CN104698661A - 显示面板及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

一种显示面板及其的制造方法，此方法包括在一第一基板上形成一图案化金属材料层，并对图案化金属材料层进行一氧化程序，以形成一图案化金属层以及覆盖图案化金属层的一金属氧化物层，其中图案化金属层包括一上表面以及位于上表面两侧的侧表面，金属氧化物层覆盖图案化金属层的上表面以及侧表面。在第一基板上形成多个像素结构，且像素结构与图案化金属层电性连接。在第一基板的对向设置一第二基板，且于第一基板与第二基板之间形成一显示介质。本发明的显示面板相较于传统的显示面板来说可以达到更高的像素开口率并能减少一道光掩模工艺，且同时具有降低工艺复杂度以及工艺成本的优点。

Description

显示面板及其制造方法
技术领域
本发明涉及一种显示面板及其制造方法。
背景技术
液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低电压驱动、低消耗功率及应用范围广等优点，因此已取代阴极射线管(Cathode Ray Tube,CRT)成为新一代显示器的主流。传统的液晶显示面板是由一具有彩色滤光层的彩色滤光基板、一薄膜晶体管阵列基板(TFT Array Substrate)以及一配置于此两基板间的液晶层所构成。为了提升面板的解析度与像素的开口率，并且避免彩色滤光基板与薄膜晶体管阵列基板接合时的对位误差，现今更提出了将彩色滤光层直接整合于薄膜晶体管阵列基板(Color Filter on Array,COA)上的技术。为了遮蔽液晶显示面板内的走线，通常会在液晶显示面板内设置黑矩阵层，以及防止金属走线反射外界光线，使得使用者能看到显示面板的内部走线。然而，黑矩阵层将会降低显示面板内背光原件的光穿透率，使得像素的开口率降低。
发明内容
本发明提供一种显示面板及其制造方法，其可以增加像素的开口率。
本发明提供一种显示面板的制造方法，包括在一第一基板上形成一图案化金属材料层，并对图案化金属材料层进行一氧化程序，以形成一图案化金属层以及覆盖图案化金属层的一金属氧化物层，其中图案化金属层包括一上表面以及位于上表面两侧的侧表面，金属氧化物层覆盖图案化金属层的上表面以及侧表面。在第一基板上形成多个像素结构，且像素结构与图案化金属层电性连接。在第一基板的对向设置一第二基板，且于第一基板与第二基板之间形成一显示介质。
本发明提供一种显示面板，包括一第一基板、一第二基板以及一显示介质。第一基板上包括设置有一像素阵列，且像素阵列包括一图案化金属层、一金属氧化物层以及多个像素结构。图案化金属层包括一上表面以及位于上表面两侧的侧表面。金属氧化物层覆盖图案化金属层的上表面以及侧表面，其中金属氧化物层的材料的至少其中之一为图案化金属层的氧化物。像素结构与图案化金属层电性连接。第二基板位于第一基板的对向，且显示介质位于第一基板与第二基板之间。
基于上述，本发明的显示面板于图案化金属层的上表面及侧表面设置金属氧化物层，使得图案化金属层能得到遮蔽而不会反射外界光线，藉此取代黑矩阵的设置。由于本发明的显示面板不需要设置黑矩阵层，因此相较于传统的显示面板来说可以达到更高的像素开口率并能减少一道光掩模工艺，且同时具有降低工艺复杂度以及工艺成本的优点。
为了让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合所附附图作详细说明如下。
附图说明
图1A是根据本发明一实施例的显示面板的剖面示意图。
图1B是根据本发明另一实施例的显示面板的剖面示意图。
图2A是图1A以及图1B的显示面板中的像素结构的上视示意图。
图2B是图1A以及图1B的显示面板中的彩色滤光层的上视示意图。
图3A至3I是根据图2的剖线A-A’的剖面流程示意图。
图4A至4F是根据图2的剖线B-B’的剖面流程示意图。
图5A以及图5B是根据图2的另一实施例的剖线A-A’以及B-B’的剖面示意图。
图6A以及图6B是根据图2的又一实施例的剖线A-A’以及B-B’的剖面示意图。
图7是根据图3C中的像素结构的第一区域的局部放大图。
图8是根据图3C中另一实施例的像素结构的第一区域的局部放大图。
图9是根据图3C中又一实施例的像素结构的第一区域的局部放大图。
图10是根据本发明一实施例的氧化后的图案化金属材料层的透射电子显微镜(TEM)放大图。
其中，附图标记说明如下：
10:显示面板
100:第一基板
200:第二基板
300:像素阵列
305:图案化金属材料层
310:图案化金属层
310a第一金属材料
310b:第二金属材料
310c:第三金属材料
320:金属氧化物层
330:栅绝缘层
335:图案化金属材料层
340:图案化金属层
350:金属氧化物层
360:绝缘层
370:像素电极
400:显示介质
500:彩色滤光层
500A:第一彩色滤光图案
500B:第二彩色滤光图案
500C:第三彩色滤光图案
910:钼氧化层
920:钼
930:铝
940:钼
SL:扫描线
DL:数据线
G:栅极
CH:沟道
S:源极
D:漏极
C:接触窗
TFT:薄膜晶体管
AR:氧化程序
R1:第一区域
U:单元区域
具体实施方式
图1A是根据本发明一实施例的显示面板10的剖面示意图。显示面板10具有一第一基板100、一像素阵列300、一显示介质400、一彩色滤光层500以及一第二基板200。
第一基板100的材质可为玻璃、石英、有机聚合物或是金属等等。第一基板100上包括设置有像素阵列300，而有关像素阵列300将于后续段落作详细说明。
第二基板200是设置在第一基板100的对向侧。第二基板200的材质可为玻璃、石英或有机聚合物等等。第二基板200上还包括设置有彩色滤光层500，其中彩色滤光层500包括多个彩色滤光图案500A、500B以及500C。彩色滤光图案500A、500B以及500C分别可以是红色、绿色以及蓝色彩色滤光图案，但本发明不限于此。
显示介质400是密封于第一基板100与第一基板200之间。显示介质400可包括液晶分子、电泳显示介质、或是其它可适用的介质。
图1B是根据本发明另一实施例的显示面板10的剖面示意图。图1B与图1A的实施例相似，两者之间的差异在于图1B的实施例的彩色滤光层500设置于像素阵列300以及显示介质400之间，以形成COA(color filter onarray)结构。
图2A是图1A以及图1B的显示面板10中的像素阵列300的上视示意图。像素阵列300包括多条信号线以及与信号线电性连接的像素结构P。其中，多条信号线包括扫描线SL以及数据线DL。像素结构P包括薄膜晶体管TFT以及像素电极370，其中薄膜晶体管TFT是由栅极G、源极S、漏极D以及沟道CH所形成。本实施例的薄膜晶体管TFT是底部栅极型薄膜晶体管为例来说明，但本发明不限于此，薄膜晶体管TFT也可以是顶部栅极型薄膜晶体管。
请参照图2A，扫描线SL以及数据线DL彼此交越设置，且扫描线SL与数据线DL之间夹有绝缘层。换言之，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向不平行，较佳的是，扫描线SL的延伸方向与数据线DL的延伸方向垂直。基于导电性的考量，扫描线SL与数据线DL一般是使用金属材料或是两种以上的金属材料所形成的合金。其中，金属材料可为单一金属材料或是不同金属材料的堆叠结构。而在扫描线SL与数据线DL的顶表面以及侧表面会形成一金属氧化物层，而关于形成金属氧化物层的细节后续将会详细说明。
薄膜晶体管TFT与对应的一条扫描线SL及对应的一条数据线DL电性连接。此外，像素电极370通过接触窗C与薄膜晶体管TFT的漏极D电性连接。像素电极370可为穿透式像素电极、反射式像素电极或是半穿透半反射式像素电极。穿透式像素电极的材质包括金属氧化物，例如是铟锡氧化物、铟锌氧化物、铝锡氧化物、铝锌氧化物、铟锗锌氧化物、或其它合适的氧化物、或者是上述至少二者的堆叠层。反射式像素电极的材质包括具有高反射率的金属材料，但本发明不限于此。
图2B是图1A以及图1B的显示面板10中的彩色滤光层500的上视示意图。彩色滤光层500具有多个单元区域U，其中，每一彩色滤光图案500A、500B以及500C对应一个单元区域U设置。换言之，每一单元区域U内具有一个彩色滤光图案500A、500B或是500C。请同时参照图2A以及图2B，其中每一像素结构P与单元区域U实质上为对齐设置。也就是说，图1B的彩色滤光层500中的每一彩色滤光图案500A、500B、500C对应每一像素结构P设置。
以下将说明像素阵列300的制造流程。图3A至3I的制造流程剖面示意图是对应图2剖线A-A’的位置，而图4A至4F的制造流程剖面示意图是对应图2剖线B-B’的位置。请同时参照图2、图3A以及图4A，首先，提供一第一基板100，并在第一基板100上形成多个图案化金属材料层305。其中，形成图案化金属材料层305的方法为在第一基板100上先形成一整面金属材料层(未示出)，再通过光刻以及蚀刻的工艺以形成图案化金属材料层305。图案化金属材料层305可包括一顶膜层以及一底膜层(未示出)。在本实施例中，图案化金属材料层305可以为钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的堆叠结构。亦即，在本实施例中，图案化金属材料层305的顶膜层为钼，底膜层为铝/钼，但本发明不限于此。图案化金属材料层305还可以是钼钽合金/铝/钼(MoTa/Al/Mo)、钼/铝/钼钽合金(Mo/Al/MoTa)、钼钽合金/铝/钼钽合金(MoTa/Al/MoTa)、钼钽合金/铝/钼铌合金(MoTa/Al/MoNb)、钼铌合金/铝/钼(MoNb/Al/Mo)、钼/铝/钼铌合金(Mo/Al/MoNb)、钼铌合金/铝/钼铌合金(MoNb/Al/MoNb)、钼铌合金/铝/钼钽合金(MoNb/Al/MoTa)、钼钽合金/铜/钼钽合金(MoTa/Cu/MoTa)、钼钽合金/铜/钼钽合金/钼(MoTa/Cu/MoTa/Mo)、钼钽合金/铝/钼铌合金/钼(MoTa/Al/MoNb/Mo)、钼铌合金/铜/钼铌合金(MoNb/Cu/MoNb)、钼铌合金/铜/钼铌合金/钼(MoNb/Cu/MoNb/Mo)或是钼铌合金/铜/钼钽合金/钼(MoNb/Cu/MoTa/Mo)的堆叠结构。
接着，请同时参照图3B以及图4B，对案化金属材料层305进行一氧化程序AR，以形成图案化金属层310(包括栅极G以及扫描线SL)以及覆盖图案化金属层310的金属氧化物层320，如图3C以及图4C所示。上述的氧化程序AR例如是热氧化步骤，其包括通入空气且在一大气压(1atm)的条件下进行，此外，前述热氧化步骤的温度为摄氏100度至摄氏450，且热氧化步骤的时间为30分钟至360分钟。在热氧化步骤后，还包括进行一退火(post-annealing)的处理，以形成金属氧化物层320。为了详细说明上述的氧化程序AR，特别将图3C中的像素结构的第一区域R1的放大图分别示出于图7、图8以及图9。
请参照图7，在本实施例中，图案化金属层310包括第一金属材料310a、第二金属材料310b以及第三金属材料310c。在本实施中，第一金属材料310a、第二金属材料310b为图案化金属材料层305(未示出)的底膜层，而第三金属材料310c为图案化金属材料层305(未示出)的顶膜层。举例来说，第一金属材料310a为钼，第二金属材料310b为铝，而第三金属材料310c可为钼，但本发明不限于此。图案化金属层310包括一上表面T、一底表面B以及位于上表面T两侧的侧表面SW，其中图案化金属层310的上表面T的宽度W1小于底表面B的宽度W2，且侧表面SW为倾斜面。在进行上述的氧化程序AR之后，部分图案化金属材料层305(未示出)会被氧化，以在图案化金属层310的上表面T以及侧表面SW上形成覆盖图案化金属层310的金属氧化物层320。详细来说，在本实施例中，作为图案化金属层310的顶膜层的第三金属材料310c会局部地被氧化以形成金属氧化物层320。另一方面，第一金属材料310a、第二金属材料310b以及第三金属材料310c的侧表面亦同时会被氧化，并在图案化金属层310的侧表面SW亦形成金属氧化物层320。在图7的实施例中，在氧化程序AR完成后，作为图案化金属层310的顶膜层的第三金属材料310c局部地被氧化而形成金属氧化物层320，但本发明不限于此。
举例来说，图8是根据图3C中另一实施例的像素结构的第一区域R1的局部放大图。请参照图8，在本实施例中，图案化金属层310包括第一金属材料310a、第二金属材料310b以及第三金属材料(未示出)。在本实施中，第三金属材料(未示出)为图案化金属材料层305(未示出)的顶膜层而第一金属材料310a和第二金属材料310b为图案化金属材料层305(未示出)的底膜层。举例来说，第一金属材料310a为钼，第二金属材料310b为铝，而第三金属材料(未示出)可为钼，但本发明不限于此。图案化金属层310包括一上表面T、一底表面B以及位于上表面T两侧的侧表面SW，其中图案化金属层310的上表面T的宽度W1小于底表面B的宽度W2，且侧表面SW为倾斜面。在进行上述的氧化程序AR之后，图案化金属层310的上表面T以及侧表面SW会被氧化，以形成覆盖图案化金属层310的金属氧化物层320。详细来说，在本实施例中，作为图案化金属材料层305(未示出)的顶膜层的第三金属材料(未示出)会完全地被氧化以形成金属氧化物层320。另一方面，第一金属材料310a以及第二金属材料310b的侧表面SW亦同时会被氧化，并在图案化金属层310的侧表面SW亦形成金属氧化物层320。
在另一实施例中，图案化金属层310包括第一金属材料310a以及一第二金属材料310b，如图9所式。在本实施中，第二金属材料310b为图案化金属材料层305(未示出)的顶膜层而第一金属材料310a为图案化金属材料层305(未示出)的底膜层。举例来说，第一金属材料310a为钼而第二金属材料310b为铝，但本发明不限于此。图案化金属层310包括一上表面T、一底表面B以及位于上表面T两侧的侧表面SW，其中图案化金属层310的上表面T的宽度W1小于底表面B的宽度W2，且侧表面SW为倾斜面。在进行上述的氧化程序AR之后，部分图案化金属材料层305(未示出)会被氧化，以在图案化金属层310的上表面T以及侧表面SW上形成覆盖图案化金属层310的金属氧化物层320。详细来说，在本实施例中，作为图案化金属层310的顶膜层的第二金属材料310b会局部地被氧化以形成金属氧化物层320。另一方面，第一金属材料310a以及第二金属材料310b的侧表面亦同时会被氧化，并在图案化金属层310的侧表面SW亦形成金属氧化物层320。在图8的实施例中，在氧化程序AR完成后，作为图案化金属层310的顶膜层的第二金属材料310b局部地被氧化而形成金属氧化物层320。
值得一提的是，在图7、图8以及图9的金属氧化物层320中的氧浓度为5％至50％，且金属氧化物层320中的氧浓度分布为由金属氧化物层320的上表面MOT往其下表面MOB逐渐递减，而金属氧化物层320的厚度为50埃～500埃之间。另一方面，由于金属氧化物层320可吸收光线，因此金属氧化物层320可以做为一遮光图案层(以取代黑色矩阵层)。
请继续参照图3D以及图4D，在形成金属氧化物层320之后，于金属氧化物层320上形成栅绝缘层330，其中栅绝缘层330覆盖金属氧化物层320、栅极G、扫描线SL以及第一基板100。本实施例的栅绝缘层330的材质例如为无机介电材料(如氧化硅、氮化硅、氮氧化硅或上述至少二种材料的堆叠层)、有机介电材料或上述有机与无机介电材料的组合，但本发明不限于此。
在形成栅绝缘层330之后，还包括在栅绝缘层330上形成沟道CH，其中沟道CH与栅极G电性绝缘。沟道CH的材质可选择为非晶硅及氧化物半导体材料，包括非晶硅(amorphous Silicon,a-Si)、氧化铟镓锌(Indium-Gallium-Zinc Oxide,IGZO)、氧化锌(ZnO)、氧化锡(SnO)、氧化铟锌(Indium-Zinc Oxide,IZO)、氧化镓锌(Gallium-Zinc Oxide,GZO)、氧化锌锡(Zinc-Tin Oxide,ZTO)或氧化铟锡(Indium-Tin Oxide,ITO)，但本发明不限于此。
请参照图3E，在沟道CH以及栅绝缘层330上形成图案化金属材料层335。其中，形成图案化金属材料层335的方法为在沟道CH以及栅绝缘层330上先形成一整面金属材料层(未示出)，再通过光刻以及蚀刻的工艺以形成图案化金属材料层335。图案化金属材料层335可以为钼/铝/钼(Mo/Al/Mo)的堆叠结构。亦即，在本实施例中，图案化金属材料层305的顶膜层为钼，底膜层为铝/钼，但本发明不限于此。图案化金属材料层335还可以是钼钽合金/铝/钼(MoTa/Al/Mo)、钼/铝/钼钽合金(Mo/Al/MoTa)、钼钽合金/铝/钼钽合金(MoTa/Al/MoTa)、钼钽合金/铝/钼铌合金(MoTa/Al/MoNb)、钼铌合金/铝/钼(MoNb/Al/Mo)、钼/铝/钼铌合金(Mo/Al/MoNb)、钼铌合金/铝/钼铌合金(MoNb/Al/MoNb)、钼铌合金/铝/钼钽合金(MoNb/Al/MoTa)、钼钽合金/铜/钼钽合金(MoTa/Cu/MoTa)、钼钽合金/铜/钼钽合金/钼(MoTa/Cu/MoTa/Mo)、钼钽合金/铝/钼铌合金/钼(MoTa/Al/MoNb/Mo)、钼铌合金/铜/钼铌合金(MoNb/Cu/MoNb)、钼铌合金/铜/钼铌合金/钼(MoNb/Cu/MoNb/Mo)或是钼铌合金/铜/钼钽合金/钼(MoNb/Cu/MoTa/Mo)的堆叠结构。
请参照图3F，在形成图案化金属材料层335之后，进行与前述相同的氧化程序AR，以形成图案化金属层340以及覆盖图案化金属层340的金属氧化物层350，如图3G所示。图案化金属层340包括源极S、漏极D以及数据线DL，但本发明不限于此。源极S以及数据线DL彼此电性连接。栅极G、源极S、漏极D以及沟道CH构成薄膜晶体管TFT。所述氧化程序AR为一热氧化步骤，亦即在图案化金属材料层335上通入空气，使得图案化金属材料层335的表面氧化，以形成覆盖源极S、漏极D以及数据线DL的金属氧化物层350。前述热氧化步骤的温度为摄氏100度至摄氏450，且热氧化步骤的时间为30分钟至360分钟。另外，前述金属氧化物层350的氧浓度为5％至50％，且金属氧化物层350的氧浓度分布为由其上表面往其下表面逐渐递减，且金属氧化物层350的厚度为50埃～500埃之间。除此之外，金属氧化物层350可以吸收光线，因此可作为一遮光图案层。
承上所述，本实施例在图案化金属层310上方形成金属氧化物层320且于图案化金属层340上方形成金属氧化物层350，而金属氧化物层320及金属氧化物层350可以吸收光线以作为遮光图案层。如前述，图2A的每一像素结构P以及图2B的每一单元区域U实质上为对齐设置。由于每一像素结构P是通过扫描线SL以及数据线DL所定义出，因此，当金属氧化物层320及金属氧化物层350作为遮光图案层时，图1A以及图1B的彩色滤光层500中的彩色滤光图案500A、500B、500C则是对应所述遮光图案层设置。也就是说，每一彩色滤光图案500A、500B、500C是设置于两相邻的扫描线SL以及两相邻的数据线DL所围成的空间内。
请同时参照图3H以及图4E，本发明的制造方法还包括形成一绝缘层360。请参照图3H，绝缘层360覆盖薄膜晶体管TFT以及金属氧化物层350。另一方面，图4D示出了绝缘层360覆盖扫描线SL、金属氧化物层320以及栅绝缘层330。绝缘层360的材料包含无机材料(例如：氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、其它合适的材料、或上述至少二种材料的堆叠层)、有机材料、或其它合适的材料、或上述的组合，但本发明不限于此。
请同时参照图3I以及图4F，在形成金属氧化物层350和绝缘层360之后，进一步包含在金属氧化物层350和绝缘层360中形成多个接触窗C。接着再形成一像素电极370于绝缘层360上，像素电极370通过对应的一接触窗C与漏极D电性连接。如前述，在对图案化金属材料层335进行氧化程序AR之后，会在源极S、漏极D以及数据线DL上方形成金属氧化物层350。故本实施例于绝缘层360中所形成接触窗C更进一步贯穿漏极D上方的金属氧化物层350；也就是说，接触窗C贯穿绝缘层360以及漏极D上方的金属氧化物层350。藉此，像素电极370通过接触窗C而与薄膜晶体管TFT的漏极D电性连接。
承上述，在本实施例中，通过在图案化金属层310上方形成金属氧化物层320且于图案化金属层340上方形成金属氧化物层350，金属氧化物层320以及金属氧化物层350可有效地反射外界光线，使得这些金属氧化物层能够取代黑色矩阵层。因此，相较于公知的显示面板，本实施例所提供的制造方法可以提高像素的开口率并省去制造黑色矩阵层的步骤，以节省光掩模的制作费用。
图5A以及图5B是根据图2的另一实施例的剖线A-A’以及B-B’的剖面示意图。本实施例的像素阵列300与图3I以及图4F的实施例相似，皆是通过氧化程序AR于图案化金属层310上方形成金属氧化物层320。然而，本实施例与图3以及图4的实施例的差异点则在于本实施例并未在源极S、漏极D以及数据线DL上形成金属氧化物层350。
在图5A以及图5B的实施例中，通过在图案化金属层310上方形成金属氧化物层320，可以使得金属氧化物层320取代原本遮蔽扫描线SL的黑色矩阵层的存在，而使得使用者无法察觉显示面板内部的金属走线。藉此，相较于公知的显示面板，本实施例的显示面板的像素开口率可以提高，且显示面板对于外界光线的反射率亦可以降低。
图6A以及图6B是根据图2的又一实施例的剖线A-A’以及B-B’的剖面示意图。本实施例的像素阵列300与图3I的实施例相似，是通过氧化程序AR于图案化金属层340上方形成金属氧化物层350。然而，本实施例与图3I实施例的差异点则在于本实施例并未在栅极G以及扫描线SL上形成金属氧化物层320。
类似地，在图6A以及图6B的实施例中，通过在图案化金属层340上方形成金属氧化物层350，可以使得金属氧化物层350取代原本遮蔽数据线DL的黑色矩阵层的存在，而使得使用者无法察觉显示面板内部的金属走线。因此，相较于公知的显示面板，本实施例的显示面板的像素开口率可以提高，且显示面板对于外界光线的反射率亦可以降低。
图10是根据本发明一实施例的氧化后图案化金属材料层的透射电子显微镜(TEM)放大图。在本实施例中，图案化金属层310为钼920/铝930/钼940(Mo/Al/Mo)的堆叠结构，且作为图案化金属层310的上膜层的钼920只有局部地被氧化，以形成钼氧化层910(MoOx)。在本实施例中，在图案化金属层310上通入空气之后，还包括一道回火(post-annealing)的工艺，故属于一道较温和的工艺。通过上述氧化程序AR所得到的钼氧化层910具有低反射率的特性。除此之外，由于上述氧化程序AR为一较温和的工艺，故钼氧化层910并不会受到氧化程序AR的影响而转变成非晶相(amorphousphase)。换言之，在本实施例中，钼氧化层910中的结构为一结晶相(crystallinephase)，因此图案化金属层310就算在受到氧化程序AR后，亦能保持较佳的导电性。
综上所述，本发明的显示面板于图案化金属层的上表面及侧表面设置金属氧化物层，使得图案化金属层能得到遮蔽而不会反射外界光线，藉此取代黑矩阵的设置。由于本发明的显示面板不需要设置黑矩阵层，因此相较于传统的显示面板来说可以达到更高的像素开口率并能减少一道光掩模工艺，且同时具有降低工艺复杂度以及工艺成本的优点。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，故本发明的保护范围当视后附的权利要求所界定者为准。

Claims (19)

1.一种显示面板的制造方法，包括：
在一第一基板上形成一图案化金属材料层；
对该图案化金属材料层进行一氧化程序，以形成一图案化金属层以及覆盖该图案化金属层的一金属氧化物层，其中该图案化金属层包括一上表面以及位于该上表面两侧的侧表面，该金属氧化物层覆盖该图案化金属层的该上表面以及所述多个侧表面；
在该第一基板上形成多个像素结构，所述多个像素结构与该图案化金属层电性连接；以及
在该第一基板的对向设置一第二基板，且于该第一基板与该第二基板之间形成一显示介质。
2.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该氧化程序为一热氧化步骤，该热氧化步骤包括通入空气，该热氧化步骤的温度为摄氏100度至摄氏450度，且该热氧化步骤的时间为30分钟至360分钟。
3.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该图案化金属材料层是由至少两膜层所构成的一叠层结构。
4.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该图案化金属材料层包括一顶膜层以及一底膜层，该顶膜层完全地或局部地被该氧化程序氧化以形成该金属氧化物层。
5.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该金属氧化物层的氧浓度为5％至50％，且该金属氧化物层的氧浓度分布为由其上表面往其下表面逐渐递减。
6.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该金属氧化物层的厚度为50埃～500埃。
7.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中该金属氧化物层为一遮光图案层。
8.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中:
每一像素结构包括一薄膜晶体管以及一像素电极，且该薄膜晶体管包括一栅极、一源极以及一漏极；且
该图案化金属层包括多条扫描线以及每一像素结构的该栅极，且每一像素结构的该栅极与其中一条扫描线电性连接。
9.如权利要求1所述的显示面板的制造方法，其中：
每一像素结构包括一薄膜晶体管以及一像素电极，该薄膜晶体管包括一栅极、一源极以及一漏极；
该图案化金属层包括多条数据线以及每一像素结构的该源极以及该漏极，每一像素结构的该源极与其中一条数据线电性连接；且
在进行该氧化程序之后，进一步于每一像素结构的该漏极上方的该金属氧化物层中形成一接触窗，而每一像素结构的该像素电极通过该接触窗与该漏极电性连接。
10.如权利要求9所述的显示面板的制造方法，还包括：
在该第一基板上形成另一图案化金属材料层；
对所述另一图案化金属材料层进行另一氧化程序，以形成另一图案化金属层以及覆盖所述另一图案化金属层的另一金属氧化物层，其中所述另一图案化金属层包括一上表面以及位于该上表面两侧的侧表面，所述另一金属氧化物层覆盖所述另一图案化金属层的该上表面以及所述多个侧表面；且
所述另一图案化金属层包括多条扫描线以及每一像素结构的该栅极，且每一像素结构的该栅极与其中一条扫描线电性连接。
11.一种显示面板，包括：
一第一基板，该第一基板上包括设置有一像素阵列，所述像素阵列包括：
一图案化金属层，包括一上表面以及位于该上表面两侧的侧表面；
一金属氧化物层，覆盖该图案化金属层的该上表面以及所述多个侧表面，其中该金属氧化物层的材料的至少其中之一为该图案化金属层的氧化物；以及
多个像素结构，与该图案化金属层电性连接；
一第二基板，位于该第一基板的对向；以及
一显示介质，位于该第一基板与该第二基板之间。
12.如权利要求11所述的显示面板，其中该金属氧化物层为一遮光图案层。
13.如权利要求11所述的显示面板，其中该图案化金属层包括是由至少两膜层所构成的一叠层结构。
14.如权利要求11所述的显示面板，其中该金属氧化物层的氧浓度为5％至50％，且该金属氧化物层的氧浓度分布为由其上表面往其下表面逐渐递减。
15.如权利要求14所述的显示面板，其中该金属氧化物层的厚度为50埃～500埃。
16.如权利要求11所述的显示面板，其中：
每一像素结构包括一薄膜晶体管以及一像素电极，且该薄膜晶体管包括一栅极、一源极以及一漏极；且
该图案化金属层包括多条扫描线以及每一像素结构的该栅极，且每一像素结构的该栅极与其中一条扫描线电性连接。
17.如权利要求11所述的显示面板，其中：
每一像素结构包括一薄膜晶体管以及一像素电极，该薄膜晶体管包括一栅极、一源极以及一漏极；
该图案化金属层包括多条数据线以及每一像素结构的该源极以及该漏极，每一像素结构的该源极与其中一条数据线电性连接；
该金属氧化物层具有多个接触窗；且
每一像素结构的该像素电极通过对应的一接触窗与该漏极电性连接。
18.如权利要求17所述的显示面板，还包括：
另一图案化金属层，包括一上表面以及位于该上表面两侧的侧表面；
另一金属氧化物层，覆盖所述另一图案化金属层的该上表面以及所述多个侧表面，其中所述另一金属氧化物层的材料的至少其中之一为所述另一图案化金属层的氧化物，
其中，所述另一图案化金属层包括多条扫描线以及每一像素结构的该栅极，且每一像素结构的该栅极与其中一条扫描线电性连接。
19.如权利要求11所述的显示面板，其中该图案化金属层的该上表面的宽度小于该图案化金属层的一底表面的宽度，且该图案化金属层的所述多个侧表面为倾斜面。
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