CN104425286A - Ic载板、具有该ic载板的半导体器件及制作方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种IC载板，其包括中介板及依次接触的第三导电线路层、第二介电层、内层线路板、第三介电层及第四导电线路层。内层线路板包括第一结合区及围绕第一结合区的第一周边区。在第一结合区内层线路板靠近第二介电层侧具有第一电性接触垫。第三导电线路层通过第二介电层中的导电孔与内层线路板电性连接。第四导电线路层通过第三介电层中的导电孔与内层线路板电性连接。在第一结合区自第三导电线路层向内层线路板形成有一个凹槽，露出第一电性接触垫。中介板收容于凹槽且其相对两侧具有电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫。第二电性接触垫与第一电性接触垫电性连接。本发明还涉及具有该IC载板的半导体器件及其制作方法。

Description

IC载板、具有该IC载板的半导体器件及制作方法

技术领域

本发明涉及一种IC载板，具有该IC载板的半导体器件及其制造方法。

背景技术

随着芯片技术的日益发展，芯片内导线的线宽线距均越来越细。为使承载芯片的承载基板的导线密度与芯片的线路间距相适应通常会使用中介板作为连接媒介，但由于中介板及与其电连接的芯片突出所述承载基板，使得半导体器件的整体厚度增加，不利于实现轻薄化。另外，中介板突出承载基板其电气特性易受外界影响。

发明内容

有鉴于此，有必要提供一种克服上述问题的IC载板、具有该IC载板的半导体器件及制作方法。

一种IC载板的制作方法，包括步骤：提供一个内层线路板，所述内层线路板包括第一介电层、多个第一电性接触垫及位于所述第一介电层相对两侧的第一导电线路层及第二导电线路层，所述第一介电层具有多个第一导电孔，所述第一电性接触垫与所述第一导电线路层位于第一介电层同侧；在所述第一导电线路层及所述第一电性接触垫上压合第二介电层、在所述第二介电层形成多个第二导电孔并在第二介电层表面形成第三导电线路层；在所述第二导电线路层压合第三介电层、在所述第三介电层形成多个第三导电孔并在第三介电层表面形成第四导电线路层，所述第三导电孔成孔方向与第一导电孔相同，与第二导电孔相反；自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成一个凹槽，所述多个第一电性接触垫从凹槽底部露出；以及在所述凹槽中安装一个中介板，所述中介板相对两侧具有多个一一对应电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性接触垫一一对应电性连接。

一种IC载板，其包括中介板及中介板载板，所述中介板载板包括依次接触的第三导电线路层、第二介电层、内层线路板、第三介电层及第四导电线路层，所述内层线路板包括第一结合区及围绕所述第一结合区的第一周边区，所述内层线路板靠近所述第二介电层侧具有多个第一电性接触垫，所述第一电性接触垫位于所述第一结合区，各导电线路层通过与其相邻的介电层中的导电孔与所述内层线路板电性连接，所述第二介电层中导电孔成孔方向与所述第三介电层中导电孔成孔方向相反，在所述第一结合区自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成有一个凹槽，多个第一电性接触垫所述凹槽底部露出，所述中介板收容于所述凹槽中，所述中介板相对两侧具有一一对应电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性接触垫一一对应电性连接。

一种半导体器件的制作方法，包括步骤：提供一个内层线路板，所述内层线路板包括第一介电层、多个第一电性接触垫及位于所述第一介电层相对两侧的第一导电线路层及第二导电线路层，所述第一电性接触垫与所述第一导电线路层位于第一介电层同侧；在所述第一导电线路层及所述第一电性接触垫上压合第二介电层，并在第二介电层表面形成第三导电线路层；在所述第二导电线路层压合第三介电层，并在第三介电层表面形成第四导电线路层；自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成一个凹槽，所述多个第一电性接触垫从凹槽底部露出；在所述凹槽中安装一个中介板，所述中介板相对两侧具有多个一一对应电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性接触垫一一对应电性连接；以及在所述中介板上安装一个芯片，所述芯片包括多个电极垫，所述电极垫与所述第三电性接触垫一一对应电性连接。

一种半导体器件，其包括IC载板及芯片。所述IC载板包括中介板及中介板载板，所述中介板载板包括依次接触的第三导电线路层、第二介电层、内层线路板、第三介电层及第四导电线路层，所述内层线路板包括第一结合区及围绕所述第一结合区的第一周边区，所述内层线路板靠近所述第二介电层侧具有多个第一电性接触垫，所述第一电性接触垫位于所述第一结合区，各导电线路层通过与其相邻的介电层中的导电孔与所述内层线路板电性连接，所述第二介电层中导电孔成孔方向与所述第三介电层中导电孔成孔方向相反，在所述第一结合区自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成有一个凹槽，多个第一电性接触垫所述凹槽底部露出，所述中介板收容于所述凹槽中，所述中介板相对两侧具有一一对应电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性接触垫一一对应电性连接。所述芯片安装在所述中介板上。所述芯片具有多个电极垫。每个电极垫均与一个所述第三电性接触垫电性连接。

本发明所述IC载板形成有凹槽，并将中介板完全收容于所述凹槽内一方面可以避免所述中介板受外界环境影响，另一方面可降低产品整体厚度。另外，在内层线路层两侧均形成增层线路，可防止产品成型后板面翘曲的问题。

附图说明

图1是本发明实施例所提供的内层线路板的剖视图。

图2是图1所示内层线路板的形成步骤第一步提供的基板的剖视图。

图3是图2所示的基板的第一介电层表面形成第二导电线路层并在所述第一介电层中形成第一导电孔后的剖视图。

图4是在图3所示的第一铜箔层与基板分开后的剖视图。

图5是将图4所示的第一铜箔层制成第一导电线路层及多个第一电性接触垫后的剖视图。

图6是将图5所示的第一导电线路层上形成第二介电层及第三导电线路层，并在所述第二介电层中形成第二导电孔后的剖视图。

图7是在图6所示的第二导电线路层上形成第三介电层及第四导电线路层，并在所述第三介电层中形成第三导电孔后的剖视图。

图8是在图7所示的第三导电线路层及第四导电线路层上分别形成第一防焊层及第二防焊层后的剖视图。

图9是在图8所示的第一防焊层向所述内层线路板形成凹槽后的剖视图。

图10是在图9所示的凹槽中安装一个中介板得到所述IC载板的剖视图。

图11是在图10所示的中介板上封装一个芯片得到所述半导体器件的剖视图。

主要元件符号说明

半导体器件	100
		IC载板	60
内层线路板	10
		第一结合区	11
第一周边区	12
		第一导电线路层	13
第一介电层	14
		第一导电孔	141
第二导电线路层	15
		第一电性接触垫	16
保护膜	17
		基板	130
第二结合区	131
		第二周边区	132
承载板	133
		介电胶片	134
第一覆铜基材	135
		第一铜箔层	1351
第二介电层	21
		第三导电线路层	22
第二导电孔	211
		第三介电层	31
第四导电线路层	32
		第三导电孔	311
第一防焊层	41
		第一开口	411
第一焊垫	412
		第二防焊层	42
第二开口	421
		第二焊垫	422
凹槽	40
		开口	23
中介板	50
		玻璃基底	51
第二电性接触垫	52
		第三电性接触垫	53
第四导电孔	511
		第一导电线路	512
第一导电凸块	54
		底部填充胶	70
芯片	80
		电极垫	81
第二导电凸块	82

如下具体实施方式将结合上述附图进一步说明本发明。

具体实施方式

本发明提供一种IC载板及具有该IC载板的半导体器件的制作方法，具体步骤如下：

第一步，请参阅图1，提供一个内层线路板10。

所述内层线路板10包括一个第一结合区11及围绕所述第一结合区11的第一周边区12（图中以虚线分开）。所述内层线路板10至少包括第一导电线路层13、第一介电层14、第二导电线路层15、多个第一电性接触垫16及保护膜17。本实施例中，所述内层线路板10包括第一导电线路层13、第一介电层14、第二导电线路层15、多个第一电性接触垫16及保护膜17。所述第一导电线路层13及所述第二导电线路层15形成于所述第一介电层14的相对两侧。所述第一导电线路层13位于所述第一周边区12。所述多个第一电性接触垫16与所述第一导电线路层13位于所述第一介电层14的同一侧，且位于所述第一结合区11。所述保护膜17形成于所述第一结合区11，且覆盖所述第一电性接触垫16及所述第一结合区11从所述第一电性接触垫16露出的第一介电层14。所述第一介电层14内具有多个贯穿所述第一介电层14的第一导电孔141。所述第一导电线路层13及所述第一电性接触垫16通过所述第一导电孔141与所述第二导电线路层15电性连接。

所述内层线路板10可通过如下方式获得：

首先，请参阅图2，提供一个基板130。所述基板130包括一个第二结合区131及围绕所述第二结合区131的第二周边区132（图中以虚线分开）。所述第二结合区131与所述第一结合区11对应。所述第二周边区132与所述第一周边区12对应。所述基板130包括一个承载板133、两个介电胶片134、两个第一覆铜基材135。所述两个第一覆铜基材135分别通过一个介电胶片134粘结于所述承载板133的相对两侧。所述第一覆铜基材135均可为单面覆铜基材或双面覆铜基材。本实施例中，所述第一覆铜基材135为单面覆铜基材。所述第一覆铜基材135均包括第一铜箔层1351及第一介电层14。每个所述第一铜箔层1351均较相邻的所述第一介电层14靠近所述承载板133。

接着，请参阅图3，自所述第一介电层14远离所述承载板133侧向所述第一介电层14内均激光烧蚀形成第一盲孔（图未示）。所述第一盲孔贯穿第一介电层14，部分第一铜箔层1351从所述第一盲孔底部露出。

接着，在所述第一盲孔的孔壁及所述第一介电层14上化学沉积第一薄铜层（图未示）作为电镀种子层。

接着，在所述第一介电层14上均形成具有图案化结构的第一电镀阻挡层（图未示），露出所述第一盲孔及部分所述第一薄铜层。

接着，电镀填满所述第一盲孔形成所述第一导电孔141，并在所述第一导电孔141远离所述第一铜箔层1351的端部及从所述第一电镀阻挡层露出的第一薄铜层上电镀形成第二导电线路层15。

接着，移除所述第一电镀阻挡层，并快速蚀刻去除被所述第一电镀阻挡层遮盖的部分所述第一薄铜层。

接着，请参阅图4及图5，将所述第一铜箔层1351均与所述介电胶片134分开，露出所述第一铜箔层1351。然后，通过影像转移及蚀刻的方法将位于所述第二周边区132的第一铜箔层1351制成所述第一导电线路层13，并将位于所述第二结合区131的第一铜箔层1351制成所述第一电性接触垫16。

最后，请参阅图1，在所述第二结合区131的第一电性接触垫16上形成所述保护膜17，所述保护膜17覆盖所述第一电性接触垫16及所述第二结合区131从第一电性接触垫16露出的第一介电层14，得到所述内层线路板10。

第二步，请参阅图6，在所述第一导电线路层13及保护膜17上压合第二介电层21、在所述第二介电层21中形成第二导电孔211及在所述第二介电层21表面形成第三导电线路层22。

所述第二介电层21覆盖所述保护膜17、第一导电线路层13及从所述第一导电线路层13露出的第一介电层14。所述第三导电线路层22形成于所述第二介电层21远离所述第一导电线路层13侧的表面。所述第三导电线路层22与所述第一结合区11对应的区域未分布有导电线路。所述第二导电孔211形成于所述第二介电层21中，且在厚度方向上贯穿所述第二介电层21。所述第三导电线路层22与所述第一导电线路层13通过所述第二导电孔211电性连接。所述第二介电层21、第二导电孔211及第三导电线路层22形成于所述保护膜17、第一导电线路层13及从所述第一导电线路层13露出的第一介电层14上，其中所述第二导电孔211及第三导电线路层22可通过半加成法形成。

具体地，首先，在所述第一导电线路层13及保护膜17上压合第二介电层21。所述第二介电层21覆盖所述第一导电线路层13、保护膜17及从所述第一导电线路层13露出的第一介电层14 。接着，自所述第二介电层21远离所述第一导电线路层13侧向所述第二介电层21内通过激光烧蚀的方式形成多个第二盲孔（图未示）。所述第二盲孔贯穿所述第二介电层21，部分第一导电线路层13从所述第二盲孔底部露出。接着，在所述第二介电层21表面及所述多个第二盲孔的孔壁化学沉积一层第二薄铜层（图未示）作为电镀种子层。接着，在所述第二介电层21上形成一层具有图案化结构第二电镀阻挡层（图未示）。多个第二盲孔及部分第二薄铜层从所述第二电镀阻挡层露出。然后，电镀填满所述第二盲孔，形成第二导电孔211并在所述第二导电孔211远离所述第一导电线路层13的端部及从所述第二电镀阻挡层露出的第二薄铜层上形成第三导电线路层22。最后，移除所述第二电镀阻挡层并快速蚀刻去除被所述第二电镀阻挡层遮盖的第二薄铜层。

第三步，请参阅图7，在所述第二导电线路层15上压合第三介电层31、在所述第三介电层31中形成第三导电孔311及在所述第三介电层31表面形成第四导电线路层32。

所述第三介电层31覆盖所述第二导电线路层15及从所述第二导电线路层15露出的第一介电层14。所述第四导电线路层32形成于所述第三介电层31远离所述第二导电线路层15侧的表面。所述第三导电孔311形成于所述第三介电层31中，且其在厚度方向上贯穿所述第三介电层31。所述第四导电线路层32与所述第二导电线路层15通过所述第三导电孔311电性连接。所述第三介电层31、第三导电孔311及第四导电线路层32可通过半加成法形成于所述第二导电线路层15上，其具体形成方式与所述第二介电层21、第二导电孔211及第三导电线路层22的形成方式相同。

第四步，请参阅图8，在所述第三导电线路层22上形成第一防焊层41。所述第一防焊层41覆盖所述第三导电线路层22及位于所述第一周边区12内且从所述第三导电线路层22露出的第二介电层21，露出所述第一结合区11的第二介电层21。所述第一防焊层41具有多个第一开口411。部分所述第三导电线路层22从所述第一开口411露出，形成第一焊垫412。

在所述第四导电线路层32上形成第二防焊层42。所述第二防焊层42覆盖所述第四导电线路层32及从所述第四导电线路层32露出的第三介电层31。所述第二防焊层42具有多个第二开口421。部分所述第四导电线路层32从所述第二开口421露出，形成第二焊垫422。

第五步，请参阅图9，自所述第一防焊层41向所述第一导电线路层13形成一个凹槽40。多个所述第一电性接触垫16从所述凹槽40底部露出。

具体地，自所述第一防焊层41向所述第一导电线路层13，沿所述第一结合区11与第一周边区12的边界通过捞型或者激光切割的方式形成一个开口（图未示）。所述开口在厚度方向截止于所述第一介电层14远离所述第二导电线路层15侧的表面。然后移除所述开口内的第二介电层21及保护膜17，露出所述多个第一电性接触垫16。

第六步，请参阅图10，在所述凹槽40中安装一个中介板50。所述中介板50完全收容于所述凹槽40中，即，在厚度方向上，所述中介板50远离所述第一介电层14的表面未超出所述第三导电线路层22靠近所述第二介电层21的表面。所述中介板50包括第一玻璃基底51及暴露于所述第一玻璃基底51相对两侧的多个第二电性接触垫52及第三电性接触垫53。所述第一玻璃基底51内形成有多个第四导电孔511及多条第一导电线路512。所述多个第四导电孔511位于所述第一玻璃基底51靠近所述第一导电线路层13侧，且每个所述第四导电孔511靠近所述第一导电线路层13的一端均与一个所述第二电性接触垫52电性连接，每个所述第四导电孔511远离所述第一导电线路层13的一端均与一条第一导电线路512电性连接。所述多条第一导电线路512位于所述第一玻璃基底51远离所述第一导电线路层13侧，且每条所述第一导电线路512远离所述第一导电线路层13一端均与一个所述第三电性接触垫53电性连接。每条所述第一导电线路512靠近所述第一导电线路层13一端均与一个所述第四导电孔511远离所述第一导电线路层13的一端电性连接，以实现每个所述第二电性接触垫52均通过一个第四导电孔511及一条第一导电线路512与相应的一个所述第三电性接触垫53的电性连接。每个所述第二电性接触垫52均通过一个第一导电凸块54与所述第一电性接触垫16电性连接，得到所述IC载板60。

第七步，请参阅图11，在所述中介板50上用底部填充胶70封装一个芯片80。所述芯片80具有多个电极垫81。每个所述电极垫81均通过一个第二导电凸块82与所述第三电性接触垫53电性连接。所述底部填充胶70形成于所述电极垫81、第二导电凸块82及所述第三电性接触垫53之间的空隙，并填满所述中介板50与所述第二介电层21之间的空隙以及所述第二电性接触垫52、第一导电凸块54及第一电性接触垫16之间的空隙。至此，得到所述半导体器件100。

可以理解的是，第一步中提供的内层线路板还可以包括在第二导电线路层上压合至少一层介电层及在所述至少一层介电层表面形成导电线路层。

可以理解的是，在第三步完成后，所述IC载板及具有该IC载板的半导体器件的制作方法还包括分别在所述第三导电线路层及第四导电线路层上形成新的介电层及导电线路层。此时，所述防焊层形成在新的导电线路层上。

可以理解的是，其它实施例中，在完成第三步后，可先自所述第三导电线路层向所述第一介电层形成所述凹槽，然后再在所述第三导电线路层及第四导电线路层上形成所述第一防焊层及第二防焊层。

可以理解的是，在第四步完成后，所述IC载板及具有该IC载板的半导体器件的制作方法还包括在露出来的第一焊垫及第二焊垫上进行表面处理，以避免焊垫表面氧化，进而影响其电气特性。表面处理的方式可采用化学镀金、化学镀镍等方式形成保护层，或者在焊垫上形成有机保焊膜（OSP）。

可以理解的是，在第六步完成后，本技术方案提供的IC载板及具有该IC载板的半导体器件的制作方法还可以包括在所述第一焊垫及第二焊垫上形成焊球及通过所述焊球电性连接电气组件或封装体的步骤。

请参阅图11，本技术方案还提供一种通过上述方法制作的半导体器件100，其包括IC载板60、底部填充胶70及芯片80。

所述IC载板60包括内层线路板10、第二介电层21、第三介电层31、第三导电线路层22、第四导电线路层32、第一防焊层41、第二防焊层42及中介板50。其中，所述内层线路板10、第二介电层21、第三介电层31、第三导电线路层22及第四导电线路层32所形成的结构可看作一个中介板载板。

所述内层线路板10包括第一结合区11及围绕所述第一结合区11的第一周边区12（图中以虚线隔开）。所述内层线路板10包括第一介电层14、第一导电线路层13、第二导电线路层15及多个第一电性接触垫16。所述第一介电层14中具有多个第一导电孔141。所述第一导电孔141贯穿所述第一介电层14。所述第一导电线路层13及第二导电线路层15位于所述第一介电层14的相对两侧。所述第一导电线路层13形成于所述第一周边区12。所述多个第一电性接触垫16与所述第一导电线路层13位于所述第一介电层14的同一侧。所述第一电性接触垫16位于所述第一结合区11。所述第一导电线路层13及多个第一电性接触垫16通过所述第一导电孔141与所述第二导电线路层15电性连接。

所述第二介电层21形成于所述第一导电线路层13侧，且覆盖所述第一导电线路层13及从所述第一导电线路层13露出的第一介电层14。所述第二介电层中具有多个第二导电孔211。所述第二导电孔211在厚度方向上贯穿所述第二介电层21。

所述第三导电线路层22形成于所述第二介电层21远离所述第一导电线路层13侧，且所述第三导电线路层22与所述第一结合区11对应的区域未分布有导电线路。所述第三导电线路层22通过所述第二导电孔211与所述第一导电线路层13电性连接。

所述第三介电层31形成于所述第二导电线路层15侧，且覆盖所述第二导电线路层15及从所述第二导电线路层15露出第一介电层14。所述第三介电层31具有多个第三导电孔311。所述第三导电孔311在厚度方向上贯穿所述第三介电层31。

所述第四导电线路层32形成于所述第三介电层31远离所述第二导电线路层15侧。所述第四导电线路层32通过所述第三导电孔311与所述第二导电线路层15电性连接。

所述第一防焊层41形成于所述第三导电线路层22上。所述第一防焊层41覆盖所述第三导电线路层22及所述第一周边区12从所述第三导电线路层22露出的第二介电层21。所述第一防焊层41具有多个第一开口411，露出部分所述第三导电线路层22形成第一焊垫412。

所述第二防焊层42形成于所述第四导电线路层32上。所述第二防焊层42覆盖所述第四导电线路层32及从所述第四导电线路层32露出的第三介电层31。所述第二防焊层42具有多个第二开口421，露出部分所述第四导电线路层32形成第二焊垫422。

自所述第一防焊层41向所述第一介电层14形成有一个凹槽40。所述凹槽40位于所述第一结合区11，且贯穿所述第二介电层21，露出所述第一电性接触垫16及部分第一介电层14。

所述中介板50完全收容于所述凹槽40中，即，在厚度方向上，所述中介板50远离所述第一介电层14的表面未超出所述第三导电线路层22靠近所述第二介电层21的表面。所述中介板50包括第一玻璃基底51及暴露于所述第一玻璃基底51相对两侧的多个电性连接的第二电性接触垫52及第三电性接触垫53。每个所述第二电性接触垫52均通过一个第一导电凸块54与所述第一电性接触垫16电性连接。

所述芯片80安装于所述中介板50上。所述芯片80具有多个电极垫81。每个所述电极垫81均通过一个第二导电凸块82与所述第三电性接触垫53电性连接。

所述底部填充胶70形成于所述电极垫81、第二导电凸块82及第三电性接触垫53之间的空隙，并填满所述中介板50与所述第二介电层21之间的空隙及所述第一电性接触垫16、第一导电凸块54及所述第二电性接触垫52之间的空隙。

本发明所述IC载板形成有凹槽，并将中介板完全收容于所述凹槽内，一方面可以避免所述中介板受外界环境影响，另一方面可降低产品整体厚度。另外，在内层线路层两侧均形成增层线路，可防止产品成型后板面翘曲的问题。

可以理解的是，对于本领域的普通技术人员来说，可以根据本技术方案的技术构思做出其它各种相应的改变与变形，而所有这些改变与变形都应属于本技术方案权利要求的保护范围。

Claims (8)

1.一种IC载板的制作方法，包括步骤：

提供一个内层线路板，所述内层线路板包括第一介电层、多个第一电性接触垫及位于所述第一介电层相对两侧的第一导电线路层及第二导电线路层，所述第一介电层具有多个第一导电孔，所述第一电性接触垫与所述第一导电线路层位于第一介电层同侧；

在所述第一导电线路层及所述第一电性接触垫上压合第二介电层、在所述第二介电层形成多个第二导电孔并在第二介电层表面形成第三导电线路层；

在所述第二导电线路层压合第三介电层、在所述第三介电层形成多个第三导电孔并在第三介电层表面形成第四导电线路层，所述第三导电孔成孔方向与第一导电孔的成孔方向相同，与第二导电孔的成孔方向相反；

自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成一个凹槽，所述多个第一电性接触垫从凹槽底部露出；以及

在所述凹槽中安装一个中介板，所述中介板相对两侧具有多个一一对应电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性接触垫一一对应电性连接。

2.如权利要求1所述的IC载板的制作方法，其特征在于，所述内层线路板包括一个第一结合区及围绕所述第一结合区的第一周边区，所述多个第一电性接触垫位于所述第一结合区，所述第一导电线路层位于所述第一周边区。

3.如权利要求2所述的IC载板的制作方法，其特征在于，所述内层线路板的制作方法，包括步骤：提供一个基板，所述基板包括一个与所述第一结合区对应的第二结合区及与所述第一周边区对应的第二周边区，所述基板包括一个承载板、位于所述承载板相对两侧的两个第一铜箔层及位于两个第一铜箔层远离所述承载板侧的第一介电层；在第一介电层表面均形成第二导电线路层；将所述第一铜箔层均与所述承载板分开；将所述第二周边区的第一铜箔层均制成第一导电线路层，并将所述第二结合区的第一铜箔层均制成所述第一电性接触垫。

4.一种IC载板，其包括中介板及中介板载板，所述中介板载板包括依次接触的第三导电线路层、第二介电层、内层线路板、第三介电层及第四导电线路层，所述内层线路板包括第一结合区及围绕所述第一结合区的第一周边区，所述内层线路板靠近所述第二介电层侧具有多个第一电性接触垫，所述第一电性接触垫位于所述第一结合区，各导电线路层通过与其相邻介电层中的导电孔与所述内层线路板电性连接，所述第二介电层中导电孔成孔方向与所述第三介电层中导电孔成孔方向相反，在所述第一结合区自所述第三导电线路层向所述内层线路板形成有一个凹槽，露出所述多个第一电性接触垫，所述中介板收容于所述凹槽中，所述中介板相对两侧具有相互电性连接的第二电性接触垫及第三电性接触垫，所述第二电性接触垫与所述第一电性接触垫电性连接。

5.如权利要求4所述的IC载板，其特征在于，在厚度方向上，所述中介板远离所述第一介电层的表面未超出所述第三导电线路层靠近所述第二介电层侧表面。

6.一种半导体器件的制作方法，包括步骤：提供一个如权利要求5或6所述IC载板；

及在所述中介板上安装一个芯片，所述芯片包括多个电极垫，所述电极垫与所述第三电性接触垫一一对应电性连接。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制作方法，其特征在于，在所述中介板上安装一个芯片后，还包括在所述第三电性接触垫与所述电极垫之间的空隙、所述中介板与所述第二介电层之间的空隙及所述第一电性接触垫与第二电性接触垫之间的空隙填满底部填充胶的步骤。

8.一种半导体器件，其包括如权利要求5至6任一项所述的IC载板及芯片，所述芯片安装在所述中介板上，所述芯片具有多个电极垫，每个电极垫均与一个所述第三电性接触垫电性连接。