CN104475390A - 一种二极管芯片酸洗工艺及设备 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种二极管芯片酸洗工艺，还涉及一种用于实现该酸洗工艺的设备，所述工艺依次为混合酸清洗、酸与双氧水清洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，所述氨水与双氧水的混合清洗液为氨水、双氧水与纯水，所述氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:3～6，所述二极管芯片酸洗工艺的设备，包括在酸洗机上依次设置的混合酸清洗段、酸与双氧水清洗清洗段、氨水与双氧水清洗清洗段及水超声清洗段。本发明的优点在于：采用该浓度的氨水清洁芯片表面时，使得芯片表面的游离金属离子大大的减少，提高了二极管常温下电性能和高温电性能，且通过水超声清，解决了残留的氨水的清洗问题。
Description
技术领域
本发明属于二极管领域，涉及一种二极管芯片酸洗工艺，还涉及一种用于实现二极管芯片酸洗工艺的设备。
背景技术
根据二极管半导体生产原理，芯片要发挥作用时，必须经过酸腐蚀及酸钝化，二极管芯片的酸洗工艺包括混合酸清洗，酸与双氧水混合清洗，氨水与双氧水混合清洗。
原来有两种工艺，铬酸工艺和氨水工艺：
1.传统的铬酸工艺，缺点为：使用6+铬，6+铬是剧毒物质，高温电性能一般；
2.氨水工艺为低浓度氨水工艺，氨水、双氧水与纯水的体积比为1:1:10，是有络合作用，能络合酸洗过程中重金属离子，清洁芯片表面，从而减少芯片表面的游离金属离子，来提高常温下电性能和高温电性能，缺点为：难以清洗，常温、高温电性能好，但氨水的碱性导致在酸洗过程中用纯水清洗很难清洗掉残留的氨水，而芯片表面和焊接气孔处存在NH4+离子而导致二次污染，从而使降低电性能，甚至比铬酸工艺更差。
鉴于氨水工艺中，需要再度提高二极管的电性能，且能够方便清洗掉残留的氨水，需要寻找一种新的二极管酸洗工艺及设备。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种能够提高二极管电性能的二极管芯片酸洗工艺及设备。
为解决上述技术问题，本发明的技术方案为：
一种二极管芯片酸洗工艺，其创新点在于：所述工艺依次为混合酸清洗、酸与双氧水清洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，所述氨水与双氧水的混合清洗液为体积比为氨水、双氧水与纯水，所述氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:3～6。
进一步地，所述氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:5。
进一步地，所述氨水、双氧水与纯水的配置为：先加入纯水，再加入双氧水，最后加入氨水。
进一步地，所述氨水的浓度为17%-20%，所述双氧水浓度为30%-35%。
一种用于实现二极管芯片酸洗工艺的设备，其创新点在于：包括在酸洗机上依次设置的混合酸清洗段、酸与双氧水清洗清洗段、氨水与双氧水清洗清洗段及水超声清洗段；所述水超声清洗段主要由清洗池、设置在清洗池内的轨道及超声发生器组成，所述轨道由左至右分别为弧形过渡段A、水平段及弧形过渡段B，所述水平段设置在清洗池的底部，且与清洗池底面平行。
本发明的优点在于：改进的氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:5，提高了氨水的浓度，采用该浓度的氨水清洁芯片表面时，使得芯片表面的游离金属离子大大的减少，提高了二极管常温下电性能和高温电性能，且通过水超声清洗工艺，解决了残留的氨水的清洗问题。
附图说明
图1是本发明的一种二极管芯片酸洗设备的结构示意图。
图2是本发明的一种二极管芯片酸洗设备的水超声清洗段的结构示意图。
具体实施方式
实施例一
本发明一种二极管芯片酸洗工艺如下，首先，混合酸清洗，清洗液体积组成为HNO3：HF：CH3COOH :H2SO4：=9 :9 :12:4；然后，酸与双氧水清洗，清洗液体积组成H3PO4:H2O2:H2O=1:1:3；再然后，氨水与双氧水清洗，清洗液体积组成NH3:H2O2:H2O2=2:1：3；最后水超声清洗，清洗液体组成H2O；
氨水、双氧水与纯水的配置为：先加入纯水，再加入双氧水，最后加入氨水，其中氨水的浓度为17%，双氧水浓度为30%。
如图1和图2所示，一种用于实现上述二极管芯片酸洗工艺的设备，包括在酸洗机上依次设置的混合酸清洗段1、酸与双氧水清洗清洗段2、氨水与双氧水清洗清洗段3及水超声清洗段4；水超声清洗段主要由清洗池5、设置在清洗池内的轨道及超声发生器组成，轨道由左至右分别为弧形过渡段A6、水平段7及弧形过渡段B8，水平段7设置在清洗池5的底部，且与清洗池5底面平行，使得二极管芯片完全浸与清洗池5内进行超声清洗。
使用时，将二极管芯片依次经过混合酸清洗段1、酸与双氧水清洗清洗段2、氨水与双氧水清洗清洗段3及水超声清洗段4，完成酸洗。
实施例二
本实施例与实施例一的区别在于：
一种二极管芯片酸洗工艺如下，首先，混合酸清洗，清洗液体积组成为HNO3：HF：CH3COOH :H2SO4：=9 :9 :12:4；然后，酸与双氧水清洗，清洗液体积组H3PO4:H2O2:H2O=1:1:3；再然后，氨水与双氧水清洗，清洗液体积组成NH3:H2O2:H2O2=2:1：5；最后，水超声清洗，清洗液体组成H2O；
氨水、双氧水与纯水的配置为：先加入纯水，再加入双氧水，最后加入氨水，其中氨水的浓度为17%，双氧水浓度为30%。
实施例三
本实施例与实施例一的区别在于：
一种二极管芯片酸洗工艺如下，混合酸清洗，清洗液体积组成为HNO3：HF：CH3COOH :H2SO4：=9 :9 :12:4；酸与双氧水清洗，清洗液体积组H3PO4:H2O2:H2O=1:1:3；氨水与双氧水清洗，清洗液体积组成NH3:H2O2:H2O2=2:1：6；水超声清洗，清洗液体组成H2O；
氨水、双氧水与纯水的配置为：先加入纯水，再加入双氧水，最后加入氨水，其中氨水的浓度为17%，双氧水浓度为30%。
二极管芯片清洗后要进行上胶烤和成型烤，下表为上述实施例一、实施例二及实施例三改进后的氨水与双氧水清洗液清洗的效果比较，分别对1000个产品进行电性能测试后得出的结果：
上表中可以看出，改进后的氨水与双氧水的混合清洗液和目前所用的氨水与双氧水的混合清洗液相比，改进后的氨水与双氧水的混合清洗液所得到的产品的上胶烤电性良率和成型烤电良率高，且氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:5时，产品的上胶烤电性良率和成型烤电良率越好。
Claims (5)
1.一种二极管芯片酸洗工艺，其特征在于：所述工艺依次为混合酸清洗、酸与双氧水清洗、氨水与双氧水清洗及水超声清洗，所述氨水与双氧水的混合清洗液为氨水、双氧水与纯水，所述氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:3～6。
2.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的酸洗工艺，其特征在于：所述氨水、双氧水与纯水的体积比为2:1:5。
3.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的酸洗工艺，其特征在于：所述氨水、双氧水与纯水的配置为：先加入纯水，再加入双氧水，最后加入氨水。
4.根据权利要求1所述的一种二极管芯片的酸洗工艺，其特征在于：所述氨水的浓度为17%-20%，所述双氧水浓度为30%-35%。
5.一种用于实现权利要求1所述的二极管芯片酸洗工艺的设备，其特征在于：包括在酸洗机上依次设置的混合酸清洗段、酸与双氧水清洗清洗段、氨水与双氧水清洗清洗段及水超声清洗段；所述水超声清洗段主要由清洗池、设置在清洗池内的轨道及超声发生器组成，所述轨道由左至右分别为弧形过渡段A、水平段及弧形过渡段B，所述水平段设置在清洗池的底部，且与清洗池底面平行。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150401 |