CN104465345A - 激光结晶***及其晶化能量控制方法 - Google Patents
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Abstract
本发明实施例提供一种激光结晶***及其晶化能量控制方法，所述激光结晶***包括：Mura监控设备，用于监控晶化过程中的实时Mura状况；主机台，与所述Mura监控设备相连接，用于判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别，并根据所述实时级别生成晶化能量控制指令；结晶设备，与所述主机台相连接，用于执行所述主机台生成的所述晶化能量控制指令以控制所输出的晶化能量。本发明实施例利用Mura监控设备实时地在线监控Mura的状况，根据实时Mura状况控制结晶设备输出的晶化能量。本发明能够实现对产品的Mura状况的有效监控，进而控制对应的晶化能量，相比于人工的方式，有效地提高了工作效率，且能够保证精确度和在线控制，保证产品的良率。
Description
技术领域
本发明属于结晶制造技术领域，具体涉及一种激光结晶***的晶化能量控制方法，还涉及一种采用该晶化能量控制方法的激光结晶***。
背景技术
众所周知，液晶显示器具有外型轻薄、耗电量少、分辨率佳、无辐射以及抗电磁干扰等特性，故已被广泛地应用在手机、个人数字助理(PDA)、笔记型计算机、平面显示器等信息家电产品上。然而随着使用者对于显示器视觉感受要求的提升，加上新技术应用领域不断的扩展，于是更高画质、高分辨率且具低价位的液晶显示器变成未来显示技术发展的趋势，也造就了新的显示技术发展的原动力，而其中低温复晶硅薄膜晶体管(LTPSTFT)技术是实现上述目标的一项重要量产技术。
一般低温多晶硅制程大多利用准分子激光退火(Excimer LaserAnnealing，ELA)技术进行，亦即利用准分子激光作为热源以将非晶硅结构转换为多晶硅结构。当准分子激光经过光学投射***后，会产生能量均匀分布的激光束，并投射于沉积有非晶硅膜的基板上，以使吸收准分子激光能量的非晶硅膜再结晶而转变成为多晶硅结构。由于上述制程是在600℃以下完成，一般玻璃基板或是塑料基板等皆可适用，因此更扩大了低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的应用范围。
目前在低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的制作上，是以一准分子激光束照射扫瞄基板，藉此使基板上预先沉积的非晶硅转换为多晶硅结构。基板表面的多晶硅结构的品质会直接影响之后形成各式组件的特性，且多晶硅结晶状态的好坏主要受到二项因素的影响，一为基板表面的非晶硅膜厚，一为准分子激光光地能量密度。其中随着低温多晶硅薄膜晶体管液晶显示器的设计不同，或非晶硅镀膜制程的反应条件的差异，进行准分子激光退火制程的各批次基板表面的非晶硅膜厚或结晶状态可能有所不同，因此于进行准分子激光退火制程时必须选用适当能量密度的准分子激光，否则会使基板表面的多晶硅结晶状态不佳。另外，由于准分子激光的原理是将气体封存于一密闭腔室内，并利用电力激发气体产生准分子激光，因此准分子激光通常视使用状况经历约十数小时即必须重新填充新气体，且准分子激光的能量密度会随着使用时间而衰减，因此其能量密度不易控制。基于上述准分子激光本身的限制，在进行准分子激光制程时即使预先设定了一最佳能量密度，准分子激光的实际能量密度往往因衰减而与预先的设定值有所差异，而影响多晶硅的结晶状态。
然而，在现有技术中，结晶的过程需要对Mura(色不均)的状况进行控制，目前的做法通过是通过线下MAC/MIC(宏观微观缺陷检查机)检查Mura的状况，接着，在线下确认最佳晶化能量范围。其中，此种方式需要停机确认，线下调整，对于主机台工作影响较大，而且一次往往需要30分钟左右，加上不能即时进行更改，容易造成产品良率损失。进一步而言，此种检查方式为人眼检查为主，容易产生误判，且有人为因素影响判断。
不难看出，使用上述检测方法即使检测基板表面的多晶硅的结晶状态不佳，无法对产品的Mura状况进行有效监控，进而无法控制对应的晶化能量，且工作效率低下，精确度低。
发明内容
有鉴于此，本发明实施例提供一种激光结晶***的晶化能量控制方法，有效地解决现有技术中无法对产品的Mura状况进行有效监控，进而无法控制对应的晶化能量，且工作效率低下，精确度低的技术问题。
为解决上述技术问题，本发明实施例提供一种激光结晶***，其中，所述激光结晶***包括：Mura监控设备，用于监控晶化过程中的实时Mura状况；主机台，与所述Mura监控设备相连接，用于判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别，并根据所述实时级别生成晶化能量控制指令；结晶设备，与所述主机台相连接，用于执行所述主机台生成的所述晶化能量控制指令以控制所输出的晶化能量。
其中，所述主机台包括：存储模块，用于存储Mura状况的实时级别与所述晶化能量控制指令的一一对应关系的对应表；判断模块，用于根据所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况从所述存储模块查找相对应级别的晶化能量控制指令。
其中，所述判断模块，还用于判断所述实时Mura状况的实时级别是否达到预设阈值，且在判断到小于所述预设阈值时，不执行生成晶化能量控制指令的过程，使得所述结晶设备保持原有的晶化能量输出级别。
为解决上述技术问题，本发明实施例还提供一种激光结晶***的晶化能量控制方法，其中，所述晶化能量控制方法包括：通过Mura监控设备监控晶化过程中的实时Mura状况；判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别，并根据所述实时级别生成晶化能量控制指令；执行所述晶化能量控制指令以控制所输出的晶化能量。
其中，所述晶化能量控制方法还包括：存储Mura状况的实时级别与所述晶化能量控制指令的一一对应关系的对应表。述根据所述实时级别生成晶化能量控制指令的步骤，具体包括：根据所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况从所述对应表中查找相对应级别的晶化能量控制指令。
其中，所述判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别的步骤，还包括：判断所述实时Mura状况的实时级别是否达到预设阈值，且在判断到小于所述预设阈值时，不执行生成晶化能量控制指令的过程，使得保持原有的晶化能量输出级别。
通过上述技术方案，本发明实施例的有益效果是：本发明实施例利用Mura监控设备实时地在线监控Mura的状况，根据实时Mura状况控制结晶设备输出的晶化能量。不难看出，本发明能够实现对产品的Mura状况的有效监控，进而控制对应的晶化能量，相比于人工的方式，有效地提高了工作效率，且能够保证精确度和在线控制，保证产品的良率。
附图说明
图1是本发明激光结晶***一实施例的功能模块框图；
图2是图1所示主机台一实施例的功能模块框图；
图3是本发明激光结晶***的晶化能量控制方法一实施例的流程示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，本发明以下所描述的实施例仅仅是本发明的一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有付出创造性劳动前提下所获得的所有其它实施例，都属于本发明保护的范围。
请参阅图1，图1是本发明激光结晶***一实施例的功能模块框图，本实施例激光结晶***包括Mura监控设备10、主机台11和结晶设备12。
在本实施例中，Mura监控设备10用于监控晶化过程中的实时Mura状况。
其中，主机台11与Mura监控设备10相连接，用于判断Mura监控设备10监控得到的实时Mura状况的实时级别，并根据实时级别生成晶化能量控制指令。
本实施例的结晶设备12与主机台11相连接，用于执行主机台11生成的晶化能量控制指令以控制所输出的晶化能量。
请进一步参阅图2，图2是图1所示主机台一实施例的功能模块框图，其中，主机台11可以包括存储模块111和判断模块112。
在本实施例中，存储模块111用于存储Mura状况的实时级别与晶化能量控制指令的一一对应关系的对应表。
对应地，判断模块112用于根据Mura监控设备10监控得到的实时Mura状况从存储模块111查找相对应级别的晶化能量控制指令。
不难理解的是，通过设置对应表的方式，可以有效地提高主机台11的工作效率和工作性能。
需要说明的是，判断模块112还用于判断实时Mura状况的实时级别是否达到预设阈值，且在判断到小于预设阈值时，不执行生成晶化能量控制指令的过程，使得结晶设备保持原有的晶化能量输出级别。其中，通过此种方式，本实施例可以避免频繁反复地查询对应表，而预先将检测的实时Mura状况与预设阈值相比较，直接判断是否需要控制晶化能量，提高工作效率。
此外，在其他实施例中，本实施例Mura监控设备10可以包含有准分子激光退火装置、光源产生器、影像接收器等，其中，准分子激光退火装置可产生准分子激光，并以线状扫描方式照射基板，藉此将基板表面的一硅薄膜的结晶状态由非晶硅结构再结晶而转换为多晶硅结构等等。
本发明实施例利用Mura监控设备10实时地在线监控Mura的状况，根据实时Mura状况控制结晶设备12输出的晶化能量。不难看出，本发明能够实现对产品的Mura状况的有效监控，进而控制对应的晶化能量，相比于人工的方式，有效地提高了工作效率，且能够保证精确度和在线控制，保证产品的良率。
请结合图1和图2参阅图3，图3是本发明激光结晶***的晶化能量控制方法一实施例的流程示意图，本实施例晶化能量控制方法包括如下步骤。
步骤S200，通过Mura监控设备监控晶化过程中的实时Mura状况。
在步骤S200中，本实施例可以采用在线监控的Mura监控设备，其可以与ELA机台连接设置。
步骤S201，判断Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别，并根据实时级别生成晶化能量控制指令。
在步骤S201中，本实施例还可以预先存储Mura状况的实时级别与晶化能量控制指令的一一对应关系的对应表，接着，在根据实时级别生成晶化能量控制指令时，可以根据Mura监控设备监控得到的实时Mura状况从对应表中查找相对应级别的晶化能量控制指令。不难理解的是，通过设置对应表的方式，可以有效地提高主机台11的工作效率和工作性能。
需要说明的是，在判断Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别时，本实施例还可以判断实时Mura状况的实时级别是否达到预设阈值，且在判断到小于预设阈值时，不执行生成晶化能量控制指令的过程，使得保持原有的晶化能量输出级别。通过此种方式，本实施例可以避免频繁反复地查询对应表，而预先将检测的实时Mura状况与预设阈值相比较，直接判断是否需要控制晶化能量，提高工作效率。
步骤S202，执行晶化能量控制指令以控制所输出的晶化能量。
本发明实施例利用Mura监控设备实时地在线监控Mura的状况，根据实时Mura状况控制结晶设备输出的晶化能量。不难看出，本发明能够实现对产品的Mura状况的有效监控，进而控制对应的晶化能量，相比于人工的方式，有效地提高了工作效率，且能够保证精确度和在线控制，保证产品的良率。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等效结构或等效流程变换，例如各实施例之间技术特征的相互结合，或直接或间接运用在其他相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (6)
1.一种激光结晶***，其特征在于，所述激光结晶***包括：
Mura监控设备，用于监控晶化过程中的实时Mura状况；
主机台，与所述Mura监控设备相连接，用于判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别，并根据所述实时级别生成晶化能量控制指令；
结晶设备，与所述主机台相连接，用于执行所述主机台生成的所述晶化能量控制指令以控制所输出的晶化能量。
2.根据权利要求1所述的激光结晶***，其特征在于，所述主机台包括：
存储模块，用于存储Mura状况的实时级别与所述晶化能量控制指令的一一对应关系的对应表；
判断模块，用于根据所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况从所述存储模块查找相对应级别的晶化能量控制指令。
3.根据权利要求2所述的激光结晶***，其特征在于，所述判断模块，还用于判断所述实时Mura状况的实时级别是否达到预设阈值，且在判断到小于所述预设阈值时，不执行生成晶化能量控制指令的过程，使得所述结晶设备保持原有的晶化能量输出级别。
4.一种激光结晶***的晶化能量控制方法，其特征在于，所述晶化能量控制方法包括：
通过Mura监控设备监控晶化过程中的实时Mura状况；
判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别，并根据所述实时级别生成晶化能量控制指令；
执行所述晶化能量控制指令以控制所输出的晶化能量。
5.根据权利要求4所述的晶化能量控制方法，其特征在于，所述晶化能量控制方法还包括：
存储Mura状况的实时级别与所述晶化能量控制指令的一一对应关系的对应表；
所述根据所述实时级别生成晶化能量控制指令的步骤，具体包括：
根据所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况从所述对应表中查找相对应级别的晶化能量控制指令。
6.根据权利要求5所述的晶化能量控制方法，其特征在于，所述判断所述Mura监控设备监控得到的实时Mura状况的实时级别的步骤，还包括：
判断所述实时Mura状况的实时级别是否达到预设阈值，且在判断到小于所述预设阈值时，不执行生成晶化能量控制指令的过程，使得保持原有的晶化能量输出级别。
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication | ||
| RJ01 | Rejection of invention patent application after publication |
Application publication date: 20150325 |