CN104538331B - 一种晶圆翘曲处理的装置及方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供了一种晶圆翘曲处理的装置，包括承载台1，发生翘曲的晶圆2位于承载台1之上；位于承载台1上的密封装置3，密封装置3与承载台1上下对扣密封形成密封腔4。密封腔4内充有惰性气体或者氮气。密封装置3上安装有气体输入装置6。承载台1下部设有气体抽取装置9，气体抽取装置9与承载台1连通。密封装置3顶部设置有移动手臂11。本发明还提供了一种晶圆翘曲处理方法，包括以下步骤：将晶圆至于承载台上；基于承载台形成密封环境；利用气体对晶圆上表面施加压力。本发明的晶圆翘曲处理装置的结构简单实用；通过气体的输入和抽取能够提高晶圆对承载台的吸附力度。
Description
技术领域
本发明涉及一种半导体晶圆的制造装置和方法，具体涉及一种晶圆翘曲处理的装置和方法。
背景技术
集成电路生产制造过程中翘曲是普遍存在的现象，特别是在后道工序中经常会遇到发生翘曲的晶圆。高温下的硅片会因本身的重力或温度梯度、降温方式产生的热应力引起位错在滑移面滑移，晶圆的少量位错和高温处理过程中产生的大量位错的滑移和运动造成了硅片的塑性变形。如附图1所示，正常吸附的晶圆会紧贴在吸附台上，翘曲量大的晶圆将导致吸附不牢甚至毫无吸附。而一旦遇到翘曲晶圆无法正常吸附的情况，工艺过程将很难继续进行下去，晶圆的翘曲给复杂线路图形的光刻工艺带来困难，试验表明，超过10微米的翘曲使得3微米线宽工艺难以进行。
业界目前虽致力于解决吸附问题，但是也会经常遇到承载台无法正常吸附的情况，典型的情况就是光刻机的承载台由于平整度要求极高，翘曲量大的晶圆就无法被正常吸附。
目前有部分技术致力于解决上述晶圆翘曲的问题。例如，申请号为CN201210239663.X的中国专利中公开了一种防止晶圆翘曲变形的方法，包括以下步骤：步骤一，在晶圆上沉积氧化层并涂布光刻胶；晶圆为可能会发生翘曲变形的晶圆；步骤二，对光刻胶进行曝光、显影，暴露出晶圆划片槽区域上方的氧化层；所暴露的划片槽区域是划片槽的一部分；或者是整个划片槽。步骤三，进行离子注入，离子穿过划片槽区域上方的氧化层，注入到硅片；注入离子的类型是氧离子、氮离子、碳离子中的一种或其中几种的组合。步骤四，去除光刻胶和氧化层；步骤五，对经过离子注入的晶圆进行高温退火工艺，使所注入的离子在划片槽内均匀分布，并修复硅的表面损伤。该技术方案对划片槽区域进行离子注入，在进行各种工艺之前对可能会发生翘曲变形的晶圆进行处理，能够防止后续工艺过程中晶圆发生翘曲变形。然而，该技术使用了离子溅射，由于气体需要离子化，除了成本高之外，其更大程度地是解决针对硅片表面损伤而产生的翘曲，该技术只是对进行各种工艺之前对可能会发生翘曲变形的晶圆表面的损伤进行修复进行处理。
又例如，申请号为CN201210480122.6的专利申请中公开了一种用于调整晶圆翘曲的方法和装置，其技术方案为提供具有中心部分和边缘部分的晶圆；提供其上具有用于保持晶圆的保持区的保持台；将晶圆放置在所述保持台上，其中中心部分高于边缘部分；将晶圆按压到保持区上，使得晶圆通过自吸力而吸引并保持在保持台上；以及根据晶圆的翘曲量，以预定温度和预定时间加热晶圆，从而实现基本平坦的晶圆。其公开了通过空气压力作用使得晶圆变得平坦，但并没有考虑到在这一过程中，使用自然空气将带来一系列的问题，空气中各中气体成分将对晶圆的表面造成物理和化学的损伤；另一方面，其也未考虑压力的大小对晶圆的影响，也没考虑到气体试压的过程对晶圆贴合的影响，例如，过快的施压将导致晶圆被吹跑，过慢的施压将导致晶圆下方的空气排不尽。
综上所述，目前还没有能够完全解决半导体制造中硅片的翘曲和变形问题的方法。
发明内容
为克服现有技术中存在的上述技术问题，本发明提供了一种晶圆翘曲处理的装置，包括承载台1，发生翘曲的晶圆2位于承载台1之上；其特征在于，还包括：位于承载台1上的密封装置3，密封装置3与承载台1上下对扣密封形成密封腔4。可选地，密封腔4内充有惰性气体或者氮气。所述密封装置3由金属材料制成。密封装置3为与承载台1相配套的形状，其内尺寸大于晶圆2的直径。进一步，密封装置3与承载台1的对扣处设置有密封组件5。所述密封组件5为O形橡胶圈。所述密封组件5固定设置在承载台1之上，固定组件5上部开设有与密封装置3对应的凹槽51。更进一步，所述密封组件5固定设置在密封装置3的下沿，密封组件5下部开设有与密封装置3对应的凹槽52，承载台1上设有与凹槽52相对应的卡槽11。
优选地，所述密封装置3上安装有气体输入装置6，所述气体输入装置6下部设置有气体喷嘴61。所述输入装置6穿过密封装置3的顶部往下延伸到密封腔4内。
另一可选的实施方式中，所述气体输入装置6设置在密封装置3的侧壁顶部。所述气体输入装置6至少为一个，沿密封装置3的侧壁顶部均匀分布。
更进一步，密封装置3内设有气体引导板8，气体引导板8与密封装置3的连接处低于气体输入装置6的气体喷嘴。所述引导板8从密封装置周沿往密封腔4内延伸，呈倒喇叭状或者呈倒圆锥筒状，其下部的开口位于圆片2的中央上方。引导板8将密封腔4隔离两个腔。
更为优选地，所述承载台1下部设有气体抽取装置9，气体抽取装置9与承载台1连通。所述密封装置3顶部设置有移动手臂11。
本发明还提供了一种晶圆翘曲处理的装置，包括承载台1，发生翘曲的晶圆2位于承载台1之上；其特征在于，承载台1上设置有侧壁12，侧壁12上设有与之配套的上腔盖板13，所述上腔盖板13上有气体输入装置6。优选地，所述侧壁12与承载台1一体成型，上腔盖板13连接有移动手臂11。所述承载台1下部设有气体抽取装置9，气体抽取装置9与承载台1连通。所述气体输入装置6设置在承载台1上的侧壁12上。所述气体输入装置6至少为一个。更进一步，所述侧壁12上设有气体引导板，气体引导板与侧壁的连接处低于气体输入装置6的气体喷嘴；引导板从密封装置周沿往密封腔内延伸，呈倒喇叭状或者呈倒圆锥筒状，其下部的开口位于圆片2的中央上方。
本发明还提供了一种晶圆翘曲处理方法，包括以下步骤：将晶圆至于承载台上；基于承载台形成密封环境；利用气体对晶圆上表面施加压力。所述密封环境为右密封装置3与承载台1上下对扣密封形成的密封腔4；所述气体为惰性气体或者氮气。所述利用气体对晶圆上表面施加压力为，密封装置3上的气体输入装置6通过设置在其下部的气体喷嘴61往密封腔4内注入气体7；所述气体输入装置6可以是一个，也可以是多个。所述气体输入装置6设置在密封装置3的侧壁顶部。优选地，所述利用气体对晶圆上表面施加压力为二次加压，第一次加压为充气加压为：气体输入装置6的气体喷嘴61喷出气体7，气体7经过气体引导板8的引导，从引导板8的下开口处对晶圆2的上表面施加一定的压力N；第二次加压为：气体7被注入到密封腔4后，经过引导板8的引导从其下开口处对晶圆2施加压力后，气体7继续往晶圆2的周边流动，并继续由内向外对晶圆2施加压力。
此外，在步骤基于承载台形成密封环境之前，还包括：通过承载台1下方的气体抽取装置9进行空气抽取。可选地，在步骤基于承载台形成密封环境之后还包括：通过承载台1下方的气体抽取装置9进行空气抽取。
与现有技术相比，本发明的有益效果是：本发明的晶圆翘曲处理装置的结构简单实用；通过气体的输入能够提高晶圆对承载台的吸附力度，气体加压的方式合理高效，可避免人工操作带来的各方面风险，而最终可将无法继续进行正常工艺的翘曲圆片得以完成工艺。
附图说明
图1为正常吸附的晶圆及翘曲量大的晶圆在吸附台上吸附情况的示意图；
图2为本发明晶圆翘曲处理装置的第一实施方式结构图；
图3为本发明晶圆翘曲处理装置的密封结构图；
图4为本发明晶圆翘曲处理装置的第二密封结构图；
图5为本发明晶圆翘曲处理装置的第三密封结构图；
图6为本发明晶圆翘曲处理装置的气体输入示意图；
图7为本发明晶圆翘曲处理装置的气体输入的第二示意图；
图8为本发明晶圆翘曲处理装置的气体输入的第三示意图；
图9为本发明晶圆翘曲处理装置的气体输入第三示意图；
图10为本发明晶圆翘曲处理装置的气体抽取结构示意图；
图11为本发明晶圆翘曲处理装置的移动手臂结构示意图；
图12为本发明晶圆翘曲处理装置的移动手臂。
具体实施方式
以下结合附图和实施例，对本发明进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体实施例仅用以解释本发明，并不用于限定本发明。
在本发明的第一实施方式中，提供了一种晶圆翘曲处理的装置。如图2所示，其包括承载台1，发生翘曲的晶圆2位于承载台1之上，密封装置3位于承载台上，与承载台1上下对扣密封形成密封腔4。密封腔4内充有惰性气体或者氮气。
更进一步，上述密封装置3由金属材料制成，例如钢或者铜，能够承受一定气压。密封装置3为与承载台1相配套的形状，其内尺寸大于晶圆2的直径，能够盖住晶圆2。例如，承载台1为圆形，则密封装置3为圆形，其内径大于晶圆2的直径。在另一可选的实施方式中，密封装置3也可以是与承载台1不相配套的形状，只要其内尺寸大于晶圆2的直径，能够盖住晶圆2即可。例如，承载台1为圆形，则密封装置3为可以是方形，其开口部的任意一边长大于晶圆2的直径；或者承载台1为方形，则密封装置3为可以是圆形，其内径大于晶圆2的直径。
在本发明的第二实施方式中，对第一实施方式进行了改进。如图3所示，体现在：密封装置3与承载台1的对扣处采用密封组件5进行密封，优选地，所述密封组件5为O形橡胶圈，更为优选地，密封组件5为O形橡胶圈。可选地，所述密封组件5固定设置在承载台1之上，固定组件5上部开设有与密封装置3对应的凹槽51，如图4所示，工作时密封组件3的下沿***到凹槽51内，进一步加强密封的效果。
在另一个可选的实施方式中，密封组件5固定设置在密封装置3的下沿，密封组件5下部开设有与密封装置3对应的凹槽52，承载台1上设有与凹槽52相对应的卡槽11，如图5所示，工作时密封组件3的下沿的凹槽51与承载台1上的卡槽11紧扣，进一步加强密封的效果。
在本发明更为优选实施方式中，对上述实施方式做了进一步改进。如图6所示，所述密封装置3上安装有气体输入装置6，所述气体输入装置6可通过设置在其下部的气体喷嘴61往密封腔4内注入气体7。所述气体7为惰性气体或者氮气，最为优选地，气体7为氮气。
关于上述气体输入装置6的设置方式存在多种实现形式，附图6中示意了在密封装置3的顶部安装气体输入装置6的情形，而事实上，附图7所示的设置方式将更为优选。参照附图7，输入装置6穿过密封装置3的顶部往下延伸，通过设置在其下部的气体喷嘴61往密封腔4内注入气体。因为输入装置6设置在密封装置3顶部中央，并往下延伸接近晶圆，在注入气体7时，气体7将对晶圆2的上表面施加一定的压力N，使得晶圆2的中央部分先贴合承载台1而避免喷嘴61喷入的气流过快而致使晶圆2被吹离承载台1。
附图8示出了另一种气体输入装置的结构图。在该实施方式中，气体输入装置6设置在密封装置3的侧壁顶部。所述气体输入装置6可以是一个，也可以是多个，例如附图8的左上部分示意了4个气体输入装置6的实施方式，而附图8的右上部分示意了8个气体输入装置6的实施方式。当密封装置3侧壁顶部安装有多个气体输入装置6时，多个气体输入装置6可以沿密封装置3的侧壁顶部均匀分布，例如，当密封装置3为圆形时，多个气体输入装置6可以在圆周上等角度间隔分布；当密封装置3为方形时，气体输入装置6可以是4个或者4的倍数个，分别均匀分布在方形的各条边上。密封装置3内设有气体引导板8，气体引导板与密封装置3的连接处低于气体输入装置6的气体喷嘴。引导板8从密封装置周沿往密封腔4内延伸，呈倒喇叭状，或者呈倒圆锥筒状，其下部的开口位于圆片2的中央上方。气体输入装置6的气体喷嘴61喷出气体7，气体7经过气体引导板8的引导，从引导板8的下开口处对晶圆2的上表面施加一定的压力N，使得晶圆2的中央部分先贴合承载台1而避免喷嘴61喷入的气流过快而致使晶圆2被吹离承载台1。
与图7实施方案相比，图8所示出的实施方式更为优良，主要体现在：如图9所示，气体7被注入到密封腔4后，经过引导板8的引导从其下开口处对晶圆2施加压力后，气体7继续往晶圆2的周边流动，并继续由内向外对晶圆2施加压力，对晶圆2继续进行施压使其平整并贴合承载台1。由于引导板8的隔离，是的原密封腔4形成了两个腔，贴近圆片2部分的腔41对圆片2的翘曲能够更好地起到平整作用，气体7沿晶圆2周边流动后碰到密封装置3的内壁，进一步往上流动后碰到引导板8的下部，并进一步往下流动从而对圆片2进行持续平整。
在本发明更为优选实施方式中，对上述实施方式做了进一步改进。如图10所示，所述承载台下部设有气体抽取装置9，气体抽取装置9与承载台1连通。在气体7被注入到密封腔4之前先启动气体抽取装置9抽取翘曲的晶圆2与承载台1之间的空气。气体抽取装置9可以是一个，也可以是多个，一圆片为中心均匀分布在承载台1的底部。
更进一步，如图11，密封装置3顶部设置有移动手臂11，工作时，一旦承载台因晶圆翘曲而无法正常吸附时，移动手臂11带动密封装置3将密封装置3移动到承载台上，并下压与承载台形成密封腔体，此时开启气体输入装置6形成一定高压力，压迫圆片贴服在承载台上；可选地，可先开启承载台1下方的气体抽取装置9进行圆片吸附，或者在注入气体7的同时开启承载台1下方的气体抽取装置9进行圆片吸附，从而可继续进行后续的工艺。
在一个可选的实施方式中，如图12所示，承载台1上设置有侧壁12，所述侧壁12与承载台1一体成型，移动手臂11与上腔盖板13连接。工作时，一旦承载台因晶圆翘曲而无法正常吸附时，移动手臂11带动上腔盖板13将上腔盖板13移动到承载台1上的侧壁12，并下压与承载台形成密封腔体，此时开启气体输入装置6形成一定高压力(气体输入装置的结构及位置可以与图6或者图7相同)，压迫圆片贴服在承载台上；可选地，可先开启承载台1下方的气体抽取装置9进行圆片吸附，或者在注入气体7的同时开启承载台1下方的气体抽取装置9进行圆片吸附。
另一方面，气体输入装置6可设置在承载台1上的侧壁12上。所述气体输入装置6可以是一个，也可以是多个。侧壁12上可设有气体引导板，气体引导板与侧壁12的连接处低于气体输入装置6的气体喷嘴。引导板从密封装置周沿往密封腔内延伸，呈倒喇叭状，或者呈倒圆锥筒状，其下部的开口位于圆片2的中央上方。气体输入装置6的气体喷嘴61喷出气体，气体经过气体引导板8的引导，从引导板8的下开口处对晶圆2的上表面施加一定的压力N，使得晶圆2的中央部分先贴合承载台1而避免喷嘴61喷入的气流过快而致使晶圆2被吹离承载台1。
在本发明的另一实施方式中，提供了一种晶圆翘曲处理方法，包括以下步骤：
将晶圆至于承载台上；
基于承载台形成密封环境；
利用气体对晶圆上表面施加压力。
所述密封环境为右密封装置3与承载台1上下对扣密封形成的密封腔4。所述气体为惰性气体或者氮气。
利用气体对晶圆上表面施加压力为，密封装置3上的气体输入装置6通过设置在其下部的气体喷嘴61往密封腔4内注入气体7。所述气体输入装置6可以是一个，也可以是多个。可选地，所述气体输入装置6设置在密封装置3的侧壁顶部。
优选地，利用气体对晶圆上表面施加压力为二次加压。密封装置3内设有气体引导板8，气体引导板与密封装置3的连接处低于气体输入装置6的气体喷嘴。引导板8从密封装置周沿往密封腔4内延伸，呈倒喇叭状，或者呈倒圆锥筒状，其下部的开口位于圆片2的中央上方。第一次加压为充气加压：气体输入装置6的气体喷嘴61喷出气体7，气体7经过气体引导板8的引导，从引导板8的下开口处对晶圆2的上表面施加一定的压力N，使得晶圆2的中央部分先贴合承载台1而避免喷嘴61喷入的气流过快而致使晶圆2被吹离承载台1。第二次加压为自然加压：气体7被注入到密封腔4后，经过引导板8的引导从其下开口处对晶圆2施加压力后，气体7继续往晶圆2的周边流动，并继续由内向外对晶圆2施加压力，对晶圆2继续进行施压使其平整并贴合承载台1。由于引导板8的隔离，是的原密封腔4形成了两个腔，贴近圆片2部分的腔41对圆片2的翘曲能够更好地起到平整作用，气体7沿晶圆2周边流动后碰到密封装置3的内壁，进一步往上流动后碰到引导板8的下部，并进一步往下流动从而对圆片2进行持续平整。
在本发明的另一实施方式中对上述方法进行了改进，在该实施方式中，在前述方法的步骤基于承载台形成密封环境之前，还包括：通过承载台1下方的气体抽取装置9进行空气抽取，加大圆片与承载台的吸附度。
在本发明的另一实施方式中对上述方法进行了改进，在该实施方式中，在前述方法的步骤基于承载台形成密封环境之后还包括：通过承载台1下方的气体抽取装置9进行空气抽取，加大圆片与承载台的吸附度。或者在注入气体7的同时开启承载台1下方的气体抽取装置9进行圆片吸附。
本发明能够带来以下有益效果：本发明的晶圆翘曲处理装置的结构简单实用；通过气体的输入和抽取能够提高晶圆对承载台的吸附力度，气体加压的方式合理高效，可避免人工操作带来的各方面风险，而最终可将无法继续进行正常工艺的翘曲圆片得以完成工艺。
上述说明示出并描述了本发明的优选实施例，如前所述，应当理解本发明并非局限于本文所披露的形式，不应看作是对其他实施例的排除，而可用于各种其他组合、修改和环境，并能够在本文所述发明构想范围内，通过上述教导或相关领域的技术或知识进行改动。而本领域人员所进行的改动和变化不脱离本发明的精神和范围，则都应在本发明所附权利要求的保护范围内。
Claims (25)
1.一种晶圆翘曲处理的装置，包括承载台(1)，发生翘曲的晶圆(2)位于承载台(1)之上；其特征在于，还包括：位于承载台(1)上的密封装置(3)，所述密封装置(3)与承载台(1)上下对扣密封形成密封腔(4)；所述密封装置(3)上安装有气体输入装置(6)，所述气体输入装置(6)下部设置有气体喷嘴(61)；气体通过所述气体喷嘴(61)喷出，进而对所述晶圆施加朝向所述承载台方向的压力；所述密封装置(3)内还设有气体引导板(8)，所述气体引导板(8)与所述密封装置(3)的连接处低于所述气体输入装置(6)的气体喷嘴(61)，所述引导板(8)从密封装置周沿往密封腔(4)内延伸，呈倒喇叭状或者呈倒圆锥筒状，其下部的开口位于圆片(2)的中央上方。
2.如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：密封腔(4)内充有惰性气体或者氮气。
3.如权利要求1或2所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述密封装置(3)由金属材料制成。
4.如权利要求3所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：密封装置(3)为与承载台(1)相配套的形状，其内尺寸大于晶圆(2)的直径。
5.如权利要求4所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：密封装置(3)与承载台(1)的对扣处设置有密封组件(5)。
6.如权利要求5所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述密封组件(5)为O形橡胶圈。
7.如权利要求6所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述密封组件(5)固定设置在承载台(1)之上，密封组件(5)上部开设有与密封装置(3)对应的凹槽(51)。
8.如权利要求5所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述密封组件(5)固定设置在密封装置(3)的下沿，密封组件(5)下部开设有与密封装置(3)对应的凹槽(52)，承载台(1)上设有与凹槽(52)相对应的卡槽(11)。
9.如权利要求1-2、4-8任意一项所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述气体输入装置(6)穿过密封装置(3)的顶部往下延伸到密封腔(4)内。
10.如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述气体输入装置(6)设置在密封装置(3)的侧壁顶部。
11.如权利要求10所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述气体输入装置(6)至少为一个，沿密封装置(3)的侧壁顶部均匀分布。
12.如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：引导板(8)将密封腔(4)隔离两个腔。
13.如权利要求1-2、4-8、10-12任意一项所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述承载台(1)下部设有气体抽取装置(9)，气体抽取装置(9)与承载台(1)连通。
14.如权利要求1所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述密封装置(3)顶部设置有移动手臂(11)。
15.一种晶圆翘曲处理的装置，包括承载台(1)，发生翘曲的晶圆(2)位于承载台(1)之上；其特征在于，所述承载台(1)上设置有侧壁(12)，侧壁(12)上设有与之配套的上腔盖板(13)，所述上腔盖板(13)上有气体输入装置(6)，所述气体输入装置(6)下部设置有气体喷嘴(61)；气体通过所述气体喷嘴(6)喷出，进而对所述晶圆施加朝向所述承载台方向的压力；所述侧壁(12)上设有气体引导板，气体引导板与侧壁的连接处低于气体输入装置6的气体喷嘴；引导板从密封装置周沿往密封腔内延伸，呈倒喇叭状或者呈倒圆锥筒状，其下部的开口位于圆片(2)的中央上方。
16.如权利要求15所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述侧壁(12)与承载台(1)一体成型，上腔盖板(13)连接有移动手臂(11)。
17.如权利要求15所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述承载台(1)下部设有气体抽取装置(9)，气体抽取装置(9)与承载台(1)连通。
18.如权利要求15所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述气体输入装置(6)设置在承载台(1)上的侧壁(12)上。
19.如权利要求15所述的晶圆翘曲处理的装置，其特征在于：所述气体输入装置(6)至少为一个。
20.一种晶圆翘曲处理方法，包括以下步骤：
将晶圆置于承载台上；
利用密封装置与所述承载台上下对扣形成密封腔，其中，所述密封装置上有气体输入装置，所述气体输入装置下部设置有气体喷嘴；气体通过所述气体喷嘴喷出，进而对所述晶圆施加朝向所述承载台方向的压力；其中，所述气体通过所述气体喷嘴喷出，进而对所述晶圆施加朝向所述承载台方向的压力为二次加压，第一次加压为充气加压为：气体输入装置(6)的气体喷嘴(61)喷出气体(7)，气体(7)经过气体引导板(8)的引导，从引导板(8)的下开口处对晶圆(2)的上表面施加一定的压力N；第二次加压为：气体(7)被注入到密封腔(4)后，经过引导板(8)的引导从其下开口处对晶圆(2)施加压力后，气体(7)继续往晶圆(2)的周边流动，并继续由内向外对晶圆(2)施加压力。
21.如权利要求20所述的晶圆翘曲处理方法，其特征在于：所述气体为惰性气体或者氮气。
22.如权利要求20所述的晶圆翘曲处理方法，其特征在于：所述气体输入装置(6)可以是一个，也可以是多个。
23.如权利要求20所述的晶圆翘曲处理方法，其特征在于：所述气体输入装置(6)设置在密封装置(3)的侧壁顶部。
24.如权利要求20-23任意一项所述的晶圆翘曲处理方法，其特征在于：在步骤基于承载台形成密封环境之前，还包括：通过承载台(1)下方的气体抽取装置(9)进行空气抽取。
25.如权利要求20-23任意一项所述的晶圆翘曲处理方法，其特征在于：在步骤基于承载台形成密封环境之后还包括：通过承载台(1)下方的气体抽取装置(9)进行空气抽取。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410763661.XA CN104538331B (zh) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | 一种晶圆翘曲处理的装置及方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410763661.XA CN104538331B (zh) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | 一种晶圆翘曲处理的装置及方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104538331A CN104538331A (zh) | 2015-04-22 |
| CN104538331B true CN104538331B (zh) | 2018-06-05 |
Family
ID=52853836
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410763661.XA Active CN104538331B (zh) | 2014-12-12 | 2014-12-12 | 一种晶圆翘曲处理的装置及方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104538331B (zh) |
Families Citing this family (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN107452643B (zh) * | 2016-05-31 | 2020-11-13 | 弘塑科技股份有限公司 | 基板压平设备与使用所述基板压平设备的半导体制造方法 |
| CN107685886A (zh) * | 2016-08-04 | 2018-02-13 | 佛山市宝索机械制造有限公司 | 包裹纸卷的方法及装置 |
| CN110320758B (zh) * | 2018-03-30 | 2021-06-29 | 上海微电子装备（集团）股份有限公司 | 一种基底边缘保护装置、光刻设备及保护方法 |
| JP7093693B2 (ja) * | 2018-07-13 | 2022-06-30 | 東京エレクトロン株式会社 | 熱処理装置及び基板滑り検出方法 |
| CN109300809B (zh) * | 2018-09-28 | 2021-10-26 | 上海微松工业自动化有限公司 | 一种晶圆植球封装*** |
| CN109285807B (zh) * | 2018-09-28 | 2023-01-20 | 上海微松工业自动化有限公司 | 一种晶圆平整固定设备 |
| CN109273399B (zh) * | 2018-09-28 | 2023-02-10 | 上海微松工业自动化有限公司 | 一种12吋晶圆用平整固定装置 |
| CN109256356B (zh) * | 2018-09-28 | 2023-05-02 | 上海微松工业自动化有限公司 | 一种晶圆平整固定装置 |
| CN109273398B (zh) * | 2018-09-28 | 2023-01-20 | 上海微松工业自动化有限公司 | 一种晶圆平整固定装置 |
| CN109280904A (zh) * | 2018-11-27 | 2019-01-29 | 中山德华芯片技术有限公司 | 一种应用于晶格失配结构外延生长的石墨盘 |
| JP6875357B2 (ja) * | 2018-11-29 | 2021-05-26 | 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス | 基板保持装置、基板処理装置および基板保持方法 |
| CN110517968B (zh) * | 2019-08-19 | 2022-12-20 | 西安奕斯伟材料科技有限公司 | 一种翘曲度的控制方法及装置 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101137545B1 (ko) * | 2009-12-30 | 2012-04-20 | 주식회사 탑 엔지니어링 | 일체형 웨이퍼 트레이 |
| JP5794194B2 (ja) * | 2012-04-19 | 2015-10-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
| US9576830B2 (en) * | 2012-05-18 | 2017-02-21 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and apparatus for adjusting wafer warpage |
| CN103545169A (zh) * | 2012-07-11 | 2014-01-29 | 上海华虹Nec电子有限公司 | 防止晶圆翘曲变形的方法 |
-
2014
- 2014-12-12 CN CN201410763661.XA patent/CN104538331B/zh active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104538331A (zh) | 2015-04-22 |
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