CN104638194A - 有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents
有机电致发光器件及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104638194A CN104638194A CN201310572184.4A CN201310572184A CN104638194A CN 104638194 A CN104638194 A CN 104638194A CN 201310572184 A CN201310572184 A CN 201310572184A CN 104638194 A CN104638194 A CN 104638194A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- rubidium
- organic electroluminescence
- electroluminescence device
- thickness
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
- H10K50/171—Electron injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
Abstract
本发明涉及一种有机电致发光器件及其制备方法,该有机电致发光器件为依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层,所述电子注入层包括钝化层与铷化合物掺杂层;其中,所述钝化层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜,所述铷化合物掺杂层的材质为铷化合物与酞菁金属化合物。本发明有机电致发光器件的钝化层的材料可隔绝阴极的金属渗透到其他功能层去,而铷化合物掺杂层有利于电子的注入,加强了电子的传输速率,从而提高了有机电致发光器件的出光效率。
Description
技术领域
本发明涉及光电子器件领域,尤其涉及一种有机电致发光器件。本发明还涉及该有机电致发光器件的制备方法。
背景技术
1987年,美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度,高效率的双层有机电致发光器件(OLED),其在10V下亮度达到1000cd/m2,其发光效率为1.51lm/W、寿命大于100小时。
但在现有的有机电致发光器件中,电子注入层是重要的功能层之一,在制造过程中,由于电子注入层所选材料的隔绝水氧能力不强,水汽会经由裂缝渗入而影响薄膜晶体管的电性。同时所选材料也不利于有利于电子的注入,故电子的传输速率较低,比空穴传输速率低两三个数量级,因此,极易造成激子复合几率的低下,并且易使其复合的区域不在发光区域内,从而使发光效率降低。
发明内容
本发明的目的在于解决上述现有技术存在的问题和不足,提供一种有机电致发光器件及其制备方法以提高有机电致发光器件的出光效率。
本发明针对上述技术问题而提出的技术方案为:一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件为层状结构,该层状结构为:依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层,所述电子注入层包括钝化层与铷化合物掺杂层;其中,
所述钝化层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜,所述铷化合物掺杂层的材质为铷化合物与酞菁金属化合物;
所述铷化合物为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷;
所述酞菁金属化合物为酞菁铜、酞菁锌或酞菁镁。
所述铷化合物与所述酞菁金属化合物的掺杂质量比为0.5:1~4:1。
所述钝化层的厚度为5-20nm,所述铷化合物掺杂层的厚度为20-50nm。
所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;
所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-(1-萘基)-N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺;
所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝;
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-***衍生物或N-芳基苯并咪唑;
所述阴极的材质为银、铝、铂或金。
本发明还提出一种有机电致发光器件的制备方法,其包括如下步骤:
(a)在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板,再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层;
(b)使用热阻蒸镀设备在步骤(a)制得的电子传输层上采用电子束制备钝化层,然后在所述钝化层上热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层,从而得到电子注入层;其中,
所述钝化层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜,所述铷化合物掺杂层的材质为掺杂质量比为0.5:1~4:1的铷化合物与酞菁金属化合物;
所述铷化合物为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷;所述酞菁金属化合物为酞菁铜、酞菁锌或酞菁镁;
(c)在步骤(b)制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层,从而得到所述的有机电致发光器件。
在所述步骤(a)中,所述磁控溅射设备的加速电压为300~800V,磁场为50~200G,功率密度为1~40W/cm2;所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1~1nm/s。
在所述步骤(b)中,所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.1~1nm/s,所述铷化合物掺杂层的厚度为20~50nm;所述电子束蒸镀设备的电子束蒸镀能量密度为10~l00W/cm2,所述钝化层的厚度为5~20nm;
在所述步骤(c)中,所述阴极层的蒸镀速率为1~10nm/s。
所述电子注入层的各组分的性能如下:
钝化材料性质稳定,可同时隔绝空气中的水氧和阴极的金属渗透到其他功能层(一般指空穴传输层、发光层和电子传输层,其材质为有机物)中,同时钝化层的厚度为5~20nm,该厚度适中,即可避免钝化层过厚而使钝化层形成团簇,从而形成电子缺陷而影响电荷的传输,也可避免钝化层太薄而造成电子失去了传输路径,从而降低传输速率;
而铷化合物掺杂层为铷化合物与酞菁金属化合物组成,铷化合物熔点较低,容易蒸镀。同时由于有金属离子的存在,功函数较低,有利于电子的注入,且金属离子可加强电子的传输速率。另外,酞菁金属化合物易结晶,结晶后其链段排列规整,对光发生散射,使光散射回到发光层,从而提高有机电致发光器件的出光效率。同时,铷化合物与酞菁金属化合物的掺杂质量比为0.5:1~4:1,在这个范围可保证铷化合物的性能的,也可防止酞菁金属化合物过多使材料失去活性,从而不利于传输载流子,另外铷化合物掺杂层的厚度为20~50nm,该厚度适中,即可避免铷化合物掺杂层过厚而使铷化合物掺杂层形成电子缺陷,也可避免铷化合物掺杂层太薄而使铷化合物掺杂层被电流击穿,从而使有机电致发光器件烧坏;
总体而言,与现有技术相比,本发明的有机电致发光器件及其制备方法,具有以下的优点:钝化层的材料可隔绝阴极的金属渗透到其他功能层去,而铷化合物掺杂层有利于电子的注入,加强电子的传输速率,从而提高出光效率。
附图说明
图1是本发明实施例1的有机电致发光器件的结构示意图。
图2是实施例1的有机电致发光器件与对比例的电流密度与电流效率的关系图。
具体实施方式
以下结合实施例,对本发明予以进一步地详尽阐述。
本发明的有机电致发光器件为层状结构,每层依次为:阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层。
对上述有机电致发光器件的制备方法,具体包括以下步骤:
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、在上述步骤清洁后的玻璃上制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板,接着在阳极导电基板上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层。
3、接着在上述电子传输层上制备电子注入层,所述电子注入层为钝化层与铷化合物掺杂层组成。先采用电子束制备制备钝化层,所述钝化层的材料为二氧化硅(SiO2)、氧化铝(Al2O3)、氧化镍(NiO)或氧化铜(CuO),厚度为5-20nm,所用电子束蒸镀的能量密度为10-l00W/cm2。所述铷化合物掺杂层为铷化合物与酞菁金属化合物组成,铷化合物为碳酸铷(Rb2CO3)、氯化铷(RbCl)、硝酸铷(RbNO3)硫酸铷(Rb2SO4);酞菁金属化合物层为酞菁铜(CuPc)、酞菁锌(ZnPc)或酞菁镁(MgPc);所述铷化合物与酞菁金属化合物的掺杂质量比为0.5:1~4:1,采用热阻蒸镀,厚度为20-50nm。
4、最后制备金属阴极。
有机电致发光器件中,其他功能层的材质和厚度如下:
所述玻璃为市售玻璃。
所述阳极导电基板为铟锡氧化物薄膜(ITO)、掺铝的氧化锌薄膜(AZO)或掺铟的氧化锌薄膜(IZO),采用磁控溅射制备,厚度为50-300nm,优选为ITO,厚度为100nm。
阳极导电基板包括导电阳极薄膜和玻璃,其导电阳极薄膜的材质为导电氧化物,包括氧化铟锡(ITO)、掺铝氧化锌(AZO)、掺铟氧化锌(IZO)或掺氟氧化锌(FTO)的任意一种,其基板的材质可为玻璃、塑料或金属,可以自制,也可以市购获得。在实际应用中,可以根据需要选择其他合适的材料作为阳极导电基板。在实际应用中,可以在阳极导电基板上制备所需的有机电致发光器件的阳极图形。阳极导电基板为现有技术,在此不再赘述。
所述空穴注入层材料采用三氧化钼(MoO3),还可采用三氧化钨(WO3)或五氧化二钒(V2O5),厚度为20-80nm,优选为MoO3,厚度为25nm。
所述空穴传输材料采用的是1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷(TAPC)、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺(TCTA)、N,N’-(1-萘基)-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺(NPB)。厚度为20-60nm,优选为TCTA,厚度为50nm。
所述发光层为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃(DCJTB)、9,10-二-β-亚萘基蒽(ADN)、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯(BCzVBi)、8-羟基喹啉铝(Alq3),厚度为5-40nm,优选为BCzVBi,厚度优选为24nm。
所述电子传输层采用4,7-二苯基-1,10-菲罗啉(Bphen)、1,2,4-***衍生物(如TAZ)或N-芳基苯并咪唑(TPBI),厚度为40-250nm,优选为Bphen,厚度为150nm。
所述阴极为银(Ag)、铝(Al)、铂(Pt)或金(Au),厚度为80-250nm,优选为Ag,厚度为150nm。
以下以实施例1~4对本发明的有机电致发光器件及其制备方法作具体说明:
实施例1
如图1所示,本实施例中的有机电致发光器件为层状结构,每层依次为:
玻璃/IZO的阳极导电基板101、MoO3材质的空穴注入层102、TAPC材质的空穴传输层103、ADN材质的发光层104、TPBI材质的电子传输层105、SiO2材质的钝化层106、Rb2CO3:CuPc材质的铷化合物掺杂层107以及Ag材质的阴极层108。钝化层106和铷化合物掺杂层107组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构,冒号“:”表示相互掺杂)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、将上述步骤1清洁后的玻璃置于磁控溅射设备下,将磁控溅射设备的工艺参数设置为300V的加速电压、50G的磁场以及40W/cm2的功率密度,使用磁控溅射设备在玻璃上制备材料为IZO且厚度为50nm的导电阳极薄膜,从而制得阳极导电基板101。
3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板101转置于热阻蒸镀制备下,将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为10nm/s的蒸镀速率和3×10-3Pa的工作压强,使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板101依次蒸镀材料为三氧化钨且厚度为25nm的空穴注入层102、材料为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷且厚度为50nm的空穴传输层103、材料为9,10-二-β-亚萘基蒽且厚度为24nm的发光层104、材料为N-芳基苯并咪唑且厚度为150nm的电子传输层105。
4、然后在上述电子传输层105上依次制备钝化层106与铷化合物掺杂层107:
首先采用电子束制备钝化层106,所用电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2,材料为SiO2,制得的钝化层106厚度为5nm;
接着在钝化层106上采用热阻蒸镀制备Rb2CO3:CuPc材质的铷化合物掺杂层107,Rb2CO3与CuPc的掺杂质量比为0.5:1~4:1,采用热阻蒸镀,制得厚度为20nm的电子注入层。
5、最后蒸镀制备金属阴极层108,所用材质为银,厚度为20nm,从而得到所需要的电致发光器件。
图2为本实施例1的有机电致发光器件与一般器件的流明效率与电流密度的关系图。
测试与制备设备为高真空镀膜***(沈阳科学仪器研制中心有限公司),美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱,美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能,日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
所述一般器件的结构为普通玻璃/ITO/MoO3/TCTA/BCzVBi/Bphen/CsF/Ag。图2中,横坐标为电流密度的大小,纵坐标为流明效率的大小,曲线1为实施例1有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系曲线,曲线2为对比例器件的电流密度与流明效率的关系曲线。
从图2可以看到,在不同电流密度下,实施例1的流明效率都比对比例的要大,最大的流明效率为15lm/W,而对比例的仅为10lm/W,而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降,这说明本发明的有机电致发光器件中的电子注入层中,钝化层的材料可隔绝阴极的金属渗透到其他功能层中去,而铷化合物掺杂层有利于电子的注入,加强电子的传输速率,使光散射回到底部中间,从而提高出光效率。
实施例2
以下实施例2-4的有机电致发光器件的层状结构与实施例1的层状结构基本相同,故在此不再加图示说明。
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构,每层依次为:
玻璃/IZO的阳极导电基板、V2O5材质的空穴注入层、TCTA材质的空穴传输层、ADN材质的发光层、材TPBi质的电子传输层、Al2O3材质的钝化层、RbCl:ZnPc材质的铷化合物掺杂层以及Pt材质的阴极层。钝化层和铷化合物掺杂层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构,冒号“:”表示相互掺杂)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、在上述步骤清洁后的玻璃基底置于磁控溅射设备下,将磁控溅射设备的工艺参数设置为300V的加速电压、50G的磁场以及40W/cm2的功率密度,使用磁控溅射设备在玻璃基底上制备材料为铟锌氧化物且厚度为80nm的导电阳极薄膜,从而制得阳极导电基板。
3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下,将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为1nm/s的蒸镀速率和2×10-3Pa的工作压强,使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板上依次蒸镀材料为V2O5,厚度为40nm的空穴注入层、材料为TCTA,厚度为45nm的空穴传输层、材料为ADN且厚度为8nm的发光层、材料为TPBi,厚度为65nm的电子传输层。
4、然后在上述电子传输层上依次制备钝化层与铷化合物掺杂层:
首先采用电子束制备钝化层,所用电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2,材料为Al2O3,制得的钝化层厚度为5nm;
接着在钝化层上采用热阻蒸镀制备RbCl:ZnPc材质的铷化合物掺杂层,RbCl与ZnPc的掺杂质量比为0.5:1,采用热阻蒸镀,制得厚度为50nm的电子注入层。
5、最后蒸镀制备金属阴极层,所用材质为Pt,厚度为80nm,从而得到所需要的电致发光器件。
实施例3
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构,每层依次为:
玻璃/IZO的阳极导电基板、WO3材质的空穴注入层、TAPC材质的空穴传输层、ADN材质的发光层、材TPBi质的电子传输层、NiO材质的钝化层、RbNO3:MgPc材质的铷化合物掺杂层以及Au材质的阴极层。钝化层和铷化合物掺杂层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构,冒号“:”表示相互掺杂)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、在上述步骤清洁后的玻璃基底置于磁控溅射设备下,将磁控溅射设备的工艺参数设置为800V的加速电压、200G的磁场以及1W/cm2的功率密度,使用磁控溅射设备在玻璃基底上制备材料为IZO且厚度为80nm的导电阳极薄膜,从而制得阳极导电基板。
3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下,将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为0.1nm/s的蒸镀速率和5×10-5Pa的工作压强,使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板上依次蒸镀材料为WO3,厚度为20nm的空穴注入层、材料为TAPC,厚度为60nm的空穴传输层、材料为ADN且厚度为10nm的发光层、材料为TPBi,厚度为200nm的电子传输层。
4、然后在上述电子传输层上依次制备钝化层与铷化合物掺杂层:
首先采用电子束制备钝化层,所用电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2,材料为NiO,制得的钝化层厚度为20nm;
接着在钝化层上采用热阻蒸镀制RbNO3:MgPc材质的铷化合物掺杂层,RbNO3与MgPc的掺杂质量比为4:1,采用热阻蒸镀,制得厚度为20nm的电子注入层。
5、最后蒸镀制备金属阴极层,所用材质为Au,厚度为100nm,从而得到所需要的电致发光器件。
实施例4
本实施例中的有机电致发光器件为层状结构,每层依次为:
玻璃/AZO的阳极导电基板、V2O5材质的空穴注入层、TCTA材质的空穴传输层、Alq3材质的发光层、TAZ材质的电子传输层、CuO材质的钝化层、Rb2SO4:MgPc材质的铷化合物掺杂层以及Al材质的阴极层。钝化层和铷化合物掺杂层组成电子注入层。(其中斜杆“/”表示层状结构,冒号“:”表示相互掺杂)
上述有机电致发光器件依次按如下步骤制备:
1、将玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后,放在异丙醇中浸泡一个晚上。
2、在上述步骤清洁后的玻璃基底置于磁控溅射设备下,将磁控溅射设备的工艺参数设置为600V的加速电压、100G的磁场以及30W/cm2的功率密度,使用磁控溅射设备在玻璃基底上制备材料为AZO且厚度为180nm的导电阳极薄膜,从而制得阳极导电基板。
3、接着将步骤2制备得的阳极导电基板转置于热阻蒸镀制备下,将热阻蒸镀制备的工艺参数设置为6nm/s的蒸镀速率和2×10-4Pa的工作压强,使用热阻蒸镀制备在阳极导电基板上依次蒸镀材料为V2O5,厚度为80nm的空穴注入层、材料为NPB,厚度为60nm的空穴传输层、材料为Alq3且厚度为40nm的发光层、材料为TAZ,厚度为25nm的电子传输层。
4、然后在上述电子传输层上依次制备钝化层与铷化合物掺杂层:
首先采用电子束制备钝化层,所用电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2,材料为CuO,制得的钝化层厚度为18nm;
接着在钝化层上采用热阻蒸镀制备Rb2SO4:MgPc材质的铷化合物掺杂层,RbCl与ZnPc的掺杂质量比为2:1,采用热阻蒸镀,制得厚度为50nm的电子注入层。
5、最后蒸镀制备金属阴极层,所用材质为Al,厚度为250nm,从而得到所需要的电致发光器件。
与现有技术相比,本发明的机电致发光器件及其制备方法,存在以下的优点:本发明有机电致发光器件的钝化层的材料可隔绝阴极的金属渗透到其他功能层去,而铷化合物掺杂层有利于电子的注入,加强电子的传输速率,从而提高有机电致发光器件的出光效率。
上述内容,仅为本发明的较佳实施例,并非用于限制本发明的实施方案,本领域普通技术人员根据本发明的主要构思和精神,可以十分方便地进行相应的变通或修改,故本发明的保护范围应以权利要求书所要求的保护范围为准。
Claims (8)
1.一种有机电致发光器件,该有机电致发光器件为层状结构,其特征在于,该层状结构为:依次层叠的阳极导电基板、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层以及阴极层,所述电子注入层包括钝化层与铷化合物掺杂层;其中,
所述钝化层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜,所述铷化合物掺杂层的材质为铷化合物与酞菁金属化合物;
所述铷化合物为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷;
所述酞菁金属化合物为酞菁铜、酞菁锌或酞菁镁。
2.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述铷化合物与所述酞菁金属化合物的掺杂质量比为0.5:1~4:1。
3.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,所述钝化层的厚度为5-20nm,所述铷化合物掺杂层的厚度为20-50nm。
4.根据权利要求1所述的有机电致发光器件,其特征在于,
所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨或五氧化二钒;
所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺或N,N′-(1-萘基)- N,N′-二苯基-4,4′-联苯二胺;
所述发光层的材质为4-(二腈甲基)-2-丁基-6-(1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基)-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯或8-羟基喹啉铝;
所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-***衍生物或N-芳基苯并咪唑;
所述阴极的材质为银、铝、铂或金。
5.一种有机电致发光器件的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:
(a)在清洁后的玻璃上通过磁控溅射设备来制备导电阳极薄膜而得到阳极导电基板,再在所述阳极导电基板上依次蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层;
(b)使用热阻蒸镀设备在步骤(a)制得的电子传输层上采用电子束制备钝化层,然后在所述钝化层上热阻蒸镀制备铷化合物掺杂层,从而得到电子注入层;其中,
所述钝化层的材质为二氧化硅、氧化铝、氧化镍或氧化铜,所述铷化合物掺杂层的材质为掺杂质量比为0.5:1~4:1的铷化合物与酞菁金属化合物;
所述铷化合物为碳酸铷、氯化铷、硝酸铷或硫酸铷;所述酞菁金属化合物为酞菁铜、酞菁锌或酞菁镁;
(c)在步骤(b)制得的电子注入层上蒸镀制备阴极层,从而得到所述的有机电致发光器件。
6.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤(a)中,所述磁控溅射设备的加速电压为300~800V,磁场为50~200G,功率密度为1~40 W/cm2;所述空穴传输层、发光层以及电子传输层的蒸镀速率为0.1~1nm/s。
7.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤(b)中,所述热阻蒸镀设备的蒸镀速率为0.1~1nm/s,所述铷化合物掺杂层的厚度为20~50nm;所述电子束蒸镀设备的电子束蒸镀能量密度为10~l00W/cm2,所述钝化层的厚度为5~20nm。
8.根据权利要求5所述的制备方法,其特征在于,在所述步骤(c)中,所述阴极层的蒸镀速率为1~10nm/s。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310572184.4A CN104638194A (zh) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310572184.4A CN104638194A (zh) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104638194A true CN104638194A (zh) | 2015-05-20 |
Family
ID=53216697
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201310572184.4A Pending CN104638194A (zh) | 2013-11-14 | 2013-11-14 | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104638194A (zh) |
-
2013
- 2013-11-14 CN CN201310572184.4A patent/CN104638194A/zh active Pending
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN104934544A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638197A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104183778A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104347804A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638142A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104518145A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638141A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104518147A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104466012A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104518108A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638194A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104659219A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104733637A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104659273A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638143A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638196A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104659251A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104733626A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638144A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638153A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104518106A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104733634A (zh) | 一种有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638145A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104638140A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 | |
CN104518138A (zh) | 有机电致发光器件及其制备方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C06 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150520 |