CN104520791B - 触摸板以及用于制造该触摸板的方法 - Google Patents
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Abstract
公开了触摸板以及用于制造该触摸板的方法。该触摸板包括下述触摸板,所述触摸板包括:基板;传感器部,其在基板上并且连接电极连接该传感器部;以及基板上的光吸收层。光吸收层更加靠近基板而不是连接电极。该方法包括:制备基板;在基板上形成传感器部和连接电极;以及在基板上形成光吸收层。光吸收层更加靠近基板而不是连接电极。
Description
技术领域
本公开涉及触摸板及用于制造该触摸板的方法。
背景技术
近来,触摸板已应用于不同的电子设备,所述触摸板通过用诸如手写笔或者手之类的输入装置对显示在显示装置上的图像进行触摸来执行输入功能。
触摸板可以代表性地分类为电阻式触摸板和电容式触摸板。在电阻式触摸板中,当向输入装置施加压力时,通过根据电极之间的连接而检测电阻的变化来检测触摸点的位置。在电容式触摸板中,当用户的手指触摸在电极之间的电容式触摸板上时,通过检测电容的变化来检测触摸点的位置。近来,当考虑到感测功率和制造方案的便利性时,在较小的模型中已注重电容式触摸板。
触摸板具有的问题在于,通过外部入射光或者入射至设在触摸板上的LCD中的光,可以看到连接电极的图案。
发明内容
技术问题
实施例提供了具有改进可见度的触摸板。
针对问题的解决方案
根据实施例,提供了一种触摸板,该触摸板包括:基板;传感器部,其在基板上并且连接电极连接该传感器部;以及基板上的光吸收层。该光吸收层更加靠近基板而不是连接电极。
根据实施例,提供了一种用于制造触摸板的方法。该方法包括:制备基板;在基板上形成传感器部和连接电极;以及在基板上形成光吸收层。该光吸收层更加靠近基板而不是连接电极。
本发明的有益效果
如上描述,根据实施例,光吸收层设于触摸板的连接电极下方。因此,可以防止通过入射穿过基板的光而看到连接电极。换言之,光吸收层可以使入射光的反射最小化。因此,可以改进连接电极的总体可见性。
附图说明
图1为示意性示出根据一个实施例的触摸板的平面图。
图2为示出根据一个实施例的触摸板的平面图。
图3为示出图2的部分A的放大图。
图4为沿着图3的B-B’线截取的剖视图。
图5为示出根据一个实施例的触摸板的剖视图。
图6为示出根据另一个实施例的触摸板的平面图。
图7为沿着图6的C-C’线截取的剖视图。
图8为示出根据另一个实施例的触摸板的剖视图。
图9为示出根据比较例、第一实施例和第二实施例的作为波长的函数的反射率的曲线图。
图10为示出根据第一实施例的作为厚度的函数的原子含量的曲线图。
图11为示出根据第二实施例的作为厚度的函数的原子含量的曲线图。
具体实施方式
在下文对实施例的描述中,可以理解的是,当层(膜)、区域、图案或者结构被称为处在其它层(膜)、区域、图案或者结构“之上”或“之下”时,它可以“直接地”或者“间接地”处在其它层(膜)、区域、图案或者结构上,或者也可以存在一个或多个中间层。参考附图来描述这样的每层的位置。
为了方便或者清楚的目的,附图中示出的每个层(膜)、区域、图案或者结构的厚度和尺寸可以被扩大、省略或者示意性地绘制。另外,每个层(膜)、区域、图案或者结构的尺寸不完全地反映实际的尺寸。
下文中,参考附图来详细地描述实施例。
下文中,参考图1至5来详细地描述根据一个实施例的触摸板。图1为示意性示出根据一个实施例的触摸板的平面图。图2为示出根据一个实施例的触摸板的平面图。图3为示出图2的部分A的放大图。图4为沿着图3的B-B’线截取的剖视图。图5为示出根据一个实施例的触摸板的剖视图。
参考图1和图2,根据本实施例的触摸板包括基板100,在基板100中限定了检测输入装置(如手指)的位置的活动区域AA和提供于活动区域AA***部分的非活动区域UA。
在这种情况下,活动区域AA可以在其中设置有可以感测输入装置的透明电极210。此外,非活动区域UA可以在其中设置有将透明电极210相互电连接的电线300。进一步,非活动区域UA可以在其中设置有连接到电线300的外部电路。非活动区域UA可以在其中设置有外虚拟层101,并且外虚拟层101可以具有标识102。
如果输入装置如手指触摸在触摸板上,则通过输入装置在触摸的部分中产生电容的变化,并且发生电容变化的触摸部分可以被检测为触摸点。
下文中,将更为详细地描述触摸板。
基板100可以包括各种材料以支持基板100上形成的光吸收层271、透明电极210、电线300以及电路板。例如,基板100可以包括玻璃基板或者塑料基板。
外虚拟层101形成在基板100的非活动区域UA中。外虚拟层101可以用具有预定颜色的材料所覆盖,以便不能从外部看到电线300和将电线300连接至外部电路的印刷电路板。外虚拟层101可以具有适合于其期望外观的颜色。例如,外虚拟层101可以包括黑色颜料以表现出黑色。此外,期望的标识102可以通过各种方法形成在外虚拟层101中。外虚拟层101可以通过沉积、打印或者湿法涂敷的方案来形成。
透明电极210可以形成在基板100上。透明电极210可以检测是否有诸如手指之类的输入装置触摸。
参考图2和图3,透明电极210可以包括第一电极212和第二电极214。
第一电极212包括:多个第一传感器部212a,用于检测是否有诸如手指之类的输入装置触摸;以及第一连接电极部212b,用于将第一传感器部212a相互连接。第一连接电极部212b在第一方向上(附图中X轴方向)将第一传感器部212a相互连接,以便第一电极212可以在第一方向上延伸。
类似地,第二电极214包括:多个第二传感器部214a,用于检测是否有诸如手指之类的输入装置触摸;以及第二连接电极部214b,用于将第二传感器部214a相互连接。第二连接电极部214b在第二方向上(附图中Y轴方向)将第二传感器部214a相互连接,以便第二电极214可以在第二方向上延伸。
绝缘层250可以位于第一和第二连接电极部212b和214b之间,以便防止它们之间的短路。绝缘层250可以包括透明的绝缘材料,以使第一连接电极212与第二连接电极214绝缘。
参考图3,基板100在其上形成有第一传感器部212a、第二传感器部214a和第二连接电极部214b,并且第二连接电极部214b在其上形成有绝缘层250。绝缘层250在其上形成有将第一传感器部212a相互连接的第一连接电极部212b。
同时参考图4,第一连接电极部212b可以包括至少两层。
详细地,第一连接电极部212b可以包括缓冲层212b1和212b3以及导电层212b2。缓冲层212b1和212b3可以包括第一缓冲层212b1和第二缓冲层212b3。第一缓冲层212b1和第二缓冲层212b3可以将导电层212b2夹在它们之间。当导电层212b2***它们之间时,第一和第二缓冲层212b1和212b3得以定位。然而,实施例不限于此,而是缓冲层可以在一层结构中形成,以便缓冲层可以仅位于导电层212b2的上部或下部。
缓冲层212b1和212b3可以提高第一连接电极部212b和基板100之间的粘合强度,或者第一连接电极部212b和第一传感器部212a之间的粘合强度。缓冲层212b1和212b3可以包括导电金属。详细地,缓冲层212b1和212b3可以通过沉积诸如镍(Ni)、铬(Cr)、镍-铬(Ni-Cr)、钛(Ti)、锡(Sn)或者钼(Mo)之类的材料来形成。
导电层212b2可以包括导电金属,该导电金属的电阻低于第一传感器部212a或者第二传感器部213a的电阻。导电层212b2可以包括诸如银、铜、金、钼和铝之类的表现出优良导电性的金属。由于导电层212b2对触摸屏的灵敏性直接产生影响,所以导电层212b2的沉积厚度和沉积金属可以调节,以便电阻可以被调节为0.1Ω/□(平方)或者更小。
光吸收层271另外设置在基板100上。与第一连接电极部212b相比,光吸收层271布置得更靠近于基板100。换言之,光吸收层271比第一连接电极部212b更靠近基板100。因此,光吸收层271***在第一连接电极部212b与基板100之间。
因此,由于光吸收层271,可以防止由光反射造成的看到第一连接电极部212b。换言之,光吸收层271将入射到基板100中的入射光I反射,因而防止看到第一连接电极部212b。
具体地,当用户使用根据本实施例的触摸板时,上面设置有传感器部212a、第一连接电极部212b和光吸收层271的基板100的表面的相对表面102可以被识别出。因此,通过入射进入相对表面102的入射光I,第一连接电极部212b受到很大的影响。根据本实施例,光吸收层271***在基板100与第一连接电极部212b之间,以便减少第一连接电极部212b的可见性。
光吸收层271可以包括导电金属的氧化物、氮化物或者碳化物,或其混合物。在这种情况下,导电金属可以对应于构成缓冲层212b1和212b3的导电金属。因此,导电金属可以包括诸如镍、铬、镍-铬、钛、锡或者钼之类的材料。
光吸收层271可以包括导电金属、氧、氮或碳。具体地,可以选择性地包括氧、氮或碳。换言之,当光吸收层271包括导电金属的氧化物时,光吸收层271可以包括导电金属和氧。另外,当光吸收层271包括导电金属的氮化物时,光吸收层271可以包括导电金属和氮。当光吸收层271包括导电金属的碳化物时,光吸收层271可以包括导电金属和碳。
在光吸收层271中,导电金属可以占据构成光吸收层271的材料的总重量的35%至50%。在光吸收层271中,氧可以占据构成光吸收层271的材料的总重量的30%至40%。在光吸收层271中,氮可以占据构成光吸收层271的材料的总重量的0%至10%。在光吸收层271中,碳可以占据构成光吸收层271的材料的总重量的0%至5%。光吸收层271的平均反射率可以根据导电金属、氧、氮或者碳的原子含量以及光吸收层271的厚度来调节。详细地,光吸收层271可以通过使用导电金属和氩(Ar),氮(N2)或者二氧化碳(CO2)气体的反应溅射工艺来形成。在这种情况下,反射率能够通过调节在反应溅射工艺中使用的气体体积(分压比)来优化。因此,平均反射率可以在380纳米至780纳米的波长带上被调节至5%至10%,该波长带为光吸收层271的可见波长带。
同时参考图5,光吸收层271和272可以包括第一光吸收层271和第二光吸收层272。第一和第二光吸收层271和272可以将第一连接电极部212b夹在它们之间。换言之,可以提供第一和第二光吸收层271和272,同时在其间***第一连接电极部212b。第一和第二光吸收层272和272分别提供在第一连接电极部212b的上部和下部,以便可以使光反射最大化。
此后,电线300形成在非活动区域UA中。电线300可以向透明电极210施加电信号。尽管未示出,光吸收层可以布置在电线300上。详细地,光吸收层可以比电线300更靠近基板。光吸收层271可以布置在电线300下方。光吸收层271可以直接与基板100相接触。此外,光吸收层271可以包括第一和第二光吸收层271和272。第一和第二光吸收层271和272可以将电线300夹在它们之间。
电线300形成在非活动区域UA中,以便看不到电线300。
同时,尽管在附图中未示出,可以进一步定位连接到电线300的电路板。电路板可以包括各种印刷电路板。例如,电路板可以包括柔性印刷电路板(FPCB)。
下文中,将参考图6至图8详细地描述根据另一个实施例的触摸板。图6为示出根据另一个实施例的触摸板的平面图。图7为沿着图6的C-C’线截取的剖视图。图8为示出根据另一个实施例的触摸板的剖视图。
参考图6和图7,光吸收层271位于基板100上。换言之,光吸收层271与基板100直接相接触。光吸收层271在其上设置有第一连接电极部212b。第一连接电极部212b可以布置在绝缘层250上,然后第二连接电极部214b可以设置在绝缘层250上。光吸收层271与基板100直接相接触,以便入射到基板100上的入射光可以被更有效地反射。因此,第一连接电极部212b的可见性可以被最小化。
此外,参考图8,光吸收层271和272可以包括第一和第二光吸收层271和272,并且第一和第二光吸收层271和272可以将第一连接电极部212b夹在它们之间。
下文中,将更详细地描述实施例。然而,实施例用以说明目的,并且本公开不限于此。
实施例1
通过沉积铟锡氧化物(ITO)在玻璃基板上形成传感器部。绝缘层形成在传感器部上。通过反应溅射工艺沉积钼、氩、氮和二氧化碳在绝缘层上形成第一光吸收层。因此,第一光吸收层包括氮化物和氧化物。通过在第一光吸收层上形成包括钼(Mo)的第一缓冲层、包括银(Ag)的导电层和包括钼的第二缓冲层来形成包括第一缓冲层、导电层和第二缓冲层的连接电极。
实施例2
除了用与在连接电极上形成第一光吸收层的方案相同的方案额外地形成第二光吸收层之外,用与第一实施例相同的方案来制造根据第二实施例的触摸板。
比较例
除了没有形成第一光吸收层之外,用与第一实施例相同的方案来制造根据比较例的触摸板。
参考图9,在比较例的情况下,在作为可见波长带的380纳米至780纳米的波长带上表现出大约52%的平均反射率。同时,在第一和第二实施例的情况下,在可见波长带中表现出大约7.4%和大约7.9%的平均反射率,其低于比较例的平均反射率。
同时,图10为示出根据第一实施例的作为厚度的函数的原子含量的曲线图。图11为示出根据第二实施例的作为厚度的函数的原子含量的曲线图。当第一和第二实施例的原子含量满足图10和11的曲线图时,可以获得上述较低的反射率。
在以上实施例中描述的特征、结构和效果包括在本发明的至少一个实施例中,并且不一定仅限于一个实施例。此外,在实施例中描述的特征、结构和效果也可以被实施例所属领域的技术人员合并或者修改,以在其它的实施例中实施。这样一来,涉及合并与修改的内容就应解释为包括在本发明的范围之中。
进一步,虽然到目前为止已经主要描述了实施例,但是它们只是示例性的而非限制本发明。因而,本发明所属领域的技术人员将会知道,可以在不偏离该实施例的实质特征的范围内实施尚未被示例的各种修改和应用。例如,在示例实施例中详细描述的构成要素可以被修改来实施。进一步,与这样的修改和应用相关的差异将被解释为包括在所附权利要求中规定的本发明的范围内。
Claims (13)
1.一种触摸板,包括:
基板;
传感器部,其包括在所述基板上的第一传感器部和第二传感器部;
连接电极,其包括连接每个传感器部的第一连接电极和第二连接电极;
所述基板上的光吸收层;以及
绝缘层,其布置在所述第一连接电极与所述第二连接电极之间,
其中,所述第一传感器部沿第一方向延伸,而所述第二传感器部沿第二方向延伸,
其中,所述第一传感器部和所述第二传感器部形成在相同位置上,
其中,所述第一连接电极布置在所述绝缘层上,
其中,所述光吸收层包括第一光吸收层和第二光吸收层,所述第一光吸收层布置在所述绝缘层与所述第一连接电极之间,并且所述第二光吸收层布置在所述第一连接电极上,
其中,相比所述第一连接电极,所述第一光吸收层更加靠近所述基板,
其中,所述第一连接电极包括缓冲层和导电层,所述缓冲层包括导电金属,
其中,所述缓冲层包括从由镍(Ni)、铬(Cr)、镍-铬(Ni-Cr)、钛(Ti)、锡(Sn)和钼(Mo)组成的组中选择的一个,
其中,所述光吸收层包括与构成所述缓冲层的导电金属对应的导电金属,
其中,所述第一光吸收层包括钼,并且钼的含量在60%以下,并且
所述光吸收层的平均反射率在380纳米至780纳米的波长带上为5%至10%。
2.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述光吸收层包括从由导电金属的氧化物、氮化物和碳化物及其混合物组成的组中选择的一个。
3.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述光吸收层还包括从由氧、氮和碳组成的组中选择的一个。
4.如权利要求3所述的触摸板,其中,构成所述光吸收层的导电金属占据关于构成所述光吸收层的整体材料的35%至50%。
5.如权利要求3所述的触摸板,其中,氧占据关于构成所述光吸收层的整体材料的30%至40%。
6.如权利要求5所述的触摸板,其中,氮占据关于构成所述光吸收层的整体材料的0%至10%。
7.如权利要求5所述的触摸板,其中,碳占据关于构成所述光吸收层的整体材料的0%至5%。
8.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述光吸收层直接与所述基板相接触。
9.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述缓冲层包括第一缓冲层和第二缓冲层。
10.如权利要求9所述的触摸板,其中,所述第一缓冲层和所述第二缓冲层将所述导电层夹在其间。
11.如权利要求1所述的触摸板,其中,所述导电层包括从由银、铜、金、钼和铝组成的组中选择的一个。
12.如权利要求1所述的触摸板,进一步包括电连接所述传感器部的电线,其中,所述光吸收层设置在所述电线之上,并且更加靠近所述基板,而不是所述电线。
13.一种触摸板,包括:
基板;
透明电极,其包括所述基板上的第一电极和第二电极,
光吸收层,其在所述基板上,
绝缘层,其在所述光吸收层上,
其中,所述第一电极包括多个第一传感器部和将所述第一传感器部相互连接的第一连接电极部,
其中,所述第二电极包括多个第二传感器部和将所述第二传感器部相互连接的第二连接电极部,
其中,所述第一传感器部和所述第二传感器部形成在相同位置上,
其中,所述第一连接电极部布置在所述绝缘层下,而所述第二连接电极部布置在所述绝缘层上,
其中,所述光吸收层包括第一光吸收层和第二光吸收层,所述第一光吸收层布置在所述基板与所述第一连接电极部之间,并且所述第二光吸收层布置在所述第一连接电极部与所述绝缘层之间,
其中,相比所述第一连接电极部和所述第二连接电极部,所述第一光吸收层更加靠近所述基板,
其中,所述第一连接电极部包括缓冲层和导电层,所述缓冲层包括导电金属,
其中,所述缓冲层包括从由镍(Ni)、铬(Cr)、镍-铬(Ni-Cr)、钛(Ti)、锡(Sn)和钼(Mo)组成的组中选择的一个,
其中,所述光吸收层包括与构成所述缓冲层的导电金属对应的导电金属,
其中,所述第一光吸收层包括钼,并且钼的含量在60%以下,并且
所述光吸收层的平均反射率在380纳米至780纳米的波长带上为5%至10%。
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