CN104662692A - 金属上方的sin层上的胶带辅助单步剥除 - Google Patents

金属上方的sin层上的胶带辅助单步剥除 Download PDF

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Abstract

本文中描述用于处理基板的方法。用于从基板去除层的方法可包括：将基板定位于处理腔室内，其中所述基板可包括上表面和形成在所述上表面上的具有分离能量的一或多个金属特征结构；在一或多个金属特征结构和上表面的经暴露部分上方形成层；将透射性辐射能量源聚焦于层处；使基板的上表面处的透射性辐射能量呈脉冲形式传输，从而产生层的经分离部分和经附接部分；以及去除层的经分离部分。

Description

金属上方的SIN层上的胶带辅助单步剥除
发明背景
发明领域
本发明的实施方式一般涉及一种自基板去除膜层的方法。
相关技术的描述
诸如OLED的装置使用钝化层增加装置的使用寿命。钝化层可通过化学气相沉积(CVD)来沉积。由于通过CVD的膜沉积通常是非特定的，因此膜层可形成在基板的不期望的区域上，诸如钝化层形成在某些金属特征结构上方。因而，对金属层的够到(access)对相同基板上的其它装置的依序产生可为重要的。
在处理期间，可发生膜的特定区域的去除。用于膜的特定区域的去除的技术包括遮蔽(masking)与蚀刻和基于激光的技术。遮蔽与蚀刻涉及利用通常由光刻胶制成的掩模。光刻胶暴露于特定波长的辐射。在显影工艺期间去除光刻胶的经暴露部分，以使表面的待蚀刻部分暴露。脉冲激光源已用以执行基于激光的材料处理从而用于诸如沉积膜的剥蚀和脱层的应用。
虽然遮蔽与蚀刻可用于去除特定表面区域，但遮蔽与蚀刻可为成本过高的。激光剥蚀可定靶于膜的特定区域以破坏那些区域中的膜。然而，通过破坏层，激光剥蚀产生在继续处理之前必须从腔室清除的不期望的碎片和残余物。现有技术的脱层技术从表面下方破坏层，此可与标准剥蚀技术产生类似的碎片。此外，基板上的脱层的特定性可受限制，这是因为难以基于特征结构的大小来定靶特定区域。
因此，在本技术领域中需要在控制膜分离的同时定靶(target)为去除膜的特定区域的膜去除方法。
发明概述
本文中描述用于处理基板的方法。一种用于从基板去除层的方法可包括：将基板定位于处理腔室内，其中所述基板可包括上表面和形成在所述上表面上的具有分离能量的一或多个金属特征结构；在一或多个金属特征结构和上表面的经暴露部分上方形成层；将透射性辐射能量源聚焦于层处；使基板的上表面处的透射性辐射能量呈脉冲形式传输，从而产生层的经分离部分和经附接部分；以及去除层的经分离部分。
本文中描述的方法大体上涉及在不干扰形成在非金属表面上的整个膜的情况下从基板上的金属特征结构的表面选择性地去除膜的部分。本文中描述的实施方式采用基于上层的透射度选择的透射性辐射能量，以在不使上层与其它特征结构或基板表面分离的情况下产生在一或多个金属特征结构与上层之间的分离。上层从下层的分离和去除在下文中称为“剥离”，其在剥蚀中不破坏上层，且在脱层中也不产生裂缝和来自上层的碎片。
在一个实施方式中，一种用于从基板去除层的方法可包括：将基板定位于处理腔室内，其中所述基板可包括上表面和形成在所述上表面上的具有分离能量的一或多个金属特征结构；在一或多个金属特征结构和上表面的经暴露部分上方形成层；将透射性辐射能量源聚焦于层处；使基板的上表面处的透射性辐射能量呈脉冲形式传输，从而产生层的经分离部分和经附接部分；以及去除层的经分离部分。
在另一个实施方式中，一种用于从基板去除层的方法可包括：将基板定位于处理腔室内，其中所述基板可包括具有第一分离能量的基板表面、具有第二分离能量的一或多个金属特征结构以及形成在金属特征结构上方的钝化层；将透射性辐射能量源聚焦于基板处；将透射性辐射能量朝基板的一部分引导，直到在不达到第一分离能量的情况下达到第二分离能量，从而在金属特征结构上方产生经分离钝化层；以及去除经分离钝化层。
在另一个实施方式中，一种用于从基板去除层的方法可包括：将基板定位于处理腔室内，其中所述基板可包括具有第一分离能量的基板表面、具有第二分离能量的一或多个钼特征结构以及形成在钼特征结构上方的氮化硅层；将透射性辐射能量源定位至指向基板处的第一位置；将透射性辐射能量朝基板的一部分呈脉冲形式传输，直到在不达到第一分离能量的情况下达到第二分离能量，从而在金属特征结构上方产生经分离氮化硅层；移动透射性辐射能量源且使透射性辐射能量依序地呈脉冲形式传输，从而在所期望的钼特征结构上方产生经分离氮化硅层的域；以及使用胶带去除经分离的氮化硅层。
附图简要说明
为了可详细地理解本发明的上述特征的方式，可参考实施方式做出对上文简短地概述的本发明的更具体说明，所述实施方式中的一些实施方式在附图中加以图解说明。然而，应注意附图仅图解说明本发明的典型实施方式且因而不视为是对本发明的范围的限制，因为本发明可承认其它同等有效的实施方式。
图1为根据一个实施方式的辐射能量处理腔室的绘示。
图2A-2D图解说明根据一个实施方式具有金属特征结构和上层经处理的基板。
图3为根据一个实施方式的方法的方框图。
图4A和图4B图解说明基板的例示性实施方式，所述基板已经处理以去除沉积在金属特征结构上方的层的一部分。
为促进理解，已尽可能使用相同附图标记指示诸附图中共有的相同元件。预期在一个实施方式中公开的元件可有利地用于其它实施方式，而无需特定叙述。
具体描述
本文中描述的方法一般涉及在不干扰形成在非金属表面上的整个膜的情况下从基板上的金属特征结构的表面选择性地去除膜的部分。本文中描述的实施方式采用基于上层的透射度选择的透射性辐射能量，以在不使上层与其它特征结构或基板表面分离的情况下产生在一或多个金属特征结构与上层之间的分离。上层从下层的分离和去除在下文中称为“剥离”，其在剥蚀中不破坏上层，且在脱层中也不产生裂缝和来自上层的碎片。
据信层的剥离不产生碎片，以及层的选择性去除提供在膨胀上层和下层或特征结构(诸如，金属特征结构)之间的完全分离。本文中描述的实施方式当前设想适用于去除沉积于金属和非金属特征结构两者上的层，包括但不限于太阳能单元、具有在0.5微米至3微米的范围内的电介质层厚度的可移动显示器和家用显示器，以及其它OLED应用。下文参照附图更清楚地描述本发明的实施方式。
图1图解说明适用于本发明的实施方式的辐射能量处理腔室2。辐射能量处理腔室2可具有封围处理容积的多个腔室壁4。基板支撑件6可位于辐射能量处理腔室2内。基板10可位于基板支撑件6上。辐射能量处理腔室2可具有一或多个辐射能量源8。
辐射能量源8可产生指向基板10的表面处的辐射能12。辐射能量源8可为相干能量源，诸如激光器。虽然图1仅描绘有两个辐射能量源8，但实施方式可包括一或多个辐射能量源8。辐射能量源8可一致地或独立地移动或呈脉冲形式传输。进一步实施方式可包括可一致地或独立地移动和呈脉冲形式传输的辐射能量源8的阵列。同时，可使用上述实施方式的任何组合。各辐射能量源8可由可聚焦在基板10的表面上的一或多个点上的单个源或多个源组成。辐射能量源8可朝向基板支撑件6。同时，除控制处理基板10上的特定点的时间量之外，辐射能量源8还可增加或减少以指定波长传递至基板10上的点的功率。
基板支撑件6可具有面向辐射能量源8的基板支撑件表面7。基板10可处于与基板支撑件表面7连接中。此外，基于辐射能量处理腔室2和一或多个辐射能量源8两者的设计，基板支撑件6可为可移动的或固定的。基板支撑件6和多个腔室壁4可界定腔室中的处理空间14。基板支撑件6可包含铝。
图2A图解说明根据一个实施方式具有一或多个金属特征结构的基板200的侧视图。基板200可由任何可用成分组成，诸如石英、玻璃或蓝宝石基板。可针对本发明的实施方式使用标准基板大小。本文中描述的实施方式可经定大小，使得可在不背离本文中描述或要求保护的实施方式的情况下处理更大或更小基板。
基板200具有基板表面202。基板表面202可为具有一或多个特征结构形成在所述基板表面202上的基本上平坦的表面。一或多个金属特征结构204A-204C也可沉积在基板200上。金属特征结构204A-204C可具有任何形状或大小。此外，金属特征结构204A-204C可由任何金属或金属复合物组成，诸如钼(Mo)特征结构。按照装置的需要和用户需求，金属特征结构204A-204C可具有变化的厚度和变化的宽度。一或多个金属特征结构204A-204C的上表面可与周围基板表面202分享相同平面。
上层206然后成形在包括金属特征结构204A-204C的基板表面202上方。上层206可为共形层，诸如通过CVD工艺或PVD工艺沉积的层。上层206可为钝化层，诸如包含氮化硅(SiN)的层。此外，上层206可对辐射能量的一或多个波长而言是可透射的，诸如对介于490nm和550nm之间(例如，510nm)的辐射能量波长而言是可透射的层。此外，上层206可具有在防止在分离期间裂化的同时允许与下伏特征结构适当分离的厚度，针对所述厚度具有介于0.5微米和5微米之间的实施方式，和介于0.5微米和3微米之间(例如，1.5微米)的优选实施方式。
图2B为在用辐射能量进行处理之前的基板200的横截面图。上层206沉积在基板表面202与金属特征结构204B和204C上方。一或多个辐射能量源(在图1中图示)可指向金属特征结构204B和204C中的一或多者处，或所述辐射能量源可指向包括金属特征结构204B和204C中的一或多者的域处。不要求辐射能量源直接定靶于所述特征结构。此外，不要求处理所有金属特征结构。辐射能量然后定靶于域或金属特征结构，从而以上层206与一或多个金属特征结构204B和204C的分离能量提供能量。
图2C为在用辐射能量进行处理之后的基板200的横截面图。一旦达到材料的组合的分离能量，上层206便与一或多个金属特征结构204B和204C分离，如由一或多个经分离上层207B和207C所图示。若不用辐射能量处理金属特征结构204B和204C中的一或多者，则上层206将不与未经处理金属特征结构204B和204C分离。应注意，即使处理包括一或多个金属特征结构204B和204C的域，仍达不到周围区域的分离能量。此产生在不分离附近区域的情况下所定靶的特征结构(诸如，金属特征结构204B和204C)的选择性分离。
然后可使用粘附性连接器(诸如，Kapton胶带)容易地去除经分离上层207B和207C。粘附性连接器(未图示)可位于包括经分离上层207B和207C的上层206上方。在粘附性连接器接触并粘附至上层206与经分离上层207B和207C的表面之后，可以机械方式去除粘附性连接器。在至下方金属特征结构204B和204C无附接或受限附接的情况下，经分离上层207B和207C附接至粘附性连接器。因而，粘附性连接器的机械去除也将去除一或多个经分离上层207B和207C。
图2D为已剥离上层206的部分的基板200的横截面图。在从基板剥离经分离上层207B和207C之后，暴露一或多个金属特征结构表面208B和208C。金属特征结构表面208B和208C没有由剥离工艺引起的碎片且也没有由上层引起的污染物。由于在未达到附近基板表面202或可沉积于所述附近基板表面202上的其它特征结构的分离能量的情况下达到金属特征结构204B和204C的分离能量，因此仅被暴露的区域将为金属特征结构表面208B和208C。所有其它表面将保持被上层206覆盖，其中在金属特征结构表面208B和208C的经暴露区域与基板表面202的被覆盖区域之间具有清晰的分离线。
图3为根据一个实施方式的方法的方框图。方法300可包括将基板定位在辐射能量处理腔室中，如在步骤302中。基板可为在图2中所述包括形成在基板表面上的金属特征结构和/或非金属特征结构的基板，其中上层形成在基板表面和特征结构上方。
针对本发明的实施方式使用的处理腔室可为本领域中已知的能够将辐射能量源聚焦于基板处的任何处理腔室，诸如遵循在图1中所述的一般性设计的处理腔室。适合的处理腔室可购自美国加州圣克拉拉市的应用材料公司(Applied Materials,Inc.)，但也可采用由其它制造商出售的腔室来执行本文中讨论的方法。
方法300可进一步包括将辐射能量源聚焦于基板处，如在步骤304中。辐射能量源应产生上层对其而言是可透射的辐射能量。此允许辐射能量在不直接影响上层的情况下透射至上层下方的表面。辐射能量源可为可产生相干辐射能量的任何源，诸如激光器。此外，辐射能量源应产生特定波长的相干束，使得所述束关于上层但不是关于金属特征结构将为可透射的，诸如供SiN上层使用的波长介于490nm和550nm之间(例如，510nm)的辐射能量相干束。
辐射能量源可经设计以仅定靶于具有形成在其上或其中的特征结构的区域。在进一步实施方式中，所述源可经设计以定靶于基板的包括特征结构的域，从而将辐射能量聚焦于金属特征结构和周围区域两者上。所述源可以一角度或以垂直于基板的表面的方式聚焦于表面处。所述源也可为可移动的，使得所述源可沿着基板的表面移动，或所述源可为固定源，其中移动基板以重新定位待处理的区域。
方法300可进一步包括朝基板的一部分引导透射性辐射能量直到达到分离能量，如在步骤306中。透射性辐射能量是可透射穿过上层至下层的相干辐射。表面的分离能量是在一时间段内传递的上层与下表面(诸如，形成在基板表面上的金属特征结构)之间的分离所要求的辐射能量源的功率。表面的分离能量受诸如以下的数个因素控制：下表面的成分、上层的厚度、上层的成分和上层对所使用辐射能量波长的不可透射性。对于较厚上层，分离能量是较高的。下表面或上层的成分将引起分离能量变化。在一个实例中，判定由铝组成的下表面与1.5微米厚SiN上层具有在从0.1J/cm2到0.7J/cm2的范围内(诸如，大约0.3J/cm2)的分离能量。在另一实例中，判定由钼组成的下表面与1.5微米厚的SiN上层具有在从0.05J/cm2到0.5J/cm2的范围内(诸如，大约0.11J/cm2)的分离能量。如上所述的实例仅为众多实施方式的两个变换且不意欲限制本文中所述的可能实施方式。
在不意欲受理论束缚的情况下，据信辐射能量通过上层传递至下表面(诸如，金属特征结构)。辐射能量至少部分地由下表面吸收，此可直接加热下表面且间接加热上层的底表面。在将下表面加热至高于上层的底表面的度数时，下表面可经历结构变化/改变且上层可由于局部加热而膨胀。因此，据信下表面的结构变化/改变可允许上表面膨胀和后续脱离，从而产生经分离上层。进一步据信上表面(诸如，如上所述的SiN)应处于压缩应力下以允许激光处理之后的适当分离。
方法300可进一步包括依序改变基板上的透射性辐射能量点的位置且使透射性辐射能量呈脉冲形式传输直到域的各点处达到分离能量，如在步骤308中。改变透射性辐射能量点的位置意指包括移动辐射能量源、移动基板、移动基板支撑件中的两者或以上的任何组合。此外，此类移动或重新布置可依序或一致地发生。可变更透射性辐射能量点的性质(诸如，宽度)以满足基板的需要，诸如使辐射能量流动穿过孔以在基板的表面上产生正方形点。基板表面上的各点具有使两个层的成分与两个层的厚度相互关联的分离能量。因而，透射性辐射能量必须基于透射性辐射能量的宽度聚焦在域上或特征结构上方的各点处。
此外，透射性辐射能量的脉冲形式传输应具有某一程度的横向重叠以确保对所定靶的域或一或多个特定金属特征结构的完全覆盖。横向重叠应受控制以不过度处理某些区域，所述过度处理可在不期望分离的区域中产生分离或在期望分离的区域中产生裂化/剥蚀。用于有效处理的横向重叠的要求将受透射性辐射能量的性质影响。例如，非均一化辐射能量将由于跨射束的宽度的不均匀性能量而要求更多横向重叠。此是因为非均一化射束的边缘具有低于中心的能量。本申请案中描述的实施方式可基于辐射能量的均一性、传递至表面的辐射能量的宽度和用于辐射能量的边缘控制的OPC技术使用5％与50％之间的横向重叠。
分离能量为在一时间段内传递的、分离层叠层结构中的上表面与下表面所需的能量。分离能量是基于表面的厚度和成分的上表面及下表面组合的性质，以及正分离的层中的应力。
如前所述，分离能量受包括下伏表面的成分的众多因素控制。因而，可通过透射性辐射能量脉冲域，使得达到金属特征结构的分离能量且不达到附近基板表面的分离能量。以此方式，可在不必用辐射能量仅定靶于处理区域的情况下基于成分定靶于特定特征结构以与上层分离。
重要的是应注意分离能量是对分离一个表面与另一个表面所需的能量的判定，且以在一时间段内所传递的功率来测量所述分离能量。因而，当考虑材料与上层的分离能量时，辐射能量的功率和扫描速率可变化，只要满足分离能量即可。
尽管参照金属特征结构描述本文中的实施方式，但可设想可使用具有不同成分的特征结构完成此处所述的分离，只要特征结构具有第一分离能量且周围区域具有不同于第一分离能量的第二分离能量即可。在此处所述的实施方式中，可用辐射能量处理域的一部分以在不达到第二分离能量的情况下达到第一分离能量。
方法300可进一步包括使用粘附性连接器去除经分离的上层，如在步骤310中。先前经分离的区域应保持为一片式的且表示下伏金属特征结构的形状。然后可使用粘附性连接器剥离金属特征结构上方的上层。
粘附性连接器为可与基板表面粘附性接触并在不损坏未经分离部分的情况下轻轻地去除上层的经分离部分的装置。粘附性连接器的实例可包括Kapton胶带。粘附性连接器可放置为处于与表面的接触中，以在去除经分离部分的同时使经分离的部分相对于下伏金属特征结构的大小与形状保持为一整片。通过使用粘附性连接器去除上层的经分离部分，可避免在剥离期间的粒子形成。
针对本申请案的实施方式使用的粘附性连接器具有轻柔粘附力。由于上层的厚度通常介于0.5μm与5.0μm之间，且优选地介于0.5μm与3.0μm之间，因此基板可受强粘附力破坏。可在相对较小区域上使用粘附性连接器，所述相对较小区域诸如从2mm至5mm，其中优选实施方式为从2mm至4mm且更优选实施方式是从3mm至4mm。可针对用较高横向强度施加至层来修正粘附性强度要求和需要。
与下层分离的上层的膨胀区域位于粘附性连接器上。使用诸如由人、机器人或某一其它装置传递的机械力去除粘附性连接器。在分离层时，膜将位于粘附性连接器上以反映在基板的表面上暴露的区域的位置。
图4A图解说明基板400的例示性实施方式，所述基板400已经处理以使用如上所述的方法去除沉积在金属特征结构上方的层的一部分。具有1.5μmSiN上层(具有10％的偏差)形成于300nm Mo层上方的150mm硅基板位于辐射能量处理腔室中。在叙述中视图中可见的框为1884微米×1413微米。使用绿光激光器(大约532nm)以1.05W的功率以及200kHz重复速率和6-13m/s的扫描速率处理基板的表面。针对此实施方式的区域膨胀的横向射束重叠介于30μm与70μm之间。
处理基板的表面的一部分，以产生膨胀的SiN上表面402，所述膨胀的SiN上表面402是SiN上表面的在不从未经处理区域(如由未处理的SiN表面404所图示)剥离SiN上表面的情况下从下伏Mo表面分离的区域，从此处图示的实施方式中值得注意的是，归因于如预计由激光脱层引起的裂纹或如预计由激光剥蚀引起的对表面的破坏，不存在经处理Mo表面的经暴露区域。此外，在膨胀SiN上表面402与未经处理的SiN表面404之间存在清晰的分离线406。在处理之后，使用Kapton胶带(此处未图示)去除SiN上层的经分离部分。
图4B图示基板的经剥离表面与未经处理表面之间的比较性横截面。在基板的中心的分离线406分离经暴露的Mo层408与未经处理的SiN表面404。如从基板表面可见，经暴露的Mo层408是完全洁净的，在使用Kapton胶带剥离之后无来自图4A的膨胀SiN上表面402的剩余残留物。分离线406基本上是直的且指示先前执行的处理步骤的边界。
在不意欲受理论束缚的情况下，据信辐射能量在不直接加热上层的同时导致金属特征结构的表面处的膨胀。因而，通过使用穿过上层的辐射能量源加热金属特征结构，金属可在不影响其它附近特征结构或表面的情况下膨胀和舒张。此外，在表面加热时，上方的层将接纳来自表面的辐射加热，而非由激光直接加热。以预定分离能量的此处理将在上层与下方的金属特征结构之间产生明显的热和膨胀差异两者。因此，以不同于上层的速率对金属特征结构的加热和后续膨胀可导致在不相似层之间粘合的表面的变形。
本文中描述的实施方式涉及去除上层的选择区域的方法。重要的是能够够到沉积在基板上的金属特征结构或层以用于基板的继续处理，所述金属特征结构或层设置在形成于基板的表面上方的层下方。够到金属特征结构的标准蚀刻技术是昂贵的、产生碎片、缺乏精确性，或以上缺陷的某一组合。通过控制辐射能量的时间和能量级以在上层对辐射能量无吸收率或受限吸收率的情况下达到金属特征结构的分离能量，可形成经分离的层。通过使用粘附性连接器，可将经分离的层整片地去除。此方法可在定靶于特定区域并限制处理成本的同时防止形成碎片。
虽然前文是涉及本发明的实施方式，但可在不脱离本发明的基本范围的情况下设计本发明的其它和进一步实施方式，且本发明的范围是由随附权利要求书来决定的。

Claims (15)

1.一种用于从基板去除层的方法，所述方法包括：
将基板定位于辐射能量处理腔室内，所述基板包括：
上表面；和
形成在所述上表面上的具有分离能量的一或多个金属特征结构；
在所述一或多个金属特征结构和所述上表面的经暴露部分上方形成层；
将透射性辐射能量源聚焦于所述层处；
使所述基板的所述上表面处的透射性辐射能量呈脉冲形式传输，从而产生所述层的完整经分离部分和经附接部分；和
去除所述层的所述完整经分离部分。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述层包含氮化硅。
3.如权利要求2所述的方法，进一步包括以逐步方式移动所述透射性辐射能量源以引导域上方的透射性辐射能量，且其中透射性辐射能量的脉冲横向地重叠。
4.如权利要求1所述的方法，其中所述一或多个金属特征结构包含钼。
5.如权利要求1所述的方法，其中所述透射性辐射能量的功率电平和扫描速率等于所述金属特征结构的所述分离能量。
6.如权利要求1所述的方法，其中使用粘附性连接器去除所述层的所述经分离部分。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述透射性辐射能量是激光。
8.一种用于从基板去除层的方法，所述方法包括：
将基板定位于处理腔室中，其中所述基板包括：
具有第一分离能量的基板表面；
具有第二分离能量的一或多个金属特征结构；和
形成在所述金属特征结构上方的钝化层；
将透射性辐射能量源聚焦于所述基板处；
将透射性辐射能量朝所述基板的一部分引导，直到在不达到所述第一分离能量的情况下达到所述第二分离能量，从而在所述金属特征结构上方产生经分离钝化层；和
去除所述经分离钝化层。
9.如权利要求8所述的方法，其中所述透射性辐射能量至少部分地由所述金属特征结构吸收。
10.如权利要求8所述的方法，进一步包括以逐步方式移动所述透射性辐射能量源以引导域上方的透射性辐射能量。
11.如权利要求8所述的方法，其中所述一或多个金属特征结构包含钼。
12.如权利要求8所述的方法，其中所述透射性辐射能量的功率电平和扫描速率等于所述金属特征结构的所述分离能量。
13.如权利要求8所述的方法，其中使用粘附性连接器去除所述层的所述经分离部分。
14.如权利要求8所述的方法，其中所述透射性辐射能量是激光。
15.一种用于从基板去除层的方法，所述方法包括：
将基板定位于处理腔室中，其中所述基板包括：
具有第一分离能量的基板表面；
具有第二分离能量的一或多个钼特征结构；和
形成在所述钼特征结构上方的氮化硅层；
将透射性辐射能量源定位至指向所述基板处的第一位置；
将透射性辐射能量朝所述基板的一部分呈脉冲形式传输，直到在不达到第一分离能量的情况下达到所述第二分离能量，从而在所述金属特征结构上方产生完整的经分离氮化硅层；
移动所述透射性辐射能量源且使所述透射性辐射能量依序地呈脉冲形式传输，从而在所述的期望钼特征结构上方产生经分离氮化硅层的域；和
使用胶带去除所述经分离的氮化硅层。
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