CN104451867A - 一种制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法 - Google Patents
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 15
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 13
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 13
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 11
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 7
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims description 6
- 230000026267 regulation of growth Effects 0.000 claims description 5
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims description 2
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 11
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 10
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 abstract description 7
- 230000004913 activation Effects 0.000 abstract description 4
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 abstract description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 4
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 abstract 2
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 abstract 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 abstract 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 abstract 1
- 239000010408 film Substances 0.000 description 35
- 229910003363 ZnMgO Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 2
- 230000033228 biological regulation Effects 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000005424 photoluminescence Methods 0.000 description 2
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 238000013459 approach Methods 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000000407 epitaxy Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000010348 incorporation Methods 0.000 description 1
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Deposition Of Substances That Are Components Of Semiconductor Devices (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明公开的高质量ZnMgBeO薄膜的方法，采用的是等离子体辅助分子束外延方法。将经清洗处理的衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至400～700℃，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，调节生长室压力为1×10-6～1×10-5Torr，以纯金属Zn源、Mg源和Be源为反应源，在衬底上生长ZnMgBeO薄膜。采用本发明方法Be掺杂浓度易控，能有效保证薄膜的质量，制备的ZnMgBeO薄膜具有优异的光学性能和电学性能。Be掺杂有效地抑制了缺陷发光，极大地提高了ZnMgBeO薄膜的发光性能，同时，降低了ZnMgBeO薄膜的本底电子浓度，为制备高发光性能的ZnO基光电器件奠定了基础。
Description
技术领域
本发明涉及一种ZnO基薄膜的生长方法，尤其是高质量ZnMgBeO薄膜的制备方法。
背景技术
ZnO作为直接带隙宽禁带半导体材料，室温禁带宽度为3.37 eV，激子束缚能高达60 meV，这些特点使ZnO基材料在紫外光电领域有着巨大的应用潜力。为实现其广泛应用，需要解决两大关键问题：制备性能优异的n型和p型ZnO；生长量子阱结构提高光电器件效率。目前，ZnMgO被认为是ZnO基量子阱合适的势垒材料，主要原因是Mg2+半径 (0.57 ?) 与Zn2+半径 (0.60 ?) 接近，在ZnMgO合金中随着Mg含量的增加，禁带宽度增大的同时不会引起明显的晶格畸变。然而MgO为立方结构，与ZnO的六方结构不一致，这将导致Mg含量增大后出现分相问题。有研究指出ZnBeO合金可避免上述问题，由于BeO与ZnO晶体结构相同。但是Be2+半径 (0.31 ?) 较小，大量Be掺入会引起较大的晶格畸变。综合上述分析，掺入少量Be和适量Mg对ZnO进行能带裁剪，将是一种比较理想的途径。
除此之外，理论研究表明引入Be或Mg可以降低受主杂质的离化能，尤其是引入Be可有效地提高受主有效激活率，从而实现高空穴浓度p型掺杂。另一方面，由于Be-O键具有很高的键能，引入Be使氧空位的形成能更高，可有效抑制氧空位的形成。抑制氧空位一方面可显著减弱由氧空位等缺陷引起的缺陷发光峰，另一方面可有效地降低由氧空位等施主性缺陷引起的本底电子浓度。
因此，亟需发展一种通过调控Be、Mg掺入量来解决ZnMgO或ZnBeO三元合金所面临的问题以及改善p型掺杂的新途径。
发明内容
本发明的目的是克服ZnMgO或ZnBeO三元合金所面临的问题，提供一种同时引入Be和Mg，制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法。
本发明的制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法，包括以下步骤：
将经清洗处理的衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至400～700 ℃，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，调节生长室压力为1×10-6～1×10-5 Torr，以纯金属Zn、Mg和Be源为反应源，调节Zn源温度为260～350 ℃，调节Mg源温度为340～400 ℃，调节Be源温度为800～1000 ℃，在衬底上生长ZnMgBeO薄膜，生长结束后将薄膜在氧气氛下，以小于等于5 ℃/min 的速率降温冷却至室温。
本发明中，所述的O2的纯度为99.9999 %以上，金属Zn的纯度为99.9998 %以上，金属Mg的纯度为99.9999 %以上，金属Be的纯度为99.9999 %以上。所说的衬底可以是ZnO体单晶或c面蓝宝石。
本发明以经过射频活化的纯O2为O源，生长过程，Zn原子束流、Mg原子束流、Be原子束流与O等离子体发生反应，在衬底上沉积生成ZnMgBeO薄膜。
本发明薄膜中Mg的掺入浓度和Be的掺入浓度由Mg源的温度和Be源的温度调节，薄膜厚度由生长时间所决定。薄膜中缺陷发光峰抑制及本底电子浓度降低的效果由Be的掺入浓度调控。
本发明的有益效果在于：
本发明采用等离子体辅助分子束外延方法制备ZnMgBeO薄膜，有效保证了薄膜的质量，Mg、Be掺入浓度易控，制备的ZnMgBeO薄膜具有优异的光学和电学性能。通过调控Be掺入浓度，可有效地抑制ZnMgBeO薄膜的缺陷发光；同时，有效地降低ZnMgBeO薄膜的本底电子浓度。本发明方法简单可控，在抑制ZnMgBeO薄膜缺陷发光的同时，降低薄膜本底电子浓度，为制备高发光性能的ZnO基光电器件奠定了基础。
附图说明
图1是ZnMgBeO薄膜和ZnMgO薄膜的室温光致发光谱。
具体实施方式
实施例1
将c面蓝宝石衬底进行清洗处理后放入分子束外延设备，衬底温度加热至600 ℃，调节生长室压力为2×10-6 Torr，以经过射频活化的纯O2（纯度99.9999 %）为O源，活化O2的射频功率为350 W；金属Zn（纯度99.9998 %）源、Mg（纯度99.9999 %）源、Be（纯度99.9999 %）源为反应源，调节Zn源加热温度至280 ℃、Mg源加热温度至350 ℃、Be源加热温度至880 ℃，在c面蓝宝石上生长ZnMgBeO薄膜，生长时间为3 小时，薄膜厚约为350 nm。
采用相同的工艺，以金属Zn（纯度99.9998 %）源、Mg（纯度99.9999 %）源为反应源，在衬底上生长ZnMgO薄膜。
图1显示了ZnMgBeO薄膜和ZnMgO薄膜的室温光致发光谱，从图中看出，ZnMgO薄膜缺陷峰明显，薄膜发光性能较差；ZnMgBeO薄膜观测不到缺陷峰，具有优异的光学性能。
同时，制得的ZnMgBeO薄膜具有优异的室温电学性能，本底电子浓度为4×1016 cm-3，相对于ZnMgO薄膜的本底电子浓度（1×1017 cm-3 ）有明显的降低。
实施例2
将c面蓝宝石衬底进行清洗处理后放入分子束外延设备，衬底温度加热至700 ℃，调节生长室压力为3×10-6 Torr，以经过射频活化的纯O2（纯度99.9999%）为O源，活化O2的射频功率为350 W；金属Zn（纯度99.9998 %）源、Mg（纯度99.9999 %）源、Be（纯度99.9999 %）源为反应源，调节Zn源加热温度280 ℃、Mg源加热温度至350 ℃、Be源加热温度至900 ℃，在c面蓝宝石衬底上生长ZnMgBeO薄膜，生长时间为2小时，薄膜厚约为200 nm。
制备的ZnMgBeO薄膜观测不到缺陷峰，具有良好的光学性能；本底电子浓度低至2×1016 cm-3。
实施例3
将ZnO单晶衬底进行清洗处理后放入分子束外延设备，衬底温度加热至500 ℃，调节生长室压力为6×10-6 Torr，以经过射频活化的纯O2（纯度99.9999%）为O源，活化O2的射频功率为350 W；金属Zn（纯度99.9998 %）源、Mg（纯度99.9999 %）源、Be（纯度99.9999 %）源为反应源，调节Zn源加热温度300 ℃、Mg源加热温度至360 ℃、Be源加热温度至910 ℃，在ZnO单晶衬底上生长ZnMgBeO薄膜，生长时间为2 小时，薄膜厚约为300 nm。
制得的ZnMgBeO薄膜观测不到缺陷峰，具有良好的光学性能；本底电子浓度低至3×1016 cm-3。
Claims (3)
1. 制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法，其步骤如下：
将经清洗处理的衬底放入分子束外延设备中，衬底温度加热至400～700 ℃，将纯O2经过射频活化形成的氧等离子体作为O源，调节生长室压力为1×10-6～1×10-5 Torr，以纯金属Zn、Mg和Be源为反应源，调节Zn源温度为260～350 ℃，调节Mg源温度为340～400 ℃，调节Be源温度为800～1000 ℃，在衬底上生长ZnMgBeO薄膜，生长结束后将薄膜在氧气氛下，以小于等于5 ℃/min 的速率降温冷却至室温。
2. 根据权利要求1所述的制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法，其特征是所述的衬底是ZnO体单晶或c面蓝宝石。
3. 根据权利要求1所述的制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法，其特征是所述的O2的纯度为99.9999 %以上，金属Zn的纯度为99.9998 %以上，金属Mg的纯度为99.9999 %以上，金属Be的纯度为99.9999 %以上。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410661515.6A CN104451867B (zh) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | 一种制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410661515.6A CN104451867B (zh) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | 一种制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104451867A true CN104451867A (zh) | 2015-03-25 |
| CN104451867B CN104451867B (zh) | 2017-11-24 |
Family
ID=52898594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410661515.6A Active CN104451867B (zh) | 2014-11-19 | 2014-11-19 | 一种制备高质量ZnMgBeO薄膜的方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104451867B (zh) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105332048A (zh) * | 2015-10-20 | 2016-02-17 | 江苏大学 | 一种氧化锌基合金半导体材料及其制备方法 |
| CN109594045A (zh) * | 2017-09-30 | 2019-04-09 | 东北大学 | 一种高击穿电压ZnO:X薄膜及其制备方法和应用 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102185071B (zh) * | 2011-04-22 | 2013-04-24 | 浙江大学 | 一种非极性ZnO基发光器件及其制备方法 |
| CN102534767B (zh) * | 2011-12-29 | 2014-06-18 | 浙江大学 | Na掺杂生长p型ZnO单晶薄膜的方法 |
| CN103031597A (zh) * | 2012-12-25 | 2013-04-10 | 浙江大学 | Na-Be共掺生长p-ZnO薄膜的方法 |
-
2014
- 2014-11-19 CN CN201410661515.6A patent/CN104451867B/zh active Active
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN105332048A (zh) * | 2015-10-20 | 2016-02-17 | 江苏大学 | 一种氧化锌基合金半导体材料及其制备方法 |
| CN109594045A (zh) * | 2017-09-30 | 2019-04-09 | 东北大学 | 一种高击穿电压ZnO:X薄膜及其制备方法和应用 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104451867B (zh) | 2017-11-24 |
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| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant |