CN104733999A - 封装的激光二极管和封装激光二极管的方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种引线框架型封装激光二极管，其中激光二极管芯片与封装电解耦。还提供了一种引线框架型封装，其包括被包覆在模制的塑料框架内的电极的二维网格，可以对引线框架的一维或二维阵列进行批量处理，批量处理包括激光二极管芯片贴装、引线键合和封装，以及随后将单个封装的激光二极管从一维或二维阵列中分离出来。

Description

封装的激光二极管和封装激光二极管的方法
技术领域
本发明涉及光电器件，具体而言，涉及封装的激光二极管及封装激光二极管的方法。
背景技术
激光二极管为半导体二极管，其P-N结充当激光增益介质。为实现增益介质内的粒子数反转，对P-N结施加正向电流。激光二极管芯片的劈裂或抛光的小平面(facet)可用于形成激光腔。外部反射镜或布拉格(Bragg)反射体也可用于此目的。
激光二极管芯片需要受到保护以免遭受灰尘、潮湿、静电放电(ESD)和机械破坏。需要建立可靠的电气接触，以便对P-N结施加电流，而在施加电流时在P-N结内生成的热量需要被去除，以防激光二极管芯片过热。为此，激光二极管芯片通常被设置在带有散热器、电触头和用于输出激光的窗口的金属外壳内。
虽然通过在激光二极管芯片上施加保护涂层，则可在一定程度上减轻对其密封的要求，将激光二极管芯片装入单独的气密密封外壳内可获得最佳的效果。举例而言，Kunihara等人在6,784,511号美国专利中披露了一种被包覆在透明硅酮树脂内的激光二极管芯片。不利的是，透明的环氧树脂层实际上限制了由封装的激光二极管芯片发射的光功率的最大值，因此Kunihara等人的方法仅适用于功率相对较低的激光二极管。此外，环氧树脂或硅酮树脂涂层无法为激光二极管芯片提供足够的电磁干扰(EMI)防护。
图1中示出了一种更为常见的采用现有技术的激光二极管模块(TO-CAN)封装，此封装也适用于输出光功率为几百毫瓦的激光二极管。封装的激光二极管10包括钢制头部11，其上钎焊(solder)有铜制散热器12。激光二极管芯片13被钎焊在副支架14上，副支架14又被附着于散热器12上。第一焊线1将激光二极管芯片13的顶面连接至激光器电极15。激光二极管芯片13的底面被电耦合至头部11。在封装10内设置有监测用光电二极管16，以测量由激光二极管芯片13发射的光功率。监测用光电二极管16的一个端子通过第二焊线2被连接至光电二极管电极17。监测用光电二极管16的另一个端子被直接电耦合至头部11。中间电极18提供到头部11的外部电连接，由此可使激光二极管芯片13和光电二极管16的电路均闭合。其中带有窗口19A的密封帽19被钎焊(solder)或焊接(weld)到头部11上。
封装的激光二极管10有多种缺点。一个可能为意料之外的缺点是电磁敏感性。即使激光二极管13通过密封帽19对外界电磁场加以屏蔽，激光二极管13与头部11的直接耦合可以导致EMI问题，特别是当激光二极管13由脉冲电流驱动时更是如此，因为帽19和头部11在承受脉冲电流时可能会辐射电磁能量。另一个缺点是，由于封装的激光二极管10的几何形状，每个激光二极管芯片13均须被单独封装。激光二极管芯片13的单独封装会增加生产成本。还有一个缺点是封装的激光二极管10的尺寸相对较大。
发明内容
本发明的一个目的是提供一种结构紧凑、可制造性好、EMI防护特性得以改善的封装的激光二极管。
根据本发明，通过激光二极管芯片与封装的电解耦，使EMI防护得以改善。提供了一种引线框架型封装，所述封装包括被包覆在模制塑料框架内的电极的一维阵列或二维网格，所述封装用于对激光二极管芯片提供支承、连接和屏蔽。该引线框架型封装可实现对引线框架的一维或二维阵列的批量处理，包括激光二极管芯片贴装、引线键合和封装，随后将单个封装的激光二极管从一维或二维阵列中分离出来。相比采用现有技术的TO-CAN封装，封装的激光二极管的整体尺寸被大幅减小。此外，引线框架型封装与普遍使用的印刷电路板的表面安装技术有更好的兼容性。优选情况下，对激光二极管芯片的小平面施加电介质涂层，由此保护激光二极管芯片免于受潮。
根据本发明，提供了一种封装的激光二极管，其包括：
引线框架，所述引线框架包括导电且导热的底板、第一和第二电极，以及在引线框架内对所述底板、所述第一电极和所述第二电极进行支承的塑料框架，其中塑料框架使底板、第一电极和第二电极之间相互电绝缘；
塑料框架，所述塑料框架包括其内或其上容纳底板的底部，该底部有第一***侧面、第二***侧面、第三***侧面、第四***侧面和侧壁，侧壁从底部的至少第一***侧面、第二***侧面到第三***侧面上以基本垂直于底板的方向延伸，从而与位于底部的底板限定了保护隔室；
激光二极管芯片，其被安装在底板上且至少部分设置在保护隔室内，激光二极管芯片具有前小平面和后小平面，前小平面面对第四***侧面，用于输出激光二极管芯片所产生的激光束，其中在操作中，底板对激光二极管芯片进行支承并将激光二极管芯片产生的热量传导出去(conduct away)；以及
将第一和第二电极分别连接至激光二极管芯片的第一和第二焊线，用于向其提供产生激光束所需的电流，其中第一和第二焊线被设置在保护隔室内。
根据本发明，还提供了一种用于封装激光二极管的方法，该方法包括：
(a)提供引线框架，其包括导电且导热的底板、第一和第二电极，以及将所述底板、所述第一电极和所述第二电极容纳在其中的塑料框架；
塑料框架包括其内或其上容纳底板的底部，该底部具有第一***侧面、第二***侧面、第三***侧面、第四***侧面和侧壁，所述侧壁从底部的至少第一***侧面、第二***侧面到第三***侧面上以基本垂直于底板的方向延伸的侧壁，从而与位于底部的底板形成保护隔室；
(b)在完成步骤(a)之后，在底板上安装激光二极管芯片，使得激光二极管芯片至少被部分设置在保护隔室内，激光二极管芯片具有前小平面和后小平面，前小平面面对第四***侧面，用于输出激光二极管芯片所产生的激光束；以及
(c)在完成步骤(b)之后，对激光二极管芯片进行引线键合，通过用第一和第二焊线将第一和第二电极分别连接至激光二极管芯片，用于向其提供产生激光束所需的电流，其中第一和第二焊线被设置在保护隔室内。
附图说明
以下将结合附图对示例性实施例进行介绍，在附图中：
图1为采用现有技术的封装的激光二极管的分解三维视图；
图2A为根据本发明的一种封装的激光二极管的平面图；
图2B为沿图2A中B-B线所取的侧截面图；
图2C为图2A中的封装的激光二极管的已安装的激光二极管芯片的放大截面图；
图3A为根据本发明的封装的激光二极管的一个实施例的等轴视图；
图3B为图3A中的封装的激光二极管的分解等轴视图，示出了可选的柔性PCB；
图4A为本发明的封装的激光二极管的一个实施例的三维视图，其适于表面安装到印刷电路板上；
图4B为图4A中的封装的激光二极管的三维底视图；
图4C为适于在印刷电路板上进行表面安装的本发明的封装的激光二极管的一个实施例的三维视图，其中所述封装的激光二极管具有光束转向反射镜；
图5A为图4A中的封装的激光二极管的三维视图，示出了用于连接导电的EMI防护盖(盖未示出)的连接位置；
图5B为图4A中的封装的激光二极管的三维顶视图，其中示出了盖；
图6A和6B分别为被表面安装的被盖上盖的图4A和4B中的封装的激光二极管处于水平配置的侧视图；
图7A和7B分别为被表面安装的被盖上盖的图4A和4B中的封装的激光二极管处于垂直配置的侧视图；
图8为根据本发明的一种激光二极管的制造方法的流程图；以及
图9为在根据图8中的方法制造图3A所示的激光二极管中采用的由多个引线框架形成的二维阵列的平面图。
具体实施方式
尽管结合各种实施例和示例对本教导进行了介绍，但这并不意味着本教导会被局限于这些实施例。相反，本领域技术人员应可理解，本教导涵盖各种可替代方案或等效方案。
参见图2A至2C，封装的激光二极管20包括引线框架23，该引线框架23具有导电且导热的底板24、第一电极21和第二22电极，以及支撑底板24、第一电极21和第二电极22的塑料框架25。塑料框架25使底板24、第一电极21和第二电极22之间相互电绝缘。塑料框架25具有底部26，该底部26容纳底板24。底板24可被设置在底部26上，或者底板24可被至少部分地陷入底部26内。在一个优选实施例中，塑料框架25由液晶聚合物(LCP)模制而成，其被成形，以将底板24与第一电极21和第二22电极部分地包覆并容纳在一起。底板24应由导热性材料制成，例如可由镀金的铜合金制成。底板24的用途是对激光二极管芯片28提供支承，并将激光二极管芯片在正常工作中产生的热量传导至远离激光二极管芯片28。底板24的另作用是提供EMI屏蔽，下文将进行解释。
底部26具有第一***侧面31、第二***侧面32、第三***侧面33和第四34***侧面，以及从至少第一***侧面31至第三***侧面33的底部26以基本垂直于底板24的方向35延伸的侧壁27，从而与位于底部的底板24限定保护隔室36。激光二极管芯片28被安装在可选的副支架28A上，副支架28A被安装在保护隔室36内的底板24上。激光二极管芯片28被至少部分设置在保护隔室36内。激光二极管芯片28也可被完全设置在保护隔室36内。
激光二极管芯片28的顶面和底面上均有电触头(未示出)，使得激光二极管芯片28的底面需要与底板24绝缘，从而使底板能够电接地，以实现EMI屏蔽目的。为此，在一个实施例中，副支架28A由非导电材料制成，顶面涂覆有金属层，而侧面没有金属涂层，使得激光二极管芯片28能被钎焊到顶面的金属层，同时与底板24实现电绝缘。作为非限定性的示例，副支架28A可以由金涂覆的氮化铝(AlN)或具有良好导热性且热膨胀系数(CTE)与激光二极管芯片28的CTE足够接近(例如，对于硅激光二极管芯片28，CTE为硅的CTE)的其他合适材料制成，以减小热诱导的机械应力。激光二极管芯片28可采用AuSn焊料被钎焊到副支架28A的金涂层。
副支架28A可以被钎焊到底板24上，或可采用导热环氧树脂被粘合到底板24上。这样可将激光二极管芯片28在产生输出激光束29时所产生的热量传导至远离激光二极管芯片28，从而使激光二极管芯片28有效冷却，同时使底板24与激光二极管芯片28实现电绝缘。导热环氧树脂可以是不导电的，虽然如果副支架28A本身如上文所述为不导电类型的情况下，这一点并非必需。
第一焊线41和第二42焊线分别将第一电极21和第二电极22连接至激光二极管芯片28，用于为激光二极管芯片28提供用于产生激光束29所需的电流。第一焊线41和第二焊线42被设置在保护隔室36内，以便对焊线41和焊线42提供机械防护。在所示实施例中，第一焊线41被电耦合到激光二极管芯片28的顶面上，第二焊线42被电耦合到副支架28A，副支架28A与激光二极管芯片28的底面电接触。在副支架28A由非导电材料制成，并且其顶面上有金属层的实施例中，第二焊线42可以被电耦合到顶部金属层。可采用平行的焊线，以减小电阻和电感。
激光二极管芯片28也可以被直接安装在底板24上，两个电极被设置在激光二极管芯片28的顶部，用于提供电流。在本例中，第一41和第二42焊线被连接至激光二极管芯片28的顶部的两个电极，图中未示出。
具体参见图2C，激光二极管芯片28具有前小平面37和后小平面38。在前小平面37和后小平面38上可施加可选的电介质涂层39，用于前小平面37和后38小平面的环境保护。再参见图2A，激光二极管芯片28的前小平面37面对着第四***侧面34，用于输出激光束29。
参见图3A，封装的激光二极管30为图2A和2B中的封装的激光二极管20的一个实施例。在图3A的封装的激光二极管30中，底板24包括一对安装法兰(flange)24A、24B，用于将封装的激光二极管30夹紧在外部安装表面上，图中未示出。第一电极21和第二电极22分别有法兰21A和22A，用于钎焊导线，或用于直接钎焊到印刷电路板(PCB)上。转至图3B，塑料框架25由模制LCP树脂制成，其将底板24、第一电极21和第二电极22容纳在一起。在图3B中，底板24只有一个安装法兰24A。设置有两条第一焊线41和两条第二焊线42，以便向激光二极管芯片28供电时，降低电阻并提高可靠性。焊线41和42可由1.0mil(25μm)金线制成。柔性PCB 63可分别通过焊盘61和62被分别钎焊至第一电极21的法兰21A和第二电极22的法兰22A上。采用柔性PCB 61可允许以任意角度安装封装的激光二极管30，以使输出激光束29指向所需的方向。
副支架28A可采用导热环氧树脂被安装到底板24上，这可在副支架28A与底板24之间形成良好的热接触。副支架28A优选为非导电型，和/或环氧树脂为非导电型，以使第二电极法兰22A与底板24之间没有电连接。这样就允许例如通过将底板24连接至电接地，从而对激光二极管芯片28进行屏蔽，同时让第一电极21和第二22电极均相对该电接地呈悬浮状态，来提供更好的EMI防护。悬浮的第一电极21和第二22电极使得可以使用延伸到第一电极21和第二22电极的悬浮导线(导线在图3C中未示出)。当导线为悬浮时，它们可以由外部接地的EMI屏蔽提供EMI防护。由此，封装的激光二极管30可获得有效的EMI屏蔽。
转至图4A和4B，图2A和2B中的封装的激光二极管20的一个实施例40A适于在PCB(在图4A中未示出)上进行表面安装。为此，底板24和第一电极21及第二电极22中的每一个都穿过侧壁27(图4A)和/或穿过底部26(图4B)延伸，形成短突起(stub)43，用于通过钎焊到短突起43的底部和/或侧面，从而表面安装到PCB。提供有多个第一焊线41和第二42焊线，以便降低其向激光二极管芯片28供电时的电阻和电感，并提高可靠性。现参见图4C，实施例40C与图4A中的实施例40A类似，只是在图4C所示的实施例40C中，提供有转向反射镜44，用于例如在垂直于底板24的方向将激光束29导向离开底板24。转向反射镜44以相对激光二极管芯片28成锐角而从底部26的第四***侧面34延伸。
参见图5A和5B，可通过提供盖45(图5B)的方式使封装的激光二极管20、30、40A和40C的EMI电阻进一步提高。在图5A中，安装区域64指示盖45可被电连接至底板24的位置。在图5B中，显示盖45被电连接至底板24的短突起43。盖45可保持与底板24的电绝缘；然而，盖45必须与电极21和22电解耦，以实现激光二极管芯片28的适当的EMI防护。
参见图6A和7A，分别示出了在钎焊壁65处于水平和垂直位置的条件下，将封装的激光二极管60A在PCB 48上进行表面安装的情况。封装的激光二极管60A与图4A中的封装的激光二极管40A类似，区别在于图6A中的封装的激光二极管60A包括盖45A(对应于图5B中的盖45)，其由侧壁27支承，在底板24上方延伸。盖45A优选为导电型，以对激光二极管芯片28进行更好的EMI屏蔽。此外盖45A还优选被电耦合到底板24，用于激光二极管芯片28的EMI屏蔽。电和/或机械连接可在图5所示的前述位置64上进行。在盖45A上可设置有孔66，以供激光束29射出封装的激光二极管60A。盖45A还可包括在孔66上方延伸的光学元件47，其例如是透镜、漫射器、光栅等，用于耦合到射出的激光束29。
现参见图6B和7B，封装的激光二极管60B与图6A和7A中的封装的激光二极管60A类似，区别在于图6B中的封装的激光二极管60B包括转向反射镜44，相应地，在盖45B(对应于图5B中的盖45)上的孔66的位置不在盖45B的侧面，而在其顶部。
由于分别处于图2A-2B、3A-3B、4A-4B、6A-7A和6B-7B中的封装的激光二极管20、30、40A、40C、60A和60B的引线框架配置，封装的激光二极管20、30、40A、40C、60A和60B的尺寸可以小于采用现有技术的TO-CAN封装的激光二极管10(图1)的尺寸。优选情况为，封装的激光二极管20、30、40A、40C、60A和60B的塑料框架25的长度和宽度不超过5.0mm，高度不超过2.0mm。
封装的激光二极管20、30、40A、40C、60A和60B的另一优点在于，封装可以不在单独器件上进行，而是在器件的一维(1D)和二维(2D)阵列上进行。参见图8和9并再参见图3A，其中一种制造图3A中的封装的激光二极管30的示例方法80(图8)包括提供通过框架条91实现互连的由多个底板24、第一电极21和第二电极22形成的二维阵列(图9)的步骤81。随后，在步骤82中，在前一步骤81中的二维阵列上方，注射成型由多个塑料框架25形成的二维阵列，以获得相互连接的由多个引线框架23(由虚线矩形标出)形成的二维阵列90，其中每个引线框架23包括一个底板24、一个第一电极21和一个第二电极22。塑料框架25在将其分离成单独器件时，对相应的底板24、第一电极21和第二电极22提供支承。塑料框架25还会在分离为单独器件时，使相应的底板24、第一电极21和第二电极22相互之间电绝缘。塑料框架25包括容纳底板24的相应的底部26(图3A)；该底部有第一***侧面31至第四***侧面34和从至少第一***侧面31至第三***侧面33上的底部26以基本垂直于底板24的方向35延伸的侧壁27，从而与位于底部的底板24限定保护隔室36。塑料框架25优选由液晶聚合物材料注射成型，可承受安装激光二极管芯片28所需的高的加工温度。
在随后的步骤83中，激光二极管芯片28被安装在底板24上，使得激光二极管芯片28被至少部分地设置在相应的保护隔室36之内。激光二极管芯片28的前小平面37面对着第四***侧面34。随后，在步骤84中，通过用第一焊线41和第二焊线42将第一电极21和第二电极22分别连接到激光二极管芯片28，对激光二极管芯片28进行引线键合。随后，在可选步骤85中，将诸如图6A中的盖45A和6B中的盖45B等导电盖分别连接至侧壁27；盖45A/45B也可以被电耦合至底板24，以对激光二极管芯片28进行更好的电磁屏蔽。随后，在步骤86中，将单个的封装的激光二极管30从阵列90上分离出来。
尽管根据图8所示的方法80的上述批量处理是优选的，如果需要，图2A-2B、3A-3B、4A-4B、6A-7A和6B-7B中的封装的激光二极管20、30、40A、40C、60A和60B也可以被分别单独制造。引线框架23可以被单独提供，激光二极管芯片28也可被单独安装和引线键合。还可相应地提供单独的盖45A/45B。
激光二极管芯片28可在安装步骤83中安装，即，将激光二极管芯片28安装到相应的副支架28A上，然后将副支架28A安装到底板24上。对于副支架28A包括非导电材料，且其顶面上涂覆有金属层的实施例中，安装步骤83包括将激光二极管芯片28钎焊至该金属层；引线键合步骤84包括将第一焊线41电耦合到激光二极管芯片28，将第二焊线42电耦合到金属层。当副支架28A为导电型时，可以通过用一种导热、不导电的环氧树脂将副支架28A粘合到底板24上的方式实现安装步骤83。在此情况下，第一焊线41可被电耦合至激光二极管芯片28，第二焊线42可被电耦合至导电的副支架28A。盖45、45A和/或45B可被电耦合至底板24。
对本发明的一个或多种实施例的上述说明系作为示例和说明之用。其并不意味着有穷尽性，或将本发明限制到所公开的具体形式。根据上述教导，可以对本发明进行多种改动和变化。本发明的范围并不受本详细的说明书的局限，而是由所附的权利要求确定。

Claims (20)

1.一种封装的激光二极管，包括：
引线框架，所述引线框架包括导电且导热的底板、第一电极和第二电极，以及在所述引线框架内对所述底板、所述第一电极和所述第二电极进行支承的塑料框架，其中所述塑料框架使所述底板、所述第一电极和所述第二电极之间相互电绝缘；
其中所述塑料框架包括其内或其上容纳所述底板的底部，所述底部具有第一***侧面、第二***侧面、第三***侧面、第四***侧面和侧壁，所述侧壁从所述底部的至少所述第一***侧面、第二***侧面到第三***侧面上以基本垂直于所述底板的方向延伸，从而与位于所述底部的所述底板形成保护隔室；
激光二极管芯片，所述激光二极管芯片被安装在所述底板上，且至少部分被设置在所述保护隔室内，所述激光二极管芯片具有前小平面和后小平面，所述前小平面面对所述第四***侧面，用于输出由所述激光二极管芯片产生的激光束，其中在操作中，所述底板对所述激光二极管芯片进行支承，并将所述激光二极管芯片产生的热量传导出去；以及
第一焊线和第二焊线，所述第一焊线和所述第二焊线分别连接至所述激光二极管芯片，用于向所述激光二极管芯片提供产生激光束所需的电流，其中所述第一焊线和所述第二焊线被设置在所述保护隔室内。
2.如权利要求1所述的封装的激光二极管，还包括安装在所述底板上的副支架，其中所述激光二极管芯片被安装到所述副支架。
3.如权利要求2所述的封装的激光二极管，其中所述副支架包括不导电的材料，其顶面上涂覆有金属层，其中所述激光二极管芯片被钎焊至所述金属层，其中所述第一焊线被电耦合至所述激光二极管芯片，所述第二焊线被电耦合至所述金属层。
4.如权利要求2所述的封装的激光二极管，还包括位于所述副支架与所述底板之间的导热的不导电的环氧树脂层，其中所述第一焊线被电耦合至所述激光二极管芯片，所述第二焊线被电耦合至所述副支架。
5.如权利要求1所述的封装的激光二极管，还包括导电的盖，所述盖由所述侧壁支承，在所述底板上方延伸，并与所述第一电极和所述第二电极电绝缘。
6.如权利要求5所述的封装的激光二极管，其中所述盖被电耦合至所述底板，用于对所述激光二极管芯片进行电磁屏蔽。
7.如权利要求1所述的封装的激光二极管，其中所述底板和所述第一电极及所述第二电极中的每一个都穿过所述底部或所述侧壁延伸，形成短突起，用于通过钎焊至所述短突起从而表面安装到印刷电路板。
8.如权利要求1所述的封装的激光二极管，其中所述激光二极管芯片的所述前小平面和所述后小平面上具有电介质涂层，用于其环境保护。
9.如权利要求1所述的封装的激光二极管，还包括盖，所述盖由所述侧壁支承，并在上述底板上方延伸，其中上述盖具有孔，以供所述激光束射出所述封装的激光二极管，所述盖还具有在所述孔上方延伸的光学元件，用于与射出的所述激光束耦合。
10.如权利要求1所述的封装的激光二极管，还包括反射镜，所述反射镜以相对于所述激光二极管芯片成锐角而从所述底部的所述第四***侧面延伸，用于将所述激光束导向离开所述底板。
11.如权利要求1所述的封装的激光二极管，其中所述塑料框架包括液晶聚合物。
12.如权利要求11所述的封装的激光二极管，其中所述塑料框架的长度和宽度不超过5.0mm，高度不超过2.0mm。
13.一种用于封装激光二极管的方法，所述方法包括：
(a)提供引线框架，所述引线框架包括导电且导热的底板、第一电极和第二电极，以及将所述底板、所述第一电极和所述第二电极容纳在其中的塑料框架；
所述塑料框架包括其内或其上容纳所述底板的底部，所述底部具有第一***侧面、第二***侧面、第三***侧面、第四***侧面和侧壁，所述侧壁从所述底部的至少所述第一侧壁、第二***侧面到第三***侧面上以基本垂直于所述底板的方向延伸，从而与位于所述底部的所述底板形成保护隔室；
(b)在完成步骤(a)之后，在所述底板上安装所述激光二极管芯片，使所述激光二极管芯片被至少部分设置在所述保护隔室内，所述激光二极管芯片具有前小平面和后小平面，所述前小平面面对所述第四***侧面，用于输出所述激光二极管芯片产生的激光束；以及
(c)在完成步骤(b)之后，对所述激光二极管芯片进行引线键合，通过用第一焊线和第二焊线将所述第一电极和所述第二电极分别连接至所述激光二极管芯片，用于向所述激光二极管芯片提供产生所述激光束所需的电流，其中所述第一焊线和所述第二焊线被设置在所述保护隔室内。
14.如权利要求13所述的方法，其中步骤(b)包括：
(b1)将所述激光二极管芯片安装到副支架上；和
(b2)将所述副支架安装到所述底板上。
15.如权利要求14所述的方法，其中所述副支架包括不导电的材料，其顶面上涂覆有金属层，其中所述步骤(b1)包括将所述激光二极管芯片钎焊至所述金属层；所述步骤(c)包括将所述第一焊线电耦合至所述激光二极管芯片，以及将所述第二焊线电耦合至所述金属层。
16.如权利要求14所述的方法，其中所述步骤(b2)包括用导热的不导电的环氧树脂将所述副支架粘合到所述底板上；且其中所述步骤(c)包括将所述第一焊线电耦合至所述激光二极管芯片，以及将所述第二焊线电耦合至所述副支架。
17.如权利要求13所述的方法，还包括
(d)在完成所述步骤(c)之后，将在所述底板的上方延伸的导电的盖连接至所述侧壁。
18.如权利要求17所述的方法，还包括
(e)将所述盖电耦合至所述底板，用于对所述激光二极管芯片进行电磁屏蔽。
19.如权利要求13所述的方法，其中所述步骤(a)包括：
(I)提供由相互连接的多个底板、多个第一电极和多个第二电极形成的二维阵列；
(II)在所述步骤(I)的所述二维阵列的上方，注射成型由多个塑料框架形成的二维阵列，以获得由相互连接的多个引线框架形成的二维阵列，每个所述引线框架包括所述步骤(I)中的一个所述底板、一个所述第一电极和一个所述第二电极；
其中对所述步骤(II)中的所述相互连接的多个引线框架中的每一个进行所述步骤(b)的操作，且其中对所述步骤(II)中的所述相互连接的多个引线框架中的每一个进行所述步骤(c)的操作，以获得由多个封装的激光二极管形成的二维阵列；
该方法还包括：
(i)在完成所述步骤(c)之后，将单个封装的激光二极管从所述由多个封装的激光二极管形成的阵列中分离出来。
20.如权利要求19所述的方法，其中所述步骤(II)包括用液晶聚合物材料注射成型所述由多个塑料框架形成的二维阵列。
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