CN104730857B - 一种液晶显示面板的掩膜板及使用该掩膜板的曝光方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种液晶显示面板的掩膜板及使用该掩膜板的曝光方法，所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，将第一掩膜板从左至右对彩膜基板进行曝光，全曝光像素单元的A1部分和部分曝光像素单元的B1部分；将第二掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，全曝光像素单元的A2部分和部分曝光像素单元的B2部分。本发明通过改变曝光的掩膜板的设计，使得彩膜基板曝光时上半个像素单元和下半个像素单元的曝光强度不同或者曝光时间不同导致，上半个像素单元和下半个像素单元的预倾角不同，当施加相同的电压时，彩膜基板上的上半个像素单元和下半个像素单元的透过率不同，从而实现8畴结构。
Description
技术领域
本发明涉及一种液晶显示面板的掩膜板及使用该掩膜板的曝光方法。
背景技术
UV2A（Ultra Violet Vertical Alignment）技术是一种使用紫外线(UV＝UltraViolet)进行液晶配向的VA（Vertical Alignment，垂直配向）面板技术，其名称来源于紫外线UV与液晶面板VA模式的相乘。通过导入UV2A技术后，可以省去目前在VA模式液晶面板中用于控制液晶分子配向的狭缝隙和突起，因此通过UV2A技术液晶面板的开口率、对比度和响应速度都能得到提高，并能大幅削减生产程序。
随着大尺寸、高品质面板日趋主流，VA以其宽视野角、高对比度等优势，成为大尺寸面板的常用显示模式，垂直配向（VA）产品在不同视野角下具有色偏现象。而 mutilate-domain（多畴）结构是解决VA色偏的常用方法。
现有一般液晶面板在物理上只能形成4畴， VA产品通过配向方法，如图1所示，将阵列基板分为两个区域，进行上下两个方向的UV2A曝光，将彩膜基板也分为两个区域，进行左右两个方向的UV2A曝光，从而形成4畴显示效果。4畴结构的液晶面板，其掩膜板1、2的曝光区域设计成曝光和遮光两种形式。
为了实现8畴结构，一般是将一个像素单元分成A,B两部分，通过额外的TFT或者电容分别施加不同的液晶电压来实现A、B部分像素透过率不同，从而达到8畴的显示效果，如图2所示，8畴结构的液晶面板，其掩膜板1、2的曝光区域设计成曝光、遮光、曝光、遮光相间隔的形式，但是这样具有驱动复杂化，低开口率等副作用。
发明内容
本发明通过改变彩膜基板上的掩膜板，使得彩膜基板曝光的图形变成漏光区与半漏光区间隔的方法、或者上半个像素和下半个像素的曝光强度或曝光时间不同，从而上半个像素和下半个像素的预倾角度不同，当施加同样的电压时，上半个画素和下半个画素的透过率不同，从而实现8畴结构。
本发明提供一种液晶显示面板的掩膜板，该掩膜板用于液晶显示面板的彩膜基板上的曝光，所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，所述第一掩膜板的的曝光区域依序为：全曝光区域、全遮光区域、部分曝光或部分遮光区域、以及全遮光区域，所述第二掩膜板的曝光区域依序为：全遮光区域、全曝光区域、全遮光区域、以及部分曝光或部分遮光区域。
本发明还提供一种用于彩膜基板上的掩膜板的曝光方法，设定彩膜基板上某一像素单元，该像素单元分成上下两个部分：A部分和B部分，A部分像素均分成A1和A2部分，B部分像素均分成B1和B2部分， 将第一掩膜板从左至由对彩膜基板进行曝光，全曝光像素单元的A1部分和部分曝光像素单元的B1部分；使用第二掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，全曝光像素单元的A2部分和部分曝光像素单元的B2部分。
本发明提供一种液晶显示面板的掩膜板，该掩膜板用于液晶显示面板的彩膜基板上的曝光，所述掩膜板包括第一、第二、第三以及第四掩膜板，第一掩膜板的曝光区域，从上至下等序均分为8个区域，其中，第一、第三、第五以及第七均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第二掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第二、第四、第六以及第八均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第三掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第三和第七区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第四掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第四和第八区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域。
本发明还提供一种用于彩膜基板上的掩膜板的曝光方法，设定彩膜基板上的一像素单元均分成C和D部分，该相邻的另一像素单元均分成E和F部分，C、D、E、F在分别均分成两部分，分别为C1、C2、D1、D2、E1、E2、F1、以及F2，第一次曝光时，使用第一掩膜板从左至由对彩膜基板进行曝光，像素单元的C1、D1、E1、以及F1部分的曝光时间为T分钟，再用第二掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的C2、D2、E2、以及F2部分的曝光时间为T分钟；第二次曝光时，使用第三掩膜板左至由对彩膜基板进行曝光，像素单元的D1和F1部分曝光时间为xT分钟（0≤＜x≤＜1），再用第四掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的D2和F2部分曝光时间为xT分钟（0≤＜x≤＜1）。
本发明提供一种液晶显示面板的掩膜板，该掩膜板用于液晶显示面板的彩膜基板上的曝光，所述掩膜板包括第一、第二、第三以及第四掩膜板，第一掩膜板的曝光区域，从上至下等序均分为8个区域，其中，第一和第五区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第二掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第二和第六区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第三掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第三和第七区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第四掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第四和第八区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域。
本发明还提供一种用于彩膜基板上的掩膜板的曝光方法，设定彩膜基板上的一像素单元均分成C和D部分，该相邻的另一像素单元均分成E和F部分，C、D、E、F在分别均分成两部分，分别为C1、C2、D1、D2、E1、E2、F1、以及F2，第一次曝光时，使用第一掩膜板从左至右对对彩膜基板进行曝光，像素单元的C1、和E1部分的曝光时间为TR分钟，再用第二掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的C2和E2部分的曝光时间为TR分钟；第二次曝光时，使用第三掩膜板从左至右对对彩膜基板进行曝光，像素单元的D1和F1部分曝光时间为Ry（y≥1）T分钟，再用第四掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的D2和F2部分曝光时间为Ry（y≥1）T分钟。
本发明提供一种液晶显示面板的掩膜板，该掩膜板用于液晶显示面板的彩膜基板上的曝光，所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，第一掩膜板110的曝光区域，从上至下等序均分为8个区域，其中，第一和第五区域为部分曝光区域，第三和第七区域为全曝光区域，第一和第五区域曝光的面积为第三或第七曝光区域面积的xz（0≤＜zx≤＜1），其他区域都是全遮光区域；第二掩膜板120的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第二和第六区域为部分曝光区域，第四和第八区域为全曝光区域，且第二和第六个区域曝光的面积为第四或第八曝光区域面积的z（0≤z≤1），x（0＜x＜1），其他区域都是全遮光区域。
本发明还提供一种用于彩膜基板上的掩膜板的曝光方法，设定彩膜基板上的一像素单元均分成C和D部分，该相邻的另一像素单元均分成E和F部分，C、D、E、F在分别均分成两部分，分别为C1、C2、D1、D2、E1、E2、F1、以及F2，使用第一掩膜板从左至由对彩膜基板进行曝光，像素单元的C1和E1部分的曝光时间为TS分钟，像素单元的D1和E1部分的曝光时间为（1+xz）TS分钟（0＜x＜1），再用第二掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的C2和E2部分的曝光时间为TS分钟，像素单元的D2和F2部分的曝光时间为（1+xz）TS分钟（0＜x＜1）。
本发明通过改变曝光的掩膜板的设计，使得彩膜基板曝光时上半个像素单元和下半个像素单元的曝光强度不同或者曝光时间不同，导致上半个像素单元和下半个像素单元的预倾角不同，当施加相同的电压时，彩膜基板上的上半个像素单元和下半个像素单元的透过率不同，从而实现8畴结构。
附图说明
图1为现有4畴彩膜基板上的掩膜板及曝光配向示意图；
图2为现有8畴彩膜基板上的掩膜板及曝光配向示意图；
图3为本发明彩膜基板上预倾角为89°、88°的软件模拟的V-T曲线图；
图4为图3在H处的局部放大图；
图5为本发明利用曝光强度不同的条件下实现8畴配向的示意图；
图6为本发明利用曝光时间不同的条件下实现8畴配向的第一实施例的示意图；
图7为本发明利用曝光时间不同的条件下实现8畴配向的第一实施例的示意图；
图8为本发明利用曝光时间不同的条件下实现8畴配向的第二实施例的示意图；
图9为本发明利用曝光时间不同的条件下实现8畴配向的第二实施例的示意图；
图10为本发明利用曝光时间不同的条件下实现8畴配向的第三实施例的示意图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施例，进一步阐明本发明，应理解这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围，在阅读了本发明之后，本领域技术人员对本发明的各种等价形式的修改均落于本申请所附权利要求所限定的范围。
根据曝光强度不同会导致透过率不同，本发明设计一种UV2A MASK掩膜板对彩膜基板进行曝光，使得彩膜基板上的曝光图形的漏光区变成漏光区与半漏光区间隔的方式，当在彩膜基板上曝光时，彩膜基板的上半个像素单元的曝光量为100%，其OD值为0，彩膜基板上的下半个像素单元的曝光量为0%-100%，下半像素的0D值为：0＜OD＜4，使得照射后上半个像素和下半个像素形成的预倾角不同，导致施加液晶电压后，液晶分子的转动角度有偏差，从而达到8畴的显示效果。
OD：optical density，透光浓度，表示通过黑色矩阵的透过率，OD=-log10（透过率）OD值越大越好，OD值的大小为：0≤OD≤4。
本发明还揭示一种根据曝光时间的不同，使得彩膜基板上的上半个像素单元和下半个像素单元曝光时间不同，从而上半个像素单元和下半个像素单元的预倾角不同，当施加相同的电压时，彩膜基板上的上半个像素单元和下半个像素单元的透过率不同，从而实现8畴结构。
根据上述曝光强度不同使得上下像素单元预倾角不同的方案描述如下方：
在恒定照射时间下，线偏振入射UV光的强度彼此不同时，可得到不同的预倾角，这是由于预倾角取决于辐射能量，而辐射能量又与光强度和照射时间（强度X时间）成正比，当照射时间恒定时，上述临界强度入射光束的强度越强，将使预倾角变的越大。
由于预倾角度的不同，通过模拟软件ExpertLCD模拟发现，如图3和图4所示，当固定阵列基板的预倾角为89°，改变彩膜基板的预倾角分别为89°、 88°。从图3和图4中可以发现，T-V曲线发生偏移，相同电压下具有不同预倾角的像素透过率不同。
图5所示为本发明利用曝光强度不同，设计一种掩膜板对彩膜基板进行曝光从而实现8畴配向的示意图，通过在不同区域的曝光强度不同的条件下导致预倾角不同从而使得透过率不同来达到8畴显示效果的示意图。
根据曝光强度不同设计的掩膜板，本发明设计了两张不同的掩膜板10、20，所述第一掩膜板10的曝光区域依序为：全曝光区域（OD=0）、全遮光区域（OD=4）、部分曝光或部分遮光区域（0＜OD＜4）、以及全遮光区域（OD=4），所述第二掩膜板20的曝光区域依序为：全遮光区域（OD=4）、全曝光区域（OD=0）、全遮光区域（OD=4）、以及部分曝光或部分遮光区域（0＜OD＜4），以下描述将第一、第二掩膜板10、20使用于彩膜基板上的曝光。
本发明通过将一个像素单元分成上下两个部分：A部分和B部分，在进行UV2A光配向时，液晶显示面板的阵列基板曝光分成左右两个区域，上下两个方向对一半像素单元进行配向；彩膜基板上下分成四个区域，其中A部分像素与B部分像素都为左右两个方向对四分之一像素进行UV照射。
在彩膜基板上，使用上述掩膜板的曝光方法为：A部分像素均分成A1和A2部分，B部分像素均分成B1和B2部分，将第一掩膜板10从左至右对彩膜基板进行曝光，全曝光像素单元的A1部分和部分曝光像素单元的B1部分；使用第二掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，全曝光像素单元的A2部分和部分曝光像素单元的B2部分。
根据图6所示的曝光方式，彩膜基板的A部分与B部分像素在进行UV照射时，通过改变彩膜基板的掩膜板，使得彩膜基板曝光的图形的漏光区变成漏光区与半漏光区间隔的方式，当彩膜基板曝光时，上半个像素的曝光量为100%（OD=0），下半个像素的曝光量为0%-100%（0＜OD＜4），使得照射后A部分与B部分形成的预倾角不同，导致施加液晶电压后，液晶分子的转动角度有偏差，从而达到8畴的显示效果。
根据曝光时间不同会导致透过率不同，本发明还计一种UV2A MASK掩膜板对彩膜基板进行曝光，使得上半个像素单元和下半个像素单元的预倾角不同，当施加相同的电压时，彩膜基板上的上半个像素单元和下半个像素单元的透过率不同，从而实现8畴结构。
根据曝光时间不同使得上下像素单元预倾角不同的方案描述如下：在恒定照射时间下，线偏振入射UV光的强度彼此不同时，可得到不同的预倾角，这是由于预倾角取决于辐射能量，而辐射能量又与光强度和照射时间（强度X时间）成正比，当光强度恒定时，临界时间内入射光照的时间越长，将使预倾角变的越大，又由图3和图4知相同电压下具有不同预倾角的像素透过率不同。
图6至图10使用一种全新的掩膜板，通过不同区域的曝光时间不同导致预倾角不同从而使得透过率不同来达到8畴显示效果的示意图。
如图6和图7所示，在彩膜基板上使用4张不同的掩膜板，第一掩膜板30的曝光区域，从上至下等序均分为8个区域，其中，第一、第三、第五以及第七均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第二掩膜板40的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第二、第四、第六以及第八均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第三掩膜板50的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第三和第七区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第四掩膜板60的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第四和第八区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域。
图6和图7所示的彩膜基板上的曝光方式同时对相邻的两个像素单元进行曝光，一像素单元均分成C和D部分，该相邻的另一像素单元均分成E和F部分，C、D、E、F在分别均分成两部分，分别为C1、C2、D1、D2、E1、E2、F1、以及F2。
在进行UV2A光配向时，阵列基板上的曝光分为两个区域，上下两个方向对一半像素进行配向；彩膜基板需要曝光两次，彩膜基板上的曝光分为四个区域，其中C、D、E、F部分像素都为左右两个方向对四分之一像素进行UV照射。
在彩膜基板上，使用上述掩膜板的曝光方法为：第一次曝光时，使用第一掩膜板30从左至右对彩膜基板进行曝光，像素单元的C1、D1、E1、以及F1部分的曝光时间为T分钟，再用第二掩膜板40从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的C2、D2、E2、以及F2部分的曝光时间为T分钟；第二次曝光时，使用第三掩膜板50左至由对彩膜基板进行曝光，像素单元的D1和F1部分曝光时间为xT分钟（0≤x≤1），再用第四掩膜板60从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的D2和F2部分曝光时间为xT分钟（0≤x≤1）。
图6和图7，通过设计掩膜板，并控制两次曝光时掩膜板与玻璃基板移动的相对速度一样，使得照射后每个像素单元的上下部分的曝光时间不同从而形成的预倾角不同，导致施加液晶电压后，液晶分子的转动角度有偏差，从而实现8畴配向效果。
图8和图9所示的彩膜基板上的曝光方式为第二实施例的示意图，在彩膜基板上使用4张不同的掩膜板，第一掩膜板70的曝光区域，从上至下等序均分为8个区域，其中，第一和第五区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第二掩膜板80的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第二和第六区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第三掩膜板90的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第三和第七区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第四掩膜板100的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第四和第八区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域。
在彩膜基板上，使用上述掩膜板的曝光方法为：第一次曝光时，使用第一掩膜板70从左至右对对彩膜基板进行曝光，像素单元的C1、和E1部分的曝光时间为S分钟，再用第二掩膜板80从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的C2和E2部分的曝光时间为R分钟；第二次曝光时，使用第三掩膜板90从左至右对对彩膜基板进行曝光，像素单元的D1和F1部分曝光时间为Ry（y≥1）分钟，再用第四掩膜板100从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的D2和F2部分曝光时间为Ry（y≥1）分钟。
图8和图9通过设计掩膜板并控制两次曝光时掩膜板与玻璃基板移动的相对速度，使得像素单元的上下部分的曝光时间不同从而预倾角不同，导致施加液晶电压后，液晶分子的转动角度有偏差，从而实现8畴配向效果。
图10所示的彩膜基板上为曝光方式的第三实施例的示意图，在彩膜基板上使用2张不同的掩膜板，第一掩膜板110的曝光区域，从上至下等序均分为8个区域，其中，第一和第五区域为部分曝光区域，第三和第七区域为全曝光区域，第一和第五区域曝光的面积为第三或第七曝光区域面积的z（0≤z≤1），其他区域都是全遮光区域；第二掩膜板120的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第二和第六区域为部分曝光区域，第四和第八区域为全曝光区域，且第二和第六个区域曝光的面积为第四或第八曝光区域面积的z（0≤z≤1），其他区域都是全遮光区域。
在彩膜基板上，使用上述掩膜板的曝光方法为：使用第一掩膜板110从左至由对彩膜基板进行曝光，像素单元的C1和E1部分的曝光时间为S分钟，像素单元的D1和F1部分的曝光时间为（1+z）S分钟（0≤z≤1），再用第二掩膜板120从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的C2和E2部分的曝光时间为S分钟，像素单元的D2和F2部分的曝光时间为（1+z）S分钟（0≤z≤1）。
通过掩膜板上设计不同的曝光区域的面积和曝光时间不同，只需一次曝光,使得照射后每个像素单元的上下部分形成的预倾角不同，导致施加液晶电压后，液晶分子的转动角度有偏差，从而实现8畴配向效果。
Claims (6)
1.一种液晶显示面板的掩膜板，该掩膜板用于液晶显示面板的彩膜基板上的曝光，所述掩膜板包括第一、第二、第三以及第四掩膜板，其特征在于：第一掩膜板的曝光区域，从上至下等序均分为8个区域，其中，第一、第三、第五以及第七均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第二掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第二、第四、第六以及第八均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第三掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第三和第七区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第四掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第四和第八区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域。
2.使用权利要求1所述的掩膜板的曝光方法，其特征在于：设定彩膜基板上的一像素单元均分成C和D部分，相邻的另一像素单元均分成E和F部分，C、D、E、F在分别均分成两部分，分别为C1、C2、D1、D2、E1、E2、F1、以及F2, 阵列基板曝光分成左右两个区域，上下两个方向对一半像素单元进行配向，第一次曝光时，使用第一掩膜板从左至由对彩膜基板进行曝光，像素单元的C1、D1、E1、以及F1部分的曝光时间为T分钟，再用第二掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的C2、D2、E2、以及F2部分的曝光时间为T分钟；第二次曝光时，使用第三掩膜板左至由对彩膜基板进行曝光，像素单元的D1和F1部分曝光时间为xT分钟（0≤x≤1），再用第四掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的D2和F2部分曝光时间为xT分钟（0≤x≤1）。
3.一种液晶显示面板的掩膜板，该掩膜板用于液晶显示面板的彩膜基板上的曝光，所述掩膜板包括第一、第二、第三以及第四掩膜板，其特征在于：第一掩膜板的曝光区域，从上至下等序均分为8个区域，其中，第一和第五区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第二掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第二和第六区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第三掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第三和第七区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域；第四掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第四和第八区域均为全曝光区域，其他区域均为全遮光区域。
4.使用权利要求3所述的掩膜板的曝光方法，其特征在于：设定彩膜基板上的一像素单元均分成C和D部分，相邻的另一像素单元均分成E和F部分，C、D、E、F在分别均分成两部分，分别为C1、C2、D1、D2、E1、E2、F1、以及F2, 阵列基板曝光分成左右两个区域，上下两个方向对一半像素单元进行配向，第一次曝光时，使用第一掩膜板从左至右对对彩膜基板进行曝光，像素单元的C1、和E1部分的曝光时间为R分钟，再用第二掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的C2和E2部分的曝光时间为R分钟；第二次曝光时，使用第三掩膜板从左至右对对彩膜基板进行曝光，像素单元的D1和F1部分曝光时间为Ry（y≥1）分钟，再用第四掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的D2和F2部分曝光时间为Ry（y≥1）分钟。
5.一种液晶显示面板的掩膜板，该掩膜板用于液晶显示面板的彩膜基板上的曝光，所述掩膜板包括第一掩膜板和第二掩膜板，其特征在于：第一掩膜板的曝光区域，从上至下等序均分为8个区域，其中，第一和第五区域为部分曝光区域，第三和第七区域为全曝光区域，第一和第五区域曝光的面积为第三或第七曝光区域面积的z（0≤z≤1），其他区域都是全遮光区域；第二掩膜板的曝光区域，从上至下也等序均分为8个区域，其中，第二和第六区域为部分曝光区域，第四和第八区域为全曝光区域，且第二和第六个区域曝光的面积为第四或第八曝光区域面积的z（0≤z≤1），其他区域都是全遮光区域。
6.使用权利要求5所述的掩膜板的曝光方法，其特征在于：设定彩膜基板上的一像素单元均分成C和D部分，相邻的另一像素单元均分成E和F部分，C、D、E、F在分别均分成两部分，分别为C1、C2、D1、D2、E1、E2、F1、以及F2, 阵列基板曝光分成左右两个区域，上下两个方向对一半像素单元进行配向，使用第一掩膜板从左至由对彩膜基板进行曝光，像素单元的C1和E1部分的曝光时间为S分钟，像素单元的D1和F1部分的曝光时间为（1+z）S分钟，再用第二掩膜板从右至左对彩膜基板进行曝光，像素单元的C2和E2部分的曝光时间为S分钟，像素单元的D2和F2部分的曝光时间为（1+z）S分钟。
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