CN104576831B - 一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 - Google Patents
一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104576831B CN104576831B CN201410850205.9A CN201410850205A CN104576831B CN 104576831 B CN104576831 B CN 104576831B CN 201410850205 A CN201410850205 A CN 201410850205A CN 104576831 B CN104576831 B CN 104576831B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wool
- making herbs
- etching
- making
- additive
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000000654 additive Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 title claims abstract description 30
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 21
- 229910021421 monocrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 17
- 238000005530 etching Methods 0.000 title claims abstract description 14
- 235000008216 herbs Nutrition 0.000 claims abstract description 37
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 claims abstract description 37
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 33
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 25
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims abstract description 25
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 25
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 22
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 claims abstract description 17
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims abstract description 14
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 claims description 17
- YDEXUEFDPVHGHE-GGMCWBHBSA-L disodium;(2r)-3-(2-hydroxy-3-methoxyphenyl)-2-[2-methoxy-4-(3-sulfonatopropyl)phenoxy]propane-1-sulfonate Chemical compound [Na+].[Na+].COC1=CC=CC(C[C@H](CS([O-])(=O)=O)OC=2C(=CC(CCCS([O-])(=O)=O)=CC=2)OC)=C1O YDEXUEFDPVHGHE-GGMCWBHBSA-L 0.000 claims description 12
- 229940059574 pentaerithrityl Drugs 0.000 claims description 12
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims description 8
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003513 alkali Substances 0.000 claims description 4
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 claims description 4
- QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N hypochlorous acid Chemical compound ClO QWPPOHNGKGFGJK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 claims description 4
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 claims description 4
- 229910000029 sodium carbonate Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000005708 Sodium hypochlorite Substances 0.000 claims description 3
- SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N sodium hypochlorite Chemical compound [Na+].Cl[O-] SUKJFIGYRHOWBL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 claims description 2
- ZZVUWRFHKOJYTH-UHFFFAOYSA-N diphenhydramine Chemical compound C=1C=CC=CC=1C(OCCN(C)C)C1=CC=CC=C1 ZZVUWRFHKOJYTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 150000007530 organic bases Chemical class 0.000 claims description 2
- UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M Sodium bicarbonate-14C Chemical compound [Na+].O[14C]([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-DEQYMQKBSA-M 0.000 claims 1
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 14
- 206010025421 Macule Diseases 0.000 abstract description 3
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 abstract description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 6
- 208000020442 loss of weight Diseases 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 241000628997 Flos Species 0.000 description 3
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M Ilexoside XXIX Chemical compound C[C@@H]1CC[C@@]2(CC[C@@]3(C(=CC[C@H]4[C@]3(CC[C@@H]5[C@@]4(CC[C@@H](C5(C)C)OS(=O)(=O)[O-])C)C)[C@@H]2[C@]1(C)O)C)C(=O)O[C@H]6[C@@H]([C@H]([C@@H]([C@H](O6)CO)O)O)O.[Na+] DGAQECJNVWCQMB-PUAWFVPOSA-M 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- 239000004115 Sodium Silicate Substances 0.000 description 1
- VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M Sodium acetate Chemical compound [Na+].CC([O-])=O VMHLLURERBWHNL-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M Sodium bicarbonate Chemical compound [Na+].OC([O-])=O UIIMBOGNXHQVGW-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000008280 blood Substances 0.000 description 1
- 210000004369 blood Anatomy 0.000 description 1
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 1
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 230000003301 hydrolyzing effect Effects 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 150000002978 peroxides Chemical class 0.000 description 1
- 229920000141 poly(maleic anhydride) Polymers 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 1
- 239000001632 sodium acetate Substances 0.000 description 1
- 235000017281 sodium acetate Nutrition 0.000 description 1
- WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M sodium benzoate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C1=CC=CC=C1 WXMKPNITSTVMEF-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 239000004299 sodium benzoate Substances 0.000 description 1
- 235000010234 sodium benzoate Nutrition 0.000 description 1
- NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N sodium silicate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-][Si]([O-])=O NTHWMYGWWRZVTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052911 sodium silicate Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/02—Details
- H01L31/0236—Special surface textures
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
- Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- Chemical Or Physical Treatment Of Fibers (AREA)
Abstract
本发明涉及一种单晶硅片无醇制绒工艺及制绒添加剂，首先将硅片加入到预处理液中，对硅片进行预处理，预处理时间60s‑300s，再加入到制绒液中进行制绒；单晶硅制绒工艺为：将去离子水加热到70℃‑90℃，加入氢氧化钠或氢氧化钾，得到单晶硅制绒腐蚀液。采用该制绒添加剂制绒时，不需要异丙醇或乙醇等，可以获得细小、均匀、密集的金字塔绒面，降低制绒成本，避免环境污染；在制绒前加入预处理工艺，可以使制绒后硅片更干净，减少白斑指纹印等返工，具有一定的实用价值。
Description
技术领域
本发明涉及太阳能电池领域，尤其是一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂。
背景技术
在太阳能电池制备过程中，为了提高太阳能电池效率，需要在单晶硅片表面制作绒面，有效的绒面结构可以使得入射太阳光在硅片表面形成二次反射或多次反射，增加光的利用率，使得更多的光子在靠近pn结附近的区域被吸收产生光生载流子，这些光生载流子更容易被收集，因此增加了光生载流子的收集效率。
常规的制绒工艺一般采用氢氧化钠或氢氧化钾，添加适当异丙醇和硅酸钠的混合溶液进行制绒。其缺点是：制绒金字塔不均匀，对原始硅片表面状态要求高，化学品消耗比较大，制绒工艺控制难度较大，异丙醇等挥发量大，需要不断调液，操作难度高，从而带来制绒外观返工率很高，电池片转换率较低等问题。
在申请号(201310394735.2)《单晶硅片制绒添加剂及其使用方法》公开一种添加剂组分为：聚乙二醇、苯甲酸钠、柠檬酸、水解聚马来酸酐、乙酸钠和余量的水。同时还提供了一种单晶硅片的制绒方法，利用上述制绒液对单晶硅片进行制绒。该添加剂不需要使用大量的异丙醇或乙醇，大量降低了制绒液的COD，降低了制绒成本，减少环境污染。在申请号(201210474010.X)《一种低成本单晶硅片制绒添加剂》公开了一种单晶制绒添加剂，其组分为：络合剂、蜜糖、全氟表面活性剂和去离子水组成。该添加剂在制绒过程中不需要补加添加剂有较宽的工艺操作范围和更高的溶液存放寿命。以上两种添加剂虽然都不需要添加异丙醇，降低了制绒废液的COD，降低了制绒成本，但都存在制绒后绒面白斑白点、手指印等比例偏高，绒面外观较不干净的问题。
发明内容
本发明要解决的技术问题是：提出一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂，能够使得化学反应均匀进行，绒面外观更干净，返工率更低。
本发明所采用的技术方案为：一种单晶硅片无醇制绒工艺，包括以下步骤：
1)配制预处理液：将质量比为0.1wt％～10wt％的氧化剂，质量比为0.1wt％～5wt％的碱，加入到余量的水中，混合均匀，加热到60℃-80℃；
2)配制制绒添加剂：将0.05wt％～5wt％的季戊四醇，0.1wt％～5wt％的三乙醇胺，0.01wt％～5wt％的木质素磺酸钠，加入到余量的水中，搅拌混合均匀配制成添加剂；
3)配制制绒液：将步骤2)配制的添加剂加入到碱溶液中，混合均匀配制成制绒液，制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.1～5:100；
4)将硅片浸入到步骤1)中配制的制绒预处理液中，预处理液温度为60℃-80℃，预处理时间60s～300s；预处理完成后将硅片浸入到去离子水中，水温为室温，水洗时间为60s-300s；水洗完成后加入到步骤3)配制的制绒液中，制绒温度为70℃-90℃，制绒时间600s～1500s。
进一步的说，本发明所述的步骤1)中，氧化剂为次氯酸钠、次氯酸及过氧化氢中的一种或几种；所述的碱是稀氢氧化钠、稀氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠、氨水及有机碱等其中的一种或几种。
再进一步的说，本发明所述的步骤3)中，所述的碱溶液是质量分数为0.1％-5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液。
本发明制绒添加剂的组分包括：木质素磺酸钠、季戊四醇、三乙醇胺以及去离子水；各组分质量百分比含量为：季戊四醇0.05wt％-5wt％，三乙醇胺0.1wt％-5wt％，木质素磺酸钠0.01wt％-5wt％，余量为去离子水。采用该添加剂进行单晶硅片制绒，不需要添加异丙醇及乙醇，减少了制绒液的COD，降低了制绒成本。
本发明的有益效果是：对硅片进行预处理，将硅片表面残留的有机清洗剂去除干净，可以降低制绒后硅片外观的白斑白点比例，降低绒面返工率，有利于晶体硅太阳能电池的工艺稳定，具有很好的实用价值；并且在单晶硅片的绒面制作时，不需要使用大量的异丙醇或乙醇，大量降低了制绒液COD，并且可获得均匀、细小、密集的绒面金字塔。
具体实施方式
现在结合实施例对本发明作进一步详细的说明。
实施例一
采用季戊四醇、木质素磺酸钠、三乙醇胺及去离子水配制成单晶制绒添加剂，其中季戊四醇的浓度为0.2wt％，木质素磺酸钠的浓度为0.1％，三乙醇胺的浓度为0.5wt％，然后将配制的制绒添加剂加入到质量分数1wt％的氢氧化钠水溶液中，无醇单晶制绒添加剂与去离子水的质量比为1：100，然后将此制绒液加热到75℃。采用过氧化氢，氨水及去离子水配制预处理液，其中过氧化氢的浓度为1wt％，氨水的浓度为0.5wt％，将此预处理液加热到60℃。先将面积为156mm×156mm、厚度约为200um的单晶硅片放入预处理溶液中，进行预处理，预处理时间为150s，然后将硅片取出，水洗30s，再将硅片放入制绒液中，进行制绒，制绒时间1080s，制绒完成后，清洗，烘干，称量减重，并进行观测反射率及绒面形貌。所得硅片减重0.55g-0.75g，反射率11％左右,。所得到的绒面金字塔显微镜大小均匀、细小、密集，金字塔尺寸在2um-5um。
实施例二
采用季戊四醇、木质素磺酸钠、三乙醇胺及去离子水配制成单晶制绒添加剂，其中季戊四醇的浓度为0.4wt％，木质素磺酸钠的浓度为0.3％，三乙醇胺的浓度为0.5wt％，然后将配制的制绒添加剂加入到质量分数1.5wt％的氢氧化钠水溶液中，无醇单晶制绒添加剂与去离子水的质量比为1.5:100，然后将此制绒液加热到80℃。采用次氯酸钠，氢氧化钠及去离子水配制预处理液，其中次氯酸钠的浓度为1wt％，氢氧化钠的浓度为0.5wt％，将此预处理液加热到70℃。先将面积为156mm×156mm、厚度约为200um的单晶硅片放入预处理溶液中，进行预处理，预处理时间为120s，然后将硅片取出，水洗60s，再将硅片放入制绒液中，进行制绒，制绒时间1080s，制绒完成后，清洗，烘干，称量减重，并进行观测反射率及绒面形貌。所得硅片减重0.55g-0.75g，反射率11％左右，金字塔绒面大小在2um-5um。
实施例三
采用季戊四醇、木质素磺酸钠、三乙醇胺及去离子水配制成单晶制绒添加剂，其中季戊四醇的浓度为0.6wt％，木质素磺酸钠的浓度为0.5％，三乙醇胺的浓度为1wt％，然后将配制的制绒添加剂加入到质量分数2wt％的氢氧化钠水溶液中，无醇单晶制绒添加剂与去离子水的质量比为2:100，然后将此制绒液加热到75℃。采用次氯酸，碳酸钠及去离子水配制预处理液，其中次氯酸的浓度为1wt％，碳酸钠的浓度为0.5wt％，将此预处理液加热到70℃。先将面积为156mm×156mm、厚度约为200um的单晶硅片放入预处理溶液中，进行预处理，预处理时间为150s，然后将硅片取出，水洗60s，再将硅片放入制绒液中，进行制绒，制绒时间1200s，制绒完成后，清洗，烘干，称量减重，并进行观测反射率及绒面形貌。所得硅片减重0.55g-0.75g，反射率10.8％左右，金字塔绒面大小在1.5um-5um。
以上说明书中描述的只是本发明的具体实施方式，各种举例说明不对本发明的实质内容构成限制，所属技术领域的普通技术人员在阅读了说明书后可以对以前所述的具体实施方式做修改或变形，而不背离本发明的实质和范围。
Claims (4)
1.一种单晶硅片无醇制绒工艺，其特征在于包括以下步骤：
1)配制预处理液：将质量比为0.1wt％～10wt％的氧化剂，质量比为0.1wt％～5wt％的碱，加入到余量的水中，混合均匀，加热到60℃-80℃；
2)配制制绒添加剂：将0.05wt％～5wt％的季戊四醇，0.1wt％～5wt％的三乙醇胺，0.01wt％～5wt％的木质素磺酸钠，加入到余量的水中，搅拌混合均匀配制成添加剂；
3)配制制绒液：将步骤2)配制的添加剂加入到碱溶液中，混合均匀配制成制绒液，制绒添加剂与碱溶液的质量比为0.1～5:100；
4)将硅片浸入到步骤1)中配制的制绒预处理液中，预处理液温度为60℃-80℃，预处理时间60s～300s；预处理完成后将硅片浸入到去离子水中，水温为室温，水洗时间为60s-300s；水洗完成后加入到步骤3)配制的制绒液中，制绒温度为70℃-90℃，制绒时间600s～1500s。
2.如权利要求1所述的一种单晶硅片无醇制绒工艺，其特征在于：所述的步骤1)中，氧化剂为次氯酸钠、次氯酸及过氧化氢中的一种或几种；所述的碱是稀氢氧化钠、稀氢氧化钾、碳酸钠、碳酸氢钠、氨水及有机碱其中的一种或几种。
3.如权利要求1所述的一种单晶硅片无醇制绒工艺，其特征在于：所述的步骤3)中，所述的碱溶液是质量分数为0.1％-5％的氢氧化钠或氢氧化钾溶液。
4.一种如权利要求1所述的单晶硅片无醇制绒工艺所用到的制绒添加剂，其特征在于：制绒添加剂的组分包括：木质素磺酸钠、季戊四醇、三乙醇胺以及去离子水；各组分质量百分比含量为：季戊四醇0.05wt％-5wt％，三乙醇胺0.1wt％-5wt％，木质素磺酸钠0.01wt％-5wt％，余量为去离子水。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410850205.9A CN104576831B (zh) | 2014-12-31 | 2014-12-31 | 一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410850205.9A CN104576831B (zh) | 2014-12-31 | 2014-12-31 | 一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104576831A CN104576831A (zh) | 2015-04-29 |
| CN104576831B true CN104576831B (zh) | 2016-10-12 |
Family
ID=53092458
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410850205.9A Active CN104576831B (zh) | 2014-12-31 | 2014-12-31 | 一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104576831B (zh) |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105133026A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种低损伤单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105113016A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-02 | 合肥中南光电有限公司 | 一种去油去蜡单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105113015A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-02 | 合肥中南光电有限公司 | 一种低反射率单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105133027A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种小绒面单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105133025A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种高效单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105154984A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-16 | 合肥中南光电有限公司 | 一种易清洗的单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105113014A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-02 | 合肥中南光电有限公司 | 一种除异味单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105113009A (zh) * | 2015-08-21 | 2015-12-02 | 合肥中南光电有限公司 | 一种环保型单晶硅片制绒液及其制备方法 |
| CN105133030A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种长效硅片制绒剂及其制备方法 |
| CN105133031A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种竹叶提取液硅片制绒剂及其制备方法 |
| CN105133028A (zh) * | 2015-08-25 | 2015-12-09 | 合肥中南光电有限公司 | 一种抗菌防霉硅片制绒剂及其制备方法 |
| CN105140348B (zh) * | 2015-09-25 | 2017-01-11 | 山西潞安太阳能科技有限责任公司 | 多晶太阳能电池背部钝化工艺 |
| CN107287597A (zh) * | 2016-03-30 | 2017-10-24 | 杭州聚力氢能科技有限公司 | 单晶硅表面处理用的制绒剂及其制作方法和使用方法 |
| CN107523880A (zh) * | 2016-06-20 | 2017-12-29 | 杭州聚力氢能科技有限公司 | 用于单晶硅制绒后不良片处理的制绒剂及其制作方法和单晶硅制绒后不良片的处理方法 |
| CN107858752A (zh) * | 2017-11-03 | 2018-03-30 | 通威太阳能（安徽）有限公司 | 一种晶硅制绒液及其制备方法 |
| CN108660510A (zh) * | 2018-05-10 | 2018-10-16 | 天津赤霄科技有限公司 | 一种新型单晶硅片制绒添加剂的制造及简单制绒方法 |
| CN111509077B (zh) * | 2019-01-31 | 2022-01-18 | 嘉兴尚能光伏材料科技有限公司 | 单晶硅片制绒方法 |
| CN110257072A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-09-20 | 常州时创能源科技有限公司 | 硅片单面制绒与边缘刻蚀用添加剂及其应用 |
| CN110846721A (zh) * | 2019-10-12 | 2020-02-28 | 湖南理工学院 | 一种含多元醇和peg的单晶硅制绒添加剂配方 |
| CN110922970A (zh) * | 2019-11-29 | 2020-03-27 | 南京纳鑫新材料有限公司 | 一种perc电池背抛光添加剂及工艺 |
| CN116004233A (zh) * | 2022-12-12 | 2023-04-25 | 嘉兴市小辰光伏科技有限公司 | 一种提升硅片绒面均整度的刻蚀添加剂及使用方法 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20120295447A1 (en) * | 2010-11-24 | 2012-11-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Compositions and Methods for Texturing of Silicon Wafers |
| CN102140697A (zh) * | 2010-12-28 | 2011-08-03 | 中国科学院微电子研究所 | 一种基于单晶硅衬底上多孔金字塔结构的制造方法 |
| CN103290484A (zh) * | 2012-02-28 | 2013-09-11 | 靖江市精益化学品有限公司 | 用于单晶硅制绒过程中不补加且无醇的***添加剂 |
| CN103938276A (zh) * | 2013-01-23 | 2014-07-23 | 尚德太阳能电力有限公司 | 一种单晶硅片制绒添加剂、制绒液及对应的制绒方法 |
| CN103451739B (zh) * | 2013-09-04 | 2016-01-20 | 常州时创能源科技有限公司 | 单晶硅片制绒添加剂及其使用方法 |
-
2014
- 2014-12-31 CN CN201410850205.9A patent/CN104576831B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104576831A (zh) | 2015-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104576831B (zh) | 一种单晶硅片无醇制绒工艺及其制绒添加剂 | |
| KR101613541B1 (ko) | 단결정 실리콘 웨이퍼 텍스처링 첨가제 및 그 사용 방법 | |
| CN110396725A (zh) | 一种单晶硅片的制绒添加剂及其应用 | |
| CN102154711A (zh) | 一种单晶硅清洗液及预清洗工艺 | |
| CN102181935B (zh) | 一种制作单晶硅绒面的方法及腐蚀液 | |
| CN106222756A (zh) | 用于金刚线切割单晶硅片制绒的添加剂及其应用方法 | |
| CN103614778A (zh) | 用于单晶硅片的无醇碱性制绒液、制绒方法、太阳能电池片及其制作方法 | |
| CN101851756B (zh) | 单晶硅片碱性制绒液的添加剂及使用方法 | |
| CN102005504A (zh) | 可提高太阳电池转化效率的硅片制绒方法 | |
| CN102108557B (zh) | 一种制备单晶硅绒面的方法 | |
| CN102912451A (zh) | 一种低成本单晶硅片制绒添加剂 | |
| CN107675263A (zh) | 单晶硅金字塔结构绒面的优化方法 | |
| CN108206225B (zh) | 一种单晶硅片制绒剂组合物及其应用 | |
| CN101851757B (zh) | 单晶硅片制绒液的添加剂及使用方法 | |
| CN104562011A (zh) | 多晶硅片的制绒辅助剂及制绒工艺 | |
| CN102787361A (zh) | 一种用于单晶硅制绒液的添加剂 | |
| CN114318549A (zh) | 一种用于弱粗抛工艺的单晶硅制绒添加剂及使用方法 | |
| CN103981575A (zh) | 一种单晶硅片的退火制绒方法 | |
| CN104630900A (zh) | 一种单晶硅太阳能电池表面制绒处理方法 | |
| CN103643289B (zh) | 基于化学刻蚀的单晶硅表面结构及其制备及应用 | |
| CN107034518A (zh) | 一种单晶硅制绒添加剂 | |
| CN102888657A (zh) | 一种晶体硅太阳能电池片制绒剂用添加剂 | |
| CN102912450B (zh) | 一种单晶硅制绒添加剂 | |
| CN107964685A (zh) | 一种单晶硅片的制绒方法 | |
| CN102330155B (zh) | 一种单晶硅片制绒助剂及制造和使用方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| CB02 | Change of applicant information |
Address after: 213000 No. 99 Yang Hu Road, Wujin hi tech Industrial Development Zone, Jiangsu, Changzhou Applicant after: Jiangsu Shunfeng Photovoltaic Technology Co., Ltd. Address before: 213169, Jiangsu province Changzhou city Wujin District snow town industrial concentration area Applicant before: Jiangsu Shunfeng Photovoltaic Technology Co., Ltd. |
|
| COR | Change of bibliographic data | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant |