CN104808848B - 一种触摸屏的制作方法及触摸屏 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例涉及移动设备技术领域，尤其涉及一种触摸屏的制作方法及触摸屏。本发明实施例中提供的触摸屏的制作方法中，通过在基板上形成中间透明导电层后，刻蚀去除所述中间透明导电层中与触摸屏的虚拟电极对应的部分，以形成图形透明导电层，随后，还形成绝缘层和金属导电层。即发明本实施例中通过去除虚拟电极对应的透明导电层，减少了触摸屏中透明导电层的面积，从而减小了透明导电层中的内应力，增强了触摸屏的强度。
Description
技术领域
本发明实施例涉及移动设备技术领域，尤其涉及一种触摸屏的制作方法及触摸屏。
背景技术
智能移动设备技术近年来得到了快速的发展，人们在工作和生活中越来越离不开移动设备的使用。现有的移动设备一般会设有触摸屏，用户可使用手指在触摸屏上灵活便捷地操控移动设备，所以触摸屏质量的好坏直接影响用户的使用体验。近年来，许多主流移动设备都开始采用全贴合屏幕技术，全贴合是指以水胶或光学胶等将显示面板与保护玻璃以无缝隙的方式完全黏贴在一起，消除了屏幕间的空气，有助于减少显示面板和玻璃之间的反光，可以让屏幕看起来更加通透，增强屏幕的显示效果，且能有效降低显示面板噪声对触控讯号所造成的干扰。
作为全贴合屏幕技术的一种，单玻璃触控技术(Touch on Lens/One GlassSolution，TOL/OGS)已经得到了广泛的应用。TOL/OGS技术是指把触控屏与保护玻璃集成在一起，在保护玻璃内侧镀上氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)导电层，直接在保护玻璃上进行镀膜和光刻，节省了一片玻璃和一次贴合，使触摸屏能够做的更薄且成本更低。ITO导电层是在玻璃上利用溅射、蒸发等多种方法镀上一层ITO膜加工制作成的。由于ITO是金属氧化物，通过高温镀膜，在导电层横向和纵向两个方向上存在内应力，因此会影响玻璃的强度，即影响整个触摸屏的强度。
发明内容
本发明的目的是提出一种触摸屏的制作方法及触摸屏，以解决现有的触摸屏幕强度较低的问题。
一方面，本发明实施例提供了一种触摸屏的制作方法，包括：
基板，在基板上沉积透明导电材料，经构图工艺形成中间透明导电层；
通过刻蚀去除与触摸屏的虚拟电极对应的中间透明导电层形成图形透明导电层，以使图形透明导电层与触摸屏的触摸电极对应；
在图形透明导电层和露出的基板上形成绝缘层；
在所述绝缘层和露出的图形透明导电层上形成金属导电层，其中所述金属导电层包括显示区域的桥接线。
进一步的，通过刻蚀去除与触摸屏的虚拟电极对应的中间透明导电层形成图形透明导电层，以使图形透明导电层与触摸屏的触摸电极对应，包括：
通过刻蚀去除显示区域中与所述虚拟电极对应的中间透明导电层。
进一步的，所述图形透明导电层的面积是所述中间透明导电层的面积的一半。
进一步的，在所述绝缘层和露出的图形透明导电层上形成金属导电层的步骤包括：
在所述绝缘层和露出的图形透明导电层上沉积金属；
在所述金属上沉积光阻材料，经曝光、显影和刻蚀工艺形成金属导电层，并去除光阻材料。
进一步的，所述金属导电层还包括焊盘区域的电路线。
进一步的，所述透明导电材料为氧化铟锡。
另一方面，本发明实施例提供了一种触摸屏，包括：
基板；
图形透明导电层，形成于所述基板上除与触摸屏的虚拟电极对应的部分，所述图形透明导电层与触摸屏的触摸电极对应；
绝缘层，形成于所述图形透明导电层和露出的基板上；
金属导电层，形成于所述绝缘层上，所述金属导电层包括显示区域的桥接线。
进一步的，所述金属导电层还包括焊盘区域的电路线。
进一步的，所述透明导电材料为氧化铟锡。
本发明实施例中提供的一种触摸屏的制作方法及触摸屏，能够增强触摸屏的强度。本发明实施例中提供的触摸屏的制作方法中，通过在基板上形成中间透明导电层后，刻蚀去除所述中间透明导电层中与触摸屏的虚拟电极对应的部分，以形成图形透明导电层，随后，还形成绝缘层和金属导电层。即发明本实施例中通过去除虚拟电极对应的透明导电层，减少了触摸屏中透明导电层的面积，从而减小了透明导电层中的内应力，增强了触摸屏的强度。
附图说明
图1为本发明实施例一提供的一种触摸屏的制作方法的流程示意图；
图2(a)为本发明实施例一提供的去除中间透明导电层中与触摸屏的虚拟电极对应的部分之前的示意图；
图2(b)为本发明实施例一提供的去除中间透明导电层中与触摸屏的虚拟电极对应的部分之后的示意图；
图3(a)为本发明实施例二提供的触摸屏制作方法中步骤a-f的工艺流程示意图；
图3(b)为本发明实施例二提供的触摸屏制作方法中步骤g-k的工艺流程示意图；
图3(c)为本发明实施例二提供的触摸屏制作方法中步骤l-p的工艺流程示意图；
图4为本发明实施例三提供的一种触摸屏的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图并通过具体实施方式来进一步说明本发明的技术方案。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
实施例一
图1为本发明实施例一提供的一种触摸屏的制作方法的流程示意图，如图1所示，该方法包括：
步骤101、在基板上沉积透明导电材料，采用构图工艺形成中间透明导电层。
示例性的，所述基板可为保护玻璃，具体为钠钙基或硅硼基基片玻璃；所述透明导电材料可为氧化铟锡(Indium-Tin Oxide，ITO)。可采用溅射或蒸发等工艺在保护玻璃上沉积ITO材料形成透明导电薄膜。所述构图工艺具体可为光刻工艺，即包括涂胶(光阻材料)、曝光、显影、刻蚀以及去胶等步骤。所述中间透明导电层具体可为按照一定规律排列的多个菱形或其他形状组成的透明导电层。
步骤102、通过刻蚀去除中间透明导电层中与触摸屏的虚拟电极对应的部分，以形成图形透明导电层。
由于ITO是金属氧化物，通过高温镀膜，在横向或纵向(X/Y方向)上存在内应力，因此会影响基板的强度，即影响整个触摸屏的强度。由于ITO薄膜的厚度很薄，在厚度方向的内应力相对比较小，可忽略不计；而ITO薄膜的面积大小会影响内应力的大小，进而影响保护玻璃的强度，因此ITO薄膜面积越小，作用在保护玻璃上的内应力就越小，强度也会越好。
触摸屏上存在一些虚拟电极(dummy区域)，一般被设置于接收线(RX线)或发送线(TX线)的附近区域，将中间透明导电层中的与这些虚拟电极对应的部分去除，便可减小ITO薄膜的面积，以减小作用在保护玻璃上的内应力，进而增强保护玻璃的强度。图2a和图2b为本发明实施例一提供的去除中间透明导电层中与触摸屏的虚拟电极对应的部分的前后对比示意图，由图可见，图2a中与触摸屏的虚拟电极对应的部分201被去除后，在图2b中露出了与之对应的部分基板202，大大减小了ITO薄膜的面积。
优选的，图形透明导电层的面积是中间透明导电层的面积的一半。
示例性的，去除中间透明导电层中与触摸屏的虚拟电极对应的部分的方法具体可为再次采用构图工艺对中间透明导电层进行刻蚀，从而形成图形透明导电层。本步骤中的构图工艺与步骤101中所述的构图工艺的区别在于曝光时所采用的掩膜版的图案不同。
优选的，通过刻蚀去除中间透明导电层中与触摸屏的虚拟电极对应的部分，以形成图形透明导电层，包括：通过刻蚀去除显示区域中与虚拟电极对应的中间透明导电层。
进一步的，也可制备出一种同时包含用于形成中间透明导电层所需图案以及用于形成图形透明导电层所需图案的掩膜版，通过使用该掩膜版来进行一次构图工艺以达到直接形成图形透明导电层的目的。
步骤103、在图形透明导电层和露出的基板上形成绝缘层。
示例性的，所述绝缘层的材料具体可为氮化硅、具有绝缘特性的光阻材料以及其他有机绝缘材料等。若采用光阻材料，则可经过上光阻材料、曝光和显影之后，将留下的光阻材料直接作为绝缘层；若采用氮化硅等材料，可先在图形透明导电层和露出的基板上沉积一层氮化硅等材料，再经过上光阻材料、曝光、显影及刻蚀，形成绝缘层，最后在去掉残余的光阻材料。
步骤104、在绝缘层和露出的图形透明导电层上形成金属导电层。
其中，金属导电层包括显示区域的桥接线。
示例性的，可采用溅射或蒸发等工艺在绝缘层和露出的图形透明导电层上沉积金属，并继续采用构图工艺形成周边电路线和显示区域的桥接线，即在金属上沉积光阻材料，经曝光、显影和刻蚀工艺形成金属导电层，并去除光阻材料。
进一步的，金属导电层还包括焊盘区域的电路线。
本发明实施例一提供的触摸屏的制作方法中，通过在基板上形成中间透明导电层后，刻蚀去除所述中间透明导电层中与触摸屏的虚拟电极对应的部分，以形成图形透明导电层，随后，还形成绝缘层和金属导电层。即本实施例中通过去除虚拟电极对应的透明导电层，减少了触摸屏中透明导电层的面积，从而减小了透明导电层中的内应力，增强了触摸屏的强度。并且，经过落球试验以及尖锐物冲击试验等验证，可以证实触摸屏强度确有提升，可有效降低触摸屏在用户使用中意外受到钝物或尖锐物冲击后发生碎裂的概率。
实施例二
本发明实施例二在上述实施例的基础上提供了一种优选的触摸屏的制作方法来作为一种具体实施方式，图3(a)-图3(c)为本发明实施例二提供的一种触摸屏的制作方法的工艺流程示意图，如图所示，该方法的工艺流程包括：
步骤a、在保护玻璃301上沉积ITO材料形成ITO透明导电薄膜302。
步骤b、在ITO透明导电薄膜302表面涂光刻胶形成第一光刻胶层303(正胶)。
步骤c、在第一光刻胶层303上覆盖第一掩膜版304并进行曝光。
步骤d、进行显影去除经过曝光的部分光刻胶，形成第一中间图案光刻胶层305。
步骤e、经过刻蚀去除未被第一中间图案光刻胶层305覆盖的部分ITO透明导电薄膜，形成中间ITO透明导电层306。
步骤f、去除第一中间图案光刻胶层305。
步骤g、在中间ITO透明导电层306表面涂光刻胶形成第二光刻胶层307(正胶)。
步骤h、在第二光刻胶层303上覆盖第二掩膜版308并进行曝光。其中，第二掩膜版308上的图案与触摸屏的虚拟电极相对应。
步骤i、进行显影去除经过曝光的部分光刻胶，形成第二中间图案光刻胶层309。
步骤j、经过刻蚀去除未被第二中间图案光刻胶层309覆盖的部分透明导电ITO薄膜，形成图形ITO透明导电层310。
步骤k、去除第二中间图案光刻胶层309。
步骤l、在图形ITO透明导电层310和露出的保护玻璃301上表面涂光刻胶形成第三光刻胶层311(正胶)。
步骤m、在第三光刻胶层311上覆盖第三掩膜版312并进行曝光。
步骤n、进行显影去除经过曝光的部分光刻胶，剩余的光刻胶即为绝缘层313。
步骤o、利用溅射工艺在绝缘层313和露出的图形ITO透明导电层310上沉积金属。
步骤p、进行后续的构图工艺等步骤，最终形成金属导电层315，其中，金属导电层315中包含显示区域的桥接线以及焊盘区域的电路线等。
本发明实施例二在实施例一的基础上提供了一种优选的具体实施方式，详细说明了触摸屏制作方法的工艺流程，经过使用该方法去除虚拟电极对应的部分ITO薄膜，减少了触摸屏中ITO薄膜的面积，从而减小了ITO薄膜中的内应力，即减小了作用在保护玻璃上面的内应力的大小，进而增强了整个触摸屏的强度。
实施例三
图4为本发明实施例三提供的一种触摸屏的结构示意图，如图4所示，该触摸屏包括：基板401；图形透明导电层402，形成于基板401上除与触摸屏的虚拟电极对应的部分，图形透明导电层402与触摸屏的触摸电极对应；绝缘层403，形成于图形透明导电层402和露出的基板401上；金属导电层404，形成于绝缘层403上，金属导电层404包括显示区域的桥接线。
进一步的，金属导电层404还可包括焊盘区域的电路线。
进一步的，透明导电材料可为氧化铟锡。
本发明实施例三提供的触摸屏中，将现有的触摸屏中的透明导电层更换为图形透明导电层402，形成于基板401上除与触摸屏的虚拟电极对应的部分，与触摸屏的触摸电极对应，图形透明导电层402的面积小于现有的触摸屏中的透明导电层，减小了透明导电层中的内应力，即减小了作用在基板401上的内应力的大小，进而增强了触摸屏的强度。并且，经过落球试验以及尖锐物冲击试验等验证，可以证实触摸屏强度确有提升，可有效降低触摸屏在用户使用中意外受到钝物或尖锐物冲击后发生碎裂的概率。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。
Claims (3)
1.一种触摸屏的制作方法，其特征在于，包括：
在基板上沉积透明导电材料，采用构图工艺形成中间透明导电层；其中，所述透明导电材料为氧化铟锡材料；
通过再次采用构图工艺刻蚀去除显示区域中与触摸屏的虚拟电极对应的中间透明导电层，以形成图形透明导电层；
其中，所述图形透明导电层的面积是所述中间透明导电层的面积的一半；
在所述图形透明导电层和露出的基板上形成绝缘层；
在所述绝缘层和露出的图形透明导电层上形成金属导电层，其中，所述金属导电层包括焊盘区域的电路线以及显示区域的桥接线，所述桥接线是采用构图工艺形成周边电路线和显示区域的桥接线。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述绝缘层和露出的图形透明导电层上形成金属导电层的步骤包括：
在所述绝缘层和露出的图形透明导电层上沉积金属；
在所述金属上沉积光阻材料，经曝光、显影和刻蚀工艺形成金属导电层，并去除光阻材料。
3.一种触摸屏，其特征在于，包括：
基板；
图形透明导电层，形成于所述基板上除与触摸屏的虚拟电极对应的部分，所述图形透明导电层与触摸屏的触摸电极对应，所述图形透明导电层通过再次采用构图工艺刻蚀去除显示区域中与触摸屏的虚拟电极对应的中间透明导电层形成；其中，所述中间透明导电层为在所述基板上沉积透明导电材料采用构图工艺形成，所述透明导电材料为氧化铟锡材料；其中，所述图形透明导电层的面积是所述中间透明导电层的面积的一半；
绝缘层，形成于所述图形透明导电层和露出的基板上；
金属导电层，形成于所述绝缘层上，所述金属导电层包括焊盘区域的电路线和显示区域的桥接线，所述桥接线是采用构图工艺形成周边电路线和显示区域的桥接线。
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| GR01 | Patent grant | ||
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| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee | ||
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