CN104599927B - 一种多孔光阑的制备方法 - Google Patents

一种多孔光阑的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104599927B
CN104599927B CN201410817305.1A CN201410817305A CN104599927B CN 104599927 B CN104599927 B CN 104599927B CN 201410817305 A CN201410817305 A CN 201410817305A CN 104599927 B CN104599927 B CN 104599927B
Authority
CN
China
Prior art keywords
metal molybdenum
circular metal
molybdenum sheet
time
deionized water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410817305.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104599927A (zh
Inventor
臧源
林涛
李连碧
封先锋
马特
袁思嘉
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Xi'an Qianyue Electronic Technology Co ltd
Original Assignee
Xian University of Technology
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Xian University of Technology filed Critical Xian University of Technology
Priority to CN201410817305.1A priority Critical patent/CN104599927B/zh
Publication of CN104599927A publication Critical patent/CN104599927A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104599927B publication Critical patent/CN104599927B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J9/00—Apparatus or processes specially adapted for the manufacture, installation, removal, maintenance of electric discharge tubes, discharge lamps, or parts thereof; Recovery of material from discharge tubes or lamps
    • H01J9/02—Manufacture of electrodes or electrode systems
    • H01J9/14—Manufacture of electrodes or electrode systems of non-emitting electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/02—Details
    • H01J37/04—Arrangements of electrodes and associated parts for generating or controlling the discharge, e.g. electron-optical arrangement, ion-optical arrangement
    • H01J37/09—Diaphragms; Shields associated with electron or ion-optical arrangements; Compensation of disturbing fields

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Abstract

本发明公开了一种多孔光阑的制备方法，包括以下步骤：对圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，并使用N2吹干；将经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；使用匀胶机涂上正性光刻胶，并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理，得到光刻后的圆形金属钼片；将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌，腐蚀液由磷酸、硝酸、乙酸和去离子水组成；用去离子水对腐蚀后的圆形金属钼片冲洗，然后进行刻蚀处理；将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理，得到多孔结构光阑。本发明的一种多孔结构光阑的制备方法，解决了现有技术中存在的光阑加工效率低、成本高的技术问题。

Description

一种多孔光阑的制备方法
技术领域
本发明属于扫描电子显微材料技术领域，涉及一种多孔光阑的制备方法。
背景技术
用来作为扫描电子显微镜的通电子束的光阑，需要在难熔金属钼的薄片上加工出从数微米到300微米范围内的多个孔径大小的微孔和小孔。采用机械加工的方式对薄钼片进行钻孔加工，这种方式不仅需要消耗昂贵的金刚石钻头，而且很难加工小于300微米的孔径；其他加工技术如电火花加工，需要针对不同的孔径制作相应的电极，而加工电极的难度甚至超过制作光阑的难度，同时电极也非常容易损坏，这种方案存在着效率低、成本高等不足。
随着电子束和离子束设备的技术进步和应用拓展，数十个微孔的光阑成为其核心部件之一。由于该类光阑的尺寸覆盖范围广，需要几毫米到几微米尺寸的微孔，而我国在相关领域还无可应用的电子束光阑，作为扫描电子显微***中的常用消耗品，光阑等部件长期依赖进口，使得研究开发成本高。
发明内容
本发明的目的是提供一种多孔光阑的制备方法，解决了现有技术中存在的光阑加工效率低、成本高的技术问题。
本发明所采用的技术方案是，一种多孔光阑的制备方法，包括以下步骤：
步骤1，对圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，并使用流量为1-2L/min的N2吹干；使用氨水、丙酮、酒精和去离子水对圆形金属钼片依次进行超声清洗的时间均为8-15min；
步骤2，将步骤1中经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；
步骤3，将步骤2中烘干后的圆形金属钼片使用匀胶机涂上1.2-2μm的正性光刻胶，并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理，得到光刻后的圆形金属钼片；
步骤4，将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌60-70min，得到腐蚀后的圆形金属钼片，所述腐蚀液由以下组分组成：10-15％的磷酸，20-30％的硝酸，10-15％的乙酸，50％-60％的去离子水，以上各组分的质量百分比之和为100％；
步骤5，将腐蚀后的圆形金属钼片用去离子水冲洗，然后进行刻蚀处理，得到刻蚀后的圆形金属钼片；
步骤6，将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理，得到多孔结构光阑。
本发明的特点还在于，
步骤2中采用加热板进行烘干，烘干时间为2-3min，烘干温度为120-130℃。
步骤3中匀胶机涂胶2次，匀胶机转速分别为490-510转/分、1900-2100转/分，时间各为4-6s和84-86s；前烘时间为1-2min，前烘温度为120-130℃；曝光时间为8-12s；坚膜时间为30-60min；
步骤5中使用RIE反应离子刻蚀机进行刻蚀处理，刻蚀时间为45-60min。
刻蚀过程中采用SF6作为反应气体对光孔边缘毛刺进行处理，反应功率为110W-130W，反应时间为40-80min。
步骤6中使用蒸发台进行表面蒸发金处理，蒸发时间为20-30min，蒸发厚度为0.5-2μm。
本发明的有益效果是通过采用湿法腐蚀、反应离子刻蚀、表面蒸镀结合的方法来制备多孔结构光阑，通过对腐蚀溶液的组分含量进行控制，选择合适的组分含量获得边缘平整，质量较好的光阑，并且生产成本低，生产周期短，精度高。
附图说明
图1是本发明一一种多孔光阑的制备方法的流程示意图；
图2是本发明中经过光刻后的金属钼片的显微图；
图3(a)是本发明中腐蚀液中水为30ml时的金属钼片腐蚀后的图；
图3(b)是本发明中腐蚀液中水为40ml时的金属钼片腐蚀后的图；
图3(c)是本发明中腐蚀液中水为45ml时的金属钼片腐蚀后的图；
图4是本发明中通过反应离子刻蚀后的金属钼片的显微图；
图5是本发明中通过腐蚀后的金属钼片的表面显微图。
具体实施方式
下面结合附图和具体实施方式对本发明进行详细说明。
本发明一种多孔光阑的制备方法，如图1所示，包括以下步骤：
步骤1，对圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，将清洗后的钼片放在洁净的无尘纸上，并使用流量为1-2L/min的N2吹干；使用氨水、丙酮、酒精和去离子水对圆形金属钼片依次进行超声清洗的时间均为8-15min；
步骤2，将步骤1中经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；采用加热板进行烘干，烘干时间为2-3min，烘干温度为120-130℃；
步骤3，将步骤2中烘干后的圆形金属钼片使用匀胶机涂上1.2-2μm的正性光刻胶，并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理，得到光刻后的圆形金属钼片；匀胶机涂胶2次，转速分别为490-510转/分、1900-2100转/分，时间各为4-6s和64-76s，胶厚度为1.2-2μm；前烘时间为1-2min，前烘温度为120-130℃；曝光时间为8-12s；坚膜时间为30-60min；光刻后的金属钼片结构如图2所示；
步骤4，将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌60-70min，得到腐蚀后的圆形金属钼片，所述腐蚀液由以下组分组成：10-15％的磷酸，20-30％的硝酸，10-15％的乙酸，50％-60％的去离子水，以上各组分的质量百分比之和为100％；腐蚀后其形貌如图5所示；
步骤5，将腐蚀后的圆形金属钼片用去离子水冲洗，然后进行刻蚀处理，得到刻蚀后的圆形金属钼片；使用RIE反应离子刻蚀机进行刻蚀处理，刻蚀时间为45-60min；刻蚀过程中采用SF6作为反应气体对光孔边缘毛刺进行处理；反应功率为110W-130W，反应时间为40-80min；刻蚀后的金属钼片其形貌如图4所示；
步骤6，将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理，得到多孔结构光阑；使用蒸发台进行表面蒸发金处理，蒸发时间为20-30min，蒸发厚度为0.5-2μm。
实施例1
对厚度为50μm圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，并使用流量为1L/min的N2吹干；使用氨水、丙酮、酒精和去离子水对圆形金属钼片依次进行超声清洗的时间均为8min；
将经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；采用加热板进行烘干，烘干时间为2min，烘干温度为120℃；
将烘干后的圆形金属钼片使用匀胶机涂上1.5μm的正性光刻胶，并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理，得到光刻后的圆形金属钼片；匀胶机转速分别为490转/分、2100转/分，时间各为6s和84s；前烘时间为1.5min，前烘温度为125℃；曝光时间为8s；坚膜时间为45min；
将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌60min，腐蚀液由磷酸、硝酸、乙酸和去离子水组成，得到腐蚀后的圆形金属钼片；腐蚀液各组分的比例为10:20:10:60；
将腐蚀后的圆形金属钼片用去离子水冲洗，然后进行刻蚀处理，得到刻蚀后的圆形金属钼片；使用RIE反应离子刻蚀机进行刻蚀处理，刻蚀时间为60min；刻蚀过程中采用SF6作为反应气体对光孔边缘毛刺进行处理，反应功率为110W，反应时间为60min；
将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理，得到多孔结构光阑；使用蒸发台进行表面蒸发金处理，蒸发时间为25min，蒸发厚度为1.5μm。
实施例2
对厚度为50μm圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，并使用流量为2L/min的N2吹干；使用氨水、丙酮、酒精和去离子水对圆形金属钼片依次进行超声清洗的时间均为15min；
将经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；采用加热板进行烘干，烘干时间为3min，烘干温度为130℃；
将烘干后的圆形金属钼片使用匀胶机涂上1.2μm的正性光刻胶，并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理，得到光刻后的圆形金属钼片；匀胶机转速分别为500转/分、2000转/分，时间各为5s和85s；前烘时间为1min，前烘温度为120℃；曝光时间为12s；坚膜时间为30min；
将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌70min，腐蚀液由磷酸、硝酸、乙酸和去离子水组成，得到腐蚀后的圆形金属钼片；腐蚀液各组分的比例为15:20:15:50；
将腐蚀后的圆形金属钼片用去离子水冲洗，然后进行刻蚀处理，得到刻蚀后的圆形金属钼片；
使用RIE反应离子刻蚀机进行刻蚀处理，刻蚀时间为45min；刻蚀过程中采用SF6作为反应气体对光孔边缘毛刺进行处理，反应功率为30W，反应时间为40min；
将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理，得到多孔结构光阑；使用蒸发台进行表面蒸发金处理，蒸发时间为30min，蒸发厚度为2μm。
实施例3
对厚度为50μm的圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，并使用流量为1.5L/min的N2吹干；使用氨水、丙酮、酒精和去离子水对圆形金属钼片依次进行超声清洗的时间均为10min；
将经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；采用加热板进行烘干，烘干时间为2.5min，烘干温度为125℃；
将烘干后的圆形金属钼片使用匀胶机涂上2μm的正性光刻胶，并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理，得到光刻后的圆形金属钼片；匀胶机转速分别为510转/分、1900转/分，时间各为4s和86s；前烘时间为2min，前烘温度为130℃；曝光时间为10s；坚膜时间为60min；
将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌65min，腐蚀液由磷酸、硝酸、乙酸和去离子水组成，得到腐蚀后的圆形金属钼片；腐蚀液各组分的比例为12:20:13:55；
将腐蚀后的圆形金属钼片用去离子水冲洗，然后进行刻蚀处理，得到刻蚀后的圆形金属钼片；使用RIE反应离子刻蚀机进行刻蚀处理，刻蚀时间为50min；刻蚀过程中采用SF6作为反应气体对光孔边缘毛刺进行处理，反应功率为120W，反应时间为45min；
将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理，得到多孔结构光阑；使用蒸发台进行表面蒸发金处理，蒸发时间为20min，蒸发厚度为0.5μm。
实施例4
对厚度为50μm圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，并使用流量为1.2L/min的N2吹干；使用氨水、丙酮、酒精和去离子水对圆形金属钼片依次进行超声清洗的时间均为11min；
将经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；采用加热板进行烘干，烘干时间为2.2min，烘干温度为122℃；
将烘干后的圆形金属钼片使用匀胶机涂上1.3μm的正性光刻胶，并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理，得到光刻后的圆形金属钼片；匀胶机转速分别为500转/分、2000转/分，时间各为5s和85s；前烘时间为1.2min，前烘温度为122℃；曝光时间为9s；坚膜时间为55min；
将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌62min，腐蚀液由磷酸、硝酸、乙酸和去离子水组成，得到腐蚀后的圆形金属钼片；腐蚀液各组分的比例为10:25:10:55；
将腐蚀后的圆形金属钼片用去离子水冲洗，然后进行刻蚀处理，得到刻蚀后的圆形金属钼片；
使用RIE反应离子刻蚀机进行刻蚀处理，刻蚀时间为55min；刻蚀过程中采用SF6作为反应气体对光孔边缘毛刺进行处理，反应功率为50W，反应时间为50min；
将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理，得到多孔结构光阑；使用蒸发台进行表面蒸发金处理，蒸发时间为22min，蒸发厚度为0.8μm。
实施例5
对厚度为50μm圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，并使用流量为1.7L/min的N2吹干；使用氨水、丙酮、酒精和去离子水对圆形金属钼片依次进行超声清洗的时间均为13min；
将经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；采用加热板进行烘干，烘干时间为2.8min，烘干温度为128℃；
将烘干后的圆形金属钼片使用匀胶机涂上1.8μm的正性光刻胶，并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理，得到光刻后的圆形金属钼片；匀胶机转速分别为500转/分、2000转/分，时间各为5s和85s；前烘时间为1.8min，前烘温度为128℃；曝光时间为11s；坚膜时间为50min；
将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌68min，腐蚀液由磷酸、硝酸、乙酸和去离子水组成，得到腐蚀后的圆形金属钼片；腐蚀液各组分的比例为10:30:10:50。
将腐蚀后的圆形金属钼片用去离子水冲洗，然后进行刻蚀处理，得到刻蚀后的圆形金属钼片；
使用RIE反应离子刻蚀机进行刻蚀处理，刻蚀时间为50min；刻蚀过程中采用SF6作为反应气体对光孔边缘毛刺进行处理，反应功率为80W，反应时间为45min；
将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理，得到多孔结构光阑；使用蒸发台进行表面蒸发金处理，蒸发时间为27min，蒸发厚度为1.8μm。
本发明中采用匀胶机使得光刻胶能够均匀涂抹在整个金属钼片表面，达到掩蔽的效果，光刻胶既作为图形转移层，同时也是腐蚀掩蔽层；
腐蚀后图形使用激光共聚焦显微观察，其形貌如图5。图中可见腐蚀后后图形完整，边缘无明显毛刺，通过实验发现，腐蚀液各组分的择优比例为，10-15％的磷酸，20-30％的硝酸，10-15％的乙酸，50％-60％的去离子水，以上各组分的质量百分比之和为100％，腐蚀时间为60-70min，腐蚀效果为最好。下面通过实验进行说明，首先，腐蚀液中水的组分比对于腐蚀速率有着很大的影响，如表1所示：
表1 水对腐蚀速率的影响(单位：ml)
从表中可以看出，单独改变水的比例，腐蚀速率下降，腐蚀时间增大，随着腐蚀速率降低，腐蚀孔边缘出现毛刺现象逐渐减少，图形边缘较整齐，但样品表面呈现多种腐蚀坑，主要由于腐蚀时间太长导致光刻胶被剥离，因此，水的组分含量选择为50％-60％腐蚀效果为最好，如图3所示，图3(a)是本发明中腐蚀液中水为30ml时的金属钼片腐蚀后的图；图3(b)是本发明中腐蚀液中水为40ml时的金属钼片腐蚀后的图；图3(c)是本发明中腐蚀液中水为45ml时的金属钼片腐蚀后的图；可见腐蚀后的金属钼片边缘毛刺比较少，而腐蚀时间选择为60-70min为最好，水比例大于60％导致腐蚀速率下降明显，光刻胶被剥离，腐蚀截面过于平缓，有效尺寸较小；水比例低于50％导致腐蚀速率过快，毛刺现象明显。腐蚀时间选择为60-70min腐蚀效果为最好。硝酸为主腐蚀剂，硝酸浓度决定反应速率，过快的反应速率导致其在纵向腐蚀的同时横向腐蚀加剧；由于金属钼片样品的厚度只有50μm，若硝酸浓度大于30％，使得反应速率增大，导致其在纵向腐蚀的同时横向腐蚀加剧，造成光孔边缘毛刺增大，无法达到技术要求；硝酸浓度小于20％，腐蚀速率降低，过慢的腐蚀速率，使光刻胶从样品表面剥离并脱落，导致最后腐蚀孔径尺寸大于技术要求尺寸，无法达到技术要求；
醋酸作为腐蚀缓冲剂，单独的改变醋酸的比例，可以控制腐蚀后边缘形貌；
磷酸的作用是用来去除硝酸腐蚀金属钼后的产物，在腐蚀金属钼后，立即去除掉钼片上的反应物，有助于反应能够继续进行。通过多种配比的磷酸进行试验，发现磷酸的用量不少于10％，一般的反应产物都能够被很好的去除。

Claims (6)

1.一种多孔光阑的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1，对圆形金属钼片依次使用氨水、丙酮、酒精和去离子水进行超声清洗，并使用流量为1-2L/min的N2吹干；
步骤2，将步骤1中经过N2吹干的圆形金属钼片进行烘干；
步骤3，将步骤2中烘干后的圆形金属钼片使用匀胶机涂上1.2-2μm的正性光刻胶，并依次进行前烘、曝光、显影和坚膜处理，得到光刻后的圆形金属钼片；
步骤4，将光刻后的圆形金属钼片置于腐蚀液中搅拌60-70min，得到腐蚀后的圆形金属钼片，所述腐蚀液由以下组分组成：10-15％的磷酸，20-30％的硝酸，10-15％的乙酸，50％-60％的去离子水，以上各组分的质量百分比之和为100％；
步骤5，将腐蚀后的圆形金属钼片用去离子水冲洗，然后进行刻蚀处理，得到刻蚀后的圆形金属钼片；
步骤6，将刻蚀后的圆形金属钼片进行双面蒸金处理，得到多孔结构光阑。
2.根据权利要求1所述的一种多孔光阑的制备方法，其特征在于，步骤2中采用加热板进行烘干，烘干时间为2-3min，烘干温度为120-130℃。
3.根据权利要求1所述的一种多孔光阑的制备方法，其特征在于，步骤3中匀胶机涂胶2次，转速分别为490-510转/分、1900-2100转/分，时间各为4-6s和80-90s；
所述前烘时间为1-2min，前烘温度为120-130℃；所述曝光时间为8-12s；所述坚膜时间为30-60min。
4.根据权利要求1所述的一种多孔光阑的制备方法，其特征在于，步骤5中使用RIE反应离子刻蚀机进行刻蚀处理，刻蚀时间为45-60min。
5.根据权利要求4所述的一种多孔光阑的制备方法，其特征在于，刻蚀过程中采用SF6作为反应气体对光孔边缘毛刺进行处理，反应功率为110W-130W，反应时间为40-60min。
6.根据权利要求1至5中任意一项所述的一种多孔光阑的制备方法，其特征在于，步骤6中使用蒸发台进行表面蒸发金处理，蒸发时间为20-30min，蒸发厚度为0.5-2μm。
CN201410817305.1A 2014-12-24 2014-12-24 一种多孔光阑的制备方法 Active CN104599927B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410817305.1A CN104599927B (zh) 2014-12-24 2014-12-24 一种多孔光阑的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410817305.1A CN104599927B (zh) 2014-12-24 2014-12-24 一种多孔光阑的制备方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104599927A CN104599927A (zh) 2015-05-06
CN104599927B true CN104599927B (zh) 2016-11-30

Family

ID=53125628

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410817305.1A Active CN104599927B (zh) 2014-12-24 2014-12-24 一种多孔光阑的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104599927B (zh)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108445709A (zh) * 2018-03-19 2018-08-24 合肥芯碁微电子装备有限公司 一种用于直写光刻设备中的防尘mems光阑及其制作方法
CN111215626B (zh) * 2019-12-03 2021-04-09 苏州优波光电科技有限公司 采用激光增材制备电子显微镜光阑的方法
CN112355488B (zh) * 2020-11-05 2021-12-03 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种抗激光损伤的软边光阑制备方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988153A (en) * 1974-05-27 1976-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Method of forming a thin film iris diaphragm for a corpuscular beam apparatus
EP0344515A2 (de) * 1988-05-31 1989-12-06 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer Strahlformblende für ein Lithographiegerät
CN103094031A (zh) * 2011-11-07 2013-05-08 Fei公司 带电粒子束***孔阑

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3117687B2 (ja) * 1999-02-08 2000-12-18 株式会社 大和テクノシステムズ 絞りプレートおよびその処理方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3988153A (en) * 1974-05-27 1976-10-26 Siemens Aktiengesellschaft Method of forming a thin film iris diaphragm for a corpuscular beam apparatus
EP0344515A2 (de) * 1988-05-31 1989-12-06 Siemens Aktiengesellschaft Verfahren zur Herstellung einer Strahlformblende für ein Lithographiegerät
CN103094031A (zh) * 2011-11-07 2013-05-08 Fei公司 带电粒子束***孔阑

Also Published As

Publication number Publication date
CN104599927A (zh) 2015-05-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104599927B (zh) 一种多孔光阑的制备方法
CN102321905B (zh) 利用微纳球排列进行图案预制制备多级结构氧化铝的方法
CN104465462A (zh) 一种激光刻蚀用于磁控溅射薄膜图案化的制作方法
CN104086085B (zh) 一种载玻片表面刻蚀规则微井阵列的方法
CN102556949A (zh) 一种尺寸可控的硅微/纳米线阵列的制备方法
CN103594335B (zh) 一种平板电容的划切方法
CN101677231A (zh) 一种采用x射线曝光制作声表面波器件的方法
CN103747636A (zh) 镀金线路板引线回蚀的方法
CN110736760A (zh) 一种透射电镜原位电化学检测芯片及其制作方法
CN103528866B (zh) 碳支持膜的制备方法
CN101949017A (zh) 孔间距和孔直径可独立调节的Si纳米孔阵列模板的制备方法
CN102642807B (zh) 有序硅纳米线阵列的制备方法
CN105355554B (zh) 一种100v肖特基二极管台面制作方法
CN101887214B (zh) 湿法腐蚀制备精细金属掩膜漏板的方法
CN113099620A (zh) 一种利用激光等离子体溅射在玻璃上制备金属电路的方法
CN102277573B (zh) 液晶显示屏用铬蚀刻液及其制备方法
CN103823593B (zh) 制备多彩视窗边框的保护玻璃盖板的方法及其应用
CN106842396A (zh) 一种提高大口径菲涅耳波带片衍射效率的方法
CN105624679B (zh) 铜蚀刻液及其制备方法和应用、铜蚀刻方法
CN106757263A (zh) 一种金属表面纳秒脉冲等离子体制备纳米颗粒的溶液及制备方法
CN106531286A (zh) 一种刻蚀浆料及刻蚀方法
CN106226865B (zh) 一种光子晶体中纳米直孔周期性阵列制备方法
CN104733302B (zh) 一种非光刻技术制备倒金字塔结构硅表面的方法
CN102111962B (zh) 半圆型细线路制作方法及装置
CN107015300A (zh) 光栅制造方法及光栅

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
TR01 Transfer of patent right
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20230727

Address after: Room 21211, Building 4, Phase 2, Yicuiyuan, No. 11 Tangyan South Road, Zhangba Street Office, High tech Zone, Xi'an City, Shaanxi Province, 710065

Patentee after: Xi'an Qianyue Electronic Technology Co.,Ltd.

Address before: 710048 No. 5 Jinhua South Road, Shaanxi, Xi'an

Patentee before: XI'AN University OF TECHNOLOGY