中包含由式(1)或式(2)表示的化合物的镓酞菁晶体。
发明的效果
根据本发明，提供不仅在常温常湿环境下，而且在作为特别严厉条件的低温低湿环境下，能够输出具有归因于重影现象的图像缺陷少的图像的电子照相感光构件，和各自包括该电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
进一步地，根据本发明，提供作为电荷产生物质的具有优良特性的镓酞菁晶体。
参考附图由示例性实施方案的以下描述，本发明的进一步特征将变得明显。
附图说明
图1为说明包括具有电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的概要构成的实例的图。
图2为实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射模式。
图3为实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射模式。
图4为实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射模式。
具体实施方式
如上所述，本发明的电子照相感光构件包括支承体和形成在支承体上的感光层。感光层包括其中包含由下式(1)表示的胺化合物的镓酞菁晶体。
(式(1)中，n表示选自4至8的整数，n个R1可相同或互不同，并表示氢原子或者取代或未取代的烷基，n个R2可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，n个R3可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，和n个Ar1可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。)
另外，式(1)中至少两个R1优选表示烷基。
另外，式(1)中至少一个Ar1优选表示具有选自由氰基、硝基、和卤素原子组成的组中的至少一种基团的苯基。特别地，至少一个Ar1更优选表示在其间位具有氰基和硝基之一的苯基。
另外，本发明中，电子照相感光构件的感光层包括其中包含由下式(2)表示的化合物的镓酞菁晶体。
(式(2)中，4个R11可相同或互不同，并表示氢原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基，和4个Ar11可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。)
另外，式(2)中全部4个R11优选表示烷基。
另外，式(2)中至少一个Ar11优选表示具有选自由氰基、硝基、和卤素原子组成的组中的至少一种基团的苯基。特别地，至少一个Ar11更优选表示在其间位具有氰基和硝基之一的苯基。
另外，芳族烃环基团或杂环基团的实例包括：烃类芳族环基团，如苯、萘、芴、菲、蒽、荧蒽、和芘；和杂环基团，如呋喃、噻吩、吡啶、吲哚、苯并噻唑、咔唑、苯并咔唑(benzocarbazole)、吖啶酮、二苯并噻吩、苯并噁唑、苯并***、噁噻唑(oxathiazole)、噻唑、吩嗪、噌啉、和苯并噌啉(benzocinnoline)。进一步地，由芳族烃环基团或杂环基团直接组合或者通过芳族基团或非芳族基团组合形成的基团(有时称作由多种芳族烃环基团或多种杂环基团的组合形成的基团)的实例包括三苯胺、二苯胺、N-甲基二苯胺、联苯、三联苯、联萘、芴酮、菲醌、蒽醌、苯并蒽酮、二苯基噁唑(diphenyloxazole)、苯基苯并噁唑(phenylbenzoxazole)、二苯基甲烷、二苯砜、二苯醚、苯甲酮、茋、联苯乙烯苯(distyrylbenzene)、四苯基-对苯二胺、和四苯基联苯胺。
另外，烷基的实例包括甲基，乙基，丙基，丁基，己基，十一烷基，和十三烷基。
各基团(取代的烷基、取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和取代的芳基)可具有的取代基的实例包括：烷基如甲基、乙基、丙基、和丁基；烷氧基如甲氧基和乙氧基；二烷基氨基如二甲氨基和二乙氨基；烷氧羰基如甲氧羰基和乙氧羰基；卤素原子如氟原子、氯原子、和溴原子；羟基；硝基；氰基；乙酰基；和卤甲基。
以下描述包含于本发明的镓酞菁晶体中的、并由式(1)或(2)表示的化合物的优选具体实例(示例化合物)。然而，本发明不限于此。
构成其中包含由本发明的式(1)或式(2)表示的化合物的镓酞菁晶体的镓酞菁的实例包括在其分子的镓原子上具有卤素原子、羟基、或烷氧基作为轴向配体的镓酞菁。还包括在其酞菁环上具有取代基如卤素原子的镓酞菁。
这些镓酞菁晶体中，优选各自具有优良的灵敏度的羟基镓酞菁晶体、溴代镓酞菁晶体、或碘代镓酞菁晶体，这是因为本发明可有效地作用。羟基镓酞菁晶体在其分子的镓原子上具有羟基作为轴向配体。溴代镓酞菁晶体在其分子的镓原子上具有溴原子作为轴向配体。碘代镓酞菁晶体在其分子的镓原子上具有碘原子作为轴向配体。
另外，这些镓酞菁晶体中，优选以下晶体：
在CuKα的X-射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.4°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体；
在CuKα的X-射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.4°、16.6°、21.8°、25.5°和28.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体；
在CuKα的X-射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为7.4°、27.1°和28.4°处具有峰的溴代镓酞菁晶体；和
在CuKα的X-射线衍射中布拉格角2θ±0.2°为20.4°、27.1°、29.0°、和33.2°处具有峰的碘代镓酞菁晶体。
其中，更优选在CuKα的X-射线衍射中布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.3°±0.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。
另外，镓酞菁晶体优选其中进一步包含N,N-二甲基甲酰胺的镓酞菁晶体。
包含于镓酞菁晶体内的由式(1)或式(2)表示的化合物的含量优选0.03质量％以上且3.0质量％以下，相对于镓酞菁晶体的质量。
其中包含由式(1)或式(2)表示的化合物(下文中有时称作本发明的芳烃化合物)的镓酞菁晶体意指将由式(1)或式(2)表示的化合物引入晶体中。
描述其中包含由式(1)或式(2)表示的化合物的镓酞菁晶体的生产方法。
通过由酸溶法(acid pasting method)获得的镓酞菁和本发明的芳烃化合物(镓酞菁和芳烃化合物混合在溶剂中)进行湿式研磨处理以进行晶体变换的步骤来获得其中包含本发明的芳烃化合物的镓酞菁晶体。
此处待进行的研磨处理为例如，用研磨设备如砂磨机或球磨机与分散剂如玻璃珠、钢珠或氧化铝球一起来进行的处理。研磨时间优选约4至72小时。特别优选的方法如下。每4至8小时加入样品并确认晶体的布拉格角。待用于研磨处理的分散剂的量优选以质量计为稼酞菁的10至50倍。另外，待使用的溶剂的实例包括：酰胺系溶剂如N,N-二甲基甲酰胺，N-甲基甲酰胺，N-甲基乙酰胺，或N-甲基丙酰胺(N-methylpropionamido)；卤素系溶剂如氯仿；醚系溶剂如四氢呋喃；和亚砜系溶剂如二甲亚砜。溶剂的使用量优选以质量计为稼酞菁的5至30倍。由式(1)或式(2)表示的化合物的使用量优选以质量计为稼酞菁的0.1至5倍。
通过分析所得镓酞菁晶体的NMR测量和热重量(TG)测量的数据来测定本发明的镓酞菁晶体本身是否包含本发明的芳烃化合物。
例如，在用能够溶解本发明的芳烃化合物的溶剂进行研磨处理或研磨后的洗净步骤的情况下，将所得镓酞菁晶体进行NMR测量。当检测到本发明的芳烃化合物时，可判断本发明的芳烃化合物包含于晶体内。
另一方面，在本发明的芳烃化合物不溶于用于研磨处理的溶剂且也不溶于用于研磨后洗净的溶剂的情况下，当将所得镓酞菁晶体进行NMR测量并检测到本发明的芳烃化合物时，由以下方法进行判断。
将通过添加本发明的芳烃化合物而获得的镓酞菁晶体，除了不添加本发明的芳烃化合物以外按相同的方式制备的镓酞菁晶体，和单个本发明的芳烃化合物单独进行TG测量。当通过添加本发明的芳烃化合物而获得的镓酞菁晶体的TG测量的结果可解释为仅仅将未添加本发明的芳烃化合物而获得的镓酞菁晶体与本发明的芳烃化合物的单独测量的结果按预定比率混合而获得的结果时，镓酞菁晶体可解释为成为与本发明的芳烃化合物的混合物，或仅仅具有附着至其表面的本发明的芳烃化合物。
另一方面，当通过添加本发明的芳烃化合物而获得的镓酞菁晶体的TG测量的结果示出，与未添加本发明的芳烃化合物而获得的酞菁晶体的TG测量的结果相比，在比单个本发明的芳烃化合物的TG测量的结果的情况更高的温度下发生重量减少时，可判断本发明的芳烃化合物包含在镓酞菁晶体内。
在以下条件下进行本发明的镓酞菁晶体的TG测量，X-射线衍射测量，和NMR测量。
(TG测量)
所用测量设备：Seiko Instruments Inc.制造的TG/DTA同时测量设备(商品名：TG/DTA220U)
气氛：氮气流下(300cm3/min)
测量范围：35℃至600℃
升温速度：10℃/min
(粉末X-射线衍射测量)
所用测量设备：Rigaku Corporation制造的X-射线衍射仪RINT-TTRII
X-射线管球：Cu
管电压：50KV
管电流：300mA
扫描方法：2θ/θ扫
扫描速度：4.0°/min
取样间隔：0.02°
起始角度(2θ)：5.0°
结束角度(2θ)：40.0°
附件：标准样品保持器
过滤器：未使用
入射单色仪：使用
计数单色仪：未使用
发散狭缝：开放
发散纵向限制狭缝：10.00mm
散射狭缝：开放
光接收狭缝：开放
平板单色仪：使用
计数器：闪烁计数器
(NMR测量)
所用测量设备：BRUKER制造的AVANCE III 500
溶剂：氘化的硫酸(D2SO4)
其中包含由本发明的式(1)或式(2)表示的化合物的镓酞菁晶体作为光电导体的机能是优良的，因此可适用于太阳能电池、传感器或开关元件等，还可适用于电子照相感光构件。
接下来描述其中包含由本发明的式(1)或式(2)表示的化合物的镓酞菁晶体适用于电子照相感光构件中的电荷产生物质的情况。
将感光层分为由包含电荷产生物质和电荷输送物质二者的单一层形成的感光层(单层型感光层)，和通过层压包含电荷产生物质的电荷产生层和包含电荷输送物质的电荷输送层而获得的感光层(层压型感光层)。应注意电荷产生层可层压在电荷输送层上且反之亦然。
用于本发明的支承体优选具有导电性的支承体(导电性支承体)。作为支承体，可使用例如，铝、铝合金、铜、锌、不锈、钒、钼、铬、钛、镍、铟、金、和铂。另外，可使用：具有铝、铝合金、氧化铟、氧化锡、或氧化铟-氧化锡合金通过真空气相沉积形成为膜的层的塑料(例如，聚乙烯、聚丙烯、聚氯乙烯、聚对苯二甲酸乙二醇酯、丙烯酸系树脂、或聚氟乙烯)；通过用导电性颗粒(例如，铝颗粒、氧化钛颗粒、氧化锡颗粒、氧化锌颗粒、炭黑、或银颗粒)和粘结剂树脂涂布塑料或上述支承体而获得的支承体；通过用导电性颗粒浸渍塑料或纸而获得的支承体；和包含导电性聚合物的塑料等。
本发明中，具有屏障功能(barrier function)和附着功能的底涂层(有时称作"阻挡层(barrier layer)"或"中间层")可设置在支承体与感光层之间。
作为底涂层的材料，可使用聚乙烯醇、聚环氧乙烷、乙基纤维素、甲基纤维素、酪蛋白、聚酰胺(例如，尼龙6、尼龙66、尼龙610、共聚物尼龙、和N-烷氧基甲基化尼龙)、聚氨酯、胶粘剂、氧化铝、和明胶等。底涂层的厚度为0.1至10μm，优选0.5至5μm。
当形成单层型感光层时，可通过以下进行形成：将由根据本发明的镓酞菁晶体制成的电荷产生物质和电荷输送物质混合至粘结剂树脂溶液；将混合液涂布至支承体；并干燥所得涂膜。
当形成层压型感光层时，可通过以下形成电荷产生层：涂布通过将根据本发明的镓酞菁晶体分散在粘结剂树脂溶液中而获得的电荷产生层用涂布液；并干燥所得涂膜。可选地，通过气相沉积形成电荷产生层。
可通过以下形成电荷输送层：涂布通过将电荷输送物质和粘结剂树脂溶解在溶剂中而获得的电荷输送层用涂布液；并干燥所得涂膜。
电荷输送物质的实例包括三芳胺系化合物，腙系化合物，茋系化合物，吡唑啉系化合物，噁唑系化合物，噻唑系化合物，和三芳基甲烷系化合物。
用于各层的粘结剂树脂的实例包括树脂如聚酯，丙烯酸系树脂，聚乙烯基咔唑，苯氧基树脂，聚碳酸酯，聚乙烯醇缩丁醛，聚苯乙烯，聚醋酸乙烯酯，聚砜，多芳基化合物，偏二氯乙烯，丙烯腈共聚物，和聚苯亚甲基乙烯(polyvinyl benzal)。
涂布方法如浸涂法、喷涂法、旋涂法(spinner coating method)、珠涂法、刮涂法(blade coating method)、或束涂法(beam coating method)可用作感光层的涂布方法。
当感光层为单层型时，其厚度优选5至40μm，更优选10至30μm。
当感光层为层压型时，电荷产生层的厚度优选0.05至3μm，更优选0.1至0.5μm。另外，电荷输送层的厚度优选5至40μm，更优选8至20μm。
当感光层为层压型时，电荷产生物质的含量优选40至95质量％，更优选60至85质量％，相对于电荷产生层的总质量。另外，电荷输送物质的含量优选30至95质量％，更优选40至70质量％，相对于电荷输送层的总质量。
当感光层为单层型时，电荷产生物质的含量优选2至20质量％，相对于感光层的总质量。另外，电荷输送物质的含量优选30至70质量％，相对于感光层的总质量。
当根据本发明的镓酞菁晶体用作电荷产生物质时，在使用之前该物质可与任何其它电荷产生物质混合。在这种情况下，镓酞菁晶体的含量优选70质量％以上，相对于全部电荷产生物质。
按需可在感光层上形成保护层。可通过以下形成保护层：把通过将树脂溶解在有机溶剂中而获得的保护层用涂布液涂布至感光层以形成涂膜；并干燥所得涂膜。用于保护层的树脂的实例包括聚乙烯醇缩丁醛，聚酯，聚碳酸酯(例如，聚碳酸酯Z或改性聚碳酸酯)，尼龙，聚酰亚胺，多芳基化合物，聚氨酯，苯乙烯-丁二烯共聚物，苯乙烯-丙烯酸共聚物，和苯乙烯-丙烯腈共聚物。保护层的厚度优选0.5至10μm。
导电性颗粒或紫外线吸收剂等可引入保护层中。导电性颗粒的实例包括金属氧化物颗粒如氧化锡颗粒。
图1为说明包括具有本发明的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的概要构成的实例的图。
以预定的周速度(处理速度)沿箭头所示的方向围绕轴2旋转地驱动圆筒状(鼓状)电子照相感光构件1。
旋转过程期间通过充电装置3将电子照相感光构件1的表面充电至预定的正电位或负电位。接下来，用来自图像曝光装置(未示出)的图像曝光光4照射电子照相感光构件1的充电表面，然后形成对应于目标图像信息的静电潜像。图像曝光光4为例如，由图像曝光装置如狭缝曝光或激光束扫描曝光输出的光，该光具有对应于目标图像信息的时间序列电子数字图像信号而调制的强度。
用储存在显影装置5内的调色剂显影(进行正常显影或反转显影)形成在电子照相感光构件1的表面上的静电潜像。因此，调色剂图像形成在电子照相感光构件1的表面上。通过转印装置6将形成在电子照相感光构件1的表面上的调色剂图像转印至转印材料7。此时，将与调色剂拥有的电荷极性相反的偏压从偏置电源(未示出)施加至转印装置6。另外，当转印材料7为纸时，将转印材料7从进纸部(sheet-feeding portion)(未示出)取出，并与电子照相感光构件1的旋转同时地进给至电子照相感光构件1与转印装置6之间的间隙(gap)。
将调色剂图像已从电子照相感光构件1转印至其上的转印材料7与电子照相感光构件1的表面分离，然后传送至转印材料进行处理以定影调色剂图像的图像定影装置8。因此，将转印材料作为图像形成产品(打印件或复印件)打印至电子照相设备的外面。
将调色剂图像转印至转印材料7之后的电子照相感光构件1的表面通过清洁装置9进行其上附着物(attached matters)如调色剂(转印残余调色剂)的除去从而被清洁。近年来已开发无清洁***，因此转印残余调色剂可直接由显影装置等除去。进一步地，在重复用于图像形成之前通过来自预曝光装置(未示出)的预曝光光10将电子照相感光构件1的表面进行抗静电处理。应注意当充电装置3为使用充电辊等的接触充电装置时，并不一定需要预曝光装置。
本发明中，可采用以下程序。将如电子照相感光构件1、充电装置3、显影装置5、和清洁装置9等的组件中的多个组件储存在容器内并一体化支承以形成处理盒。处理盒可拆卸地安装至电子照相设备的主体。例如，可采用以下程序。将选自充电装置3、显影装置5、和清洁装置9的至少一种与电子照相感光构件1一体化支承以形成盒。然后，使用导向装置12如电子照相设备的主体的轨道，将该盒用作可拆卸安装至电子照相设备的主体的处理盒11。
当电子照相设备为复印机或打印机时，图像曝光光4可为来自原稿的透射光或反射光。可选地，该光可为通过例如，根据由用传感器读取的原稿转化的信号来进行扫描激光束、驱动LED阵列(array)、或驱动液晶快门阵列而辐射的光。
本发明的电子照相感光构件1还广泛适用于电子照相应用领域如激光束打印机，CRT打印机，LED打印机，传真，液晶打印机，和激光制版(laser platemaking)。
实施例
下文中，通过具体实施例更详细地描述本发明。然而，本发明不限于这些实施例。应注意，实施例和比较例中的任一电子照相感光构件的各层的厚度通过涡电流式厚度仪(由Fischer Instruments制造的Fischerscope)来测定，或由其单位面积质量通过比重换算来测定。
实施例1-1
制备继日本专利申请特开第2011-94101号公报中记载的合成例1之后，按与实施例1-1相同的处理获得的羟基镓酞菁。将0.5份的羟基镓酞菁、0.05份的示例化合物(1-1)、和10份的N,N-二甲基甲酰胺与20份各自具有0.8mm直径的玻璃珠一起在球磨机内在室温下(23℃)进行研磨处理42小时。将镓酞菁晶体从与N,N-二甲基甲酰胺的分散液中取出，并过滤，然后用四氢呋喃充分洗净过滤器上的残渣。将残渣真空干燥以产出0.42份的羟基镓酞菁晶体。图2示出所得晶体的粉末X-射线衍射模式。
TG测量示出在不小于450℃的范围内的重量减少量增加，其高于在200℃至360℃的范围内示出的仅由示例化合物(1-1)的蒸发引起的重量减少。因此，发现由式(1)表示的化合物(示例化合物(1-1))包含在实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体内。
另外，NMR测量确认实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体内包含0.34质量％的示例化合物(1-1)和2.21质量％的N,N-二甲基甲酰胺，该值由质子比计算。
实施例1-2
除了将0.05份的示例化合物(1-1)改变为0.5份的示例化合物(1-1)以外，按与实施例1-1相同的处理获得0.25份的羟基镓酞菁晶体。图3示出所得晶体的粉末X-射线衍射模式。
TG测量示出在不小于360℃的范围内的重量减少量增加，其高于在200℃至360℃的范围内示出的仅由示例化合物(1-1)的蒸发引起的重量减少。因此，发现由式(1)表示的化合物(示例化合物(1-1))包含在实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体内。
另外，NMR测量确认实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体内包含1.09质量％的示例化合物(1-1)和2.60质量％的N,N-二甲基甲酰胺，该值由质子比计算。
实施例1-3
除了将实施例1-1中的示例化合物(1-1)改变为示例化合物(1-2)以外，按与实施例1-1相同的处理获得0.44份的羟基镓酞菁晶体。所得晶体的粉末X-射线衍射模式类似于图2。
TG测量示出在不小于450℃的范围内的重量减少量增加，其高于在300℃至400℃的范围内示出的仅由示例化合物(1-2)的蒸发引起的重量减少。因此，发现由式(1)表示的化合物(示例化合物(1-2))包含在实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体内。
另外，NMR测量确认实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体内包含0.15质量％的示例化合物(1-2)和2.00质量％的N,N-二甲基甲酰胺，该值由质子比计算。
实施例1-4
除了将实施例1-3中的N,N-二甲基甲酰胺改变为二甲亚砜以外，按与实施例1-3相同的处理获得0.41份的羟基镓酞菁晶体。图4示出所得晶体的粉末X-射线衍射模式。
NMR测量确认实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体内包含0.05质量％的示例化合物(1-2)和2.18质量％的二甲亚砜，该值由质子比计算。发现示例化合物(1-2)包含在酞菁晶体内，这是因为示例化合物(1-2)溶解在二甲亚砜中。
实施例1-5
除了将实施例1-1中的示例化合物(1-1)改变为示例化合物(1-3)以外，按与实施例1-1相同的处理获得0.45份的羟基镓酞菁晶体。所得晶体的粉末X-射线衍射模式类似于图2。
TG测量示出在不小于450℃的范围内的重量减少量增加，其高于在300℃至380℃的范围内示出的仅由示例化合物(1-3)的蒸发引起的重量减少。因此，发现由式(1)表示的化合物(示例化合物(1-3))包含在实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体内。
另外，NMR测量确认实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体内包含0.17质量％的示例化合物(1-3)和2.18质量％的N,N-二甲基甲酰胺，该值由质子比计算。
实施例1-6
除了将实施例1-1中的示例化合物(1-1)改变为示例化合物(2-1)以外，按与实施例1-1相同的处理获得0.38份的羟基镓酞菁晶体。所得晶体的粉末X-射线衍射模式类似于图2。
TG测量示出在不小于360℃的范围内的重量减少量增加，其高于在300℃至360℃的范围内示出的仅由示例化合物(2-1)的蒸发引起的重量减少。因此，发现由式(2)表示的化合物(示例化合物(2-1))包含在实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体内。
另外，NMR测量确认实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体内包含1.72质量％的示例化合物(2-1)和2.32质量％的N,N-二甲基甲酰胺，该值由质子比计算。
比较例1-1
除了不添加实施例1-1中的示例化合物(1-1)以外，按与实施例1-1相同的处理获得0.4份的羟基镓酞菁晶体。所得羟基镓酞菁晶体的粉末X-射线衍射模式类似于图3。
实施例2-1
将由60份的被覆有氧化锡的硫酸钡颗粒(商品名：Passtran PC1，由MITSUI MINING&SMELTING CO.,LTD.制造)，15份的氧化钛颗粒(商品名：TITANIX JR，由TAYCA CORPORATION制造)，43份的可熔型(resole-type)酚树脂(商品名：Phenolite J-325，由DIC Corporation制造，固成分：70质量％)，0.015份的硅油(商品名：SH28PA，由Dow Corning Toray Co.,Ltd.制造)，3.6份的硅酮树脂(商品名：Tospearl 120，由Momentive Performance Materials Inc.制造)，50份的2-甲氧基-1-丙醇，和50份的甲醇形成的溶液在球磨机内进行分散处理20小时。由此制备导电层用涂布液。
通过浸涂将导电层用涂布液涂布至作为支承体的铝圆筒(具有24mm直径)以形成涂膜，然后在140℃下干燥所得涂膜30分钟。由此形成具有15μm厚度的导电层。
接下来，将10份的共聚物尼龙树脂(商品名：Amilan CM8000，由TorayIndustries,Inc.制造)和30份的甲氧基甲基化6-尼龙树脂(methoxymethylated6-nylon resin)(商品名：Toresin EF-30T，由Nagase ChemteX Corporation制造)溶解在400份的甲醇和200份的正丁醇的混合溶剂中。由此制备底涂层用涂布液。
通过浸涂将底涂层用涂布液涂布至导电层然后干燥所得涂膜。由此形成具有0.5μm厚度的底涂层。
接下来，将10份的实施例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体(电荷产生物质)、5份的聚乙烯醇缩丁醛(商品名：S-LEC BX-1，由SEKISUI CHEMICAL CO.,LTD.制造)、和250份的环己酮装入使用各自具有1mm直径的玻璃珠的砂磨机中，然后进行分散处理1小时。用250份的乙酸乙酯稀释所得物。由此制备电荷产生层用涂布液。
通过浸涂将电荷产生层用涂布液涂布至底涂层，然后在100℃下干燥所得涂膜10分钟。由此形成具有0.16μm厚度的电荷产生层。
接下来，将8份的由下式(3)表示的化合物(电荷输送物质)和10份的聚碳酸酯(商品名：Iupilon Z-200，由MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY,INC.制造)溶解在70份的一氯苯中。由此制备电荷输送层用涂布液。
通过浸涂将电荷输送层用涂布液涂布至电荷产生层，然后在110℃下干燥所得涂膜1小时。由此形成具有23μm厚度的电荷输送层。
由此生产实施例2-1的圆筒状(鼓状)电子照相感光构件。
实施例2-2
除了将实施例2-1中的用于电荷产生层用涂布液的制备的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-2中获得的羟基镓酞菁晶体以外，按与实施例2-1相同的方式生产实施例2-2的电子照相感光构件。
实施例2-3
除了将实施例2-1中的用于电荷产生层用涂布液的制备的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-3中获得的羟基镓酞菁晶体以外，按与实施例2-1相同的方式生产实施例2-3的电子照相感光构件。
实施例2-4
除了将实施例2-1中的用于电荷产生层用涂布液的制备的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-4中获得的羟基镓酞菁晶体以外，按与实施例2-1相同的方式生产实施例2-4的电子照相感光构件。
实施例2-5
除了将实施例2-1中的用于电荷产生层用涂布液的制备的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-5中获得的羟基镓酞菁晶体以外，按与实施例2-1相同的方式生产实施例2-5的电子照相感光构件。
实施例2-6
除了将实施例2-1中的用于电荷产生层用涂布液的制备的羟基镓酞菁晶体改变为实施例1-6中获得的羟基镓酞菁晶体以外，按与实施例2-1相同的方式生产实施例2-6的电子照相感光构件。
比较例2-1
除了将实施例2-1中的用于电荷产生层用涂布液的制备的羟基镓酞菁晶体改变为比较例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体以外，按与实施例2-1相同的方式生产比较例2-1的电子照相感光构件。
比较例2-2
除了在比较例2-1中，在电荷产生层用涂布液的制备时，添加10份比较例1-1中获得的羟基镓酞菁晶体和0.1份的示例化合物(1-1)以外，按与比较例2-1相同的方式生产比较例2-2的电子照相感光构件。
比较例2-3
除了将比较例2-2中的用于电荷产生层用涂布液的制备的示例化合物(1-1)改变为示例化合物(2-1)以外，按与比较例2-2相同的方式生产比较例2-3的电子照相感光构件。
实施例2-1至2-6和比较例2-1至2-3的评价
将实施例2-1至2-6和比较例2-1至2-3的电子照相感光构件进行重影图像评价。
评价用的电子照相设备为如下施加改造的由Hewlett-Packard Japan,Ltd.制造的激光束打印机(商品名：Color Laser Jet CP3525dn)。即，改造该打印机以使在预曝光的同时不开启操作，并且充电条件和图像曝光值为可变的。另外，改造该打印机以便即使当将任一生产的电子照相感光构件安装至青色用处理盒并将盒附着至青色处理盒的站，且任何其它颜色用处理盒未附着至该打印机的主体时仍能操作。
图像输出时，仅青色用处理盒附着至主体并输出单独由青色调色剂形成的单色图像。
首先，在具有23℃温度和55％RH相对湿度的常温常湿环境下，调整充电条件和图像曝光值以使初期的暗部电位和明部电位分别为-500V和-100V。如下所述测量设定电位时的鼓状电子照相感光构件的表面电位。改造处理盒，将电位探针(商品名：model 6000B-8，由TREK JAPAN制造)安装在显影位置，然后用表面电位计(商品名：model 344，由TREK JAPAN制造)测量圆筒状电子照相感光构件的中央部的电位。
之后，在相同条件下进行重影图像评价。之后，进行1000张通纸耐久试验(1,000-sheet-passing durability test)，并在耐久试验后即刻和耐久试验后15小时进行重影图像评价。表1示出在常温常湿环境下的评价结果。
接下来，将电子照相感光构件与评价用电子照相设备一起放置在具有15℃温度和10％RH相对湿度的低温低湿环境下3天。之后进行重影图像评价。然后，在相同条件下进行1000张通纸耐久试验，并在耐久试验后即刻和耐久试验后15小时进行重影图像评价。表1一并示出在低温低湿环境下的评价结果。
应注意，在将E文字图像仅用青色以1％的打印率打印在A4大小的普通纸上的条件下进行通纸耐久试验。
另外，以下描述重影图像评价的方法。
对按以下顺序输出的总计八个重影图像进行重影图像评价。在第一张输出实白图像。之后，每一张各自输出四种重影图表(ghost charts)，即输出总计四张。接下来，输出一张实黑图像。之后，每一张各自输出四种重影图表，即再次输出总计四张。如下所述将重影图表分等级。在从打印图像起始位置(距纸上端10mm)到30mm距离的范围内，将25mm边长的四个实黑正方形以等间隔且相互平行地排列在实白背景中，并在距离打印图像起始位置大于30mm的范围内，输出四种半色调打印图案。
四种重影图表为在距离打印图像起始位置大于30mm的范围内仅半色调图案相互不同的图表，且半色调图案为以下四种：
(1)每一个空格(space)横向*打印一点的打印(激光曝光)图案；
(2)每两个空格横向*打印一点的打印(激光曝光)图案；
(3)每三个空格横向*打印一点的打印(激光曝光)图案；和
(4)桂马图案(在六格(square)中打印两点类似于日本象棋中桂马的移动的图案)的打印(激光曝光)图案。
*：术语"横向"指激光扫描仪的扫描方向(输出纸的水平方向)。
如下所述将重影图像分等级。应注意判断各等级4、5和6中未充分获得本发明的效果。
等级1：各重影图表中未观察到重影。
等级2：特定的重影图表中观察到轻微重影。
等级3：各重影图表中观察到轻微重影。
等级4：特定的重影图表中观察到重影。
等级5：各重影图表中观察到重影。
等级6：特定的重影图表中明确观察到重影。
表1重影图像评价结果
虽然已参照示例性实施方案来描述本发明，但是应了解到本发明不限制于公开的示例性实施方案。权利要求的范围应与最宽泛的解释相一致，以便涵盖所有此类修改和同等的结构和功能。
本申请要求2012年12月14日提交的日本专利申请No.2012-273718和2013年11月27日提交的日本专利申请No.2013-245137的权益，其全部内容通过参考引入此处。

Claims (14)

1.一种电子照相感光构件，其包括：
支承体；和
形成在所述支承体上的感光层；
其特征在于所述感光层包括镓酞菁晶体，
所述镓酞菁晶体内包含由下式(1)表示的化合物：
其中，
n表示选自4至8的整数，
n个R1可相同或互不同，并表示氢原子或者取代或未取代的烷基，
n个R2可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，
n个R3可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，和
n个Ar1可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。
2.根据权利要求1所述的电子照相感光构件，其中至少两个R1表示烷基。
3.根据权利要求1或2所述的电子照相感光构件，其中至少一个Ar1表示具有选自由氰基、硝基、和卤素原子组成的组中的至少一种基团的苯基。
4.根据权利要求3所述的电子照相感光构件，其中至少一个Ar1表示在其间位具有氰基和硝基之一的苯基。
5.一种电子照相感光构件，其包括：
支承体；和
形成在所述支承体上的感光层；
其特征在于所述感光层包括镓酞菁晶体，
所述镓酞菁晶体内包含由下式(2)表示的化合物：
其中，
4个R11可相同或互不同，并表示氢原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基，和
4个Ar11可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。
6.根据权利要求5所述的电子照相感光构件，其中全部4个R11表示烷基。
7.根据权利要求5或6所述的电子照相感光构件，其中至少一个Ar11表示具有选自由氰基、硝基、和卤素原子组成的组中的至少一种基团的苯基。
8.根据权利要求7所述的电子照相感光构件，其中至少一个Ar11表示表示在其间位具有氰基和硝基之一的苯基。
9.根据权利要求1至8任一项所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体包括在其晶体内包含N,N-二甲基甲酰胺的镓酞菁晶体。
10.根据权利要求1至9任一项所述的电子照相感光构件，其中所述镓酞菁晶体为羟基镓酞菁晶体。
11.根据权利要求10所述的电子照相感光构件，其中所述羟基镓酞菁晶体为在CuKα的X-射线衍射中布拉格角2θ为7.4°±0.3°和28.3°±0.3°处具有峰的羟基镓酞菁晶体。
12.一种可拆卸地安装至电子照相设备的主体的处理盒，其特征在于所述处理盒一体化支承：
根据权利要求1至11任一项所述的电子照相感光构件；和
选自由充电装置，显影装置，转印装置，和清洁装置组成的组中的至少一种装置。
13.一种电子照相设备，其特征在于包括：
根据权利要求1至11任一项所述的电子照相感光构件；
充电装置；
图像曝光装置；
显影装置；和
转印装置。
14.一种镓酞菁晶体，其特征在于包含由下式(1)和下式(2)之一表示的化合物：
其中，
n表示选自4至8的整数，
n个R1可相同或互不同，并表示氢原子或者取代或未取代的烷基，
n个R2可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，
n个R3可相同或互不同，并表示氢原子或烷基，和
n个Ar1可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团；和
其中，
4个R11可相同或互不同，并表示氢原子、取代或未取代的烷基、或者取代或未取代的芳基，和
4个Ar11可相同或互不同，并表示取代或未取代的芳族烃环基团，取代或未取代的杂环基团，或由选自由取代的芳族烃环基团、未取代的芳族烃环基团、取代的杂环基团、和未取代的杂环基团组成的组中的多个基团的结合形成的一价基团。
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