CN104614787A - 一种超宽带减反射膜及其制备方法 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种超宽带减反射膜,包括基体层,在基体层表面设有由MgF2膜层和TiO2膜层交替组成的多层膜结构,且靠近基体层表面的第一层及靠近空气界面的最外层均为MgF2膜层,所述多层膜结构的厚度为340-370nm。本发明实现了对400~800nm超宽波段可见光的高透射率,残余反射率低于0.2%,镀膜层数较少,简化了制造工艺,降低了制造成本。
Description
技术领域
本发明涉及一种超宽带减反射膜及其制备方法,属于光学薄膜领域。
背景技术
在光学***中,在两种情况下需要降低零件表面的反射,第一,未经处理过的光学零件,由于反射损失,未经处理过的光学零件透射率总是低于100%,例如,未镀膜的冕玻璃零件的透射率只有92%左右,而折射率较高的火石玻璃的透射率只有85%左右,大多数仪器包含多个串置的零件,若零件表面不镀减反射膜,则仪器的总透射率将会很低;第二,表面反射光经过多次反射或漫反射,有一部分光成为杂散光,最后到达像平面,使像的衬度降低,从而影响***的成像质量,特别是电视、电影摄影镜头等***,都包含大量多个与空气相邻的表面,如果镜头上没有减反射膜则不能应用。
目前已有许多种类型的减反射膜可供利用,以满足技术光学领域的大部分需要。可是复杂的光学***和激光光学,对减反射性能往往有特殊的要求。例如,大功率激光***要求某些元件有极低的表面反射,以避免敏感元件受到不需要的反射被破坏。此外,宽带减反射膜提高了成像质量、像平衡和作用距离,从而使***的全部性能增强。因此,生产的实际需要促进了减反射膜的发展。
中国专利文献CN102496633A公开了一种GaAs系太阳能电池的多层减反射膜,包括至少两层减反射膜,由SiNx、MgF2、TiOx、Al2OX、SiO2、ZnO薄膜中的两种或两种以上层叠形成;该多层减反射膜是利用PECVD,EBE等技术,在GaAs系太阳能电池窗口层或顶电池窗口层上生长SiNx、MgF2、TiOx、Al2OX、SiO2、ZnO等薄膜,通过多层堆叠的方式,形成叠层减反射膜结构。但是,该专利存在以下缺陷:(1)减反射膜由两种或两种以上光学材料层叠形成,增加了镀膜材料转换时的工艺难度,增加了成本;(2)当使用两种光学薄膜材料时,该减反射膜仅为双层结构,根据光学薄膜设计理论,双层薄膜有V型和W型两种,V型薄膜只能在较窄的光谱范围内有效地减反射,W型薄膜在中心波长的反射率较高,中心波长两侧反射率逐渐降低,因此,导致整个波段的平均反射率较高。
本发明仅利用两种光学薄膜材料,并采用多于两层的结构设计,有效解决了上述问题。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明公开了一种超宽带减反射膜;
本发明还公开了上述减反射膜的制备方法;
本发明所述超宽带减反射膜实现了对400~800nm波段高透过率,残余反射率低于0.2%。
本发明的技术方案为:
一种超宽带减反射膜,包括基体层,在所述基体层表面设有由MgF2膜层和TiO2膜层交替组成的多层膜结构,且靠近所述基体层表面的第一层及靠近空气界面的最外层均为MgF2膜层,所述多层膜结构的厚度为340-370nm。
所述减反射膜对400~800nm波段都具有很高的透过率,平均残余反射率低于0.2%。
根据本发明优选的,所述多层膜结构为九层膜结构,且各层的厚度均不相同。
根据本发明优选的,从基体层至靠近空气界面的最外层依次为:厚度为24-25nm的MgF2膜层,厚度为13-14nm的TiO2膜层,厚度为45-46nm的MgF2膜层,厚度为30-31nm的TiO2膜层,厚度为17-18nm的MgF2膜层,厚度为80-81nm的TiO2膜层,厚度为16-17nm的MgF2膜层,厚度为25-26nm的TiO2膜层,厚度为105-106nm的MgF2膜层。
根据本发明优选的,从基体层至靠近空气界面的最外层依次为:厚度为24.80nm的MgF2膜层,厚度为13.20nm的TiO2膜层,厚度为45.55nm的MgF2膜层,厚度为30.52nm的TiO2膜层,厚度为17.16nm的MgF2膜层,厚度为80.50nm的TiO2膜层,厚度为16.74nm的MgF2膜层,厚度为25.28nm的TiO2膜层,厚度为105.46nm的MgF2膜层。
根据本发明优选的,所述基体层为光学玻璃。
根据本发明优选的,所述光学玻璃为K9玻璃。
上述减反射膜的制备方法,具体步骤包括:
(1)清洗基体层,将清洗后的基体层放置真空室内;
(2)抽真空至1.0×10-3-1.5×10-3Pa,升温至180-230℃,充氧至2.5×10-2-3.3×10-2Pa;
(3)待真空室压强稳定后开始镀膜:镀制第一层MgF2膜层,镀膜时间及控制速率根据所需厚度控制;
(4)根据不同的膜料,交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层;
(5)镀膜完毕后,在高真空度下降温至25-50℃,放气后取出,即得,所述高真空度是指1.0×10-3-1.5×10-3Pa。
根据本发明优选的,步骤(1)中,清洗基体层的方式为超声波清洗。
根据本发明优选的,步骤(4)中,对MgF2膜层和TiO2膜层进行预熔料处理,MgF2膜层预熔料处理的控制速率为TiO2膜层预熔料处理的交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层。
本发明的有益效果为:
1、本发明所述减反射膜仅由两种光学材料层叠形成,简化了镀膜材料转换时的工艺难度,降低了制造成本;
2、本发明所述减反射膜实现了对400~800nm超宽波段可见光的高透射率,残余反射率低于0.2%,镀膜层数较少,简化了制造工艺,降低了制造成本。
附图说明
图1为本发明所述减反射膜的结构示意图;
图1中,所述减反射膜的多层膜结构为九层膜结构,所述减反射膜的最底层为基底层,在所述基体层表面交替设有MgF2膜层和TiO2膜层;
图2为本发明所述减反射膜的反射率曲线;
图2中,对400~800nm超宽波段可见光,平均反射率低于0.2%。
具体实施方式
下面结合说明书附图和实施例对本发明作进一步限定,但不限于此。
实施例1
一种超宽带减反射膜,包括基体层,在所述基体层表面设有由MgF2膜层和TiO2膜层交替组成的多层膜结构,且靠近所述基体层表面的第一层及靠近空气界面的最外层均为MgF2膜层,所述多层膜结构的厚度为340nm。
所述减反射膜对400~800nm波段都具有很高的透过率,平均残余反射率低于0.2%。
实施例2
根据实施例1所述减反射膜,其区别在于,所述多层膜结构的厚度为370nm。
实施例3
根据实施例1所述减反射膜,其区别在于,所述多层膜结构的厚度为355nm。
实施例4
根据实施例1-3任一所述减反射膜,其区别在于,所述多层膜结构为九层膜结构,且各层的厚度均不相同,如图1所示。
实施例5
根据实施例4所述减反射膜,其区别在于,从基体层至靠近空气界面的最外层依次为:厚度为24nm的MgF2膜层,厚度为13nm的TiO2膜层,厚度为45nm的MgF2膜层,厚度为30nm的TiO2膜层,厚度为17nm的MgF2膜层,厚度为80nm的TiO2膜层,厚度为16nm的MgF2膜层,厚度为25nm的TiO2膜层,厚度为105nm的MgF2膜层。
实施例6
根据实施例4所述减反射膜,其区别在于,从基体层至靠近空气界面的最外层依次为:厚度为25nm的MgF2膜层,厚度为14nm的TiO2膜层,厚度为46nm的MgF2膜层,厚度为31nm的TiO2膜层,厚度为18nm的MgF2膜层,厚度为81nm的TiO2膜层,厚度为17nm的MgF2膜层,厚度为26nm的TiO2膜层,厚度为106nm的MgF2膜层。
实施例7
根据实施例4所述减反射膜,其区别在于,从基体层至靠近空气界面的最外层依次为:厚度为24.5nm的MgF2膜层,厚度为13.5nm的TiO2膜层,厚度为45.5nm的MgF2膜层,厚度为30.5nm的TiO2膜层,厚度为17.5nm的MgF2膜层,厚度为80.5nm的TiO2膜层,厚度为16.5nm的MgF2膜层,厚度为25.5nm的TiO2膜层,厚度为105.5nm的MgF2膜层。
实施例8
根据实施例4所述减反射膜,其区别在于,从基体层至靠近空气界面的最外层依次为:厚度为24.80nm的MgF2膜层,厚度为13.20nm的TiO2膜层,厚度为45.55nm的MgF2膜层,厚度为30.52nm的TiO2膜层,厚度为17.16nm的MgF2膜层,厚度为80.50nm的TiO2膜层,厚度为16.74nm的MgF2膜层,厚度为25.28nm的TiO2膜层,厚度为105.46nm的MgF2膜层。
实施例9
根据实施例1-8任一所述减反射膜,其区别在于,所述基体层为光学玻璃。
实施例10
根据实施例9所述减反射膜,其区别在于,所述光学玻璃为K9玻璃。
实施例11
根据实施例1-10任一所述减反射膜的制备方法,具体步骤包括:
(1)清洗基体层,将清洗后的基体层放置真空室内;
(2)抽真空至1.0×10-3Pa,升温至180℃,充氧至2.5×10-2Pa;
(3)待真空室压强稳定后开始镀膜:镀制第一层MgF2膜层,镀膜时间及控制速率根据所需厚度控制;
(4)根据不同的膜料,交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层;
(5)镀膜完毕后,在高真空度下降温至25℃,放气后取出,即得,所述高真空度是指1.0×10-3Pa。
实施例12
根据实施例11所述减反射膜的制备方法,其区别在于,具体步骤包括:
(1)清洗基体层,将清洗后的基体层放置真空室内;
(2)抽真空至1.5×10-3Pa,升温至230℃,充氧至3.3×10-2Pa;
(3)待真空室压强稳定后开始镀膜:镀制第一层MgF2膜层,镀膜时间及控制速率根据所需厚度控制;
(4)根据不同的膜料,交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层;
(5)镀膜完毕后,在高真空度下降温至50℃,放气后取出,即得,所述高真空度是指1.5×10-3Pa。
实施例13
根据实施例11所述减反射膜的制备方法,其区别在于,具体步骤包括:
(1)清洗基体层,将清洗后的基体层放置真空室内;
(2)抽真空至1.2×10-3Pa,升温至200℃,充氧至3.0×10-2Pa;
(3)待真空室压强稳定后开始镀膜:镀制第一层MgF2膜层,镀膜时间及控制速率根据所需厚度控制;
(4)根据不同的膜料,交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层;
(5)镀膜完毕后,在高真空度下降温至35℃,放气后取出,即得,所述高真空度是指1.2×10-3Pa。
实施例14
根据实施例11-13任一所述减反射膜的制备方法,其区别在于,步骤(1)中,清洗基体层的方式为超声波清洗。
实施例15
根据实施例11-13任一所述减反射膜的制备方法,其区别在于,步骤(4)中,对MgF2膜层和TiO2膜层进行预熔料处理,MgF2膜层预熔料处理的控制速率为TiO2膜层预熔料处理的交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层。
实施例16
根据实施例15所述减反射膜的制备方法,其区别在于,步骤(4)中,对MgF2膜层和TiO2膜层进行预熔料处理,MgF2膜层预熔料处理的控制速率为TiO2膜层预熔料处理的 交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层。
实施例17
根据实施例15所述减反射膜的制备方法,其区别在于,步骤(4)中,对MgF2膜层和TiO2膜层进行预熔料处理,MgF2膜层预熔料处理的控制速率为TiO2膜层预熔料处理的 交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层。
Claims (9)
1.一种超宽带减反射膜,其特征在于,包括基体层,在所述基体层表面设有由MgF2膜层和TiO2膜层交替组成的多层膜结构,且靠近所述基体层表面的第一层及靠近空气界面的最外层均为MgF2膜层,所述多层膜结构的厚度为340-370nm。
2.根据权利要求1所述减反射膜,其特征在于,所述多层膜结构为九层膜结构,且各层的厚度均不相同。
3.根据权利要求2所述减反射膜,其特征在于,从基体层至靠近空气界面的最外层依次为:厚度为24-25nm的MgF2膜层,厚度为13-14nm的TiO2膜层,厚度为45-46nm的MgF2膜层,厚度为30-31nm的TiO2膜层,厚度为17-18nm的MgF2膜层,厚度为80-81nm的TiO2膜层,厚度为16-17nm的MgF2膜层,厚度为25-26nm的TiO2膜层,厚度为105-106nm的MgF2膜层。
4.根据权利要求3所述减反射膜,其特征在于,从基体层至靠近空气界面的最外层依次为:厚度为24.80nm的MgF2膜层,厚度为13.20nm的TiO2膜层,厚度为45.55nm的MgF2膜层,厚度为30.52nm的TiO2膜层,厚度为17.16nm的MgF2膜层,厚度为80.50nm的TiO2膜层,厚度为16.74nm的MgF2膜层,厚度为25.28nm的TiO2膜层,厚度为105.46nm的MgF2膜层。
5.根据权利要求1-4任一所述减反射膜,其特征在于,所述基体层为光学玻璃。
6.根据权利要求5所述减反射膜,其特征在于,所述光学玻璃为K9玻璃。
7.根据权利要求1-4任一所述减反射膜的制备方法,其特征在于,具体步骤包括:
(1)清洗基体层,将清洗后的基体层放置真空室内;
(2)抽真空至1.0×10-3-1.5×10-3Pa,升温至180-230℃,充氧至2.5×10-2-3.3×10-2Pa;
(3)待真空室压强稳定后开始镀膜:镀制第一层MgF2膜层,镀膜时间及控制速率根据所需厚度控制;
(4)根据不同的膜料,交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层;
(5)镀膜完毕后,在高真空度下降温至25-50℃,放气后取出,即得,所述高真空度是指1.0×10-3-1.5×10-3Pa。
8.根据权利要求7所述制备方法,其特征在于,步骤(1)中,清洗基体层的方式为超声波清洗。
9.根据权利要求7所述制备方法,其特征在于,对MgF2膜层和TiO2膜层进行预熔料处理,MgF2膜层预熔料处理的控制速率为TiO2膜层预熔料处理的交替镀制多层MgF2膜层和TiO2膜层。
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