CN104809983A - 像素单元驱动电路、驱动方法及像素单元 - Google Patents

Abstract

本发明提供一种像素单元驱动电路，用于驱动有机电致发光器件，包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管及存储电容，所述第一薄膜晶体管用于在一第一扫描信号的控制下导通或截止，并在导通时通过一数据信号给所述存储电容充电，所述第二薄膜晶体管用于在所述存储电容的作用下导通并驱动一有机发光二极管发光，所述第三薄膜晶体管用于在所述第一薄膜晶体管截止时，在一第二扫描信号的控制下导通，并通过一充电信号给所述存储电容充电。所述像素单元驱动电路可以有效防止因存储电容电荷泄露而导致闪屏。本发明还提供一种像素单元及一种像素单元驱动方法。

Description

像素单元驱动电路、驱动方法及像素单元

技术领域

本发明涉及液晶显示技术领域，尤其涉及一种像素单元驱动电路、一种驱动方法及一种像素单元。

背景技术

有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)显示屏，也称为有机电致发光显示屏，是一种新兴的平板显示器件。OLED显示屏具有制备工艺简单、成本低、功耗低、发光亮度高、工作温度范围广、体积轻薄、响应速度快等特点，且易于实现彩色显示、大屏幕显示、柔性显示及与集成电路驱动器相匹配，因而在平板显示领域得到了广泛的应用。

OLED显示屏中的像素单元一般以矩阵方式排列，并且OLED根据驱动方式的不同，可以分为无源矩阵OLED(Passive-Matrix OLED，PM-OLED)驱动显示屏和有源矩阵OLED(Active-Matrix OLED，AM-OLED)驱动显示屏两种。其中，PM-OLED驱动显示屏虽然工艺简单，成本较低，但因存在交叉串扰、高功耗、低寿命等缺点，无法满足高分辨率、大尺寸显示的需要。相比之下，AM-OLED驱动显示屏在每一个像素单元中都集成了一组由薄膜晶体管(Thin FilmTransistor，TFT)和存储电容组成的像素单元驱动电路，通过对TFT的导通或截止的控制，可实现对通过OLED的电流的控制，从而控制该OLED发光。由于驱动电路加入了TFT和存储电容，使得每一个像素单元中的OLED在可控的一帧时间内都能够发光，而且所需驱动电流小，功耗低，寿命更长，可以满足高分辨率、多灰度、大尺寸显示的需要。

图1所示为现有技术中OLED显示屏中的一个像素单元驱动电路。其中，T1为开关薄膜晶体管，T2为驱动薄膜晶体管，C_s为存储电容，扫描线用于提供扫描信号，数据线用于提供数据信号。当扫描线提供的扫描信号处于高电平时，开关薄膜晶体管T1的栅极g1被施加上一定的电压，进而使开关薄膜晶体管T1进入导通状态，开关薄膜晶体管T1的源极s1和漏极d1之间的压差降到一个很小值，此时开关薄膜晶体管T1近似可以看成是短路状态。数据线提供的数据信号通过开关薄膜晶体管T1储存到存储电容C_s上，即为存储电容C_s充电。薄膜晶体管T2连接于该存储电容C_s一端，当该存储电容C_s一端的电压达到驱动薄膜晶体管T2的开启电压时，驱动薄膜晶体管T2导通，并驱动OLED发光。当扫描线提供的扫描信号处于低电平时，则开关薄膜晶体管T1处于截止状态，然而，由于开关薄膜晶体管T1存在漏电流，则存储电容C_s上的电荷会在开关薄膜晶体管T1处于截止状态时沿开关薄膜晶体管T1泄露至所述数据线，导致存储电容C_s电压逐渐下降，即存在跳变电压(如图2)，从而使得所述驱动薄膜晶体管T2的栅极g2的电压在所述开关薄膜晶体管T1处于截止状态时大幅度下降，进而引起OLED显示屏闪烁。

发明内容

本发明提供一种像素单元驱动电路，通过增加一充电信号，并用于在开关薄膜晶体管截止期间对存储电容进行充电，以防止因电荷泄露而导致存储电容电压不稳而导致闪屏。

另，本发明还提供一种应用该像素单元驱动电路的像素单元，通过增加一充电线提供所述充电信号，并用于在开关薄膜晶体管截止期间对存储电容进行充电，以防止因电荷泄露而导致存储电容电压不稳而导致闪屏，提升像素单元的稳定性。

另，本发明还提供一种应用该像素单元驱动电路的像素单元驱动方法，通过提供所述充电信号，并用于在开关薄膜晶体管截止期间对存储电容进行充电，以防止因电荷泄露而导致存储电容电压不稳而导致闪屏，提升显示质量。

一种像素单元驱动电路，用于驱动有机电致发光器件，所述像素单元驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管及存储电容，所述第一薄膜晶体管用于在一第一扫描信号的控制下导通或截止，并在导通时通过一数据信号给所述存储电容充电，所述第二薄膜晶体管用于在所述存储电容的作用下导通并驱动一有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)发光，所述第三薄膜晶体管用于在所述第一薄膜晶体管截止时，在一第二扫描信号的控制下导通，并通过一充电信号给所述存储电容充电。

其中，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第三薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第一栅极用于接收所述第一扫描信号，所述第一源极用于接收所述数据信号，所述第一漏极与所述第二栅极、所述第三漏极及所述存储电容的一端连接，所述存储电容的另一端与所述第二漏极连接，所述第二源极与所述OLED的一端连接，所述OLED的另一端接地，所述第三漏极与所述第二栅极及所述存储电容的一端连接，所述第三栅极用于接收所述第二扫描信号，所述第三源极用于接收所述充电信号。

其中，所述像素单元驱动电路还包括一电源，所述电源与所述第二漏极连接，用于为所述像素单元驱动电路提供驱动电压。

一种像素单元，包括第一扫描线、第二扫描线、数据线、充电线及所述像素单元驱动电路，所述第一扫描线用于提供第一扫描信号，所述第二扫描线用于提供第二扫描信号，所述数据线用于提供数据信号，所述充电线用于提供充电信号，所述第二扫描信号相对于所述第一扫描信号具有一第一延迟时间，所述充电信号相对于所述数据信号具有一第二延迟时间。

其中，所述第一扫描信号与所述数据信号互为同步信号，所述第二扫描信号与所述充电信号互为同步信号，且所述第一扫描信号、第二扫描信号、数据信号及充电信号的周期均为所述像素单元的一个帧周期。

其中，所述第一延迟时间等于所述第二延迟时间，且所述第一延迟时间及第二延迟时间均小于或等于所述像素单元的3/4个帧周期。

一种像素单元驱动方法，包括：

提供第一扫描信号、第二扫描信号、数据信号及充电信号；

第一薄膜晶体管在所述第一扫描信号的作用下导通，以使所述数据信号通过所述第一薄膜晶体管对存储电容充电；

当所述存储电容连接至第二薄膜晶体管的第二栅极一端的电压达到所述第二薄膜晶体管的开启电压时，所述第二薄膜晶体管导通，以驱动一有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)发光；

所述第一薄膜晶体管在所述第一扫描信号的作用下截止，且所述存储电容继续维持所述第二薄膜晶体管导通，以驱动所述OLED发光；

当所述第一薄膜晶体管截止一预定时间后，第三薄膜晶体管在所述第二扫描信号的作用下导通，并使所述充电信号通过所述第三薄膜晶体管对所述存储电容充电。

其中，所述第一扫描信号与所述数据信号互为同步信号，所述第二扫描信号与所述充电信号互为同步信号，所述第二扫描信号相对于所述第一扫描信号具有一第一延迟时间，所述充电信号相对于所述数据信号具有一第二延迟时间，且所述第一扫描信号、第二扫描信号、数据信号及充电信号的周期均为所述像素单元的一个帧周期。

其中，所述第一延迟时间等于所述第二延迟时间，且所述第一延迟时间及第二延迟时间均小于或等于所述像素单元的3/4个帧周期。

其中，所述预定时间等于所述第一延迟时间或第二延迟时间。

本发明所述的像素单元驱动电路，通过提供一个相对于数据信号延迟了3/4帧周期的充电信号，并提供一个相对于所述第一扫描信号延迟了3/4帧周期的第二扫描信号来控制所述第三薄膜晶体管导通或截止，以在所述第一薄膜晶体管截止时，由所述第二扫描信号控制所述第三薄膜晶体管导通，从而使所述充电信号通过所述第三薄膜晶体管为所述存储电容充电，以防止所述第一薄膜晶体管截止期间，因电荷泄露使得所述存储电容电压不稳而导致闪屏。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是现有技术中OLED显示屏的一个像素单元驱动电路示意图。

图2是图1所示像素单元驱动电路的存储电容在一个帧周期内的电压跳变示意图。

图3是本发明第一实施例的像素单元驱动电路结构示意图。

图4是图3所示像素单元驱动电路的第一扫描信号和第二扫描信号的关系示意图。

图5是图3所示像素单元驱动电路的数据信号和充电信号的关系示意图。

图6是本发明第二实施例的像素单元的结构示意图。

图7是本发明第三实施例的像素单元驱动方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

请参阅图3，本发明第一实施例提供一种像素单元驱动电路30，用于驱动有机电致发光器件，其包括电源V_DD、第一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3及存储电容C_s。所述第一薄膜晶体管T1为开关TFT，用于在一第一扫描信号V_s1的控制下导通或截止，并在导通时通过一数据信号V_data给所述存储电容C_s充电。所述第二薄膜晶体管T2为驱动TFT，用于在所述存储电容C_s的作用下导通并驱动一有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)发光。所述第三薄膜晶体管T3用于在一第二扫描信号V_s2的控制下导通或截止，并在导通时通过一充电信号V_c给所述存储电容C_s充电。所述电源VDD用于为该像素单元驱动电路30提供驱动电压。

所述第一薄膜晶体管T1包括第一栅极g1、第一源极s1及第一漏极d1。所述第二薄膜晶体管T2包括第二栅极g2、第二源极s2及第二漏极d2。所述第三薄膜晶体管T3包括第三栅极g3、第三源极s3及第三漏极d3。所述第一栅极g1用于接收所述第一扫描信号V_s1。所述第一源极s1用于接收所述数据信号V_data。所述第一漏极d1与所述第二栅极g2、第三漏极d3及所述存储电容C_s的一端连接，所述存储电容C_s的另一端与所述电源V_DD及所述第二漏极d2连接，即，该存储电容C_s连接于所述第二栅极g2与第二漏极d2之间。所述第二源极s2与所述OLED的一端连接，所述OLED的另一端接地。所述第三漏极d3与所述第二栅极g2及所述存储电容C_s的一端连接，所述第三栅极g3用于接收所述第二扫描信号V_s2。所述第三源极s3用于接收所述充电信号V_c。

请参阅图4，所述第一扫描信号V_s1与所述第二扫描信号V_s2为具有相同波形的周期信号，且所述第二扫描信号V_s2相对于所述第一扫描信号V_s1具有一第一延迟时间。在本实施例中，所述第一扫描信号V_s1与第二扫描信号V_s2的周期均为一个帧周期，且具有相同的峰值V₁，所述第一延迟时间为3/4帧周期。可以理解，所述第一延迟时间还可以小于3/4帧周期，如，2/3帧周期、3/5帧周期、1/2帧周期等。

请参阅图5，所述数据信号V_data与所述充电信号V_c为具有相同波形的周期信号，且所述充电信号V_c相对于所述数据信号V_data具有一第二延迟时间。在本实施例中，所述数据信号V_data与充电信号V_c的周期均为一个帧周期，且具有相同的峰值V₂，所述第二延迟时间为3/4帧周期。可以理解，所述第二延迟时间还可以小于3/4帧周期，如，2/3帧周期、3/5帧周期、1/2帧周期等。

在本实施例中，所述第一扫描信号V_s1与所述数据信号V_data互为同步信号，所述第二扫描信号V_s2与所述充电信号V_c互为同步信号。即，所述第一延迟时间等于所述第二延迟时间，且二者均可设置为小于或等于3/4个帧周期。

下面结合图3至图5进一步说明所述像素单元驱动电路30的工作原理，此处以所述第一延迟时间为3/4帧周期，第二延迟时间为3/4帧周期为例加以说明。

当所述第一扫描信号V_s1为高电平时，所述第一薄膜晶体管T1在第一扫描信号V_s1的作用下导通，所述数据信号V_data通过所述第一薄膜晶体管T1对所述存储电容C_s进行充电。所述第三薄膜晶体管T3在所述第二扫描信号V_s2的作用下截止。当所述存储电容C_s连接至所述第二栅极g2一端的电压达到所述第二薄膜晶体管T2的开启电压时，则该第二薄膜晶体管T2导通，进而驱动所述OLED发光。

当所述第一扫描信号V_s1为低电平时，所述第一薄膜晶体管T1在所述第一扫描信号V_s1的作用下截止。所述第二薄膜晶体管T2在存储电容C_s的作用下导通，进而驱动所述OLED发光。由于所述第一薄膜晶体管T1存在漏电流，所述存储电容C_s上的电荷会在第一扫描信号V_s1为低电平期间沿第一薄膜晶体管T1泄露至所述数据线，导致所述存储电容C_s的电压逐渐下降。为防止因所述存储电容C_s的电压下降过大而导致OLED闪烁，当所述第一薄膜晶体管T1截止一预定时间后，所述第三薄膜晶体管T3在所述第二扫描信号V_s2的作用下导通，使得所述充电信号V_c通过所述第三薄膜晶体管T3对所述存储电容C_s进行充电，从而保证所述存储电容C_s能够提供足够的电压以驱动所述OLED持续稳定发光，并持续到所述第一扫描信号V_s1变为高电平，进而重复上述过程。其中，所述预定时间小于或等于像素单元的3/4个帧周期。

所述像素单元驱动电路30通过提供一个相对于数据信号V_data延迟了3/4帧周期的充电信号V_c，并提供一个相对于所述第一扫描信号V_s1延迟了3/4帧周期的第二扫描信号V_s2来控制所述第三薄膜晶体管T3导通或截止，以在所述第一扫描信号V_s1为低电平时，由所述第二扫描信号V_s2控制所述第三薄膜晶体管T3导通，从而使所述充电信号V_c通过所述第三薄膜晶体管T3为所述存储电容C_s充电，以防止所述第一薄膜晶体管T1处于截止状态时，因电荷泄露使得所述存储电容C_s电压不稳而导致闪屏。

请参阅图6，本发明第二实施例提供一种应用上述像素单元驱动电路30的像素单元60。所述像素单元60包括第一扫描线61、第二扫描线63、数据线65、充电线67、电源V_DD、第一薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)T1、第二薄膜晶体管T2、第三薄膜晶体管T3、存储电容C_s及有机发光二极管(OrganicLight-Emitting Diode，OLED)。所述第一扫描线61用于提供第一扫描信号V_s1。所述第二扫描线63用于提供第二扫描信号V_s2。所述数据线65用于提供数据信号V_data。所述充电线67用于提供充电信号V_c。所述电源V_DD用于为该像素单元60提供驱动电压。所述第一薄膜晶体管T1为开关TFT，其与第一扫描线61及数据线65连接，用于在所述第一扫描信号V_s1的控制下导通或截止，并在导通时使得所述数据信号V_data通过该第一薄膜晶体管T1给所述存储电容C_s充电。所述第二薄膜晶体管T2为驱动TFT，其与所述第一薄膜晶体管T1、电源V_DD及存储电容C_s连接，用于在所述存储电容C_s的作用下导通并驱动所述OLED发光。所述第三薄膜晶体管T3与所述第一薄膜晶体管T1、第二薄膜晶体管T2、充电线67及所述第二扫描线63连接，用于在所述第二扫描信号V_s2的控制下导通或截止，并在导通时使得所述充电信号V_c通过该第三薄膜晶体管T3给所述存储电容C_s充电。

所述第一薄膜晶体管T1包括第一栅极g1、第一源极s1及第一漏极d1。所述第二薄膜晶体管T2包括第二栅极g2、第二源极s2及第二漏极d2。所述第三薄膜晶体管T3包括第三栅极g3、第三源极s3及第三漏极d3。所述第一栅极g1连接所述第一扫描线61。所述第一源极s1连接所述数据线65。所述第一漏极d1与所述第二栅极g2、第三漏极d3及所述存储电容C_s的一端连接，所述存储电容C_s的另一端与所述电源V_DD及所述第二漏极d2连接，即，该存储电容C_s连接于所述第二漏极d2与第二栅极g2之间。所述第二源极s2用于连接所述OLED的一端，所述OLED的另一端接地。所述第三漏极d3与所述第二栅极g2及所述存储电容C_s的一端连接，所述第三栅极g3连接所述第二扫描线63，所述第三源极s3连接所述充电线67。

其中，所述第一扫描信号V_s1与所述第二扫描信号V_s2为具有相同波形的周期信号，且所述第二扫描信号V_s2相对于所述第一扫描信号V_s1具有一第一延迟时间。在本实施例中，所述第一扫描信号V_s1与第二扫描信号V_s2的周期均为所述像素单元60的一个帧周期，且具有相同的峰值V₁，所述第一延迟时间为3/4帧周期。可以理解，所述第一延迟时间还可以小于3/4帧周期，如，2/3帧周期、3/5帧周期、1/2帧周期等。

其中，所述数据信号V_data与所述充电信号V_c为具有相同波形的周期信号，且所述充电信号V_c相对于所述数据信号V_data具有一第二延迟时间。在本实施例中，所述数据信号V_data与充电信号V_c的周期均为所述像素单元60的一个帧周期，且具有相同的峰值V₂，所述第二延迟时间为3/4帧周期。可以理解，所述第二延迟时间还可以小于3/4帧周期，如，2/3帧周期、3/5帧周期、1/2帧周期等。

在本实施例中，所述第一扫描信号V_s1与所述数据信号V_data互为同步信号，所述第二扫描信号V_s2与所述充电信号V_c互为同步信号，即，所述第一延迟时间等于所述第二延迟时间，且二者均可设置为小于或等于3/4个帧周期。

下面进一步说明所述像素单元60的工作原理，此处以所述第一延迟时间为3/4帧周期，第二延迟时间为3/4帧周期为例加以说明。

当所述第一扫描信号V_s1为高电平时，第一薄膜晶体管T1在第一扫描信号V_s1的作用下导通，所述数据信号V_data通过所述第一薄膜晶体管T1对所述存储电容C_s进行充电。第三薄膜晶体管T3在第二扫描信号V_s2的作用下截止。当所述存储电容C_s连接至所述第二栅极g2一端的电压达到所述第二薄膜晶体管T2的开启电压时，第二薄膜晶体管T2导通，进而驱动所述OLED发光。

当所述第一扫描信号V_s1为低电平时，第一薄膜晶体管T1在第一扫描信号V_s1的作用下截止。第二薄膜晶体管T2在存储电容C_s的作用下导通，进而驱动所述OLED发光。由于第一薄膜晶体管T1存在漏电流，存储电容C_s上的电荷会在第一扫描信号V_s1为低电平期间沿第一薄膜晶体管T1泄露至所述数据线65，导致存储电容C_s电压逐渐下降。为防止因所述存储电容C_s的电压下降过大而导致OLED闪烁，当所述第一薄膜晶体管T1截止一预定时间后，所述第三薄膜晶体管T3在所述第二扫描信号V_s2的作用下导通，使得所述充电信号V_c通过所述第三薄膜晶体管T3对所述存储电容C_s进行充电，从而保证所述存储电容C_s能够提供足够的电压以驱动所述OLED持续稳定发光，并持续到所述第一扫描信号V_s1变为高电平，进而重复上述过程。其中，所述预定时间小于或等于像素单元的3/4个帧周期。

所述像素单元60通过增加所述充电线67提供充电信号V_c，且将所述充电信号V_c设置为延迟3/4帧周期的数据信号V_data，并通过提供一个相对于所述第一扫描信号V_s1延迟了3/4帧周期的第二扫描信号V_s2来控制所述第三薄膜晶体管T3导通或截止，以在所述第一扫描信号V_s1为低电平时，由所述第二扫描信号V_s2控制所述第三薄膜晶体管T3导通，从而使所述充电信号V_c通过所述薄膜晶体管T3为所述存储电容C_s充电，以防止所述第一薄膜晶体管T1处于截止状态时，因电荷泄露使得所述存储电容C_s电压不稳而导致闪屏。

请一并参阅图6和图7，本发明第三实施例提供一种应用上述像素单元驱动电路30的像素单元驱动方法。所述像素单元驱动方法至少包括以下步骤。

步骤S1：提供第一扫描信号V_s1、第二扫描信号V_s2、数据信号V_data及充电信号V_c。

具体地，所述第一扫描信号V_s1由第一扫描线61提供，所述第二扫描信号V_s2由第二扫描线63提供，所述数据信号V_data由数据线65提供，所述充电信号V_c由充电线67提供。

其中，所述第一扫描信号V_s1与所述第二扫描信号V_s2为具有相同波形的周期信号，且所述第二扫描信号V_s2相对于所述第一扫描信号V_s1具有一第一延迟时间。在本实施例中，所述第一扫描信号V_s1与第二扫描信号V_s2的周期均为一个帧周期，且具有相同的峰值V₁，所述第一延迟时间为3/4帧周期。可以理解所述第一延迟时间还可以小于3/4帧周期，如，2/3帧周期、3/5帧周期、1/2帧周期等。

其中，所述数据信号V_data与所述充电信号V_c为具有相同波形的周期信号，且所述充电信号V_c相对于所述数据信号V_data具有一第二延迟时间。在本实施例中，所述数据信号V_data与充电信号V_c的周期均为一个帧周期，且具有相同的峰值V₂，所述第二延迟时间为3/4帧周期。可以理解，所述第二延迟时间还可以小于3/4帧周期，如，2/3帧周期、3/5帧周期、1/2帧周期等。

在本实施例中，所述第一扫描信号V_s1与所述数据信号V_data互为同步信号，所述第二扫描信号V_s2与所述充电信号V_c互为同步信号，即，所述第一延迟时间等于所述第二延迟时间，且二者均可设置为小于或等于3/4个帧周期。

步骤S2：第一薄膜晶体管T1在所述第一扫描信号V_s1的作用下导通，以使所述数据信号V_data通过所述第一薄膜晶体管T1对存储电容C_s充电。

具体地，当所述第一扫描信号V_s1为高电平时，所述第一薄膜晶体管T1在第一扫描信号V_s1的作用下导通，同时，第三薄膜晶体管T3在所述第二扫描信号V_s2的作用下截止。所述数据信号V_data通过所述第一薄膜晶体管T1对所述存储电容C_s进行充电。

步骤S3：当所述存储电容C_s连接至第二薄膜晶体管T2的第二栅极g2一端的电压达到所述第二薄膜晶体管T2的开启电压时，所述第二薄膜晶体管T2导通，以驱动OLED发光。

步骤S4：所述第一薄膜晶体管T1在所述第一扫描信号V_s1的作用下截止，且所述存储电容C_s继续维持所述第二薄膜晶体管T2导通，以驱动所述OLED发光。

具体地，当所述第一扫描信号V_s1为低电平时，所述第一薄膜晶体管T1在所述第一扫描信号V_s1的作用下截止。所述第二薄膜晶体管T2在存储电容C_s的作用下导通，进而驱动所述OLED发光。由于第一薄膜晶体管T1存在漏电流，所述存储电容C_s上的电荷会在第一扫描信号V_s1为低电平期间沿第一薄膜晶体管T1泄露至所述数据线65，导致存储电容C_s电压逐渐下降。

步骤S5：当所述第一薄膜晶体管T1截止一预定时间后，第三薄膜晶体管T3在所述第二扫描信号V_s2的作用下导通，并使所述充电信号V_c通过所述第三薄膜晶体管T3对所述存储电容C_s充电。其中，所述预定时间小于或等于像素单元的3/4个帧周期。

具体地，为防止因所述存储电容C_s的电压下降过大而导致OLED闪烁，当所述第一薄膜晶体管T1截止所述预定时间后，所述第三薄膜晶体管T3在所述第二扫描信号V_s2的作用下导通，使得所述充电信号V_c通过所述第三薄膜晶体管T3对所述存储电容C_s进行充电，从而保证所述存储电容C_s能够提供足够的电压以驱动所述OLED持续稳定发光，并持续到所述第一扫描信号V_s1变为高电平，进而重复上述步骤S1-S5。

以上所揭露的仅为本发明的较佳实施例而已，当然不能以此来限定本发明之权利范围，本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分流程，并依本发明权利要求所作的等同变化，仍属于发明所涵盖的范围。

Claims (10)

1.一种像素单元驱动电路，用于驱动有机电致发光器件，其特征在于，所述像素单元驱动电路包括第一薄膜晶体管、第二薄膜晶体管、第三薄膜晶体管及存储电容，所述第一薄膜晶体管用于在一第一扫描信号的控制下导通或截止，并在导通时通过一数据信号给所述存储电容充电，所述第二薄膜晶体管用于在所述存储电容的作用下导通并驱动一有机发光二极管(Organic Light-EmittingDiode，OLED)发光，所述第三薄膜晶体管用于在所述第一薄膜晶体管截止时，在一第二扫描信号的控制下导通，并通过一充电信号给所述存储电容充电。

2.如权利要求1所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述第一薄膜晶体管包括第一栅极、第一源极及第一漏极，所述第二薄膜晶体管包括第二栅极、第二源极及第二漏极，所述第三薄膜晶体管包括第三栅极、第三源极及第三漏极，所述第一栅极用于接收所述第一扫描信号，所述第一源极用于接收所述数据信号，所述第一漏极与所述第二栅极、所述第三漏极及所述存储电容的一端连接，所述存储电容的另一端与所述第二漏极连接，所述第二源极与所述OLED的一端连接，所述OLED的另一端接地，所述第三漏极与所述第二栅极及所述存储电容的一端连接，所述第三栅极用于接收所述第二扫描信号，所述第三源极用于接收所述充电信号。

3.如权利要求2所述的像素单元驱动电路，其特征在于，所述像素单元驱动电路还包括一电源，所述电源与所述第二漏极连接，用于为所述像素单元驱动电路提供驱动电压。

4.一种像素单元，包括第一扫描线和数据线，其特征在于，所述像素单元还包括第二扫描线、充电线及如权利要求1-3任意一项所述的像素单元驱动电路，所述第一扫描线用于提供第一扫描信号，所述第二扫描线用于提供第二扫描信号，所述数据线用于提供数据信号，所述充电线用于提供充电信号，所述第二扫描信号相对于所述第一扫描信号具有一第一延迟时间，所述充电信号相对于所述数据信号具有一第二延迟时间。

5.如权利要求4所述的像素单元，其特征在于，所述第一扫描信号与所述数据信号互为同步信号，所述第二扫描信号与所述充电信号互为同步信号，且所述第一扫描信号、第二扫描信号、数据信号及充电信号的周期均为所述像素单元的一个帧周期。

6.如权利要求5所述的像素单元，其特征在于，所述第一延迟时间等于所述第二延迟时间，且所述第一延迟时间及第二延迟时间均小于或等于所述像素单元的3/4个帧周期。

7.一种像素单元驱动方法，其特征在于，所述方法包括：

提供第一扫描信号、第二扫描信号、数据信号及充电信号；

第一薄膜晶体管在所述第一扫描信号的作用下导通，以使所述数据信号通过所述第一薄膜晶体管对存储电容充电；

当所述存储电容连接至第二薄膜晶体管的第二栅极一端的电压达到所述第二薄膜晶体管的开启电压时，所述第二薄膜晶体管导通，以驱动一有机发光二极管(Organic Light-Emitting Diode，OLED)发光；

所述第一薄膜晶体管在所述第一扫描信号的作用下截止，且所述存储电容继续维持所述第二薄膜晶体管导通，以驱动所述OLED发光；

当所述第一薄膜晶体管截止一预定时间后，第三薄膜晶体管在所述第二扫描信号的作用下导通，并使所述充电信号通过所述第三薄膜晶体管对所述存储电容充电。

8.如权利要求7所述的像素单元驱动方法，其特征在于，所述第一扫描信号与所述数据信号互为同步信号，所述第二扫描信号与所述充电信号互为同步信号，所述第二扫描信号相对于所述第一扫描信号具有一第一延迟时间，所述充电信号相对于所述数据信号具有一第二延迟时间，且所述第一扫描信号、第二扫描信号、数据信号及充电信号的周期均为所述像素单元的一个帧周期。

9.如权利要求8所述的像素单元驱动方法，其特征在于，所述第一延迟时间等于所述第二延迟时间，且所述第一延迟时间及第二延迟时间均小于或等于所述像素单元的3/4个帧周期。

10.如权利要求9所述的像素单元驱动方法，其特征在于，所述预定时间等于所述第一延迟时间或第二延迟时间。