CN104584232A - 纹理形成用蚀刻液及使用其的纹理形成方法 - Google Patents

Abstract

本发明提供硅基板的纹理形成用蚀刻液及蚀刻方法，所述蚀刻液可以稳定地在基板表面均匀地形成良好的纹理，在通常的使用温度即60℃～95℃的区域中添加剂成分也不会挥发，适用于通过游离磨粒方式制造的硅基板、通过固定磨粒方式制造的硅基板的任一种硅基板。使用一种蚀刻液，其含有：(A)碱成分、(B)膦酸衍生物或其盐、以及(C)具有选自由羧基、磺基、形成了盐的上述基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物。

Description

纹理形成用蚀刻液及使用其的纹理形成方法

技术领域

本发明涉及用于在硅基板的表面形成被称为纹理的凹凸结构的蚀刻液及蚀刻方法。

背景技术

对于太阳能电池所使用的结晶系硅基板，为了降低基板表面的光的反射率而高效地吸收光，通常实施被称为纹理的表面结构处理。

目前，通常采用通过在氢氧化钠、氢氧化钾等碱性溶液中浸渍单晶硅基板来进行蚀刻，从而使其形成例如金字塔状的纹理结构的方法，而已知通过在蚀刻液中使用碱成分以外的添加剂，可以形成均匀的尺寸或形状的纹理结构。

作为用于形成这样的纹理的蚀刻液，通常使用例如将氢氧化钠或氢氧化钾的水溶液与异丙醇(IPA)混合而成的溶液，在使用该溶液的情况下，通过在60～95℃的加热条件下浸渍硅基板10～30分钟，可形成纹理。

IPA是为了使利用碱适当地进行硅蚀刻以使硅基板上形成金字塔状的纹理而使用的。IPA的该效果作为实现此目的的物质而最广为人知。然而，由于IPA的沸点大约为82℃，与蚀刻处理温度为同等程度，因此，存在由于在处理中IPA挥发而导致蚀刻液的组成容易发生变化的问题。另外，还指出利用IPA的方法的基板处理的成品率低，此外，因IPA的闪点低，故需要操作上注意这方面也不能期待。这样一来为了提高近年来越来越受到关注的太阳能电池用硅基板的性能，以IPA为主要成分的蚀刻液难以满足要求性能，例如在能够控制纹理尺寸或纹理的形状、批量生产时的成品率高、操作容易、安全性高等各个方面，要求更高的性能。

为了满足上述各种要求，作为纹理形成用蚀刻液的成分，提出了除IPA以外的各种方案，但目前的现状是尚未得到能够综合性满足纹理形成优异、且使用时的浓度管理等品质管理也容易等的蚀刻液或添加剂(专利文献1～6)。

另外，近年来，硅基板的磨削方式正在从目前的游离磨粒方式向固定磨粒方式过渡，由于这些方式磨削后的基板的表面状态相互不同，因此，还会产生如下问题：目前的通过游离磨粒方式制造的硅基板能够使用的蚀刻液有时不能直接用于通过固定磨粒方式制造的硅基板。

现有技术文献

专利文献

专利文献1:日本特开2000-183378号公报

专利文献2:国际公开第WO2007/129555号公报

专利文献3:日本特开2009-123811号公报

专利文献4:日本特开2002-57139号公报

专利文献5:日本特开2007-258656号公报

专利文献6:日本特开2010-141139号公报

发明内容

发明要解决的问题

本发明是鉴于上述问题而完成的，目的在于提供一种硅基板的纹理形成用蚀刻液，所述蚀刻液可以在基板表面均匀且稳定地形成反射率低的良好的纹理，在通常的使用温度即60℃～95℃的区域中蚀刻液组成成分也不挥发，且能够应用于通过游离磨粒方式制造的硅基板、通过固定磨粒方式制造的硅基板的任一种硅基板。

用于解决问题的方案

本发明的蚀刻液是使硅基板表面形成凹凸的蚀刻液，为了解决上述课题，制成含有：(A)碱成分、(B)膦酸衍生物或其盐以及(C)分子内具有选自由羧基、磺基、形成了盐的上述基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物的溶液。

在上述蚀刻液中，作为碱成分(A)，可以优选使用氢氧化钠或氢氧化钾。

另外，作为膦酸衍生物或其盐(B)，可以优选使用1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸或其盐。

另外，作为上述化合物(C)，可以使用选自由羧酸、羧酸的盐、磺酸和磺酸的盐组成的组中的至少一种。

作为该化合物(C)，更具体而言，可以使用下述通式(Ⅰ)表示的化合物。

R¹-X  …(Ⅰ)

其中，通式(Ⅰ)中的R¹为碳原子数4～12的烷基、烯基、烷氧基、芳基中的任一种，X为羧基、磺基中的任一种。作为通式(Ⅰ)表示的化合物，更优选R¹为具有支链结构的烷基、具有支链结构的烯基、具有支链结构的烷氧基、或芳基的化合物。

作为上述化合物(C)，还可以使用下述通式(Ⅱ)表示的化合物或其盐。

其中，在通式(Ⅱ)中，n为2以上的整数，m为1～5的整数，各m的值任选全部相同或相互不同，Y⁰表示氢原子，Y¹～Yⁿ分别表示碳原子数1～30的烃基，任选全部相同或相互不同，X¹～Xⁿ分别表示磺基、羧基或氢原子中的任一种，任选全部相同或相互不同，但至少一个为磺基或羧基。

作为上述通式(Ⅱ)表示的化合物或其盐，可以使用选自多羧酸、多羧酸的盐、多磺酸和多磺酸的盐中的至少一种，另外，可以使用选自由聚丙烯酸、聚丙烯酸的盐、萘磺酸甲醛缩合物、萘磺酸甲醛缩合物的盐、聚苯乙烯磺酸和聚苯乙烯磺酸的盐组成的组中的至少一种。

作为上述化合物(C)，还可以使用分子内具有羧甲基的化合物。作为上述分子内具有羧甲基的化合物，优选使用将单糖类作为基本构成单元的化合物，可以使用例如羧甲基纤维素盐。

上述碱成分(A)、膦酸衍生物或其盐(B)和化合物(C)的配混比例以质量比计优选为A/(B+C)＝0.1～10的范围内。

优选上述碱成分(A)的浓度为0.3质量％～25质量％、膦酸衍生物或其盐(B)的浓度为0.1质量％～25质量％、化合物(C)的浓度为0.0001质量％～25质量％。

本发明的硅基板的表面加工方法为包括在上述本发明的蚀刻液中浸渍硅基板而使基板表面形成凹凸结构的工序的方法。

发明的效果

根据本发明的蚀刻液，可以在硅基板的表面形成均匀的金字塔状的纹理结构。其结果，能够稳定地批量生产低反射率的硅基板，可提供能提高太阳能电池的性能的高品质的硅基板。另外，在使用温度即60℃～95℃的区域中由于配混成分不挥发，因此能形成稳定的纹理，且安全性也高。进而，本发明的蚀刻液对于通过游离磨粒方式和固定磨粒方式中的任一种方法制造的硅基板，都能得到同样优异的效果。

具体实施方式

下面，对本发明的实施方式详细地进行说明。

对本发明中使用的碱成分(A)没有特别限制，可以适当使用硅基板用的蚀刻液一直以来所使用的碱成分。作为其例子，可举出：氢氧化钠、氢氧化钾等的、碱金属或者碱土金属的氢氧化物或其盐，在一般容易获得方面，优选为氢氧化钠。这些碱成分可以根据需要混合2种以上来使用。

接下来，对于本发明中使用的膦酸衍生物或其盐(以下有时简称为“膦酸衍生物等”)(B)而言，只要是一般作为金属离子掩蔽剂使用的膦酸衍生物或其盐，就可以没有特别限制地使用。

作为膦酸衍生物的优选例子，可举出：下述式(1)表示的1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸、下述式(2)表示的氮川三(亚甲基膦酸)、下述式(3)表示的膦酰基丁烷三羧酸、下述通式(4)表示的亚烷基二胺四(亚甲基膦酸)(例如，式(4)中，n＝2时的乙撑二胺四(亚甲基膦酸)、n＝6时的六亚甲基二胺四(亚甲基膦酸)等)、下述通式(5)表示的二亚烷基三胺五(亚甲基膦酸)(例如，式(5)中n＝2时的二乙撑三胺五(亚甲基膦酸)等)、和/或这些膦酸的盐。作为这些膦酸的盐的例子，可举出碱金属盐、碱土金属盐、及胺盐、铵盐，从一般容易获得考虑，优选使用钠盐、钾盐等的碱金属盐。这些膦酸衍生物也可以根据需要混合2种以上来使用。

在上述膦酸衍生物中，从得到的纹理结构的均匀性高以及容易得到本用途中规避的杂质少的高纯度产品考虑，特别优选为1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸、氮川三(亚甲基膦酸)、或膦酰基丁烷三羧酸。

接下来，对本发明中使用的具有选自由羧基、磺基、形成了盐的这些基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物(C)进行说明。

作为化合物(C)，可以使用选自磺酸、磺酸的盐、羧酸和羧酸的盐中的1种或2种以上。磺酸是分子内具有至少1个磺基的化合物；磺酸的盐是分子内具有至少1个磺酸酯基且形成了盐的化合物；羧酸是分子内具有至少1个羧基的化合物；羧酸的盐是分子内具有至少1个羧酸酯基且形成了盐的化合物。

作为上述化合物(C)，更具体而言，可以优选使用例如下述通式(Ⅰ)表示的化合物或其盐。

R¹-X    …(Ⅰ)

其中，R¹是碳原子数4～12的烷基、烯基、烷氧基、芳基中的任一种，这些基团的碳骨架中可以具有支链结构，X为羧基、磺基中的任一种。

对通式(Ⅰ)表示的化合物没有特别限制，作为含有羧基的物质的具体例，可举出：碳骨架为直链的丁酸、戊酸、己酸、庚酸、辛酸、壬酸、癸酸、十一烷酸、十二烷酸、或者如2-乙基己酸、2,3-二甲基壬酸、2-乙基-3-甲基壬酸、3,5,5-三甲基己酸等那样的碳骨架中具有支链结构的羧酸等。此外，也可以使用如苯环、萘环那样的具有芳香环结构的羧酸。

另外，作为含有磺基的物质的具体例，可举出：丁烷磺酸、戊烷磺酸、己烷磺酸、庚烷磺酸、辛烷磺酸、壬烷磺酸、癸烷磺酸、十一烷磺酸、十二烷磺酸等。此外，在含有磺基的物质中，也可以与上述含羧基物质同样地使用碳骨架中具有支链结构的磺酸或具有芳香环结构的磺酸。其中，也包括这些羧酸、磺酸的混合，可以单独使用任意1种，也可以组合使用2种以上。可以以碱金属盐、碱土金属盐和胺盐、铵盐的形式使用这些羧酸、磺酸。

在上述通式(Ⅰ)表示的化合物中，在容易得到与上述膦酸的协同效果方面，优选的是：如3,5,5-三甲基己酸那样的最长的碳链长部分的碳原子数为6～8且其中还具有1～3个甲基、乙基的支链侧链的羧酸。

作为化合物(C)，还优选使用具有下述通式(Ⅱ)表示的结构的化合物或其盐。

其中，在式(Ⅱ)中，n为2以上的整数，m为1～5的整数，在m为2以上的情况下，各m的值任选全部相同或相互不同，Y⁰表示氢原子，Y¹～Yⁿ分别表示碳原子数1～30的烃基，这些烃基的结构可以包含单键、双键、三键中的任一种，并且可以是脂肪族烃基、芳香族烃基中的任一种，且任选全部相同或相互不同。另外，X¹～Xⁿ分别表示磺基、羧基、或氢原子中的任一种，任选全部相同或相互不同，但至少一个为磺基或羧基。

通过如上所述组合使用膦酸衍生物能够构成优异的蚀刻液的效果好，从这个方面考虑，优选的是：上述通式(Ⅱ)中X¹～Xⁿ的n个X中至少2个以上为磺酸基和/或其盐那样的多磺酸及其盐、X¹～Xⁿ的n个X中至少2个以上为羧基和/或其盐那样的多羧酸及其盐。在此，对盐没有特别限制，可举出钠盐及钾盐等作为例子。

作为如上所述的通式(Ⅱ)表示的化合物的优选的具体例，可举出下式表示的丙烯酸聚合而生成的聚丙烯酸、或萘磺酸与甲醛缩聚而生成的萘磺酸甲醛缩合物、聚苯乙烯磺酸等。其中，在可显著得到与上述膦酸的协同效果方面，特别优选为萘磺酸甲醛缩合物及其盐。

然而，可以使用的化合物并不限定于单体聚合而成的聚合物，并且在为聚合物的情况下也不限定进行聚合的单体的种类或聚合数。另外，聚合方式可以是1种单体连续聚合的状态(嵌段)、或多个单体复杂聚合的状态(无规)中的任一种。另外，只要聚合数n为2以上就没有特别限制，在聚丙烯酸的例子中，无论是大约130分子的丙烯酸聚合而生成的分子量10000左右的聚丙烯酸、还是大约40分子的丙烯酸聚合而生成的分子量3000左右的聚丙烯酸都能应用。

作为上述化合物(C)，还可以优选使用分子内具有羧甲基的化合物。作为分子内具有羧甲基的化合物的例子，可以列举：羧甲基纤维素盐、羧甲基淀粉、羧甲基蔗糖、羧甲基菊糖、羧甲基壳多糖、羧甲基壳聚糖、羧甲基葡聚糖、羧甲基木质素、羧甲基瓜尔胶等等。并不仅是这些现有的分子内具有羧甲基的化合物，只要是分子内新型地导入了羧甲基的化合物，就可以用于本发明的目的。这些化合物可以单独使用任意1种，也可以组合使用2种以上。

在上述分子内具有羧甲基的化合物中，作为纹理形成用蚀刻液的配混成分，在可得到与上述膦酸的协同效果方面，优选的是将葡萄糖、果糖等单糖类作为基本构成单元的化合物，其中，优选为羧甲基纤维素盐及羧甲基淀粉，特别优选为羧甲基纤维素盐。作为盐，优选为碱金属盐。其中，优选为锂盐、钠盐及钾盐。

作为本发明中可以优选使用的含有羧甲基的化合物，以羧甲基纤维素盐为例，对其详细情况进行说明。在葡萄糖聚合而形成的纤维素中，作为构成单元的葡萄糖每1单元有3个羟基，该羟基被羧甲基取代而得到的物质被称为羧甲基纤维素。将这些羟基被羧甲基的取代数称为醚化度，醚化度理论上可以甚至为3。

作为羧甲基纤维素盐，任一种醚化度的羧甲基纤维素盐都能使用，优选醚化度为0.4～2.0的羧甲基纤维素盐，特别优选醚化度为0.7～1.5的羧甲基纤维素盐。另外，对于羧甲基纤维素盐的分子量，可以没有特别限制地应用这些羧甲基纤维素盐，优选为平均聚合度1000以下、平均分子量220000以下的羧甲基纤维素盐，进一步优选为平均聚合度250以下、平均分子量54000以下的羧甲基纤维素盐。

需要说明的是，本发明中可使用的化合物(C)不仅是现有的化合物，而且只要是具有可以溶解于本发明所应用的高温的碱水溶液的结构，就可以没有特别限制地使用。在不能溶解的情况下，会担心蚀刻液变得不均匀，对基板的均匀处理带来不良影响。这些化合物可以单独使用任意1种，也可以并用2种以上。

根据本发明的蚀刻液，可以认为膦酸衍生物等(B)有规则地排列并吸附在硅基板表面，可适当地控制利用碱成分(A)进行的蚀刻，因此能够在基板表面形成纹理。但是，在仅包含碱和膦酸衍生物的蚀刻液的情况下，有时会在硅基板表面产生蚀刻不均，可以认为该不均是因为在伴随蚀刻的进行而产生的氢气泡不均匀地附着在硅基板表面的情况下进行反应而产生的，结果可以认为通过将膦酸衍生物等(B)与如上所述的各种化合物(C)组合使用，可抑制该气泡发生，可以进行更均匀的蚀刻。

本发明的蚀刻液可以以使上述碱成分(A)、膦酸衍生物等(B)和化合物(C)溶解于水而形成的水溶液的形式使用。所使用的水优选为如离子交换水或蒸馏水那样去除了杂质的水。另外，在蚀刻液中含有不溶性成分的情况下，优选进行过滤等公知的分级操作来去除不溶性成分后使用。

在上述水溶液中，碱成分(A)的浓度优选为0.3～25质量％的范围，更优选为1～15质量％。如果碱成分的浓度为0.3质量％以上，则可以在短时间内有效地形成纹理，即使碱成分的浓度超过25质量％，蚀刻效果也不会降低，但作为添加剂而使用的蚀刻抑制剂的需要量增加，因此在成本上是不利的。

另外，该蚀刻液中的膦酸衍生物(B)的含量优选为0.1～25质量％，更优选为0.3～15质量％，特别优选为0.5～15质量％。如果膦酸衍生物的含量为上述范围内，则可得到适当抑制碱蚀刻的效果，可以在短时间内形成均匀的纹理。

另外，为了有效地进行均匀的蚀刻，化合物(C)的含量优选为0.0001～25质量％的范围。其中，优选的含量根据化合物(C)的种类不同而不同，在化合物(C)为式(Ⅰ)表示的化合物的情况下，更优选为0.1～25质量％，特别优选为0.3～15质量％。在化合物(C)为式(Ⅱ)表示的化合物的情况下，更优选为0.0001～10质量％、特别优选为0.01～5质量％。在化合物(C)为具有羧甲基的化合物的情况下，更优选为0.001～10质量％、特别优选为0.01～3质量％。

进而，优选控制膦酸衍生物等(B)与磺酸/羧酸等(C)的含量相对于碱成分(A)的含量的比例，对于碱成分(A)、膦酸衍生物(B)和化合物(C)的配混比(质量比)，优选A/(B+C)的值为0.1～10的范围内，更优选为0.2～5的范围。可以认为通过使两者之比为上述范围，可以利用膦酸衍生物等(B)与化合物(C)适当地抑制利用碱成分进行的硅的各向异性蚀刻，有助于形成良好的纹理。在膦酸衍生物等(B)与化合物(C)相对于碱成分(A)的量过少的情况下，有抑制蚀刻的效果不足，蚀刻速度变大，结果难以控制纹理结构的形状或尺寸，表面变得不均匀的倾向。另一方面，在膦酸衍生物等(B)和化合物(C)相对于碱成分(A)的量过多的情况下，抑制蚀刻的效果变得过大，因而蚀刻速度变得过小，变得难以形成纹理结构。

在本发明的蚀刻液中，只要在不违反本发明的目的的范围内，就可以根据需要添加硅基板的纹理形成用蚀刻液通常所使用的异丙醇、脂肪酸、硅酸盐等添加剂。

在通过目前的游离磨粒方式制造的硅基板的情况下，即便利用为了得到目标性能而制备的蚀刻液能够形成适当的纹理，但是将该蚀刻液直接应用于通过固定磨粒方式制造的硅基板，则也未必同样可以形成适当的纹理。这种情况可考虑各种原因，可举出例如：磨削后的基板表面的裁切痕不同；或由于磨削时使用的冷却液不同，因此，由其后的清洗工序中的清洗不良而导致冷却液残渣带来影响等。近年来，要求无论对通过游离磨粒方式、固定磨粒方式中的任一种方法制造的硅基板都能发挥优异的蚀刻性能的蚀刻液，结果本发明的蚀刻液在无论对哪种硅基板都能应用方面优异。另外，本发明的蚀刻液不仅能应用于单晶硅基板，而且也能应用于多晶硅基板，而且对包括游离磨粒方式或固定磨粒方式之类的磨削方式在内的所有硅基板都能应用。其中，可以特别优选用于基板表面的面取向为(100)的单晶硅基板。

对使用了本发明的蚀刻液的蚀刻方法没有特别限制，可以使用如下方法，即与目前的方法同样地将蚀刻液加热至大约60℃～95℃左右，使成为对象的硅基板在其中浸渍10～30分钟。

实施例

下面，通过实施例进一步具体地说明本发明，但本发明并不受以下实施例限定。

[实施例、比较例]

调制将碱成分(A)、膦酸衍生物等(B)和化合物(C)按以下各表所示的比例混合而成的水溶液，制成蚀刻液。制备用的水使用离子交换水。

将这些蚀刻液加热至80℃，将表中分别所示的通过游离磨粒方式或固定磨粒方式中的任一种方式磨削而成的单晶硅基板晶圆(以下称为“晶圆”)在其中浸渍20分钟，由此进行蚀刻处理，水洗后使其干燥，如下进行其纹理结构的评价及反射率测定。将结果示于各表。

(1)如下进行纹理结构的外观评价及反射率的测定。

用扫描电子显微镜(日本电子株式会社制、JSM-6380LV)观察纹理结构。在以倍率1000倍进行观察时，将基板表面上无纹理结构的平坦区域相对于整个面积为5％以下的情况作为“○”、将产生的平坦区域相对于整个面积超过5％的情况作为“×”。

(2)晶圆的反射率测定

通过紫外·可见分光光度计(Hitachi High-Technologies Corporation制、U-3900H)测定晶圆的反射率。采用波长600nm的光作为评价基准。

[表1]

[表2]

[表3]

[表4]

[表5]

[表6]

[表7]

[表8]

产业上的可利用性

本发明的蚀刻液可以用于例如太阳能电池的硅基板等的蚀刻。

Claims (15)

1.一种蚀刻液，其特征在于，其是使硅基板表面形成凹凸的蚀刻液，

其含有：

(A)碱成分、

(B)膦酸衍生物或其盐、以及

(C)分子内具有选自由羧基、磺基、形成了盐的上述基团和羧甲基组成的组中的至少一种基团的化合物。

2.根据权利要求1所述的蚀刻液，其特征在于，所述碱成分(A)为氢氧化钠或氢氧化钾。

3.根据权利要求1或2的任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述膦酸衍生物或其盐(B)为1-羟基乙叉基-1,1-二膦酸或其盐。

4.根据权利要求1～3的任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述化合物(C)为选自由羧酸、羧酸的盐、磺酸和磺酸的盐组成的组中的至少一种。

5.根据权利要求4所述的蚀刻液，其特征在于，所述化合物(C)为下述通式(Ⅰ)表示的化合物，

R¹-X     …(Ⅰ)

其中，R¹为碳原子数4～12的烷基、烯基、烷氧基、芳基中的任一种，X为羧基、磺基中的任一种。

6.根据权利要求5所述的蚀刻液，其特征在于，所述化合物(C)是所述通式(Ⅰ)中R¹为具有支链结构的烷基、具有支链结构的烯基、具有支链结构的烷氧基、或芳基的化合物。

7.根据权利要求4所述的蚀刻液，其特征在于，所述化合物(C)为下述通式(Ⅱ)表示的化合物或其盐，

其中，在式(Ⅱ)中，n为2以上的整数，m为1～5的整数，各m的值任选全部相同或相互不同；

Y⁰表示氢原子，Y¹～Yⁿ分别表示碳原子数1～30的烃基，任选全部相同或相互不同；

X¹～Xⁿ分别表示磺基、羧基、或氢原子中的任一种，任选全部相同或相互不同，但至少一个为磺基或羧基。

8.根据权利要求7所述的蚀刻液，其特征在于，所述化合物(C)为选自由多羧酸、多羧酸的盐、多磺酸和多磺酸的盐组成的组中的至少一种化合物。

9.根据权利要求7或8所述的蚀刻液，其特征在于，所述化合物(C)为选自由聚丙烯酸、聚丙烯酸的盐、萘磺酸甲醛缩合物、萘磺酸甲醛缩合物的盐、聚苯乙烯磺酸和聚苯乙烯磺酸的盐组成的组中的至少一种化合物。

10.根据权利要求1～3的任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述化合物(C)为分子内具有羧甲基的化合物。

11.根据权利要求10所述的蚀刻液，其特征在于，所述分子内具有羧甲基的化合物是将单糖类作为基本构成单元的化合物。

12.根据权利要求11所述的蚀刻液，其特征在于，所述分子内具有羧甲基的化合物为羧甲基纤维素盐。

13.根据权利要求1～12的任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述碱成分(A)、所述膦酸衍生物或其盐(B)和所述化合物(C)的配混比例以质量比计为A/(B+C)＝0.1～10的范围内。

14.根据权利要求1～13的任一项所述的蚀刻液，其特征在于，所述碱成分(A)的浓度为0.3质量％～25质量％，所述膦酸衍生物或其盐(B)的浓度为0.1质量％～25质量％，所述化合物(C)的浓度为0.0001质量％～25质量％。

15.一种硅基板的表面加工方法，其特征在于，包括在权利要求1～14的任一项所述的蚀刻液中浸渍硅基板而使基板表面形成凹凸结构的工序。