CN104718497A - 硬罩幕组成物及使用硬罩幕组成物的图案形成方法 - Google Patents

硬罩幕组成物及使用硬罩幕组成物的图案形成方法 Download PDF

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Abstract

揭示硬罩幕组成物以及使用硬罩幕组成物的图案形成方法。硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中所包含的单体的含量等同于或高于高分子的含量。

Description

硬罩幕组成物及使用硬罩幕组成物的图案形成方法
技术领域
揭示一种硬罩幕组成物以及一种图案形成方法。
背景技术
近年来，半导体产业发展了尺寸在数纳米至数十纳米的图案的超微细技术(ultra-fine technique)。此种超微细技术实质上须要有效的微影技术(lithographic technique)。
典型的微影技术包括在半导体基板上提供材料层；在其上涂布光阻层；对光阻层进行曝光与显影以提供光阻图案；以及利用光阻图案作为罩幕(mask)蚀刻材料层。
现今，当所形成的图案的尺寸逐渐缩小时，难以仅通过上述典型的微影技术提供具有优良轮廓(profile)的微细图案(fine pattern)。因此，可在材料层与光阻层之间形成光阻底层(称为硬罩幕层(hardmask layer))以提供微细图案。在经由选择蚀刻处理将光阻的微细图案转移至材料层的过程中，硬罩幕层扮演中间层(intermediate layer)的角色。
因此，在多重蚀刻处理期间，硬罩幕层必须具有耐热性、抗蚀刻性或相似的耐受性等特性。此外，根据硬罩幕层的应用范围的扩大，可通过旋转涂布法(spin-on coating method)在预定图案上形成硬罩幕层。
在此情况下，在图案之间的间隙中填入硬罩幕组成物的填沟(gap-fill)特性以及平坦化(planarization)特性是必需的。
发明内容
技术问题
一实施例提供一种硬罩幕组成物，其确保耐热性以及耐蚀刻性，且满足填沟特性。
另一实施例提供一种利用所述硬罩幕组成物的图案形成方法。
技术方案
根据一实施例，提供一种硬罩幕组成物，包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂，其中单体的含量等同于或高于高分子的含量。
[化学式1]
[化学式2]
在上述化学式1或化学式2中，
R1为单键或经取代或未经取代的C1至C10亚烷基(alkylene group)，
R2至R6各自独立地为氢、羟基(hydroxy group)、经取代或未经取代的C1至C30烷基(alkyl group)、经取代或未经取代的C3至C30环烷基(cycloalkyl group)、经取代或未经取代的C6至C30芳基(aryl group)、经取代或未经取代的C3至C30环烯基(cycloalkenyl group)、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基(arylalkyl group)、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基(heteroalkyl group)、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基(heterocycloalkyl group)、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基(heteroarylgroup)、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基(alkoxy group)、经取代或未经取代的C2至C30烯基(alkenyl group)、经取代或未经取代的C2至C30炔基(alkynyl group)、经取代或未经取代的C1至C20醛基(aldehyde group)、经取代或未经取代的C1至C4烷基醚(alkyl ether)、经取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚(arylalkylene ether)、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基(haloalkyl group)或其组合，
AR1以及AR2各自独立地为经取代或未经取代的C6至C20芳基，
x+y＝1、0≤x≤1且0≤y≤1，以及
n为1至200范围内的整数。
所包含的高分子以及单体可具有约1：9至约5：5的重量比。
AR1以及AR2可各自独立地包括选自下列族群1中所列的官能基的至少一种。
[族群1]
R7以及R8独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C4烷基醚、经取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基或其组合。
高分子可由下列化学式1a表示。
[化学式1a]
其中，在上述化学式1a中，
x+y＝1、0≤x≤1且0≤y≤1，以及
n为1至200范围内的整数。
单体可由下列化学式2a至化学式2d的其中一种表示。
[化学式2a]
[化学式2b]
[化学式2c]
[化学式2d]
高分子可具有约1,000至100,000公克/摩尔的重量平均分子量。
基于100重量份(parts by weight)的溶剂，高分子以及单体的总含量可为约1至50重量份。
硬罩幕组成物可还包括表面活性剂(surfactant)、酸催化剂(acid catalyst)或交联剂(cross-linking agent)的至少其中一种。
基于100重量份的硬罩幕组成物，可包括个别含量为0.001至3重量份的表面活性剂、酸催化剂或交联剂。
根据另一实施例，一种图案形成方法包括：在基板上提供材料层；在材料层上涂布所述硬罩幕组成物；热处理硬罩幕组成物以形成硬罩幕层；在硬罩幕层上形成含硅(silicon-containing)薄膜；在含硅薄膜上形成光阻层；对光阻层进行曝光与显影以形成光阻图案；利用光阻图案选择性移除含硅薄膜以及硬罩幕层以暴露部分材料层；以及蚀刻材料层的经暴露部分。
在形成含硅薄膜之后，还可在含硅薄膜上形成底部抗反射层(bottomanti-reflective coating,BARC)。
硬罩幕组成物可使用旋转涂布法来涂布。
硬罩幕层可在约150℃至500℃下热处理。
有利效果
可改善硬罩幕层所需的特性，诸如耐热性、抗蚀刻性、膜密度以及沟填特性。
具体实施方式
以下将详细说明本发明的示范性实施例，且本领域技术人员易实施。然而，此发明可以多种形式来实施，且不应限于此处所提出的示范性实施方式。
在本说明书中，当未另外提供定义，术语“经取代的”指化合物的至少一个氢被选自由卤素原子(氟、氯、溴或碘)、羟基、烷氧基、硝基、氰基、胺基、叠氮基(azido group)、甲脒基(amidino group)、肼基(hydrazino group)、亚肼基(hydrazono group)、羰基、胺甲酰基(carbamyl group)、硫醇基(thiolgroup)、酯基、羧基或其盐类、磺酸基(sulfonic acid group)或其盐类、磷酸或其盐类、C1至C20烷基、C2至C20烯基、C2至C20炔基、C6至C30芳基、C7至C30芳烷基、C1至C4烷氧基、C1至C4醚基、C1至C20杂烷基、C3至C20杂芳烷基、C3至C30环烷基、C3至C15环烯基、C6至C15环炔基、杂环烷基及其组合中的至少一种取代基所取代。
在本说明书中，当未另外提供定义，术语“杂”指包含选自氮、氧、硫及磷的杂原子中的至少一种。
以下，描述根据一实施例的硬罩幕组成物。
根据一实施例的硬罩幕组成物包括由下列化学式1表示的高分子、由下列化学式2表示的单体以及溶剂。
[化学式1]
[化学式2]
在上述化学式1或化学式2中，
R1为单键或经取代或未经取代的C1至C10亚烷基，
R2至R6各自独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C4烷基醚、经取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基或其组合，
AR1以及AR2各自独立地为经取代或未经取代的C6至C20芳基，
x+y＝1、0≤x≤1且0≤y≤1，以及
n为1至200范围内的整数。
R2至R6可各自独立地取代任何分别与芳香族环键结的氢，且可能存在一个或多个(一种或多种)R2至R6。
AR1以及AR2可各自独立地包括选自下列族群1中所列的族群的至少一种：
[族群1]
R7以及R8各自独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C4烷基醚、经取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基或其组合。
高分子可以(例如是以)下列化学式1a表示。
[化学式1a]
在上述化学式1a中，
x+y＝1、0≤x≤1且0≤y≤1，以及
n为1至200范围内的整数。
高分子可具有约1,000至100,000公克/摩尔的重量平均分子量。
高分子可包括单独一种高分子(one kind of a polymer at alone)或两种或两种以上高分子的混合物。
单体可以(例如是以)下列化学式2a至化学式2d的其中一种表示。
[化学式2a]
[化学式2b]
[化学式2c]
[化学式2d]
单体可包括单独一种单体或两种或两种以上单体的混合物。
由于包含多环芳族基(polycyclic aromatic group)，单体以及高分子可具有刚性(rigid characteristics)，且可有效地吸收诸如193纳米和/或248纳米的短波长光。
特别的是，由于含有以取代基形式与多环芳族基连结的羟基(-OH)，单体对于溶剂而言具有高溶解度，因此可利用旋转涂布法制备为溶液，且因同时具有羟基(-OH)以及芳基而具备高电子移动率，因此可提供优良的交联特性。
根据所述实施例的硬罩幕组成物可包括单体，单体含量等同于或高于高分子含量。举例而言，所包含的高分子和单体可具有约1：9至5：5的重量比。
如此一来，在所述实施例中，以混合物形式包括高分子以及单体，且所包含的单体含量等同于或高于高分子含量，因此可显著地改善硬罩幕层的抗蚀刻性和耐热性，且相较于仅含高分子或仅含单体的组成物，利用旋转涂布法形成硬罩幕层时，可进一步改善填充图案之间的沟填特性。
溶剂可为任何对于单体而言具有充分的溶解度或分散性的溶剂，并可为(例如是)选自丙二醇、丙二醇二乙酸酯(propylene glycol diacetate)、甲氧基丙二醇(methoxy propanediol)、二乙二醇(diethylene glycol)、二乙二醇丁醚(diethylene glycol butylether)、三(乙二醇)单甲醚(tri(ethylene glycol)monomethyl ether)、丙二醇单甲醚(propylene glycol monomethyl ether)、丙二醇单甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate)、环己酮(cyclohexanone或称为anone)、乳酸乙酯(ethyllactate)、γ-丁内酯(gamma-butyrolactone)以及乙酰丙酮(acetyl acetone)的至少一种。
基于100重量份的溶剂，所包含的高分子以及单体的总含量可为约1至50重量份。在此范围内，基于100重量份的溶剂，所包含的高分子以及单体的总含量可为约3至30重量份。当所包含的高分子以及单体在此范围内，可显著地改善硬罩幕层的抗蚀刻性、耐热性以及膜密度(film density)，且当利用旋转涂布法形成硬罩幕层时，可改善硬罩幕层的沟填特性。
硬罩幕组成物可还包括表面活性剂、酸催化剂或交联剂的至少其中一种。
表面活性剂可包括(例如是)烷基苯磺酸盐(alkyl benzene sulfonate salt)、烷基吡啶盐(alkyl pyridinium salt)、聚乙二醇、四级铵盐(quaternary ammoniumsalt)及其类似物，但不限于此。
酸催化剂较佳可为热活化(thermally activated)酸催化剂。
酸催化剂可为有机酸，例如是对甲苯磺酸单水合物(p-toluene sulfonic acidmonohydrate)以及热酸产生剂(thermal acid generator,TAG)可提供储存稳定性。热酸产生剂为进行热处理时产生酸的酸产生剂，且可为(例如是)吡啶对甲苯磺酸盐(pyridinium p-toluene sulfonate)、2,4,4,6-四溴环己二烯酮(2,4,4,6-tetrabromocyclohexadienone)、安息香甲苯磺酸酯(benzoin tosylate)、2-硝基苄基甲苯磺酸酯(2-nitrobenzyltosylate)、有机磺酸(organic sulfonicacid)的烷基酯(alkylester)以及其类似物。
在热存在下，交联剂可交联高分子重复单元，且可为胺基树脂(aminoresin)，例如是醚化胺基树脂(etherified amino resin)；乙炔脲(glycoluril)化合物，例如是由下列化学式A表示的化合物；双环氧(bisepoxy)化合物，例如是由下列化学式B表示的化合物；三聚氰胺(melamine)或其衍生物，例如是甲氧基甲基三聚氰胺(methoxymethyl melamine)；N-丁氧基甲基三聚氰胺(N-butoxymethyl melamine)或由下列化学式C表示的三聚氰胺衍生物；或其混合物。
[化学式A]
[化学式B]
[化学式C]
基于100重量份的硬罩幕组成物，可包含各自含量约0.001至3重量份的表面活性剂、酸催化剂或交联剂。在此范围内，硬罩幕组成物的光学性质不会改变，且可确保溶解度以及交联特性。
以下，描述利用所述硬罩幕组成物的图案形成方法。
根据一实施例的图案形成方法包括：在基板上提供材料层；在材料层上涂布所述硬罩幕组成物；热处理硬罩幕组成物以形成硬罩幕层；在硬罩幕层上形成含硅薄膜；在含硅薄膜上形成光阻层；对光阻层进行曝光与显影以形成光阻图案；利用光阻图案选择性移除含硅薄膜与硬罩幕层以暴露部分材料层；以及蚀刻材料层的经暴露部分。
基板可为(例如为)硅晶圆、玻璃基板或高分子基板。
材料层为最终待图案化的材料，例如是铝层以及铜层等金属层；例如是硅层等半导体层；或是氧化硅层以及氮化硅层等绝缘层。材料层可经由化学气相沉积(chemical vapor deposition,CVD)处理等方法形成。
硬罩幕组成物可以溶液的形式利用旋转涂布法(spin-on coating)涂布。在本文中，硬罩幕组成物可涂布约100埃至10,000埃等厚度。
硬罩幕组成物可在(例如在)约150℃至500℃下进行约10秒至10分钟的热处理。在热处理期间，可引发单体和高分子相互的交联反应。
含硅薄膜可为(例如为)由氮化硅或氧化硅所制成的薄膜。
可在含硅薄膜上形成底部抗反射层(BARC)。
光阻层的曝光可通过氟化氩(ArF)、氟化氪(KrF)或极紫外光(EUV)等来进行。此外，在曝光之后，可在约100℃至500℃下进行热处理。
可经由使用蚀刻气体的干式蚀刻制程来对材料层的经暴露部分进行蚀刻制程，且蚀刻气体可为(例如为)三氟甲烷(CHF3)、四氟化碳(CF4)、氯气、氯化硼(BCl3)及其混合气体。
经蚀刻的材料层可形成多个图案，且多个图案可为金属图案、半导体图案、绝缘图案及其相似图案，诸如半导体积体电路装置的各种图案(diversepattern)。
以下，将参考范例对本发明做更详细的说明。然而，此为示范性范例，且本发明不限于此。
高分子的合成
合成实例1
在具备有温度计、冷凝器、氮气气体清除喷嘴(nitrogen gas-purgingnozzle)以及搅拌器的500毫升四口烧瓶中，放入91.3克的苊烯(acenaphthylene)、206.6克的4-乙酸基苯乙烯(4-acetoxystyrene)、1.97克的2,2'-偶氮二异丁腈(2,2'-azobisisobutyronitrile,AIBN)以及161.48克的丙二醇甲醚乙酸酯(propylene glycol monomethyl ether acetate,PGMEA)，并将溶液除气(degas)20分钟。随后，将溶液在70℃下加热并搅拌24小时。之后，将溶液冷却至室温且在甲醇中沉淀，并在45℃的烘箱中干燥24小时。然后，将所得产物与1,4-二氧六环(1,4-dioxane)以及联氨酸酐(hydrazineanhydride)混合(产物：1,4-二氧六环：联氨酸酐的体积比(v/v/v)＝1：8：1)以进行水解。在室温下搅拌混合物12小时，且当快速搅拌混合物时，通过滴定方式加入过量的甲醇以使高分子分离及沉淀。将高分子过滤并以甲醇冲洗，之后，在45℃的真空下干燥24小时，得到由下列化学式1a表示的高分子。
[化学式1a]
(x＝0.2、y＝0.8)
利用凝胶渗透层析法(gel permeation chromatography,GPC)所测得的高分子的重量平均分子量为10,800公克/摩尔，且高分子的多分散性(polydispersity)为1.3。
单体的合成
合成实例2
<第一步>
在烧瓶中溶解30.04克(100毫摩尔)的蔻(coronene)(化合物I)、17.1克(100毫摩尔)的4-甲氧基苯甲酰氯(4-methoxybenzoyl chloride)、19.1克(100毫摩尔)的2-萘甲酰氯(2-naphthoyl chloride)以及371克的二氯乙烷(dichloroethane)。将26.7克(200毫摩尔)的氯化铝(III)缓慢加入其中，且将混合物加热至80℃并搅拌24小时。当反应完全时，将生成物冷却至室温并通过加入氢氧化钾水溶液以使其中和。分离且浓缩有机层，得到55.3克的下列化合物II。化合物的产率为93.9％。
<第二步>
将58.87克(100毫摩尔)的化合物II溶解于381克的甲醇和水的混合溶剂(体积比＝1：1)中。将37.83克(1.0摩尔)的硼氢化钠(sodium borohydride)缓慢加入溶液中，并将混合物搅拌24小时。当反应完全时，加入10％氯化氢水溶液以中和生成物，并在其中加入乙酸乙酯(ethyl acetate)以进行萃取(extraction)。在减压下浓缩经萃取的有机层，得到由下列化学式2a表示的50.3克的单体。单体的产率为84.9％。
[化学式2a]
合成实例3
除了使用200毫摩尔的萘甲酰氯(naphthoyl chloride)取代100毫摩尔的4-甲氧基苯甲酰氯以及100毫摩尔的2-萘甲酰氯之外，根据与合成实例2相同的方法获得由下列化学式2b表示的单体。单体的产率为73.0％。
[化学式2b]
合成实例4
除了使用200毫摩尔的苯甲酰氯(benzoyl chloride)取代100毫摩尔的4-甲氧基苯甲酰氯以及100毫摩尔的2-萘甲酰氯之外，根据与合成实例2相同的方法合成由下列化学式2c表示的单体。单体的产率为81.0％。
[化学式2c]
合成实例5
除了使用100毫摩尔的苯甲酰氯以及100毫摩尔的2-萘甲酰氯取代100毫摩尔的4-甲氧基苯甲酰氯以及100毫摩尔的2-萘甲酰氯之外，根据与合成实例2相同的方法合成由下列化学式2d表示的单体。单体的产率为82.0％。
[化学式2d]
比较合成实例
将8.97克的9,9-双(4-羟苯基)芴(9,9-bis(4-hydroxyphenyl)fluorene,BPF)以及0.92克的三聚甲醛(paraformaldehyde)放入99.27克的丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)中，然后搅拌及溶解20分钟。在其中加入0.3克的硫酸二乙酯(diethyl sulfate)，并将混合物在130℃下加热8小时。随后，在反应物中加入52.94克根据合成实例1的高分子，再将混合物在相同温度下加热4小时。在甲醇中沉淀所得的共聚物(copolymer)后，将其溶解于20克的丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)中，并在甲醇中进行再沉淀，以得到由下列化学式3表示的共聚物。
[化学式3]
n＝90且m＝10
利用凝胶渗透层析法(GPC)测得的所得高分子的重量平均分子量为16,500公克/摩尔，且高分子的多分散性为1.7。
硬罩幕组成物的制备
实例1-1
通过在9克的丙二醇甲醚乙酸酯(PGMEA)中溶解0.8克的合成实例1的高分子与合成实例2的单体(重量比为5：5)、作为酸催化剂的2毫克的吡啶对甲苯磺酸盐以及作为交联剂且由下列化学式A表示的0.2克的乙炔脲(glycoluril)化合物，并过滤溶液来制备硬罩幕组成物。
[化学式A]
实例1-2
除了使用重量比为3：7的合成实例1的高分子与合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
实例1-3
除了使用重量比为1：9之合成实例1的高分子与合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
实例2
除了使用合成实例3的单体取代合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
实例3
除了使用合成实例4的单体取代合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
实例4
除了使用合成实例5的单体取代合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
比较实例1
除了只使用合成实例1的高分子取代合成实例1的高分子与合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
比较实例2
除了只使用合成实例2的单体取代合成实例1的高分子与合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
比较实例3
除了只使用合成实例3的单体取代合成实例1的高分子与合成实例3的单体外，以根据与实例2相同的方法来制备硬罩幕组成物。
比较实例4
除了只使用合成实例4的单体取代合成实例1的高分子与合成实例4的单体外，以根据与实例3相同的方法来制备硬罩幕组成物。
比较实例5
除了只使用合成实例5的单体取代合成实例1的高分子与合成实例5的单体外，以根据与实例4相同的方法来制备硬罩幕组成物。
比较实例6
除了只使用比较合成实例的共聚物取代合成实例1的高分子与合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
比较实例7
除了使用重量比为7：3的合成实例1的高分子与合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
比较实例8
除了使用重量比为9：1的合成实例1的高分子与合成实例2的单体外，以根据与实例1-1相同的方法来制备硬罩幕组成物。
评估1：抗蚀刻性
将根据实例1-1至实例4以及比较实例1至比较实例8的硬罩幕组成物分别旋转涂布于硅晶圆上，并在240℃下在加热盘上热处理1分钟以个别形成薄膜。通过使用科美仪器(K-MAC Co.)所制造的薄膜厚度量测装置来量测薄膜厚度。
随后，利用四氟化碳对薄膜进行2分钟的干蚀刻，然后，量测薄膜的厚度。
根据下列计算方程式1，利用初始的薄膜厚度以及干蚀刻后的薄膜厚度以计算块材蚀刻速率(bulk etch rate,BER)。
[计算方程式1]
蚀刻速率(BER,埃/分钟)＝(初始的薄膜厚度–蚀刻后的薄膜厚度)/蚀刻时间(分钟)
评估2：耐热性
将根据实例1-1至实例4以及比较实例1至比较实例8所得的硬罩幕组成物分别旋转涂布于硅晶圆上，并在240℃下在加热盘上热处理1分钟以个别形成薄膜。通过使用科美仪器所制造的薄膜厚度量测装置来量测薄膜厚度。
随后，将薄膜在400℃下热处理2分钟后，再一次量测薄膜的厚度。
根据下列计算方程式2，利用初始的薄膜厚度以及热处理后的薄膜厚度以计算薄膜的厚度减少率(thickness decrease rate)。
[计算方程式2]
薄膜的厚度减少率(％)＝(初始的薄膜厚度–热处理后的薄膜厚度)/初始的薄膜厚度x100
评估3：膜密度
将根据实例1-1至实例4以及比较实例1至比较实例8所得的硬罩幕组成物分别旋转涂布于硅晶圆上，并在400℃下在加热盘上热处理2分钟以个别形成薄膜。
通过使用帕纳科公司(PANalytical Inc.)(型号：X'Pert PRO MPD)的X光绕射仪(X-ray diffractometer,XRD)来得知薄膜的膜密度。
评估4：沟填特性
将根据实例1-1至实例4以及比较实例1至比较实例8的硬罩幕组成物分别旋转涂布于经图案化的硅晶圆上，且在240℃下进行热处理，并通过使用垂直扫描式电子显微镜(V-SEM)装置来检测膜的沟填特性。
利用扫描式电子显微镜(SEM)通过检查图案的截面以检视是否有孔洞(void)产生来评估沟填特性。
无孔洞：○，少量的孔洞：△，大量的孔洞：x。
表1中提供了抗蚀刻性、耐热性、膜密度以及沟填特性的结果。
(表1)
参照表1，根据抗蚀刻性、耐热性、膜密度以及沟填特性的结果，相较于比较实例1至比较实例8的硬罩幕组成物，实例1-1至实例4的硬罩幕组成物显示改善了硬罩幕层所需的特性。
尽管是通过结合目前认为可行的示范性实施例来描述本发明，但应理解的是，本发明不限于此揭示的实施例，相反地，本发明涵盖所附权利要求的精神和范畴内包括的各种修改和等同置换。

Claims (13)

1.一种硬罩幕组成物，包括：
高分子，由下列化学式1表示；
单体，由下列化学式2表示；以及
溶剂；
其中所包含的所述单体的含量等同于或高于所述高分子的含量：
其中，在所述化学式1或化学式2中，
R1为单键或经取代或未经取代的C1至C10亚烷基，
R2至R6各自独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C4烷基醚、经取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基或其组合，
AR1以及AR2各自独立地为经取代或未经取代的C6至C20芳基，x+y＝1、0≤x≤1且0≤y≤1，以及n为1至200范围内的整数。
2.根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所包含的所述高分子和所述单体具有约1：9至约5：5的重量比。
3.根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述AR1以及AR2各自独立地包括选自下列族群1中所列的官能基的至少一种：
其中，R7以及R8独立地为氢、羟基、经取代或未经取代的C1至C30烷基、经取代或未经取代的C3至C30环烷基、经取代或未经取代的C6至C30芳基、经取代或未经取代的C3至C30环烯基、经取代或未经取代的C7至C20芳烷基、经取代或未经取代的C1至C20杂烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂环烷基、经取代或未经取代的C2至C30杂芳基、经取代或未经取代的C1至C30烷氧基、经取代或未经取代的C2至C30烯基、经取代或未经取代的C2至C30炔基、经取代或未经取代的C1至C20醛基、经取代或未经取代的C1至C4烷基醚、经取代或未经取代的C7至C20芳基亚烷基醚、经取代或未经取代的C1至C30卤烷基或其组合。
4.根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述高分子由下列化学式1a表示：
其中，在所述化学式1a中，
x+y＝1、0≤x≤1且0≤y≤1，以及
n为1至200范围内的整数。
5.根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述单体由下列化学式2a至化学式2d的其中一种表示：
6.根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述高分子具有1,000至100,000公克/摩尔的重量平均分子量。
7.根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中基于100重量份的所述溶剂，所述高分子以及所述单体的总含量为1至50重量份。
8.根据权利要求1所述的硬罩幕组成物，其中所述硬罩幕组成物还包括表面活性剂、酸催化剂以及交联剂中的至少一种。
9.根据权利要求8所述的硬罩幕组成物，其中基于100重量份的所述硬罩幕组成物，所包含的所述表面活性剂、所述酸催化剂或所述交联剂的含量分为0.001至3重量份。
10.一种图案形成方法，包括：
在基板上提供材料层；
在所述材料层上涂布如权利要求1至9中任一项所述的硬罩幕组成物；
热处理所述硬罩幕组成物以形成硬罩幕层；
在所述硬罩幕层上形成含硅薄膜；
在所述含硅薄膜上形成光阻层；
对所述光阻层进行曝光与显影以形成光阻图案；
利用所述光阻图案，选择性移除所述含硅薄膜以及所述硬罩幕层，以暴露部分所述材料层；以及
蚀刻所述材料层的经暴露部分。
11.根据权利要求10所述的图案形成方法，其中在形成所述含硅薄膜之后，还形成底部抗反射层在所述含硅薄膜上。
12.根据权利要求10所述的图案形成方法，其中所述硬罩幕组成物是利用旋转涂布法来涂布。
13.根据权利要求10所述的图案形成方法，其中所述硬罩幕层是在150℃至500℃下进行热处理。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107337776A (zh) * 2015-10-19 2017-11-10 三星Sdi株式会社 聚合物、有机层组成物以及形成图案的方法
TWI644999B (zh) * 2016-10-28 2018-12-21 三星Ｓｄｉ股份有限公司 聚合物、有機層組成物與形成圖案之方法
CN111344634A (zh) * 2017-11-28 2020-06-26 三星Sdi株式会社 硬罩幕组成物与形成图案的方法

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI541611B (zh) * 2013-06-26 2016-07-11 第一毛織股份有限公司 用於硬罩幕組合物的單體、包括該單體的硬罩幕組合物及使用該硬罩幕組合物形成圖案的方法
US9862668B2 (en) * 2014-11-24 2018-01-09 Samsung Sdi Co., Ltd. Monomer, polymer, organic layer composition, organic layer, and method of forming patterns
KR101806329B1 (ko) * 2014-11-24 2017-12-07 삼성에스디아이 주식회사 모노머, 중합체, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR101804260B1 (ko) 2015-02-17 2017-12-04 삼성에스디아이 주식회사 모노머, 유기막 조성물, 유기막, 및 패턴형성방법
KR20170086972A (ko) * 2016-01-19 2017-07-27 삼성에스디아이 주식회사 유기막 조성물 및 패턴형성방법
KR102539857B1 (ko) * 2016-04-29 2023-06-07 동우 화인켐 주식회사 하드마스크용 조성물
KR102285025B1 (ko) * 2017-06-27 2021-08-03 동우 화인켐 주식회사 하드마스크용 조성물
KR102118874B1 (ko) * 2018-05-25 2020-06-04 (주)코이즈 반사방지 유기 하드마스크용 조성물 및 이를 이용한 패턴형성방법
KR102590366B1 (ko) * 2019-01-18 2023-10-17 동우 화인켐 주식회사 하드마스크용 조성물
CN113960880B (zh) * 2021-11-02 2024-03-15 厦门恒坤新材料科技股份有限公司 一种硬掩膜组合物及其制备方法、形成图案的方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4388429B2 (ja) * 2004-02-04 2009-12-24 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
CN102115426A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 第一毛织株式会社 用于抗蚀剂下层的包含芳香环的化合物，以及抗蚀剂下层组合物
US20110230058A1 (en) * 2008-11-27 2011-09-22 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming resist underlayer film with reduced outgassing
CN102540729A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 第一毛织株式会社 硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件
CN102566281A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 第一毛织株式会社 硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件
CN102566282A (zh) * 2010-12-17 2012-07-11 第一毛织株式会社 硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件
CN102695986A (zh) * 2009-12-31 2012-09-26 第一毛织株式会社 用于抗蚀剂下层的含芳环的聚合物和包含该聚合物的抗蚀剂下层组合物

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP2048541A4 (en) 2006-08-04 2010-12-01 Jsr Corp PROCESS FOR FORMING PATTERN, COMPOSITION FOR FORMING UPPER LAYER FILM, AND COMPOSITION FOR FORMING LOWER LAYER FILM
US7745104B2 (en) 2006-08-10 2010-06-29 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Bottom resist layer composition and patterning process using the same
KR100908601B1 (ko) * 2007-06-05 2009-07-21 제일모직주식회사 반사방지 하드마스크 조성물 및 이를 이용한 기판상 재료의패턴화 방법
JP5040839B2 (ja) 2008-07-18 2012-10-03 Ｊｓｒ株式会社 レジスト下層膜形成組成物
KR101156488B1 (ko) * 2008-12-22 2012-06-18 제일모직주식회사 하드마스크 층 형성용 조성물 및 이를 사용한 패턴화된 재료 형상의 제조방법

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4388429B2 (ja) * 2004-02-04 2009-12-24 信越化学工業株式会社 レジスト下層膜材料ならびにパターン形成方法
US20110230058A1 (en) * 2008-11-27 2011-09-22 Nissan Chemical Industries, Ltd. Composition for forming resist underlayer film with reduced outgassing
CN102115426A (zh) * 2009-12-31 2011-07-06 第一毛织株式会社 用于抗蚀剂下层的包含芳香环的化合物，以及抗蚀剂下层组合物
CN102695986A (zh) * 2009-12-31 2012-09-26 第一毛织株式会社 用于抗蚀剂下层的含芳环的聚合物和包含该聚合物的抗蚀剂下层组合物
CN102566281A (zh) * 2010-12-16 2012-07-11 第一毛织株式会社 硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件
CN102566282A (zh) * 2010-12-17 2012-07-11 第一毛织株式会社 硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件
CN102540729A (zh) * 2010-12-30 2012-07-04 第一毛织株式会社 硬掩模组合物和形成图案的方法、以及包括图案的半导体集成电路器件

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107337776A (zh) * 2015-10-19 2017-11-10 三星Sdi株式会社 聚合物、有机层组成物以及形成图案的方法
US10340148B2 (en) 2015-10-19 2019-07-02 Samsung Sdi Co., Ltd. Polymer, organic layer composition, and method of forming patterns
CN107337776B (zh) * 2015-10-19 2019-12-31 三星Sdi株式会社 聚合物、有机层组成物以及形成图案的方法
TWI644999B (zh) * 2016-10-28 2018-12-21 三星Ｓｄｉ股份有限公司 聚合物、有機層組成物與形成圖案之方法
CN111344634A (zh) * 2017-11-28 2020-06-26 三星Sdi株式会社 硬罩幕组成物与形成图案的方法
CN111344634B (zh) * 2017-11-28 2023-03-24 三星Sdi株式会社 硬罩幕组成物与形成图案的方法

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Publication number Publication date
TWI580702B (zh) 2017-05-01
CN104718497B (zh) 2019-03-19
US20150205198A1 (en) 2015-07-23
TW201425359A (zh) 2014-07-01
KR20140052411A (ko) 2014-05-07
US9529257B2 (en) 2016-12-27
WO2014065500A1 (ko) 2014-05-01
KR101566533B1 (ko) 2015-11-05

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