CN104576830A - 一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液、制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液，所述制绒处理液包括第一处理液和第二处理液A或B，第一处理液为氢氟酸、双氧水、金属盐和水的混合溶液，所述处理液A包括硝酸和强碱，所述处理液B为硝酸、氢氟酸和水的混合溶液。本发明还提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，采用所述预处理液在所述硅片的表面进行处理，形成均匀的损伤层，得到制绒预处理硅片。本发明还提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，对所述制绒预处理硅片进行常规制绒处理，在所述硅片表面形成均匀、低反射率的绒面，得到金刚线切割多晶硅片制绒产品。本发明还提供了一种制绒预处理硅片和金刚线切割多晶硅片制绒产品。
Description
技术领域
本发明属于多晶硅片制绒技术领域，具体涉及一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液、制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用。
背景技术
硅晶片广泛应用在光伏太阳能、液晶显示和半导体领域，因此采用切割硅块制得硅片的技术也得以发展。目前光伏行业所用晶体硅片的切割主要采用砂浆多线切割技术，但是该技术存在切割工艺效率低下、成本高、切割后废砂浆的排放污染大等问题。相比之下，固体磨料金刚石线锯切割(简称金刚线切割)技术具有切割速度快、切割精度高、材料损耗低、硅片加工成本低、环境清洁等特点，受到了越来越多的关注。
在太阳能电池生产过程中，硅片表面制绒是一道关键工序。目前多晶硅片多是采用酸制绒，它利用硅片表面的损伤层进行各向同性腐蚀，形成高低不平的表面，降低硅片表面反射率，从而提高太阳能电池光电转化效率。
常规砂浆切割的多晶硅片的表面损伤层较均匀，约为10-11μm，表面无明显的线痕(如图1所示)，经RENA工艺制绒工艺，即HF-HNO3-H2O酸制绒，可得到整面腐蚀均匀的绒面(如图2所示)；但金刚线切割多晶硅片的表面损伤层较浅，约为5～6μm，它的损伤以部分小深孔损伤为主，表面密布光滑切割线痕(如图3所示)；如果按正常的多晶硅片的RENA制绒工艺，形成的绒面非常不规则且较浅，还可见明显的线痕纹理(如图4所示)，反射率大大高于正常硅片水平，其电池转化效率也比较低，使该新型切割工艺硅片无法大规模生产。
因此，有必要开发出能与金刚石切割多晶硅片相配套的制绒工艺，使后续电池制作工序能依照目前现有工序进行。
发明内容
针对金刚石线切割多晶硅片在电池制作过程中运用现有RENA制绒工艺无法形成均匀、低反射率的绒面，本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液、制绒预处理方法和制绒预处理硅片及其应用。
第一方面，本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液，所述制绒处理液包括第一处理液和第二处理液，第一处理液为氢氟酸、双氧水、金属盐和水的混合溶液，其中，氢氟酸、双氧水、水的体积比为1-5:10-15:5-10，所述第一处理液中，金属离子的摩尔浓度为5-100μmol/L；
第二处理液包括第二处理液A或第二处理液B，所述第二处理液A包括硝酸和强碱，其中，硝酸的质量浓度为5-30％，强碱的质量浓度为1-10％，所述第二处理液B为硝酸、氢氟酸和水的混合溶液，其中，硝酸、氢氟酸与水的体积比10-50：0.1-5：50-150。
优选地，所述第一处理液中，金属盐包括硝酸铜、硝酸银、硝酸钯、氯化铜、氯金酸和氯铂酸中的一种。
更优选地，所述第一处理液中，金属盐为硝酸银。
优选地，所述第一处理液中，金属离子的摩尔浓度为10-30μmol/L。
优选地，所述第一处理液中，氢氟酸、双氧水、水的体积比为2-4:12-14:6-9。
如本发明所述，如无特殊说明，上述化学品均指市售药品，质量分数分别为：氢氟酸为49％，双氧水为30％。所述质量分数，是指在未混合形成处理液前，氢氟酸、双氧水自身的质量百分比浓度。
本发明所述制绒预处理液配比简单，成本低，所述制绒预处理液可用于处理金刚线切割多晶硅片，得到均匀的损伤层。
第二方面，本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，包括如下步骤：
(1)配制第一、第二处理液：
将氢氟酸、双氧水、金属盐和水混合，得到第一处理液，其中，氢氟酸、双氧水、水的体积比为1-5:10-15:5-10，所述第一处理液中，金属离子的摩尔浓度为5-100μmol/L；
分别配制硝酸和强碱溶液，得到第二处理液A，其中，硝酸的质量浓度为5-30％，强碱的质量浓度为1-10％；将硝酸、氢氟酸和水混合，得到第二处理液B，其中，硝酸、氢氟酸与水的体积比10-50：0.1-5：50-150；
(2)预处理：
a.制备多孔硅结构：
取金刚线切割的多晶硅片进行清洗，之后置于所述第一处理液中进行预处理，处理温度为10-50℃，处理时间为2-10min，得到多孔结构的多晶硅片；
b.修饰多孔结构：
取步骤(a)所述多孔结构的多晶硅片，置于所述第二处理液A或第二处理液B中，在常温下进行表面多孔结构的修饰，修饰时间为2-12min，得到多孔结构修饰后的多晶硅片，即制绒预处理多晶硅片。
如本发明所述，如无特殊说明，上述化学品均指市售药品，质量分数分别为：氢氟酸为49％，硝酸约为69％，双氧水为30％，盐酸37％。
如本发明所述，步骤(a)中，所述清洗，是采用浓度为5-20％的稀HF溶液进行清洗，去除硅片表面的油污及氧化层。
如本发明所述，步骤(1)所述第一处理液中，金属盐为金属活动性在H后的金属的可溶性盐。
优选地，步骤(1)所述第一处理液中，金属盐包括硝酸铜、硝酸银、硝酸钯、氯化铜、氯金酸和氯铂酸中的一种。
更优选地，所述第一处理液中，金属盐为硝酸银。
优选地，步骤(1)所述第一处理液中，金属离子的摩尔浓度为10-30μmol/L。
优选地，步骤(1)所述第一处理液中，氢氟酸、双氧水、水的体积比为2-4:12-14:6-9。
更优选地，步骤(1)所述第一处理液中，金属离子的摩尔浓度为15μmol/L。
更优选地，步骤(1)所述第一处理液中，氢氟酸、双氧水、水的体积比为3:13:8。
本发明在步骤(a)中，是在多晶硅片表面采用金属辅助化学刻蚀技术制备多孔结构的硅片。
现有技术中，金属辅助催化化学腐蚀制备多孔硅，通常是分两步进行，首先在硅片上采用磁控溅射法、热蒸发法等方法沉积重金属颗粒或者是金属薄膜层，然后将硅片放在氢氟酸和氧化剂的混合溶液中腐蚀，但是腐蚀制备多孔硅分步进行，操作较繁琐。
而本发明在步骤(a)中，采用一步金属辅助化学刻蚀技术制备多孔结构的硅片，无需先制备金属颗粒。即硅在银、铜等金属离子的辅助作用下在HF/H2O2体系中进行化学反应，反应过程不受硅片表面损伤情况等因素的影响，因此可在硅片表面形成多孔硅结构，得到初步的化学损伤层。
在该方法中，金属粒子具有催化作用，催化的产生是硅表面局部存在电化学反应，其中H2O2和部分金属离子作阴极，H2O2+2H++2e-→2H2O，同时金属离子变成金属单质颗粒；而暴露的硅作为阳极，在硅表面沉积的金属颗粒会聚集氧化性的离子，从这里优先引发氧化反应开始，Si+2H2O→SiO2+4H++4e-；
SiO2+6HF→H2SiF6+2H2O；Si+6HF→H2SiF6+4H++4e-；
总反应为Si+H2O2+6HF→H2SiF6+4H2O。
后续的反应过程，金属离子并不参加反应，反应的产物不断被氢氟酸运走，随着反应的进行，在重力作用下不断下沉到孔洞底部，最后形成多孔硅结构。
金属辅助催化化学腐蚀制备多孔硅时，所需要的多孔硅的孔径最好在0.1-2μm，然而不可避免的，会出现不同大小的孔结构，通常包含大孔硅、介孔硅及纳孔硅部分。大孔硅的孔径尺寸在微米级，呈孔状和柱状结构，介孔硅的孔径尺寸在10-500nm，纳孔硅的孔径在几个纳米左右，由随机分布的纳米尺度的Si晶粒组成，它有大的比表面积以及很高的化学活性。然而多孔硅中若存在大量的纳孔硅，将会导致后续的硅片绒面中也会残留纳孔结构，这些纳孔会在电池中可俘获载流子，导致硅电池的电阻增大、电流下降，影响电池的转换效率。因此，需要对纳孔硅进行修饰、去除。
基于纳孔硅比表面积大，化学活性高，所以当多孔结构的多晶硅片与碱液或HNO3/HF反应时，通过控制第二处理液的浓度及反应时间，可优先将纳孔硅去除，得到多孔结构修饰后的多晶硅片。
优选地，步骤(1)所述第二处理液A中，所述强碱为KOH或NaOH。
优选地，步骤(1)所述第二处理液A中，硝酸的质量浓度为10-20％，强碱的质量浓度为3-8％。
更优选地，步骤(1)所述第二处理液A中，硝酸的质量浓度为10％，强碱的质量浓度为5％。所述质量分数，是指在未混合形成处理液前，硝酸、强碱自身的质量百分比浓度。
优选地，步骤(1)所述第二处理液B中，硝酸、氢氟酸与水的体积比20-40：0.5-3：80-120。
更优选地，步骤(1)所述第二处理液B中，硝酸、氢氟酸与水的体积比30：1：100。
优选地，所述步骤(a)中，处理温度为20-34℃，处理时间为4-8min。
更优选地，所述步骤(a)中，处理温度为34℃，处理时间为4min。
优选地，所述步骤(b)中，修饰时间为4-10min。
如本发明所述，在第二步预处理中，即步骤(b)修饰多孔硅结构时，所述第二处理液A、B中，均含有硝酸，硝酸的作用是将硅表面残留的铜、银等金属颗粒进行氧化，得到可溶性的金属离子，便于通过酸液、去离子水冲洗掉。
优选地，当使用第二处理液A时，先在所述第二处理液A的硝酸溶液中处理，再在所述第二处理液A的强碱溶液中处理。
本发明所述金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法简单，操作性强，处理时间短，该制绒预处理方法能与金刚石切割的多晶硅片相配套，且与现有硅片制绒工艺有很好的兼容性。经过制孔-孔修饰两步预处理得到的多晶硅片具有均匀的化学损伤层，再利用常规的酸制绒工艺，可得到整面腐蚀均匀的绒面。
第三方面，本发明提供了一种制绒预处理硅片，所述制绒预处理硅片是采用本发明第二方面所述的制绒预处理方法制得。
本发明先通过一步金属辅助化学刻蚀技术在金刚线切割多晶硅片表面形成多孔结构，再对多孔结构进行修饰，得到制绒预处理硅片，硅片表面金刚线切割所致的密布线痕得到平坦化，形成一层均匀的损伤层。所述制绒预处理硅片，可直接采用现有RENA制绒工艺进行处理，得到具有整面腐蚀均匀的绒面。
第四方面，本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，所述制绒方法，包括本发明第二方面所述的制绒预处理方法，在所述制绒预处理方法之后，进一步包括常规制绒。
如本发明所述的，所述常规酸制绒是采用硝酸、氢氟酸和水的混合溶液进行制绒处理。
如本发明所述的，所述常规制绒工艺的酸配方为：硝酸、氢氟酸和水的体积比5-15：1-5：5-10，制绒温度为5-10℃，时间为90-150s，硅片酸制绒工艺的化学反应式为：
4HNO3+3Si＝SiO2+4NO2+2H2O；SiO2+HF＝H2SiF6+2H2O；
H2SiF6用溶于水，在硅片表面形成虫孔状绒面；再在室温下，用质量浓度5％的KOH溶液处理25-40s，去除硅片表面的多孔硅，再经过去离子水冲洗掉表面残留的碱液；最后用HF与HCl的混合溶液处理多晶硅片50-90s，其中氢氟酸、盐酸与水的体积比为3：5：12，除去硅片表面的各种金属离子杂质等，并用去离子水冲洗酸性表面。
所述金刚线切割多晶硅片的制绒方法简单，操作性、实用性强，该制绒方法与现有电池制造工艺有很好的兼容性。
第五方面，本发明提供了一种金刚线切割多晶硅片制绒产品，所述金刚线切割多晶硅片制绒产品是采用本发明第四方面所述的制绒方法制得。
所述金刚线切割多晶硅片制绒产品的绒面均匀，反射率低，可按照常规电池制程工序(包括扩磷-去边-沉积减反射膜等)，将所述硅片制绒产品制作成光伏电池，使金刚线切割的多晶硅片的电池效率不受影响，从而推动金刚线切割硅片技术的应用。
与现有技术相比，本发明具有以下有益效果：
(1)所述金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液的配比简单，成本低；
(2)所述金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法简单，操作性强，处理时间短，该制绒预处理方法与现有硅片制绒工艺有很好的兼容性；
(3)所述制绒预处理硅片的表面具有一层均匀的损伤层，金刚线切割所致的密布线痕得到平坦化；
(4)所述金刚线切割多晶硅片的制绒方法简单，操作性、实用性强，该制绒方法与现有电池制造工艺有很好的兼容性，推动了金刚线切割技术的快速应用；
(5)本发明所述金刚线切割多晶硅片制绒产品，其绒面均匀，反射率比常规制绒后的金刚线切割多晶硅片低4-6％左右，最终制成的电池光电转换效率比金刚线切割的多晶硅片经过常规制绒工艺得到的电池高0.2-0.3％。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为普通钢线切割的多晶硅片的表面扫描电镜(SEM)图；
图2为普通钢线切割的多晶硅片经常规制绒后的SEM图；
图3为金刚线切割的多晶硅片的SEM图；
图4为金刚线切割的多晶硅片经常规制绒后的SEM图；
图5为本发明实施例1中经第一处理液处理后的多晶硅片的SEM图；
图6为本发明实施例1中制绒预处理多晶硅片的SEM图；
图7为本发明实施例1中金刚线切割多晶硅片制绒产品的绒面SEM图。
具体实施方式
下面将对本发明的技术方案进行清楚、完整地描述。显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，包括如下步骤：
(1)配制第一、第二处理液：
将氢氟酸、双氧水、硝酸银和水混合，得到第一处理液，其中，银离子的摩尔浓度为15μmol/L，氢氟酸、双氧水、水的体积比为3：13：8，氢氟酸的质量浓度为49％，双氧水的质量浓度为30％；
分别配制硝酸和强碱溶液，得到第二处理液A，其中，硝酸的质量浓度为10％，强碱的质量浓度为5％；
(2)预处理：
a.制备多孔硅结构：
取金刚线切割的多晶硅片，用浓度为10％的稀HF溶液进行清洗，去除硅片表面的油污及氧化层，之后将硅片置于所述第一处理液中进行预处理，处理温度为35℃，处理时间为5min，并用去离子水冲淋2min，得到多孔结构的多晶硅片；
b.修饰多孔结构：
取步骤(a)所述的多孔结构的多晶硅片，置于所述第二处理液A中，先在10％的硝酸溶液中常温处理5min，之后用去离子水冲洗2min，再在5％的KOH溶液中常温处理4min，之后再用去离子水冲洗2min，得到多孔结构修饰后的多晶硅片，即制绒预处理多晶硅片。
取经上述预处理方法处理得到的制绒预处理多晶硅片，进行如下常规制绒处理：
配制混合酸溶液，常规制绒工艺的酸配方为：硝酸、氢氟酸、水的体积比9：3：7，在上述混合酸溶液中进行制绒，制绒温度为8℃，时间为120s；
再用质量浓度5％的KOH溶液常温处理25-40s，去除硅片表面的纳孔硅，最后采用氢氟酸与盐酸的混合溶液(氢氟酸、盐酸与水的体积比为3：5：12)处理50-90s，除去硅片表面的各种金属离子杂质，得到制绒后的金刚线切割多晶硅片，即金刚线切割多晶硅片制绒产品。
本实施例中，氢氟酸的质量浓度为49％，硝酸的质量浓度为69％，盐酸的质量浓度为37％，均指的是未混合前的浓度。
图5为本发明实施例1中经第一处理液处理后的多晶硅片的SEM图，从图5中可以看出，金刚线切割的多晶硅片，经过金属辅助湿法化学刻蚀后，形成了多孔结构的硅片，其表面能明显观察到介孔、大孔结构，但仍能有很多细小的纳孔；但在经第二处理液处理后，得到制绒预处理多晶硅片，从图6的SEM图看，其表面的纳孔结构消失，得到修饰后的多晶硅片，具有均匀的化学损伤层，损伤层的厚度为5-6μm。
图7为金刚线切割的多晶硅片经本实施例1的制绒工艺(致孔—孔修饰—常规制绒)处理后得到的金刚线切割多晶硅片制绒产品的绒面SEM图，从图7可以看出，所述多晶硅片制绒产品的绒面大小分布均匀，绒面呈圆形。并对所得硅片的反射率进行了测定，在400nm-1000nm波段下的平均反射率为24％。将上述制绒后的金刚线切割的多晶硅片制成电池，测得该电池的效率为17.95％。
对比实施例1
为了突出本发明的制绒工艺的效果，作为对比，取金刚线切割的多晶硅片，用浓度为10％的稀HF溶液进行清洗，去除硅片表面的油污及氧化层，之后将清洗后的多晶硅片只采用常规制绒工艺进行处理(同实施例1中的常规制绒步骤)，得到制绒后的多晶硅片。
采用扫描电镜观察常规制绒工艺处理后的金刚线切割多晶硅片，其绒面结构如图4所示，从图4可看出，绒面较浅，形状非常不规则，有的呈虫孔状，还可见明显的线痕纹理。并对硅片的反射率进行了测定，在400nm-1000nm波段下的平均反射率为29％，说明硅片的陷光作用大大降低。
将上述只经过常规制绒处理的金刚线切割的多晶硅片制成电池，测得该电池的效率为17.66％。
实施例2
一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，包括如下步骤：
(1)配制第一、第二处理液：
将氢氟酸、双氧水、硝酸银和水混合，得到第一处理液，其中，银离子的摩尔浓度为15μmol/L，氢氟酸、双氧水、水的体积比为3：13：8，氢氟酸的质量浓度为49％，双氧水的质量浓度为30％；
将硝酸、氢氟酸和水混合，得到第二处理液B，其中，硝酸、氢氟酸与水的体积比30：1：100；
(2)预处理：
a.制备多孔硅结构：
取金刚线切割的多晶硅片，用浓度为10％的稀HF溶液进行清洗，去除硅片表面的油污及氧化层，之后将硅片置于所述第一处理液中进行预处理，处理温度为34℃，处理时间为5min，并用去离子水冲淋2min，得到多孔结构的多晶硅片；
(2)修饰多孔结构：
取步骤(a)所述的多孔结构的多晶硅片，置于所述第二处理液B中，在常温下处理4min，之后再用去离子水冲洗2min，得到多孔结构修饰后的多晶硅片，即制绒预处理多晶硅片。
取经上述预处理方法处理得到的制绒预处理多晶硅片，进行如下常规制绒处理：
配制混合酸溶液，常规制绒工艺的酸配方为：硝酸、氢氟酸、水的体积比9：3：7，在上述混合酸溶液中进行制绒，制绒温度为8℃，时间为90-150s；再用质量浓度5％的KOH溶液常温处理25-40s，去除硅片表面的纳孔硅，最后采用氢氟酸与盐酸的混合溶液(氢氟酸、盐酸与水的体积比为3：5：12)处理50-90s，除去硅片表面的各种金属离子杂质，得到制绒后的金刚线切割多晶硅片，即金刚线切割多晶硅片制绒产品。
对本实施例2所得金刚线切割多晶硅片制绒产品的反射率进行了测定，在400nm-1000nm波段下的平均反射率为24.5％。之后将上述金刚线切割多晶硅片制绒产品制成电池，测得该电池的效率为17.91％。
其他实施例
按实施例2所述的技术方案，对实施例3-6中金刚线切割的多晶硅片进行制绒，只是具体参数略有不同，请参见表1，之后对制绒后的硅片(即金刚线切割多晶硅片制绒产品)进行了反射率的测定，并将多晶硅片制成电池，对电池的效率进行测试，详见表1。
按实施例1所述的技术方案，对实施例7-10中金刚线切割的多晶硅片进行制绒，只是具体参数略有不同，请参见表1，之后对制绒后的硅片(即金刚线切割多晶硅片制绒产品)进行了反射率的测定，并将多晶硅片制成电池，对电池的效率进行测试，详见表1。
表1
以上对本发明做了详尽的描述，其目的在于让熟悉此领域技术的人士能够了解本发明的内容并加以实施，并不能以此限制本发明的保护范围，凡根据本发明的精神实质所作的等效变化或修饰，都应涵盖在本发明的保护范围内。
Claims (12)
1.一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理液，其特征在于，包括第一处理液和第二处理液，所述第一处理液为氢氟酸、双氧水、金属盐和水的混合溶液，其中，氢氟酸、双氧水、水的体积比为1-5:10-15:5-10，所述第一处理液中，金属离子的摩尔浓度为5-100μmol/L；
所述第二处理液包括第二处理液A或第二处理液B，所述第二处理液A包括硝酸和强碱，其中，硝酸的质量浓度为5-30％，强碱的质量浓度为1-10％，所述第二处理液B为硝酸、氢氟酸和水的混合溶液，其中，硝酸、氢氟酸与水的体积比10-50：0.1-5：50-150。
2.如权利要求1所述的制绒预处理液，其特征在于，所述第一处理液中，金属盐包括硝酸铜、硝酸银、硝酸钯、氯化铜、氯金酸和氯铂酸中的一种。
3.一种金刚线切割多晶硅片的制绒预处理方法，其特征在于，包括如下步骤：
(1)配制第一、第二处理液：
将氢氟酸、双氧水、金属盐和水混合，得到第一处理液，其中，氢氟酸、双氧水、水的体积比为1-5:10-15:5-10，所述第一处理液中，金属离子的摩尔浓度为5-100μmol/L；
分别配制硝酸和强碱溶液，得到第二处理液A，其中，硝酸的质量浓度为5-30％，强碱的质量浓度为1-10％；将硝酸、氢氟酸和水混合，得到第二处理液B，其中，硝酸、氢氟酸与水的体积比10-50：0.1-5：50-150；
(2)预处理：
a.制备多孔硅结构：
取金刚线切割的多晶硅片进行清洗，之后置于所述第一处理液中进行预处理，处理温度为10-50℃，处理时间为2-10min，得到多孔结构的多晶硅片；
b.修饰多孔结构：
取步骤(a)所述多孔结构的多晶硅片，置于所述第二处理液A或第二处理液B中，在常温下进行表面多孔结构的修饰，修饰时间为2-12min，得到多孔结构修饰后的多晶硅片，即制绒预处理多晶硅片。
4.如权利要求3所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(1)所述第一处理液中，金属离子的摩尔浓度为10-30μmol/L。
5.如权利要求3所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(1)所述第一处理液中，氢氟酸、双氧水、水的体积比为2-4:12-14:6-9。
6.如权利要求3所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(1)所述第二处理液A中，硝酸的质量浓度为10-20％，强碱的质量浓度为3-8％。
7.如权利要求3所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(1)所述第二处理液A中，所述强碱为KOH或NaOH。
8.如权利要求3所述的制绒预处理方法，其特征在于，步骤(1)所述第二处理液B中，硝酸、氢氟酸与水的体积比20-40：0.5-3：80-120。
9.如权利要求3所述的制绒预处理方法，其特征在于，所述步骤(a)中，处理温度为20-34℃，处理时间为4-8min。
10.一种制绒预处理硅片，其特征在于，所述制绒预处理硅片是按权利要求3-9所述的制绒预处理方法制得。
11.一种金刚线切割多晶硅片的制绒方法，其特征在于，包括如权利要求3-9所述的制绒预处理方法，在所述制绒预处理方法之后，进一步包括常规制绒。
12.一种金刚线切割多晶硅片制绒产品，其特征在于，所述金刚线切割多晶硅片制绒产品是按权利要求11所述的制绒方法制得。
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