CN104583873A - 描绘装置、曝光描绘装置、描绘方法及存储有程序的记录介质 - Google Patents

Abstract

取得表示设于被曝光基板的多个基准标记的设计上的第一位置的坐标数据、表示以第一位置为基准而确定的向被曝光基板描绘的描绘图案的坐标数据及表示多个基准标记各自的实际的第二位置的坐标数据，对多个基准标记中的每一个，导出用于校正第一位置与第二位置的偏离的偏离校正量，使导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少，在以表示第二位置的坐标数据为基准并基于表示描绘图案的坐标数据而向被曝光基板描绘描绘图案的情况下，基于减少了的偏离校正量来校正表示描绘图案的坐标数据。

Description

描绘装置、曝光描绘装置、描绘方法及存储有程序的记录介质

技术领域

本发明涉及描绘装置、曝光描绘装置、描绘方法及存储有程序的记录介质，尤其涉及对基板描绘描绘图案的描绘装置、通过曝光对基板描绘描绘图案的曝光描绘装置、对基板描绘描绘图案的描绘方法及存储有通过上述描绘装置执行的程序的记录介质。

背景技术

以往，已知有一种多层配线基板，将对玻璃布进行浸渍处理并使其干燥的预成型料、刚性性能优异的金属板等作为芯部基板，且具有在上述芯部基板上层叠多层树脂层和配线层而成的多层配线结构。而且，近年来，对该多层配线基板要求薄型化及省空间化，因此提出了不具有芯层的薄型的多层配线基板。

在上述多层配线基板中，由于化学处理而基板发生翘曲，或者由于强度不足而基板发生变形，由此，描绘于各层的电路图案(配线图案)的层间的对位有时变得困难。尽管如此，由于电路图案的高密度化而电路图案中的连接盘直径及孔径变得微细化，因此要求高精度的层间的对位。

为了满足该要求，提出了对应于因基板的翘曲及变形而产生的基板的应变来使电路图案变形，在此基础上在基板上进行描绘的技术。根据该技术，层间的对位的精度提高，但是每当使层重叠时，应变蓄积，因此描绘于上位层的电路图案的形状相对于设计上的电路图案的形状背离，向基板上的电子元件的安装可能变得困难。

另外，也提出了将表示电路图案的图像分割成多个区域，在各分割区域对应于基板的应变而使上述图像旋转移动的技术。根据该技术，在各分割区域中，设计上的电路图案的形状与实际描绘的电路图案的形状的偏离量减少。然而，在该技术中，将图像分割成多个区域，因此存在图像处理变得复杂的课题及需要对各形成区域形成用于在层间连接电路图案的定位孔的机构的课题。

作为用于解决上述课题的技术，在日本特开2005-157326号公报及日本特开2011-95742号公报中，公开了一种图像处理不会变得复杂且能够抑制描绘的电路图案相对于设计上的电路图案的偏离的描绘装置。

即，上述日本特开2005-157326号公报的描绘装置预先取得基板的变形信息，基于该变形信息，以记录于变形后的基板的电路图案成为与通过栅格数据表示的电路图案同一形状的方式对该栅格数据进行变换。并且，基于变换后的栅格数据而在变形前的基板记录电路图案。

另外，上述日本特开2011-95742号公报的描绘装置使用具有对作为描绘对象的对象区域进行规定的位置坐标和设于上述对象区域的基准点的位置的描绘数据，基于基板的位置坐标的移位方式而对基准点的位置进行校正。并且，基于校正后的基准点的位置，在维持上述对象区域的形状的状态下，对上述对象区域内的各坐标进行校正。

发明内容

发明要解决的课题

在此，在向多层配线基板的各层描绘电路图案时，有在描绘对象的层的上位侧和下位侧分别设置电路图案的层的情况。这种情况下，当进行与基板的应变对应的电路图案的变形时，存在如下课题：在上位侧或下位侧，安装用的焊盘的间距相对于电子元件的电极的间距偏离，最终可能难以向基板上安装电子元件。而且，在向描绘于基板的电路图案上描绘用于对电路进行保护的阻焊剂图案时，产生于对应于基板的应变而进行阻焊剂图案的变形同样的课题。

然而，在日本特开2005-157326号公报公开的技术中，基于预先掌握的变形状态而使电路图案变形，因此在下位侧的层已经设有电路图案的情况下，用于使下位侧的层间的配线连接的对位精度劣化。这种情况下，向基板上安装电子元件可能变得困难。

另外，在日本特开2011-95742号公报公开的技术中，各对象区域的大小从校正前的对象区域的大小发生变化，伴随于此，存在安装用的焊盘的间距相对于设定上的数值较大地变化的可能性。这种情况下，也难以向基板上安装电子元件。

本发明鉴于上述课题而完成，其目的在于提供一种即使在对应于基板的应变而使描绘图案变形的情况下，也能够将电子元件高精度地向基板上安装的描绘装置、曝光描绘装置、描绘方法及存储有程序的记录介质。

用于解决课题的方案

为了实现上述目的，本发明的描绘装置具备：取得构件，取得表示设于被曝光基板的多个基准标记的设计上的位置即第一位置的坐标数据、表示以所述第一位置为基准而确定的向所述被曝光基板描绘的描绘图案的坐标数据及表示所述多个基准标记各自的实际的位置即第二位置的坐标数据；导出构件，对所述多个基准标记中的每一个，导出用于校正所述第一位置与所述第二位置的偏离的偏离校正量；减少构件，使由所述导出构件导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少；以及校正构件，在以表示所述第二位置的坐标数据为基准而向所述被曝光基板描绘所述描绘图案的情况下，基于由所述减少构件减少了的偏离校正量来校正表示所述描绘图案的坐标数据。

根据本发明的描绘装置，通过取得构件，取得表示设于被曝光基板的多个基准标记的设计上的位置即第一位置的坐标数据、表示以所述第一位置为基准而确定的向所述被曝光基板描绘的描绘图案的坐标数据及表示所述多个基准标记各自的实际的位置即第二位置的坐标数据，通过导出构件，对所述多个基准标记中的每一个，导出用于校正所述第一位置与所述第二位置的偏离的偏离校正量。

在此，在本发明的描绘装置中，通过减少构件，使由所述导出构件导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少。

另外，在本发明的描绘装置中，通过校正构件，在以表示所述第二位置的坐标数据为基准而向所述被曝光基板描绘所述描绘图案的情况下，基于由所述减少构件减少的偏离校正量来校正表示所述描绘图案的坐标数据。

即，本发明的描绘装置在根据被曝光基板的应变来校正表示描绘的描绘图案的坐标数据的情况下，在使由被曝光基板的应变产生的偏离校正量减少的基础上，基于该偏离校正量来校正表示描绘图案的坐标数据。本发明的描绘装置这样来减少对于由被曝光基板的应变产生的基准标记的偏离的对位(变形)的程度。

这样，根据本发明的描绘装置，由于提高对于由被曝光基板的应变产生的基准标记的偏离的对位的程度并提高形状性，因此与未应用本发明的情况相比，即使在对应于基板的应变而使描绘图案变形的情况下，也能够将电子元件向基板上高精度地安装。而且，通过将本发明应用于向多层配线基板的描绘图案的形成，每当将层重叠时逐渐校正成确保形状性的描绘图案，最终能够实现更高精度的元件安装。

此外，本发明的描绘装置优选的是，所述减少构件通过进行将所述偏离校正量乘以小于1的值的方案、将所述偏离校正量除以超过1的值的方案及从所述偏离校正量减去预先确定的量的方案中的至少1个，使所述导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少。由此，虽然对位的程度变差，但是能够减轻图案变形。

另外，本发明的描绘装置优选的是，所述描绘图案是表示电子配线的电路图案，所述比例是以使导通孔收纳在所述描绘图案中的连接盘的内部的方式确定的比例。由此，能够防止成为产品不良的原因的连接盘缺欠(导通孔的向连接盘外的露出)。

另外，本发明的描绘装置优选的是，所述描绘图案是表示阻焊剂层的元件安装用的开口孔的阻焊剂图案，所述比例是以使所述开口孔收纳在用于与元件接合的导体焊盘的内部的方式确定的比例。由此，能够防止成为产品不良的导体焊盘与开口孔的偏离。

另外，本发明的描绘装置优选的是，所述导出构件根据减去所述被曝光基板的由平行移动产生的偏离、由旋转产生的偏离及由伸缩产生的偏离中的至少1个所得到的偏差量来导出所述偏离校正量。由此，能够更准确地导出由被曝光基板的应变产生的偏差量。

另外，本发明的描绘装置优选的是，所述描绘图案分别描绘于所述被曝光基板的多个区域，所述基准标记设于描绘所述描绘图案的所述多个区域中的每一个，所述减少构件对所述多个区域中的每一个，分别使所述偏离校正量减少。由此，虽然作为性能的复杂度增加，但是对于应变而言变得稳健，能够以更高精度将电子元件向基板上安装。

另外，本发明的描绘装置优选还具备受理构件，该受理构件受理用于使由所述导出构件导出的偏离校正量分别减少的调整参数的输入，所述减少构件基于由所述受理构件受理的调整参数来计算所述比例。由此，能够进一步提高通过使用者的便利性。

另外，本发明的描绘装置优选的是，在所述被曝光基板上层叠多个描绘图案进行描绘的情况下，且将描绘图案描绘在所述被曝光基板的最上位的层的情况下，所述导出构件将所述偏离校正量设为0。由此，能够更可靠地将电子元件向基板上安装。

另一方面，为了实现上述目的，本发明的曝光描绘装置具备：本发明的描绘装置；和曝光构件，基于由所述描绘装置的所述校正构件校正后的坐标数据，在所述被曝光基板上将所述描绘图案曝光并进行描绘。

因此，根据本发明的曝光描绘装置，由于与本发明的描绘装置同样地发挥作用，因此与该描绘装置同样，即使在对应于基板的应变而使描绘图案变形的情况下，也能够将电子元件向基板上高精度地安装。

另外，为了实现上述目的，本发明的程序使计算机作为如下构件发挥功能：取得构件，取得表示设于被曝光基板的多个基准标记的设计上的第一位置的坐标数据、表示以所述第一位置为基准而确定的向所述被曝光基板描绘的描绘图案的坐标数据及表示所述多个基准标记各自的实际的第二位置的坐标数据；导出构件，对所述多个基准标记中的每一个，导出用于校正所述第一位置与所述第二位置的偏离的偏离校正量；减少构件，使由所述导出构件导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少；以及校正构件，在以表示所述第二位置的坐标数据为基准而向所述被曝光基板描绘所述描绘图案的情况下，基于由所述减少构件减少了的偏离校正量来校正表示所述描绘图案的坐标数据。

因此，根据本发明的程序，能够使计算机与本发明的描绘装置同样地发挥作用，因此与该描绘装置同样，即使在对应于基板的应变而使描绘图案变形的情况下，也能够将电子元件向基板上高精度地安装。

而且，为了实现上述目的，本发明的描绘方法具备：取得步骤，取得表示设于被曝光基板的多个基准标记的设计上的第一位置的坐标数据、表示以所述第一位置为基准而确定的向所述被曝光基板描绘的描绘图案的坐标数据及表示所述多个基准标记各自的实际的第二位置的坐标数据；导出步骤，对所述多个基准标记中的每一个，导出用于校正所述第一位置与所述第二位置的偏离的偏离校正量；减少步骤，使在所述导出步骤导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少；及校正步骤，在以表示所述第二位置的坐标数据为基准而向所述被曝光基板描绘所述描绘图案的情况下，基于在所述减少步骤减少了的偏离校正量来校正表示所述描绘图案的坐标数据。

因此，根据本发明的描绘方法，由于与本发明的描绘装置同样地发挥作用，因此与该描绘装置同样，即使在对应于基板的应变而使描绘图案变形的情况下，也能够将电子元件向基板上高精度地安装。

发明效果

根据本发明，起到如下的效果：即使在对应于基板的应变而使描绘图案变形的情况下，也能够将电子元件向基板上高精度地安装。

附图说明

图1是表示实施方式的曝光描绘装置的外观的立体图。

图2是表示实施方式的曝光描绘装置的主要部分的结构的立体图。

图3是表示实施方式的曝光描绘装置的曝光头的结构的立体图。

图4是表示在实施方式的曝光描绘装置中形成于被曝光基板的曝光完成区域的俯视图。

图5是表示实施方式的曝光描绘装置的电气***的结构的框图。

图6A是用于实施方式的曝光描绘装置的曝光控制处理的原理的说明的俯视图。

图6B是用于实施方式的曝光描绘装置的曝光控制处理的原理的说明的俯视图。

图7A是在第一实施方式及第二实施方式的曝光描绘装置中，表示作为被曝光基板的应变所对应的坐标变换的对象的区域的俯视图。

图7B是在第一实施方式及第二实施方式的曝光描绘装置中，表示作为被曝光基板的应变所对应的坐标变换的对象的区域的俯视图。

图8是表示第一实施方式的曝光控制处理程序的处理的流程的流程图。

图9是表示第一实施方式的曝光控制处理的设计上的标记的位置和计测到的标记的位置的俯视图。

图10是用于第一实施方式的曝光控制处理的被曝光基板的应变所对应的坐标变换的方法的说明的俯视图。

图11A是表示第一实施方式的曝光描绘装置的坐标变换后的图像的一例的俯视图，表示未进行被曝光基板的应变所对应的坐标变换的情况。

图11B是表示第一实施方式的曝光描绘装置的坐标变换后的图像的一例的俯视图，表示使应变校正量减少而进行了被曝光基板的应变所对应的坐标变换的情况。

图11C是表示第一实施方式的曝光描绘装置的坐标变换后的图像的一例的俯视图，表示不使应变校正量减少而进行了被曝光基板的应变所对应的坐标变换的情况。

图12是表示在第一实施方式的曝光描绘装置中，在被曝光基板上在多层描绘电路图案的情况下的被曝光基板的一例的剖视图。

图13是表示在第一实施方式的曝光描绘装置中，在被曝光基板上在多层描绘电路图案的情况下的在各层描绘的图像的一例的俯视图。

图14是用于环形圈的说明的俯视图。

图15是表示第二实施方式的曝光控制处理程序的处理的流程的流程图。

图16A是表示第二实施方式的曝光描绘装置的坐标变换后的图像的一例的俯视图，示出未进行被曝光基板的应变所对应的坐标变换的情况。

图16B是表示第二实施方式的曝光描绘装置的坐标变换后的图像的一例的俯视图，示出了设置基于环形圈的限制而进行了被曝光基板的应变所对应的坐标变换的情况。

图16C是表示第二实施方式的曝光描绘装置的坐标变换后的图像的一例的俯视图，示出未设置上述限制而进行了被曝光基板的应变所对应的坐标变换的情况。

图17是用于第二实施方式的曝光控制处理中的被曝光基板的应变所对应的坐标变换的方法的说明的俯视图。

图18是表示第三实施方式的曝光控制处理程序的处理的流程的流程图。

图19A是在第四实施方式的曝光描绘装置中表示作为被曝光基板的应变所对应的坐标变换的对象的区域的俯视图。

图19B是在第四实施方式的曝光描绘装置中表示作为被曝光基板的应变所对应的坐标变换的对象的区域的俯视图。

图19C是在第四实施方式的曝光描绘装置中表示作为被曝光基板的应变所对应的坐标变换的对象的区域的俯视图。

图20A是在第四实施方式的曝光描绘装置中表示作为被曝光基板的应变所对应的坐标变换的对象的区域的俯视图。

图20B是在第四实施方式的曝光描绘装置中表示作为被曝光基板的应变所对应的坐标变换的对象的区域的俯视图。

图20C是在第四实施方式的曝光描绘装置中表示作为被曝光基板的应变所对应的坐标变换的对象的区域的俯视图。

图21是表示第四实施方式的曝光控制处理程序的处理的流程的流程图。

具体实施方式

〔第一实施方式〕

以下，使用附图，详细说明实施方式的曝光描绘装置。此外，在本实施方式中，举例说明将本发明应用于对被曝光基板(后述的被曝光基板C)曝光光束来描绘电路图案、表示阻焊剂层的元件安装用的开口孔的阻焊剂图案等描绘图案的曝光描绘装置的情况。而且，被曝光基板C是印制配线基板、平板显示器用玻璃基板等平板基板。

如图1及图2所示，本实施方式的曝光描绘装置10具备用于将被曝光基板C固定的平板状的台12。在台12的上表面设有吸入空气的多个吸入孔。由此，在台12的上表面载置被曝光基板C时，通过吸入被曝光基板C及台12间的空气而将被曝光基板C真空吸附于台12。

此外，以下，将台12移动的方向确定为Y方向，将与该Y方向在水平面内正交的方向确定为X方向，将与Y方向在铅垂面内正交的方向确定为Z方向。

另外，台12由在桌状的基体14的上表面能够移动地设置的平板状的基台16支承。即，在基体14的上表面设有1根或多根(在本实施方式中为2根)导轨18。基台16被支承为能够沿着导轨18在Y方向上自由移动，通过由电动机等构成的驱动机构(后述的台驱动部42)驱动而移动。台12与基台16的移动连动地沿导轨18在Y方向上移动。

在基体14的上表面设有以跨2根导轨18的方式竖立设置的门20。载置在台12上的被曝光基板C在门20的开口部以沿着导轨18出入的方式移动。在门20的开口部的上部安装有朝向该开口部曝光光束的曝光部22。通过该曝光部22，在台12沿着导轨18移动而位于上述开口部的情况下，在载置于台12的被曝光基板C的上表面曝光光束。

本实施方式的曝光部22包括多个(在本实施方式中为10个)曝光头22a。而且，在曝光部22分别连接有从后述的光源单元24引出的光纤26和从后述的图像处理单元28引出的信号线缆30。

曝光头22a分别具有作为反射型的空间光调制元件的数字微镜装置(DMD)。曝光头22a基于从图像处理单元28输入的图像信息来控制DMD，由此对来自光源单元24的光束进行调制。曝光描绘装置10通过将该调制后的光束向被曝光基板C照射，而进行对被曝光基板C的曝光。此外，空间光调制元件并不限定为反射型，也可以是液晶等透过型的空间光调制元件。

在基体14的上表面，还设有以跨2根导轨18的方式竖立设置的门32。载置在台12上的被曝光基板C在门32的开口部以沿着导轨18出入的方式移动。

在门32的开口部的上部安装有用于拍摄开口部的1个或多个(在本实施方式中为2个)摄影部34。摄影部34是内置有1次的发光时间极短的闪光灯的CCD相机等。而且，在门32的开口部的上部，在水平面内沿着与台12的移动方向(Y方向)垂直的方向(X方向)设置轨道34a，摄影部34分别设置成由轨道34a引导而能够移动。通过该摄影部34，台12沿着导轨18移动而位于上述开口部的情况下，对载置于台12的被曝光基板C的上表面进行摄影。

接着，对本实施方式的曝光头22a的曝光处理进行说明。

如图3所示，利用曝光头22a曝光的区域即图像区域P1是一条边相对于台12的移动方向(Y方向)以预先确定的倾斜角倾斜的矩形形状。而且，台12在门20的开口部移动时，若通过曝光头22a曝光光束，则伴随着台12的移动而在被曝光基板C上按照各曝光头22a形成带状的曝光完成区域P2。

另外，如图4所示，呈矩阵状排列的曝光头22a分别沿X方向各错开图像区域P1的长边的长度的自然数倍(在本实施方式中为1倍)的距离而配置。并且，曝光完成区域P2分别与相邻的曝光完成区域P2局部重叠地形成。

接着，对本实施方式的曝光描绘装置10的电气***的结构进行说明。

如图5所示，在曝光描绘装置10设有与装置各部分别电连接的***控制部40，通过该***控制部40总括地控制曝光描绘装置10的各部。而且，曝光描绘装置10具有台驱动部42、操作装置44、摄影驱动部46及外部输入输出部48。

***控制部40具有CPU(Central Processing Unit，中央处理器)、RAM(Random Access Memory，随机存取存储器)、ROM(Read OnlyMemory，只读存储器)及HDD(Hard Disk Drive，硬盘驱动器)。而且，***控制部40通过上述CPU，使光束从光源单元24射出，并在与台12的移动对应的时机通过图像处理单元28将对应的图像信息输出，由此控制对被曝光基板C的光束的曝光。

台驱动部42具有由电动机或液压泵等构成的驱动机构，通过***控制部40的控制而对台12进行驱动。

操作装置44具有通过***控制部40的控制而显示各种信息的显示部和通过使用者操作而输入各种信息的输入部。

摄影驱动部46具有由电动机或液压泵等构成的驱动机构，通过***控制部40的控制而对摄影部34进行驱动。

外部输入输出部48与连接于曝光描绘装置10的个人计算机等信息处理装置之间进行各种信息的输入输出。

在此，如上所述，本实施方式的曝光描绘装置10对被曝光基板C描绘由图像信息表示的描绘图案等图像。另一方面，如图2所示，在被曝光基板C设有描绘图像时的作为定位的基准的对准标记(以下，称为“基准标记”)M。曝光描绘装置10在对被曝光基板C曝光光束之前，通过摄影部34来摄影基准标记M，根据拍摄的图像来计测基准标记M的位置。并且，曝光描绘装置10根据计测的位置决定描绘图像的区域。

即，如图6A所示，在本实施方式的被曝光基板C设有上述4个基准标记M1至M4(以下，将4个汇总称为基准标记M)。而且，在被曝光基板C，通常在对于基准标记M1至M4而预先确定的相对位置描绘图像62。此外，在本实施方式中，在图6A及图6B的主视观察左上的位置设置基准标记M1，在右上的位置设置基准标记M2，在左下的位置设置基准标记M3，在右下的位置设置基准标记M4。曝光描绘装置10基于计测到的基准标记M1至M4的各自的位置相对于设计上的基准标记M1至M4的位置的偏差量，推测被曝光基板C的应变。并且，曝光描绘装置10根据推测到的被曝光基板C的应变，作为一例而如图6B所示那样使图像62变形，将变形后的图像62描绘于被曝光基板C。

此外，在本实施方式的曝光描绘装置10中，在对应于被曝光基板C的应变而使图像变形时，作为一例如图7A所示，可以将作为描绘的对象的区域整体设为坐标变换的对象即对象区域(在图7A及图7B中由点花纹表示的区域)64。然而，上述对象区域64并不限定于此，若相对于基准标记M1至M4的相对位置预先已知，则可以设置成任意的大小及形状。例如如图7B所示，可以将由4个基准标记M1至M4包围的矩形形状的区域设为对象区域64。

另外，在被曝光基板C的端部等描绘被曝光基板C的识别编号等电路图案以外的图像的情况下，可以对于该图像的描绘区域不进行坐标变换而仅对电路图案的描绘区域进行坐标变换。这是因为，例如在对表示被曝光基板C的识别编号的图像进行曝光描绘的情况下等，不使该图像对应于被曝光基板C的应变而变形的情况容易确认描绘内容。

接着，参照图8，说明本实施方式的曝光描绘装置10的作用。此外，图8是表示在经由操作装置44输入了执行指示时、通过曝光描绘装置10的***控制部40执行的曝光控制处理程序的处理的流程的流程图。该程序预先存储于在***控制部40设置的ROM的预定区域。

首先，在步骤S101中，取得表示向被曝光基板C描绘的图像(在本实施方式中为表示外廓形状为矩形形状的描绘图案的图像)的坐标数据(在本实施方式中为向量数据)即图像信息。此时，***控制部40读取存储于HDD的图像信息，或经由外部输入输出部48从外部输入图像信息，由此取得图像信息。在本实施方式中，由图像信息表示的图像的外廓形状为矩形形状，但并不限定于此，可以为任意的形状。而且，在本实施方式中，上述图像信息是表示描绘图案等的向量数据，但并不限定于此，也可以是栅格数据。

在接下来的步骤S103中，取得被曝光基板C的表示设计上的基准标记M1至M4的位置(第一位置)的位置信息来作为坐标数据。此时，***控制部40读取预先存储于HDD的位置信息，或者经由外部输入输出部48从外部输入位置信息，由此取得该位置信息。

或者可以将被曝光基板C的识别信息与表示设计上的基准标记M1至M4的位置的位置信息对应的对应表预先存储于HDD，基于该对应表导出设计上的基准标记M1至M4的位置。更具体而言，可以根据通过后述的步骤S107的标记计测而得到的基准标记M1至M4的位置来识别被曝光基板C，并取得与通过识别得到的被曝光基板C的识别信息对应的位置信息。

在接下来的步骤S105中，使台12移动，直至被曝光基板C位于基准标记M1至M4分别包含于摄影部34的摄影区域的位置为止。

在接下来的步骤S107中，计测实际的基准标记M1至M4的位置(第二位置)。此时，***控制部40从通过摄影部34拍摄到的图像中提取基准标记M1至M4所对应的区域，导出基准标记M的位置坐标。在本实施方式中，将上述拍摄到的图像中的基准标记M的区域的重心的坐标设为基准标记M1至M4的位置坐标。此外，在本实施方式中，从拍摄到的图像中导出基准标记M的位置坐标，但并不限定于此，也可以从外部输入表示通过计测而得到的基准标记M的位置坐标的信息。

作为一例而如图9所示，计测到的基准标记M1至M4的位置有时相对于设计上的基准标记M1至M4的位置分别偏离。此外，在图9中，计测到的基准标记M1至M4的位置由实线表示，设计上的基准标记M1至M4的位置由虚线表示。而且，以下，如图9所示，将被曝光基板C的主视观察左右方向设为x方向，并将主视观察上下方向设为y方向进行说明。

在接下来的步骤S109中，根据通过步骤S103取得的设计上的基准标记M1至M4的位置与通过步骤S107计测到的基准标记M1至M4的位置的偏差量，导出被曝光基板C的旋转量、偏置量、伸缩倍率中的至少1个。此外，在此所说的上述旋转量是预先确定的正交坐标系(在本实施方式中，作为一例是图9所示的x-y坐标系)中的从设计上的基准标记M的位置到对应的实际的基准标记M的位置的旋转角度。而且，在此所说的上述偏置量是上述正交坐标系中的从设计上的基准标记M的位置到对应的实际的基准标记M的位置的平行移动量。而且，在此所说的上述伸缩倍率是上述正交坐标系中的从设计上的基准标记M的位置到对应的实际的基准标记M的位置的放大或缩小倍率。在本实施方式中，导出被曝光基板C的旋转量、偏置量、伸缩倍率的全部。此时，通过使用了4个基准标记M1至M4的各坐标的最小二乘法，对于被曝光基板C，导出x方向的偏置量ofsx、y方向的偏置量ofsy、x方向的伸缩倍率kx、y方向的伸缩倍率ky、旋转量θ的各参数。

即，在导出上述各参数时，设计上的基准标记M1至M4的位置与在步骤S107的处理中计测的基准标记M1至M4的位置包含上述各参数而处于唯一的关系。这种情况下，以使上述各参数的平均偏差成为最小的方式决定上述各参数(作为一例而参照日本特开昭61-44429号公报等)。该决定上述各参数的方法是在仿射变换等中使用的已知的方法，因此省略进一步的在此的说明。

在接下来的步骤S111中，导出用于对被曝光基板C的应变进行校正的应变校正量(dx，dy)。此外，被曝光基板C的应变量由4个基准标记M1至M4的各自的偏差量表示。由此，将用于对该被曝光基板C的应变进行校正的应变校正量按照基准标记M1至M4分别记作(dx0，dy0)至(dx3，dy3)。在本实施方式中，将各基准标记M1至M4的应变校正量设为进行了基于步骤S109中导出的偏置量、伸缩倍率及旋转量的校正之后的、设计上的基准标记M1至M4的位置与计测到的基准标记M1至M4的位置的残差(偏差量)。

在接下来的步骤S113中，根据被曝光基板C的应变校正量，从上述HDD读取表示对上述图像信息中的各坐标进行校正时的调整参数(Mx，My)(0<Mx<1，0<My<1)的信息。此外，Mx是x方向的调整参数，My是y方向的调整参数。通过本实施方式中的调整参数(Mx，My)，来决定相对于被曝光基板C的应变引起的基准标记M1至M4的偏离的对位的程度。在本实施方式中，将该调整参数设为使应变校正量减少的比例(以下，也称为“校正的比例”)。即，在调整参数(Mx，My)＝(0，0)的情况下，不进行与被曝光基板C的应变对应的校正，在调整参数为(Mx，My)＝(1，1)的情况下，不使校正量减少而进行与被曝光基板C的应变对应的校正。而且，在调整参数比0大且比1小的情况下，一边根据调整参数使应变校正量减少，一边进行与被曝光基板C的应变对应的校正。

在本实施方式中，表示该调整参数的信息由使用者预先经由操作装置44输入而存储于上述HDD。此外，在该步骤S113中，也可以受理经由操作装置44的表示调整参数的信息的输入。而且，在本实施方式中，设为0<Mx<1，0<My<1。然而，并不限定于此，也可以包括不进行与被曝光基板C的应变对应的校正的情况及不使校正量减少地进行该校正的情况，并设为0≤Mx≤1，0≤My≤1。

在接下来的步骤S115中，基于在步骤S113中读取的调整参数(Mx，My)而使被曝光基板C的应变校正量(dx，dy)减少。此外，在本实施方式中，通过如下的(1)式来计算使应变校正量(dx，dy)减少的应变校正量(dx’，dy’)。

[数学式1]

(dx，dy)＝{(ds0，dy0)，(dx1，dy1)，(dx2，dy2)，(dx3，dy3)}

dx′＝Mx×dx，        …(1)

dy′＝Mx×dy，

在接下来的步骤S117中，使用通过步骤S115的处理而得到的应变校正量(dx’，dy’)，在上述图像信息中，将作为坐标变换的对象的坐标(xl，yl)变换成根据被曝光基板C的应变进行校正后的坐标(xm，ym)。

此时，在本实施方式中，通过***控制部40，作为一例而如图10所示，基于作为坐标变换的对象的坐标，将通过上述图像信息表示的图像分割成多个(在本实施方式中为4个)区域，导出各分割区域的面积SA0至SA3。在此，在进行该分割时，如图10所示，在通过上述图像信息表示的图像中，引出与上述图像的各边平行且通过作为上述变换对象的坐标的直线，由此分割成上述4个区域。在本实施方式中，对于各分割区域，将图10的主视观察左上的区域的面积表示为SA0，将右上的区域的面积表示为SA1，将左下的区域的面积表示为SA2，将右下的区域的面积表示为SA3。

另外，***控制部40将这样得到的分割区域的面积SA0至SA3和通过步骤S115的处理而得到的应变校正量(dx’，dy’)代入下述的(2)式。由此得到的值是在上述图像信息中作为坐标变换的对象的各坐标(xl，yl)的应变校正量(ddx，ddy)。

[数学式2]

$\begin{array}{c}\mathrm{SS}=\mathrm{SA}0+\mathrm{SA}1+\mathrm{SA}2+\mathrm{SA}3\\ \mathrm{ddx}=\frac{\mathrm{SA}0\&times;{\mathrm{dx}0}^{\&prime;}+\mathrm{SA}1\&times;{\mathrm{dx}1}^{\&prime;}+\mathrm{SA}2\&times;{\mathrm{dx}2}^{\&prime;}+\mathrm{SA}3\&times;{\mathrm{dx}3}^{\&prime;}}{\mathrm{SS}}\\ \mathrm{ddy}=\frac{\mathrm{SA}0\&times;{\mathrm{dy}0}^{\&prime;}+\mathrm{SA}1\&times;{\mathrm{dy}1}^{\&prime;}+\mathrm{SA}2\&times;{\mathrm{dy}2}^{\&prime;}+\mathrm{SA}3\&times;{\mathrm{dy}3}^{\&prime;}}{\mathrm{SS}}\end{array}...\left(2\right)$

例如如图10所示，在dx0’＝1，dx1’＝2，dx2’＝5，dx3’＝10，SA0＝1，SA1＝3，SA2＝3，SA3＝9，SS＝16的情况下，成为ddx＝(10×9+5×3+2×3+1×1)/16＝7。

此外，应变校正量(ddx，ddy)的导出方法并不限定于此。即，作为描绘对象的图像的坐标数据的位置坐标为P(x，y)的情况下，求出相对于基准矩形的各边的内分比。对于校正后的图像，也可以确定其内分比所对应的位置P’，并将位置P与位置P’的偏差量确定为应变校正量(ddx，ddy)。

此外，***控制部40将上述图像信息中的各坐标的应变校正量(ddx，ddy)、x方向的偏置量ofsx、y方向的偏置量ofsy、x方向的伸缩倍率kx、y方向的伸缩倍率ky、旋转量θ代入如下的(3)式。由此得到的值成为将各坐标(xl，yl)基于被曝光基板C的应变校正量进行了校正后的坐标(xm，ym)。

[数学式3]

xm＝(kx×xl+ddx)×cosθ-(ky×yl+ddy)×sinθ+ofsx

                                             …(3)

ym＝(kx×xl+ddx)×sinθ+(ky×yl+ddy)×cosθ+ofsy

在接下来的步骤S119中，以使台12移动至通过从曝光部22射出的光束对被曝光基板C的上表面进行曝光的位置的方式对台驱动部42进行控制。

在接下来的步骤S121中，以使用通过上述步骤S117的处理而得到的坐标(xm，ym)向被曝光基板C描绘由上述图像信息表示的图像的方式经由光源单元24及图像处理单元28来控制曝光头22a。此时，***控制部40以使台12以预先确定的速度移动的方式控制台驱动部42，由此以一边使被曝光基板C移动一边向被曝光基板C描绘上述图像的方式控制曝光头22a。

在接下来的步骤S123中，使台12移动至将被曝光基板C从台12拆下的位置，结束本曝光控制处理程序的执行。

例如，在曝光控制处理程序的步骤S113中读取的调整参数为0％(Mx＝0，My＝0)的情况下，即不进行与被曝光基板C的应变对应的校正的情况下，如图11A所示，与被曝光基板C的应变无关地描绘矩形形状的描绘图案。

另外，在上述调整参数为50％(一半)的情况下，作为一例如图11B所示，在将基准标记M的应变校正量设为50％的基础上，基于该应变校正量变形地描绘描绘图案。

此外，在上述调整参数为100％(Mx＝1，My＝1)的情况下，作为一例而如图11C所示，使用基准标记M的应变校正量本身变形地描绘图像。这种情况下，根据基准标记M1至M4的位置而使图像变形，因此将描绘图案变形为被曝光基板C的应变所对应的形状而描绘。

另外，例如如图12所示，在被曝光基板C上使多层(例如4层)电路图案62A至62D从下位侧依次层叠地描绘的情况下，每当各层的描绘结束时，进行显影、蚀刻、剥离等化学处理。而且为了使层重叠，而进行预成型料层的层叠、导通孔的加工、填埋孔镀敷、粗糙化处理、DFR(Dry Film photoResist，干膜抗蚀剂)的层压等。因此，如图13所示，可想到每当将第一层的电路图案62A、第二层的电路图案62B、第三层的电路图案62C、第四层的电路图案62D的层重叠时，被曝光基板C的应变增大。

此外，在图11A至图11C中，在作为描绘对象的电路图案中，为了便于理解连接盘66与导通孔68的位置关系，在作为描绘对象的层的基准标记M的位置设置连接盘66，在其他的层的基准标记M的位置设置导通孔68。在本实施方式中，在描绘电路图案时，在各层，使与被曝光基板C的应变对应的校正的校正量减少，以便使导通孔68收纳于被曝光基板C的连接盘66的内部。由此，即使根据被曝光基板C的应变使电路图案变形的情况下，也能够将电子元件高精度地向基板上安装。

另外，在本实施方式中，对各基准标记M1至M4的应变校正量乘以比1小的值(调整参数(Mx，My))，由此使上述应变校正量减少，但并不限定于此。即，也可以将上述应变校正量除以超过1的值，或者从上述应变校正量减去预先确定的量，由此来使上述应变校正量减少。或者可以将上述乘法运算、除法运算、减法运算组合多个而使上述应变校正量减少。

此外，在被曝光基板C上层叠多个电路图案而描绘的情况下、且在被曝光基板C的最上位的层上描绘电路图案的情况下，可以将应变校正量(dx’，dy’)设为(0，0)而进行上述(2)式的计算。即，在多层配线基板的最上位的层上装载有预先确定的形状(例如矩形形状)的电子元件的情况下，若最上位描绘的电路图案的应变校正量大，则存在描绘的电路图案较大地变形而无法安装该电子元件的可能性。然而，在最上位的层中未对应变进行校正，由此能避免最上位的层中的电路图案的变形，能够向被曝光基板C可靠地安装该电子元件。

并且，在本实施方式中，说明了将本发明应用于对被曝光基板C曝光光束来描绘电路图案的曝光描绘装置10的情况，但是并不限定于此。即，也可以将本发明应用于基于被描绘体上设置的基准标记的位置而描绘作为描绘对象的图像的任意的描绘装置。而且，可以将本发明应用于形成将描绘电路图案的各层的层间电连接的导通孔等的激光加工装置及钻孔加工装置。而且，可以应用于用于形成对基板的电路图案进行保护用的阻焊剂层的元件安装用孔的曝光装置及加工装置。由此，能够更可靠地将电子元件向基板上安装。

〔第二实施方式〕

以下，说明本发明的第二实施方式的曝光描绘装置10。

第二实施方式的曝光描绘装置10与第一实施方式的曝光描绘装置10同样，成为图1至图6B所示的结构。

第二实施方式的曝光描绘装置10在根据被曝光基板C的应变而进行校正时，根据环形圈的值对应变校正量(dx，dy)设置限制。如图14所示，环形圈是将在连接盘66的内部空出导通孔68的情况下的导通孔68的整周包围的环状区域，连接盘直径为D，孔径为d时的环状区域的宽度即环形圈的宽度L由L＝(D-d)/2表示。

接着，参照图15，说明本实施方式的曝光描绘装置10的作用。此外，图15是表示经由操作装置44输入了执行指示时通过第二实施方式的曝光描绘装置10的***控制部40执行的曝光控制处理程序的处理的流程的流程图。该程序预先存储于***控制部40的ROM的预定区域。而且，对于图15的进行与图8相同的处理的步骤标注与图8相同的步骤编号，原则上省略其说明。

首先，在步骤S101至步骤S111中，分别进行与第一实施方式的步骤S101至步骤S111同样的处理。

在接下来的步骤S201中，导出环形圈的宽度L。在本实施方式中，取得表示连接盘66的连接盘直径D及导通孔68的孔径d的信息，将连接盘直径D及孔径d代入如下的(4)式，由此得到环形圈的宽度L。

[数学式4]

$L=\frac{D-d}{2}...\left(4\right)$

此外，连接盘直径D及孔径d可以基于电路图案的设计值由使用者经由操作装置44输入。此外，环形圈的宽度L的导出方法并不限定于此，例如，也可以从与外部连接的信息处理装置经由外部输入输出部48输入，还可以预先存储于RAM、HDD等存储单元。而且，可以考虑描绘误差而将环形圈的宽度L设定为比实际较小，具有富余，以避免导通孔68从连接盘66露出。

在接下来的步骤S203中，判定通过如下的(5)式表示的被曝光基板C的应变引起的基准标记M1至M4的任一偏差量dE是否比环形圈的宽度L大。

[数学式5]

$\begin{array}{c}\mathrm{dE}=\sqrt{{\mathrm{dx}}^2+{\mathrm{dy}}^2}\\ (\mathrm{dx},\mathrm{dy})=\{(\mathrm{dx}0,\mathrm{dy}0),(\mathrm{dx}1,\mathrm{dy}1)(\mathrm{dx}2,\mathrm{dy}2),(\mathrm{dx}3,\mathrm{dy}3)\}\end{array}...\left(5\right)$

在步骤S203中判定为基准标记M1至M4的偏差量dE比环形圈的宽度L大的情况下，向步骤S205转移，导通孔68收纳于连接盘66，并以成为尽可能保持形状性的应变校正量(dx，dy)的方式限制应变校正量(dx，dy)。这是在被曝光基板C上以多层描绘电路图案时，避免层间的连接盘66与导通孔68的位置偏离，并尽可能用于保持形状性的处理。在本实施方式中，通过将偏差量dE、环形圈的宽度L、上述应变校正量(dx，dy)代入如下的(6)式，将利用步骤S111的处理而导出的应变校正量(dx，dy)校正为应变校正量(dx’，dy’)。由此，应变校正量(dx，dy)在导通孔68收纳于连接盘66的内部的范围内被校正为最大的应变校正量(dx’，dy’)。此外，作为描绘图案，在描绘表示阻焊剂层的元件安装用的开口孔的阻焊剂图案的情况下，以使开口孔收纳于用于与元件接合的导体焊盘的内部的方式限制应变校正量(dx，dy)。

[数学式6]

$\begin{array}{c}{\mathrm{dx}}^{\&prime;}=\mathrm{dx}\&times;(1-\frac{L}{\mathrm{dE}})\\ {\mathrm{dy}}^{\&prime;}=\mathrm{dy}\&times;(1-\frac{L}{\mathrm{dE}})\end{array}...\left(6\right)$

另一方面，在步骤S203中判定为基准标记M1至M4的偏差量dE为环形圈的宽度L以下的情况下，向步骤S207转移，不对校正所使用的应变校正量(dx，dy)设置限制。即，使用如下的(7)式，将步骤S111中导出的应变校正量(dx，dy)直接置换成应变校正量(dx’，dy’)。

[数学式7]

dx′＝dx

                …(7)

dy′＝dy

在接下来的步骤S117至步骤S123中，分别进行与第一实施方式的步骤S117至步骤S123同样的处理，结束本曝光控制处理程序的执行。

例如，在不进行与被曝光基板C的应变对应的校正的情况下，如图16A所示，与被曝光基板C的应变无关地描绘矩形形状的图像。这种情况下，即使产生被曝光基板C的应变，描绘的图像也未变形，因此并不一定能够将导通孔68收纳于连接盘66的内部的情况。此外，与图11A至图11C同样，在图16A至图16C中，在作为描绘对象的电路图案中，为了便于理解连接盘66与导通孔68的位置关系，在作为描绘对象的层的基准标记M的位置设置连接盘66，在其他层的基准标记M的位置设置导通孔68。

另外，在步骤S207中导出的环形圈的宽度L为预定值(例如20μm)，且上述偏差量比环形圈的宽度L大的情况下，作为一例而如图16B所示，在基准标记M的应变校正量减少的基础上，基于该应变校正量变形地描绘图像。此时，如图17所示，在以在连接盘66的内部收纳导通孔68的方式限制了相对于应变校正量(dx，dy)的校正量的基础上，根据被曝光基板C的应变而使图像变形。由此，能够将导通孔68收纳在连接盘66的内部，能够可靠地将电子元件向被曝光基板C上安装。

此外，在上述环形圈的宽度L为预定值(例如20μm)且上述偏差量为环形圈的宽度L以下的情况下，作为一例而如图16C所示，使用基准标记M的应变校正量本身变形地描绘图像。在这种情况下，根据被曝光基板C的应变而描绘的图像发生变形，因此能够可靠地将导通孔68收纳在连接盘66的内部，但是在上述应变较大的情况下等，由于电子元件的安装区域变形，并不一定能够将电子元件向被曝光基板C上安装的情况。

〔第三实施方式〕

以下，说明本发明的第三实施方式的曝光描绘装置10。

第三实施方式的曝光描绘装置10与第一实施方式及第二实施方式的曝光描绘装置10同样，成为图1至图6B所示的结构。

第三实施方式的曝光描绘装置10根据被曝光基板C的应变而进行校正时，根据调整参数(Mx，My)而使应变校正量(dx，dy)减少，并根据环形圈的宽度L对应变校正量(dx，dy)设置限制。

接着，参照图18，说明本实施方式的曝光描绘装置10的作用。此外，图18是表示经由操作装置44被输入执行指示时通过曝光描绘装置10的***控制部40执行的曝光控制处理程序的处理的流程的流程图。该程序预先存储于***控制部40的ROM的预定区域。

另外，对于图18中的进行与图8或图15相同的处理的步骤标注与图8或图15相同的步骤编号，原则上省略其说明。

首先，在步骤S101至步骤S113中，分别进行与第一实施方式的步骤S101至步骤S113同样的处理。在接下来的步骤S201及步骤S203中，进行与第二实施方式的步骤S201及步骤S203同样的处理。

在步骤S203中判定为基准标记M1至M4的偏差量dE比环形圈的宽度L大的情况下，向步骤S301转移，以将导通孔68收纳于连接盘66且成为尽可能地保持形状性的应变校正量(dx，dy)的方式限制应变校正量(dx，dy)。在本实施方式中，将应变校正量(dx，dy)、偏差量dE，环形圈的宽度L及步骤S113中读取的调整参数(Mx，My)代入如下的(8)式，由此将在步骤S111中导出的应变校正量(dx，dy)校正成应变校正量(dx’，dy’)。由此，应变校正量(dx，dy)被校正成导通孔68收纳于连接盘66的内部且调整了形状性的应变校正量(dx’，dy’)。

[数学式8]

$\begin{array}{c}{\mathrm{dx}}^{\&prime;}=\mathrm{dx}\&times;(1-\frac{L}{\mathrm{dE}}(1-\mathrm{Mx}))\\ {\mathrm{dy}}^{\&prime;}=\mathrm{dy}\&times;(1-\frac{L}{\mathrm{dE}}(1-\mathrm{My}))\end{array}...\left(8\right)$

另一方面，在步骤S203中判定为基准标记M1至M4的偏差量dE为环形圈的宽度L以下的情况下，向步骤S303转移，不对校正所使用的应变校正量(dx，dy)设置限制。即，将在步骤S113中读取的调整参数(Mx，My)代入如下的(9)式，将步骤S111中导出的应变校正量(dx，dy)校正为应变校正量(dx’，dy’)。

[数学式9]

dx′＝Mx×dx

                  …(9)

dy′＝My×dy

在接下来的步骤S117至步骤S123中，分别进行与第一实施方式的步骤S117至步骤S123同样的处理，结束本曝光控制处理程序的执行。

〔第四实施方式〕

以下，说明本发明的第四实施方式的曝光描绘装置10。

第四实施方式的曝光描绘装置10与第一实施方式至第三实施方式的曝光描绘装置10同样，成为图1至图6B所示的结构。

第一实施方式至第三实施方式的曝光描绘装置10在1个对象区域64中，基于4个基准标记M1至M4，进行与被曝光基板C的应变对应的坐标变换。另一方面，第四实施方式的曝光描绘装置10对于多个对象区域64，分别基于不同的基准标记M进行与被曝光基板C的应变对应的坐标变换。

例如，上述多个对象区域64如图19A所示，可以设为将由图像信息表示的图像分割成多个(例如4个)区域而得的各个区域。此外，在分割上述图像时，以设置成呈格子状排列的基准标记M中的呈2行2列排列的4个基准标记M包含于各分割区域的方式进行分割。

或者可以如图19B所示，将上述图像的外周部设为非对象区域，而且将从上述图像去除了非对象区域的区域分割成多个(例如4个)区域所得到的区域设为对象区域64。此外，在分割上述图像时，以设置成呈矩阵状排列的基准标记M中的呈2行2列排列的4个基准标记M所包围的区域成为各分割区域的方式分割。

或者可以如图19C所示，将上述图像中的一部分区域提取多个(例如4个)，并将提取的各个区域作为对象区域64。此外，以各对象区域64的角部分别位于设置成呈矩阵状排列的基准标记M中的呈2行2列排列的4个基准标记M的各自的近边的方式分别提取上述一部分区域。

或者可以如图20A所示，上述多个对象区域64作为将由图像信息表示的图像分割成多个(例如4个)区域而得的各个区域。此外，以在上述多个对象区域64中分别包含呈2行2列排列的4个基准标记M的方式进行分割。

或者可以如图20B所示，在将上述图像的外周部设为非对象区域的基础上，将从上述图像去除了非对象区域的区域分割成多个(例如4个)区域所得到的区域作为对象区域64。此外，以在上述多个对象区域64中分别包含呈2行2列排列的4个基准标记M的方式进行分割。

或者可以如图20C所示，将上述图像中的一部分区域提取多个(例如4个)，并将提取的各个区域作为对象区域64。此外，根据各对象区域64的形状或大小，在各对象区域64的内部或各对象区域64的外周附近形成呈2行2列排列的4个基准标记M。

接着，参照图21，说明本实施方式的曝光描绘装置10的作用。此外，图21是表示经由操作装置44输入了执行指示时通过曝光描绘装置10的***控制部40执行的曝光控制处理程序的处理的流程的流程图。该程序预先存储于***控制部40的ROM的预定区域。

另外，对于图21中的进行与图8相同的处理的步骤标注与图8相同的步骤编号，原则上省略其说明。

首先，在步骤S101至步骤S107中，分别进行与第一实施方式的步骤S101至步骤S107同样的处理。

在接下来的步骤S401中，对于多个对象区域64中的1个对象区域64所对应的基准标记M，利用与步骤S109同样的方法导出被曝光基板C的旋转量、偏置量、伸缩倍率。

在接下来的步骤S111至步骤S117中，分别进行与第一实施方式的步骤S111至步骤S117同样的处理。

在接下来的步骤S403中，对于多个对象区域64中的全部对象区域64所对应的基准标记M，判定是否进行了步骤S117中的坐标变换。在步骤S117中为否定判定的情况下，返回步骤S401。

另一方面，在步骤S403中为肯定判定的情况下，向步骤S119转移。在步骤S119至步骤S123中，分别进行与第一实施方式的步骤S119至步骤S123同样的处理，结束本曝光控制处理程序的执行。

此外，在使分别描绘于被曝光基板C的多个区域的电路图案变形的情况下，以在相邻的区域间描绘的电路图案不重合的方式通过平行移动或旋转移动来调整电路图案的描绘区域。

另外，第四实施方式是将向被曝光基板C的多个区域分别描绘电路图案并使多个区域的每一个的应变校正量减少的结构应用于第一实施方式的实施方式，但应用上述结构的实施方式并不限定于此。即，也可以将第四实施方式的结构应用于第二实施方式或第三实施方式。

日本专利申请2012-1779935号的公开的整体作为参照而援引于本说明书。

本说明书记载的全部文献、专利申请及技术规格与将通过参照援引各个文献、专利申请及技术规格的情况具体且分别记载的情况相同程度地通过参照而援引于本说明书中。

Claims (11)

1.一种描绘装置，具备：

取得构件，取得表示设于被曝光基板的多个基准标记的设计上的位置即第一位置的坐标数据、表示以所述第一位置为基准而确定的向所述被曝光基板描绘的描绘图案的坐标数据及表示所述多个基准标记各自的实际的位置即第二位置的坐标数据；

导出构件，对所述多个基准标记中的每一个，导出用于校正所述第一位置与所述第二位置的偏离的偏离校正量；

减少构件，使由所述导出构件导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少；以及

校正构件，在以表示所述第二位置的坐标数据为基准而向所述被曝光基板描绘所述描绘图案的情况下，基于由所述减少构件减少了的偏离校正量来校正表示所述描绘图案的坐标数据。

2.根据权利要求1所述的描绘装置，其中，

所述减少构件通过进行将所述偏离校正量乘以小于1的值的方案、将所述偏离校正量除以超过1的值的方案及从所述偏离校正量减去预先确定的量的方案中的至少1个，使所述导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少。

3.根据权利要求1或2所述的描绘装置，其中，

所述描绘图案是表示电子配线的电路图案，

所述比例是以使导通孔收纳在所述描绘图案中的连接盘的内部的方式确定的比例。

4.根据权利要求1或2所述的描绘装置，其中，

所述描绘图案是表示阻焊剂层的元件安装用的开口孔的阻焊剂图案，

所述比例是以使所述开口孔收纳在用于与元件接合的导体焊盘的内部的方式确定的比例。

5.根据权利要求1或2所述的描绘装置，其中，

所述导出构件根据减去所述被曝光基板的由平行移动产生的偏离、由旋转产生的偏离及由伸缩产生的偏离中的至少1个所得到的偏差量来导出所述偏离校正量。

6.根据权利要求1或2所述的描绘装置，其中，

所述描绘图案分别描绘于所述被曝光基板的多个区域，

所述基准标记设于描绘所述描绘图案的所述多个区域中的每一个，

所述减少构件对所述多个区域中的每一个，分别使所述偏离校正量减少。

7.根据权利要求1或2所述的描绘装置，其中，

所述描绘装置还具备受理构件，该受理构件受理用于使由所述导出构件导出的偏离校正量分别减少的调整参数的输入，

所述减少构件基于由所述受理构件受理的调整参数来计算所述比例。

8.根据权利要求1或2所述的描绘装置，其中，

在所述被曝光基板上层叠多个描绘图案进行描绘的情况下，且将描绘图案描绘在所述被曝光基板的最上位的层的情况下，所述导出构件将所述偏离校正量设为0。

9.一种曝光描绘装置，具备：

权利要求1或2所述的描绘装置；和

曝光构件，基于由所述描绘装置的所述校正构件校正后的坐标数据，在所述被曝光基板上将所述描绘图案曝光并进行描绘。

10.一种描绘方法，包括：

(a)取得表示设于被曝光基板的多个基准标记的设计上的第一位置的坐标数据、表示以所述第一位置为基准而确定的向所述被曝光基板描绘的描绘图案的坐标数据及表示所述多个基准标记各自的实际的第二位置的坐标数据；

(b)对所述多个基准标记中的每一个，导出用于校正所述第一位置与所述第二位置的偏离的偏离校正量；

(c)使在所述(b)导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少；以及

(d)在以表示所述第二位置的坐标数据为基准而向所述被曝光基板描绘所述描绘图案的情况下，基于在所述减少步骤减少了的偏离校正量来校正表示所述描绘图案的坐标数据。

11.一种计算机可读记录介质，存储有用于使计算机执行描绘工艺的程序，其中，所述描绘工艺包括：

(a)取得表示设于被曝光基板的多个基准标记的设计上的第一位置的坐标数据、表示以所述第一位置为基准而确定的向所述被曝光基板描绘的描绘图案的坐标数据及表示所述多个基准标记各自的实际的第二位置的坐标数据；

(b)对所述多个基准标记中的每一个，导出用于校正所述第一位置与所述第二位置的偏离的偏离校正量；

(c)使在所述(b)导出的偏离校正量分别以预先确定的比例减少；以及

(d)在以表示所述第二位置的坐标数据为基准而向所述被曝光基板描绘所述描绘图案的情况下，基于在所述减少构件减少了的偏离校正量来校正表示所述描绘图案的坐标数据。