CN104808375B - 一种显示面板、显示装置和制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开了一种显示面板、显示装置和制作方法，显示面板包括：阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的显示功能层；所述阵列基板包括衬底基板；设置在所述衬底基板邻近显示功能层一侧的多个触控电极块；多条触控信号线，每条触控信号线与一个触控电极块对应设置；设置在所述触控电极块膜层上方并电性绝缘的像素电极和公共电极；其中，所述阵列基板远离所述显示功能层的一侧为触控侧。显示装置包括：上述显示面板，以及背光模组、驱动芯片；其中，背光模组位于所述显示面板的彩膜基板远离显示功能层的一侧；所述驱动芯片用于显示驱动和触控驱动，提升了制备工艺兼容性、产品良率以及触控灵敏度。

Description

一种显示面板、显示装置和制作方法
技术领域
本发明实施例涉及触控显示技术领域，尤其涉及一种显示面板、显示装置和制作方法。
背景技术
随着电子科技的发展，显示装置的功能并不仅仅局限于接收视频信号而后进行显示，现今的显示装置还集成有触控功能，即能够根据操作者对显示装置的触控操作信息，输入控制指令。
目前具有触控功能的显示装置，按照结构可以分为：外挂式触控屏、覆盖表面式触控屏以及内嵌式触控屏。其中，内嵌式触控屏将触控屏的触控电极内嵌在液晶显示屏内部，可以减薄模组整体的厚度，又可以大大降低触控屏的制作成本，受到各大面板厂家青睐。
现有的内嵌式触控屏为节省工艺流程，一般将公共电极复用为触控电极，但触控时间会压缩占用显示时间，所以公共电极和触控电极分时复用的结构难以适应显示面板的高分辨率以及大尺寸的发展趋势。但传统的公共电极与触控电极不复用的结构，一般是将触控电极设置在彩膜基板靠近液晶层的一侧，但由于彩膜基板上的膜层大多是有机物，有机物与触控电极的结合力较弱，容易剥离，并且在刻蚀触控电极图案时，容易对彩膜基板的有机膜层造成破坏，工艺兼容性差，因此量产良率低。此外，由于采用彩膜基板侧作为触控侧，触控位置与触控电极之间的距离较远，触控灵敏度较差。
发明内容
本发明提供一种显示面板、显示装置和制作方法，以实现提升制备工艺兼容性、产品良率以及触控灵敏度。
第一方面，本发明实施例提供了一种显示面板，包括：阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的显示功能层；
所述阵列基板包括衬底基板；设置在所述衬底基板邻近显示功能层一侧的多个触控电极块；多条触控信号线，每条触控信号线与一个触控电极块对应设置；设置在所述触控电极块膜层上方并电性绝缘的像素电极和公共电极；
其中，所述阵列基板远离所述显示功能层的一侧为触控侧。
进一步的，所述阵列基板包括多个呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管以及和一个所述像素电极，所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极连接，所述触控电极块位于所述薄膜晶体管所在膜层下方。
进一步的，所述触控信号线与所述触控电极块同层或异层设置。
进一步的，所述薄膜晶体管为顶栅结构或底栅结构。
进一步的，当所述薄膜晶体管为底栅结构时，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管和所述基板之间的遮光层。
进一步的，所述触控信号线与所述遮光层同层设置，且相互电性绝缘。
进一步的，所述触控信号线与同层设置的所述遮光层在同一制作工艺中，由同种材料制成。
进一步的，所述阵列基板包括多条数据线和多条扫描线，所述触控信号线与所述数据线或扫描线平行，且电性绝缘。
进一步的，所述触控信号线在所述阵列基板内的正投影位于所述数据线或扫描线在所述阵列基板内的正投影内。
进一步的，所述公共电极与所述像素电极同层，或不同层设置。
进一步的，所述触控电极块的数量小于等于所述像素单元的数量。
进一步的，所述触控电极块具有开槽，所述薄膜晶体管在所述阵列基板内的正投影位于所述开槽在所述阵列基板内的正投影内。
进一步的，所述触控电极块具有开槽，所述像素单元的透光区域在所述阵列基板内的正投影位于所述开槽在所述阵列基板内的正投影内。
进一步的，所述触控电极块具有开槽，所述像素单元在所述阵列基板内的正投影位于所述开槽在所述阵列基板内的正投影内。
进一步的，所述触控电极块形状与所述像素单元的排列图形相同。
第二方面，本发明实施例还提供了一种显示装置，包括：权利要求1-15中任一项所述的显示面板，以及背光模组、驱动芯片；
其中，所述背光模组位于所述显示面板的彩膜基板远离显示功能层的一侧；
所述驱动芯片用于显示驱动和触控驱动。
进一步的，所述显示装置还包括：
位于所述显示面板***的静电屏蔽电路，所述静电屏蔽电路一端接地设置，一端连接驱动芯片，另一端通过各触控信号线连接对应的触控电极块，非触控时段时，所述驱动芯片控制所述静电屏蔽电路导通，以屏蔽静电。
进一步的，所述静电屏蔽电路包括多个薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管的源极接地设置，薄膜晶体管的漏极通过各触控信号线连接对应的公共电极块，薄膜晶体管的栅极连接驱动芯片。
第三方面，本发明实施例还提供了一种显示面板的制作方法，包括：
在阵列基板的衬底基板上形成多个触控电极块和多条触控信号线，每条触控信号线与一个触控电极块对应设置，且电连接；
形成电性绝缘的公共电极和像素电极；
在所述阵列基板的远离衬底基板一侧设置彩膜基板；
在所述阵列基板和彩膜基板之间设置显示功能层；
其中，所述阵列基板远离所述显示功能层的一侧为触控侧。
本发明通过在阵列基板邻近显示功能层一侧的衬底基板上设置多个触控电极块，多条触控信号线，每条触控信号线与一个触控电极块对应设置，在所述触控电极块膜层上方设置电性绝缘的像素电极和公共电极，并将所述阵列基板远离所述显示功能层的一侧为触控侧，解决了现有技术中彩膜基板制备工艺与触控电极制备工艺不兼容的问题，提升了产品良率以及触控的灵敏度。
附图说明
通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显：
图1为本发明实施例提供的一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图2为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图3为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图5为本发明实施例提供的触控电极块与触控信号线同层设置的结构示意图；
图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图7为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图9为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图；
图10为本发明实施例提供的一种触控电极块开槽结构示意图；
图11为本发明实施例提供的又一种触控电极块开槽结构示意图；
图12为本发明实施例提供的又一种触控电极块开槽结构示意图；
图13为本发明实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图；
图14为本发明实施例提供的又一种显示装置的俯视结构示意图；
图15为本发明实施例提供的一种静电屏蔽电路的结构示意图。
具体实施方式
下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部结构。
本发明实施例提供一种显示面板。图1为本发明实施例提供的一种显示面板的局部剖面结构示意图。如图1所示，所述显示面板包括：阵列基板11，与所述阵列基板11相对设置的彩膜基板12，以及位于所述阵列基板11和所述彩膜基板12之间的显示功能层13；其中，所述阵列基板11包括衬底基板111；设置在所述衬底基板111邻近显示功能层13一侧的多个触控电极块112；多条触控信号线113，每条触控信号线113与一个触控电极块112对应设置；设置在所述触控电极块112膜层上方并电性绝缘的像素电极114和公共电极115；其中，所述阵列基板11远离所述显示功能层13的一侧为触控侧。
本发明实施例通过在阵列基板一则设置触控电极块，避免了现有技术中在彩膜基板一侧设置触控电极块时工艺不兼容造成的良率低的问题，由于触控电极块与公共电极不复用，因此无需压缩显示时间，可制备大尺寸以及高分辨率的显示面板。本发明实施例提供的阵列基板由于采用远离显示功能层的一侧为触控侧，减小了手指触控位置与触控电极块之间的距离，因此可以提升触控的灵敏度。
本发明实施例提供的显示面板可适用于FFS型以及IPS型等的液晶驱动模式。在其他实施方式中，所述显示面板的结构可以有多种具体的实现方式，例如触控电极块位于阵列基板的薄膜晶体管下方或上方，触控信号线与所述触控电极块同层或异层设置等，但只要实现在阵列基板一侧设置触控电极块位于像素电极和公共电极所下方，触控电极与公共电极不复用，且将阵列基板远离显示功能层的一侧作为触控侧即可。下面将就优选实施例进行详细描述。
图2为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图。如图2所示，所述显示面板包括：阵列基板21，与所述阵列基板21相对设置的彩膜基板22，以及位于所述阵列基板21和所述彩膜基板22之间的显示功能层23。其中，所述阵列基板21包括衬底基板211；设置在衬底基板211邻近显示功能层23一侧的多个触控电极块212；多条触控信号线213，每条触控信号线213与一个触控电极块212对应设置；所述阵列基板21包括多个呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管214以及和一个像素电极215，像素电极215和薄膜晶体管214的漏极连接2141，触控电极块212位于薄膜晶体管214所在膜层上方；设置在像素电极215下方的公共电极216，所述像素电极215和公共电极216电性绝缘。其中，所述阵列基板21远离所述显示功能层23的一侧为触控侧。其中，所述触控电极块212还可以位于所述薄膜晶体管214所在膜层下方，如图3所示。图2和图3所示结构的好处是：由于所述阵列基板21远离所述显示功能层23的一侧为触控侧，因此将触控电极块212设置在所述薄膜晶体管214所在膜层下方，进一步的减小了手指触控位置和触控电极块的距离，因此触控准确度更高。
图1-图3示例性的将触控信号线设置在触控电极块的上方，并非对本发明实施例的限定，可选的，所述触控信号线还可以设置在所述触控电极块膜层下方，如图4所示。图4为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图。如图4所示，所述显示面板包括：阵列基板41，与所述阵列基板41相对设置的彩膜基板42，以及位于所述阵列基板41和所述彩膜基板42之间的显示功能层43；其中，所述阵列基板41包括衬底基板411；设置在所述衬底基板411邻近显示功能层43一侧的多个触控电极块412；多条触控信号线413，每条触控信号线413与一个触控电极块412对应设置，所述触控信号线413位于触控电极块412下方，并且触控信号线413和触控电极块412之间设置有绝缘层，触控信号线413通过过孔和对应的触控电极块412连接。
所述阵列基板41还包括多个呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管414以及和一个像素电极415，像素电极415和薄膜晶体管414的漏极连接4141，触控电极块412位于所述薄膜晶体管414所在膜层下方；设置在像素电极415下方的公共电极416，像素电极415和公共电极416电性绝缘。其中，阵列基板41远离显示功能层43的一侧为触控侧。
此外，所述触控信号线还可以与触控电极块同层设置，图5为本发明实施例提供的触控电极块与触控信号线同层设置的结构示意图，如图5所示，每条触控信号线511与一个触控电极块512对应设置，触控电极块512与触控信号线511位于同一膜层，二者可在同一制作工艺中，由同种材料制成，因此减少了工艺制程，节约了成本。
图2-图4示例性的选用顶栅结构的薄膜晶体管，并非对本发明实施例的限定，可选的，薄膜晶体管还可以为底栅结构。图6为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图。如图6所示，所述显示面板包括：阵列基板61，与所述阵列基板61相对设置的彩膜基板62，以及位于阵列基板61和彩膜基板62之间的显示功能层63。其中，阵列基板61包括衬底基板611；设置在衬底基板611邻近显示功能层63一侧的多个触控电极块612；多条触控信号线613，每条触控信号线613与一个触控电极块612对应设置，并且触控信号线613位于触控电极块612下方。阵列基板61还包括多个呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管614以及和一个像素电极615，像素电极615和薄膜晶体管614的漏极连接6141，触控电极块612位于薄膜晶体管614所在膜层下方，薄膜晶体管714为底栅结构；设置在像素电极615下方的公共电极616，像素电极615和公共电极616电性绝缘。其中，阵列基板61远离显示功能层63的一侧为触控侧。
在上述实施例的基础上，若采用底栅结构的薄膜晶体管，阵列基板还包括位于薄膜晶体管和衬底基板之间的遮光层617，如图7所示，用于遮挡薄膜晶体管614的半导体层6142，防止由于长时间的光照导致半导体层6142退化，引起器件失效。
在上述实施例的基础上，触控信号线613可以与遮光层617同层设置，且相互电性绝缘，这样设置的好处是进一步减小显示面板的厚度。可选的，触控信号线613与同层设置的所述遮光层617可以在同一制作工艺中，由同种材料制成，在制作过程中只需一次掩膜刻蚀工艺，无需对触控信号线和遮光层分别制作掩膜板以及光刻，节省了成本，减少了制程数量，提高了生产效率。
需要说明的是，在上述实施例的基础上，本发明实施例提供的显示面板，其中每个触控电极块可以与多条触控信号线电连接，这样设置的好处是可以防止单条触控信号线断裂引起触控失灵，本发明实施例对每个触控电极块所对应的触控信号线的数量不作限制。此外，每条触控信号线还可以通过多个过孔与对应的触控电极块连接，这样设置的好处是可以防止一个过孔连接时由于接触不良导致的触控失灵问题，还可以减小触控电极块的电阻。
在上述实施例的基础上，可选的，阵列基板还包括多条数据线与多条扫描线，触控信号线在所述阵列基板上的正投影位于数据线或扫描线在阵列基板上的正投影内。这样设置的好处是可以保证各触控信号线不影响各像素单元的开口率。
上述各实施例示例性的将所述像素电极设置在所述公共电极的上方，而非对本发明实施例的限定。图8为本发明实施例提供的又一种显示面板的局部剖面结构示意图，如图8所示，所述显示面板包括：阵列基板81，与阵列基板81相对设置的彩膜基板82，以及位于阵列基板81和彩膜基板82之间的显示功能层83；其中，阵列基板81包括衬底基板811；设置在衬底基板811邻近显示功能层83一侧的多个触控电极块812；多条触控信号线813，每条触控信号线813与一个触控电极块812对应设置，该触控信号线813位于触控电极块812下方。
阵列基板81包括多个呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管814以及和一个像素电极815，像素电极815和薄膜晶体管814的漏极连接8141，触控电极块812位于薄膜晶体管814所在膜层下方，该薄膜晶体管814为底栅结构。设置在像素电极815上方的公共电极816，像素电极815和公共电极816电性绝缘。其中，阵列基板81远离所述显示功能层83的一侧为触控侧。
进一步的，公共电极还可与像素电极同层设置，如图9所示，显示面板包括：阵列基板91，与阵列基板91相对设置的彩膜基板92，以及位于阵列基板91和彩膜基板92之间的显示功能层93。其中，阵列基板91包括衬底基板911；设置在衬底基板911邻近显示功能层93一侧的多个触控电极块912；多条触控信号线913，每条触控信号线913与一个触控电极块912对应设置，触控信号线913位于触控电极块912下方。阵列基板91还包括多个呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管914以及和一个像素电极915，所述像素电极915和薄膜晶体管914的漏极连接9141，触控电极块912位于所述薄膜晶体管914所在膜层下方，所述薄膜晶体管914为底栅结构。还包括与所述像素电极915同层设置的公共电极916。其中，所述阵列基板91远离显示功能层93的一侧为触控侧。
需要说明的是，本发明各实施例均可采用顶栅结构的薄膜晶体管或底栅结构的薄膜晶体管，优选的，使用顶栅结构的薄膜晶体管制作所述显示面板，这样设置的原因是，由于触控侧为阵列基板远离显示功能层的一侧，因此光源光线从彩膜基板一侧进入，由于顶栅结构的薄膜晶体管在靠近彩膜基板的一侧由栅极遮挡光源对薄膜晶体管的半导体层的照射，因此无需设置遮光层以防止半导体层的光致退化，减少了工艺制程，节约了成本。
在上述各实施例基础上，可选的，触控电极块的数量小于等于像素单元的数量，这样设置的好处是可以适当减少触控信号线的数量，提高显示面板的透光率。
为了降低触控电极块和薄膜晶体管之间的相互影响，可选地，在触控电极块内设置开槽。图10为本发明实施例提供的一种触控电极块开槽结构示意图，如图10所示，薄膜晶体管101在阵列基板上的正投影位于触控电极块102的开槽103在阵列基板上的正投影内。
图11为本发明实施例提供的又一种触控电极块开槽结构示意图，如图11所示，像素单元的透光区域1101在阵列基板上的正投影位于触控电极块1102的开槽1103在阵列基板上的正投影内。像素单元的透光区域1101位于透光区域1101内，可以使得透光区域1101的透过率提高。
图12为本发明实施例提供的又一种触控电极块开槽结构示意图，如图12所示，整个像素单元1201在阵列基板上的正投影位于触控电极块1202的开槽1203在所述阵列基板上的正投影内。图12的设计具备图10及图11两种结构的优点，即降低了降低触控电极块和薄膜晶体管之间的相互影响，又提高透光区域1101的透过率，使得触控显示装置具备更为优越的性能。
在上述各实施例基础上，可选的，根据显示面板中像素单元的排列方式，设置所述触控电极块形状与所述像素单元的排列图形相同，避免触控电极块的显示可见问题。
本发明实施例还提供一种显示装置，图13为本发明实施例提供的一种显示装置的剖面结构示意图，如图13所示，所述显示装置包括：131显示面板，背光模组132，驱动芯片133。其中，显示面板131为上述各实施例所述的显示面板，背光模组132位于显示面板131的彩膜基板1311远离显示功能层1312的一侧，驱动芯片133用于显示驱动和触控驱动。
本发明实施例由于采用了上述各实施例所述的显示面板，该显示面板通过在阵列基板一则设置触控电极，避免了现有技术中在彩膜基板一侧设置触控电极块时工艺不兼容造成的良率低的问题，由于触控电极块与公共电极不复用，因此无需压缩显示时间，可制备大尺寸以及高分辨率的显示面板，由于采用阵列基板远离显示功能层的一侧做为触控侧，减小了手指触控位置与触控电极块之间的距离，提升了触控的灵敏度，因此显示装置同样具有该有益效果，此外由于所述显示装置的背光模组位于所述显示面板的彩膜基板远离显示功能层的一侧，因此当显示面板的阵列基板采用顶栅结构时，无需设置遮光层，减少了工艺制程，节约了成本，提高了生产效率。需要说明的是，本发明实施例提供显示装置还可以包括其他用于支持触控显示装置正常工作的电路及器件。上述的显示装置可以为手机、平板电脑、电子纸、电子相框中的一种。
图14为本发明实施例提供的又一种显示装置的俯视结构示意图，所述显示装置包括：显示面板141，背光模组(未示出)，驱动芯片142。其中，所述显示面板141为上述各实施例所述的显示面板，所述背光模组位于所述显示面板141的彩膜基板远离显示功能层的一侧，所述驱动芯片142用于显示驱动和触控驱动。所述显示装置还包括位于所述显示面板141***的静电屏蔽电路143，所述静电屏蔽电路143一端接地设置，一端连接驱动芯片142，另一端通过各触控信号线1411连接对应的触控电极块1412，在非触控时段时，所述驱动芯片142控制所述静电屏蔽电路143导通，以屏蔽静电。本发明实施例在所述显示面板***设置静电屏蔽电路，可以在非触控时段将手指触摸时在显示面板上产生的静电导出，屏蔽外部静电对显示的影响。
在其他实施方式中，静电屏蔽电路的结构可以有多种具体的实现方式，下面将就优选实施例进行详细描述。
图15为本发明实施例提供的一种静电屏蔽电路的结构示意图，如图15所示，所述静电屏蔽电路包括多个薄膜晶体管151，其中，所述薄膜晶体管151的源极1511接地设置，薄膜晶体管151的漏极1512通过各触控信号线152连接对应的触控电极块153，薄膜晶体管151的栅极1513连接驱动芯片154。具体工作原理为：每个触控电极块对应静电屏蔽电路中的一个薄膜晶体管，触控结束后，驱动芯片控制薄膜晶体管打开，静电屏蔽电路导通，由于触控存留在显示面板上的静电通过触控信号线和接地线导出。
根据本发明的同一构思，本发明实施例还提供一种显示面板的制作方法，包括：在阵列基板的衬底基板上形成多个触控电极块和多条触控信号线，每条触控信号线与一个触控电极块对应设置，且电连接；
形成电性绝缘的公共电极和像素电极；
在所述阵列基板的远离衬底基板一侧设置彩膜基板；
在所述阵列基板和彩膜基板之间设置显示功能层；
其中，所述阵列基板远离所述显示功能层的一侧为触控侧。
本发明实施例通过在阵列基板一则设置触控电极块，避免了现有技术中在彩膜基板一侧设置触控电极块时工艺不兼容造成的良率低的问题，由于触控电极块与公共电极不复用，因此无需压缩显示时间，可制备大尺寸以及高分辨率的显示面板。本发明实施例提供的阵列基板由于采用远离显示功能层的一侧为触控侧，减小了手指触控位置与触控电极块之间的距离，因此可以提升触控的灵敏度。
注意，上述仅为本发明的较佳实施例及所运用技术原理。本领域技术人员会理解，本发明不限于这里所述的特定实施例，对本领域技术人员来说能够进行各种明显的变化、重新调整和替代而不会脱离本发明的保护范围。因此，虽然通过以上实施例对本发明进行了较为详细的说明，但是本发明不仅仅限于以上实施例，在不脱离本发明构思的情况下，还可以包括更多其他等效实施例，而本发明的范围由所附的权利要求范围决定。

Claims (15)

1.一种显示面板，其特征在于，包括：阵列基板，与所述阵列基板相对设置的彩膜基板，以及位于所述阵列基板和所述彩膜基板之间的显示功能层；
所述阵列基板包括衬底基板；
设置在所述衬底基板邻近显示功能层一侧的多个触控电极块；
多条触控信号线，每条触控信号线与一个触控电极块对应设置；
设置在所述触控电极块膜层上方并电性绝缘的像素电极和公共电极；
其中，所述阵列基板远离所述显示功能层的一侧为触控侧；
所述阵列基板包括多个呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管；所述触控电极块具有开槽；
所述薄膜晶体管在所述阵列基板内的正投影或所述像素单元在所述阵列基板内的正投影位于所述开槽在所述阵列基板内的正投影内；
所述显示面板还包括驱动芯片和位于所述显示面板***的静电屏蔽电路；
所述驱动芯片用于显示驱动和触控驱动；所述静电屏蔽电路一端接地设置，一端连接所述驱动芯片，另一端通过各触控信号线连接对应的触控电极块，非触控时段时，所述驱动芯片控制所述静电屏蔽电路导通，以屏蔽静电。
2.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括多个呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管以及和一个所述像素电极，所述像素电极和所述薄膜晶体管的漏极连接，所述触控电极块位于所述薄膜晶体管所在膜层下方。
3.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述触控信号线与所述触控电极块同层或异层设置。
4.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述薄膜晶体管为顶栅结构或底栅结构。
5.根据权利要求4所述的显示面板，其特征在于，当所述薄膜晶体管为底栅结构时，所述阵列基板还包括位于所述薄膜晶体管和所述彩膜基板之间的遮光层。
6.根据权利要求5所述的显示面板，其特征在于，所述触控信号线与所述遮光层同层设置，且相互电性绝缘。
7.根据权利要求6所述的显示面板，其特征在于，所述触控信号线与同层设置的所述遮光层在同一制作工艺中，由同种材料制成。
8.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述阵列基板包括多条数据线和多条扫描线，所述触控信号线与所述数据线或扫描线平行，且电性绝缘。
9.根据权利要求8所述的显示面板，其特征在于，所述触控信号线在所述阵列基板内的正投影位于所述数据线或扫描线在所述阵列基板内的正投影内。
10.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述公共电极与所述像素电极同层，或不同层设置。
11.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述触控电极块的数量小于等于所述像素单元的数量。
12.根据权利要求1所述的显示面板，其特征在于，所述触控电极块形状与像素单元的排列图形相同。
13.一种显示装置，其特征在于，包括：权利要求1-12中任一项所述的显示面板，以及背光模组；
其中，所述背光模组位于所述显示面板的彩膜基板远离显示功能层的一侧。
14.根据权利要求13所述的显示装置，其特征在于，所述静电屏蔽电路包括多个薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管的源极接地设置，薄膜晶体管的漏极通过各触控信号线连接对应的触控电极块，薄膜晶体管的栅极连接驱动芯片。
15.一种显示面板的制作方法，其特征在于，包括：
在阵列基板的衬底基板上形成多个触控电极块和多条触控信号线，每条触控信号线与一个触控电极块对应设置，且电连接；
形成电性绝缘的公共电极和像素电极；
在所述阵列基板的远离衬底基板一侧设置彩膜基板；
在所述阵列基板和彩膜基板之间设置显示功能层；
其中，所述阵列基板远离所述显示功能层的一侧为触控侧；所述阵列基板包括多个呈矩阵排列的像素单元，每个像素单元包括一个薄膜晶体管；所述触控电极块具有开槽；所述薄膜晶体管在所述阵列基板内的正投影或所述像素单元在所述阵列基板内的正投影位于所述开槽在所述阵列基板内的正投影内；
设置驱动芯片和位于所述显示面板***的静电屏蔽电路；
所述驱动芯片用于显示驱动和触控驱动；所述静电屏蔽电路一端接地设置，一端连接所述驱动芯片，另一端通过各触控信号线连接对应的触控电极块，非触控时段时，所述驱动芯片控制所述静电屏蔽电路导通，以屏蔽静电。
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