CN104492676A - 一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法 - Google Patents
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Abstract
一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法,涉及一种疏水薄膜的制备方法。所述方法步骤如下:(一)前处理;(二)镀制工艺;(三)后处理。本发明对硅片进行了浓硫酸和双氧水的混合液浸泡,超声波清洗等前处理,使得硅片表面具有良好的亲水特性,有利于镀膜过程形成的膜层更均匀,附着性更好;采用高温退火后处理,进一步强化了膜层与基底之间的结合力,提高了膜层结构致密度,增强了疏水基底的耐用性,界面结构清晰;采用旋涂的方法在硅片表面镀制疏水膜层,方法简单,环境友好,价格低廉,能够很好的满足所需要的疏水要求。
Description
技术领域
本发明涉及一种疏水薄膜的制备方法。
背景技术
表面润湿性是固体界面的重要特性之一,从科学家发现“荷叶效应”以来,疏水表面受到了越来越多的关注。疏水表面涂层具有防水、防冰、防雾、抗腐蚀和自清洁等重要特性,在能源、化工、微电子、医疗、航天等诸多领域具有重要的应用价值。固体表面的润湿性主要受固体表面的化学组成和微观结构影响,前者起主要影响,固体表面能越小,则表面越难被润湿,因此,获得疏水表面的途径则主要有两种:1、用低表面能物质修饰固体表面;2、提高表面微结构粗糙度。
疏水表面的制备方法主要有刻蚀法、蒸汽诱导相分离法、静电纺丝法等。刻蚀法主要通过激光刻蚀、等离子体刻蚀、化学腐蚀等手段使材料表面形成规律性的微结构,该方法仪器昂贵,成本高且无法大面积制备涂层;蒸汽诱导相分离法利用高分子溶液的热力学状态不稳定,成膜过程中的自聚和分离原理,使表面形成微纳级粗糙结构,该方法制备过程中对操作温度要求较高,不易控制;静电纺丝法通过将高分子流体静电雾化***出微小射流,并在基底表面固化成纳米纤维,该方法产量低、设备贵,并且对纺丝液要求较高。
为了获得更广泛的应用,疏水膜层还有以下问题需要解决:疏水膜层表面容易老化,表面粗糙结构被破坏,逐渐失去疏水功能;机械稳定性差,膜层与基底粘附力不够,易造成脱落;制备工艺复杂,加工设备或原材料昂贵等。所以寻找一种制备方法简单、价格低廉、膜层耐用性强的疏水薄膜的制备方法尤为重要。
发明内容
本发明的目的是提供一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法,采用聚四氟乙烯分散液为涂层材料,通过旋涂法在硅表面制备疏水膜层,制备方法简单、材料设备价格低廉,适合大面积大规模生产,并且经过对硅基底进行前处理和退火后处理,能够增强膜基结合力,得到的疏水膜层耐用性强,稳定性高。
本发明的目的是通过以下技术方案实现的:
一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法,包括如下步骤:
(一)前处理:
(1)在60~90℃环境中,将硅基底在浓硫酸和双氧水的混合溶液中浸泡30~90分钟,浓硫酸和双氧水的体积比在2:1~4:1之间;
(2)将硅基底用丙酮超声波清洗10~30分钟,重复1~2次;再用酒精超声波清洗10~30分钟,重复1~2次;最后用去离子水超声波清洗10~30分钟,重复1~2次。
(二)镀制工艺:
(1)开启旋涂机盖,将硅基底置于真空吸盘上,使硅片的中心正对吸盘的中心;
(2)开启真空泵,将吸盘内抽为真空,保证吸盘内真空度为1~10Pa,把硅片吸住、固定,避免旋转时将基底甩开,固定硅基底;
(3)使用注射器,将聚四氟乙烯分散液均匀涂抹在硅片上,保证硅片表面涂抹量为10~50 μl/cm2;
(4)通入氮气,关闭旋涂机盖,对工作腔进行保护,保证腔体内部洁净,控制腔体内温度为15~25℃、相对湿度为20~80%;
(5)设计旋涂机工作流程,第一阶段旋转速度为500~1000rpm,时间为10~20s,第二阶段旋涂速度为2500~5000rpm,时间为15~60s,第三阶段为500~1000rpm,时间为5~20s。开启运行按钮,开始对硅片表面进行镀膜,经过旋涂镀膜,膜层厚度为1~5μm。
(三)后处理:
将镀有均匀聚四氟乙烯膜层的硅片,放入250~500℃的马弗炉中,退火处理30~130分钟,使膜层中的水分全部蒸干。
与现有的技术相比,本发明具有如下优点:
(1)对硅片进行了浓硫酸和双氧水的混合液浸泡,超声波清洗等前处理,使得硅片表面具有良好的亲水特性,有利于镀膜过程形成的膜层更均匀,附着性更好。
(2)采用高温退火后处理,进一步强化了膜层与基底之间的结合力,提高了膜层结构致密度,增强了疏水基底的耐用性,界面结构清晰。
(3)采用旋涂的方法在硅片表面镀制疏水膜层,方法简单,环境友好,价格低廉,能够很好的满足所需要的疏水要求。
附图说明
图1为实施例1得到的疏水表面接触角测试结果图;
图2为实施例2得到的疏水表面接触角测试结果图;
图3为实施例3得到的疏水表面接触角测试结果图;
图4为未经过处理的硅片表面的接触角测试结果图。
具体实施方式
下面结合对本发明的技术方案作进一步的说明,但并不局限于此,凡是对本发明技术方案进行修改或者等同替换,而不脱离本发明技术方案的精神和范围,均应涵盖在本发明的保护范围中。
实施例1:
(1)在60℃环境中,将硅基底在浓硫酸和双氧水的混合溶液浸泡30分钟,浓硫酸和双氧水的混合比例为3:1;
(2)将硅基底用丙酮超声波清洗10分钟;再用酒精超声波清洗10分钟;最后用去离子水超声波清洗10分钟。
(二)镀制工艺
(1)开启旋涂机盖,将硅基底置于真空吸盘上,使硅片的中心正对吸盘的中心;
(2)开启真空泵,将吸盘内抽为真空,保证吸盘内真空度为5Pa,固定硅基底;
(3)使用注射器,将聚四氟乙烯分散液均匀涂抹在硅片上,保证硅片表面涂抹量为10 μl/cm2;
(4)通入氮气,关闭旋涂机盖,对工作腔进行保护,保证腔体内部洁净,控制腔体内温度为20℃、相对湿度为50%;
(5)设计旋涂机工作流程,第一阶段旋转速度为500rpm,时间为20秒,第二阶段旋涂速度为3000rpm,时间为30s,第三阶段为500rpm,时间为10s。开启运行按钮,开始对硅片表面进行镀膜。
(三)后处理:
将镀有均匀聚四氟乙烯膜层的硅片,放入250℃的马弗炉中,退火处理60分钟,使膜层中的水分全部蒸干。
5μl去离子水液滴在本实施例得到的疏水表面接触角测试结果如图1所示,其接触角大小为130.43°。
实施例2:
(1)在60℃环境中,将硅基底在浓硫酸和双氧水的混合溶液浸泡30分钟,浓硫酸和双氧水的混合比例为3:1;
(2)将硅基底用丙酮超声波清洗10分钟;再用酒精超声波清洗10分钟;最后用去离子水超声波清洗10分钟。
(二)镀制工艺
(1)开启旋涂机盖,将硅基底置于真空吸盘上,使硅片的中心正对吸盘的中心;
(2)开启真空泵,将吸盘内抽为真空,保证吸盘内真空度为5Pa,固定硅基底;
(3)使用注射器,将聚四氟乙烯分散液均匀涂抹在硅片上,保证硅片表面涂抹量为20 μl/cm2;
(4)通入氮气,关闭旋涂机盖,对工作腔进行保护,保证腔体内部洁净,控制腔体内温度为20℃、相对湿度为50%;
(5)设计旋涂机工作流程,第一阶段旋转速度为500rpm,时间为20秒,第二阶段旋涂速度为3000rpm,时间为30s,第三阶段为500rpm,时间为10s。开启运行按钮,开始对硅片表面进行镀膜。
(三)后处理:
将镀有均匀聚四氟乙烯膜层的硅片,放入250℃的马弗炉中,退火处理60分钟,使膜层中的水分全部蒸干。
5μl去离子水液滴在本实施例得到的疏水表面接触角测试结果如图2所示,其接触角大小为132.00°。
实施例3:
(1)在60℃环境中,将硅基底在浓硫酸和双氧水的混合溶液浸泡30分钟,浓硫酸和双氧水的混合比例为3:1;
(2)将硅基底用丙酮超声波清洗10分钟;再用酒精超声波清洗10分钟;最后用去离子水超声波清洗10分钟。
(二)镀制工艺
(1)开启旋涂机盖,将硅基底置于真空吸盘上,使硅片的中心正对吸盘的中心;
(2)开启真空泵,将吸盘内抽为真空,保证吸盘内真空度为5Pa,固定硅基底;
(3)使用注射器,将聚四氟乙烯分散液均匀涂抹在硅片上,保证硅片表面涂抹量为50 μl/cm2;
(4)通入氮气,关闭旋涂机盖,对工作腔进行保护,保证腔体内部洁净,控制腔体内温度为20℃、相对湿度为50%;
(5)设计旋涂机工作流程,第一阶段旋转速度为750rpm,时间为20秒,第二阶段旋涂速度为4000rpm,时间为30s,第三阶段为750rpm,时间为10s。开启运行按钮,开始对硅片表面进行镀膜。
(三)后处理:
将镀有均匀聚四氟乙烯膜层的硅片,放入300℃的马弗炉中,退火处理90分钟,使膜层中的水分全部蒸干。
5μl去离子水液滴在本实施例得到的疏水表面接触角测试结果如图3所示,其接触角大小为132.82°。
5μl去离子水液滴在未经过处理的硅片表面的接触角测试结果如图4所示,其接触角大小为62.09°。
Claims (5)
1.一种聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法,其特征在于所述方法步骤如下:
(一)前处理:
(1)在60~90℃环境中,将硅基底在浓硫酸和双氧水的混合溶液中浸泡30~90分钟;
(2)将硅基底用丙酮超声波清洗10~30分钟,重复1~2次;再用酒精超声波清洗10~30分钟,重复1~2次;最后用去离子水超声波清洗10~30分钟,重复1~2次;
(二)镀制工艺:
(1)开启旋涂机盖,将硅基底置于真空吸盘上,使硅片的中心正对吸盘的中心;
(2)开启真空泵,将吸盘内抽为真空,固定硅基底;
(3)使用注射器将聚四氟乙烯分散液均匀涂抹在硅片上;
(4)通入氮气,关闭旋涂机盖,对工作腔进行保护,保证腔体内部洁净,控制腔体内温度为15~25℃、相对湿度为20~80%;;
(5)设计旋涂机工作流程,第一阶段旋转速度为500~1000rpm,时间为10~20s,第二阶段旋涂速度为2500~5000rpm,时间为15~60s,第三阶段为500~1000rpm,时间为5~20s;开启运行按钮,开始对硅片表面进行旋涂镀膜;
(三)后处理:
将镀有均匀聚四氟乙烯膜层的硅片,放入250~500℃的马弗炉中,退火处理30~130分钟,使膜层中的水分全部蒸干。
2.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法,其特征在于所述浓硫酸和双氧水的体积比为2~4:1。
3.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法,其特征在于所述吸盘内真空度为1~10Pa。
4.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法,其特征在于所述聚四氟乙烯分散液在硅片表面涂抹量为10~50 μl/cm2。
5.根据权利要求1所述的聚四氟乙烯疏水薄膜的制备方法,其特征在于所述聚四氟乙烯膜层的厚度为1~5μm。
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