CN104393022A - 显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括基板、多个像素单元、多条信号线、阻挡层以及盖板。基板具有显示区以及设置于显示区至少一侧的周边区，且周边区内具有外部信号接合区域。像素单元阵列排列于基板的显示区上。信号线位于外部信号接合区域与显示区之间，其中信号线电性连接像素单元。阻挡层至少位于部分信号线上方。盖板与基板对向设置，其中盖板覆盖像素单元且暴露外部信号接合区域。本发明还公开了该显示装置的制造方法。
Description
技术领域
本发明涉及一种显示装置及其制造方法，特别是一种可挠性显示装置及其制造方法。
背景技术
随着各种显示技术不断地蓬勃发展，在经过持续地研究开发之后，使用硬质载板(诸如玻璃基板)的平面显示器，如液晶显示器(liquid crystal display,LCD)、有机发光二极管显示器(organic light emitting diode display,OLEDdisplay)、电浆显示器(plasma display panel,PDP)、电泳显示器(electrophoreticdisplay,EPD)等产品，已逐渐地商业化并应用于各种尺寸以及各种面积的显示装置。由于使用可挠性基板制作的可挠式显示器具有轻薄、可挠曲、耐冲击、安全性高以及方便携带等特性，因此近年来已着手研究可挠式显示器，而如何制作具有良好工艺合格率的可挠式显示器是极须克服的一个重要课题。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是提供一种显示装置及其制造方法，可在制作过程中可保有良好的工艺合格率。
为了实现上述目的，本发明提供了一种显示装置，包括基板、多个像素单元、多条信号线、阻挡层以及盖板。基板具有显示区以及设置于显示区至少一侧的周边区，且周边区内具有外部信号接合区域。像素单元阵列排列于基板的显示区上。信号线位于外部信号接合区域与显示区之间，其中信号线电性连接像素单元。阻挡层至少位于部分信号线上方。盖板与基板对向设置，其中盖板覆盖像素单元且暴露外部信号接合区域。
为了更好地实现上述目的，本发明还提供了一种显示装置的制造方法，包括以下步骤。首先，提供上板，其中上板包括第一硬质基板以及第一基板。第一基板配置于第一硬质基板上且具有预切割线。接着，提供下板，其中下板包括第二硬质基板、第二基板、多个像素单元、多条信号线以及阻挡层。第二基板配置于第二硬质基板上，且具有显示区以及设置该显示区至少一侧的周边区，其中周边区内具有外部信号接合区域。像素单元阵列排列于第二基板的显示区上。信号线位于外部信号接合区域与显示区之间，并且电性连接像素单元。阻挡层至少位于部分信号线上方。接着，进行接合工序，以使得上板与下板接合对组在一起，其中预切割线与阻挡层在一垂直投影方向上至少部分重叠。之后，进行第一剥离工序，以使得第一硬质基板与第一基板分离。
本发明的技术效果在于：
在本发明的显示装置中，透过在信号线上方设置阻挡层，使得在制作显示装置的过程中，能够避免信号线被进行剥离工序或切割工序所使用的激光所破坏，进而提升显示装置的工艺合格率及显示品质。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1是本发明一实施方式的显示装置的示意图；
图2是图1的区域A的放大示意图；
图3是沿图2的剖线I-I’及剖线II-II’的剖面示意图；
图4A至图4G是本发明一实施方式的显示装置的制作流程的剖面示意图；
图5A至图5G是本发明另一实施方式的显示装置的制作流程的剖面示意图；
图6是本发明另一实施方式的显示装置的示意图；
图7是图6的区域A的放大示意图；
图8是沿图7的剖线I-I’及剖线II-II’的剖面示意图。
其中，附图标记
10、20 显示装置
100、202、302 基板
102 显示区
104 周边区
106 外部信号接合区域
108 走线区
110 扫描线
120 数据线
130 像素单元
132 驱动元件
133 绝缘层
134 第一电极层
135 隔离层
136 发光层
137 封装层
138 第二电极层
139 粘着层
140 信号线
150、150’ 阻挡层
160 接合垫
170 盖板
200、300 上板
201、221、301、321 硬质基板
202A 盖板部
202B 牺牲部
210、370 切割工序
220、320 下板
230、330 显示元件
240、340、 周边膜层结构
250、350 接合工序
260、270、360、380 剥离工序
A 区域
CHR 通道区
CL、CL’ 预切割线
CO 切口
G 栅极层
GI 栅绝缘层
H1、H2、H3 开口
IL 介电层
ILD 层间介电层
M1、M2 导体层
PL 平坦层
PS 多晶硅层
S 侧边
SD 源极漏极层
SDR 源极漏极区
T 主动元件
具体实施方式
下面结合附图对本发明的结构原理和工作原理作具体的描述：
图1是本发明一实施方式的显示装置的示意图。图2是图1的区域A的放大示意图。图3是沿图2的I-I’及剖线II-II’剖线的剖面示意图。
请先参照图1，显示装置10包括基板100、多条扫描线110、多条数据线120、多个像素单元130、多条信号线140、阻挡层150、多个接合垫160以及盖板170。在本实施方式中，显示装置10是有机发光二极管显示装置。
基板100具有显示区102以及设置于显示区102至少一侧的周边区104，其中周边区104内具有外部信号接合区域106，以及具有位于外部信号接合区域106与显示区102之间的走线区108。在本实施方式中，基板100为软性基板，其中软性基板的材质例如是聚亚酰胺(Polyimide，PI)、聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)、聚乙烯对苯甲酸酯(Polyethylene terephthalate，PET)、聚醚砜(polyethersulfone，PES)、环烯烃共聚合物(Cyclic Olefin Copolymer，COC)、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymer，COP)或其组合，但并不以此为限。
扫描线110以及数据线120设置于基板100的显示区102上。在本实施方式中，扫描线110沿X方向延伸，而数据线120沿Y方向延伸，以定义出像素单元130所在的区域。扫描线110与数据线120的材质例如是金属。
像素单元130阵列排列于基板100的显示区102上。详细而言，请同时参照图1至图3，像素单元130包括驱动元件132、绝缘层133、第一电极层134、隔离层135、发光层136、第二电极层138及封装层137。值得说明的是，为了构图方便，图2省略绘示部分膜层，例如隔离层135、第二电极层138、封装层139、盖板170等。
在本实施方式中，驱动元件132与对应的扫描线110以及数据线120电性连接，且驱动元件132包括主动元件T以及电容器(图未示)。详细而言，主动元件T包括多晶硅层PS、栅绝缘层GI、栅极层G、层间介电层ILD以及源极漏极层SD。如图3所示，多晶硅层PS位于基板100上，且包括通道区CHR及源极漏极区SDR；栅绝缘层GI覆盖多晶硅层PS；栅极层G位于多晶硅层PS的通道区CHR上方的栅绝缘层GI上；层间介电层ILD覆盖栅极层G，且层间介电层ILD与栅绝缘层GI具有共同暴露出部分多晶硅层PS的源极漏极区SDR的开口H1；源极漏极层SD则位于层间介电层ILD上，并经由开口H1而与源极漏极区SDR连接。
需说明的是，本实施方式的主动元件T虽为顶栅极型的低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-Silicon Thin Film Transistor，LTPS TFT)，但本发明并不限定主动元件的型态。在其他实施方式中，主动元件也可以是底栅极型的晶体管、非晶硅薄膜晶体管(amorphous silicon TFT，a-Si TFT)、微晶硅薄膜晶体管(micro-Si TFT)或金属氧化物晶体管等。
绝缘层133位于基板100上且覆盖主动元件T，且绝缘层133具有暴露出部分源极漏极层SD的开口H2。具体而言，在本实施方式中，绝缘层133是由介电层IL以及平坦层PL所构成，其中平坦层PL提供后续的第一电极层134能够形成在平坦的表面上。第一电极层134位于绝缘层133上，并经由开口H2而与源极漏极层SD连接。隔离层135位于第一电极层134上，且隔离层135具有开口H3以暴露出部分的第一电极层134。发光层136位于开口H3内且与开口H3所暴露出的第一电极层134接触。第二电极层138位于第一电极层134上，且第二电极层138覆盖发光层136以及隔离层135。封装层137位于第二电极层138上。在本实施方式中，发光层136例如是白光发光材料层，即显示装置10例如是白光有机发光二极管装置。
信号线140位于走线区108内，其中信号线140电性连接像素单元130。具体而言，请同时参照图1及图2，信号线140透过连接于扫描线110及数据线120而与像素单元130电性连接。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，信号线也可以透过连接于栅极驱动电路、共通线而与像素单元电性连接。
另外，请参照图2，区域A中的信号线140透过与扫描线110为一连续的导电图案(即信号线140与扫描线110属于同一膜层)的方式而彼此连接。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，信号线可透过任何连接方式而与扫描线、数据线、栅极驱动电路、共通线连接。
阻挡层150位于信号线140上方。详细而言，如图3所示，区域A中的阻挡层150位于信号线140上方的层间介电层ILD及介电层IL上。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，阻挡层150也可以是位于层间介电层ILD与介电层IL之间，或是位于信号线140与层间介电层ILD之间。也就是说，本发明的阻挡层在膜层间的位置并不受限制，只要在Z方向上阻挡层是位于信号线上方即落入本发明的范畴。
从另一方面而言，阻挡层150设置于邻近盖板170的一侧边S，且盖板170的该侧边S与阻挡层150至少部分重叠。也就是说，在本实施方式中，盖板170覆盖一部分的阻挡层150而暴露出另一部分的阻挡层150。
在本实施方式中，阻挡层150能够吸收波长为380nm以下的激光。从另一观点而言，阻挡层150能够阻挡能量为100mJ/cm2以上的前述激光。在一实施例中，所述激光的波长例如是248nm、308nm、351nm或355nm。另外，阻挡层150包括硅、亚克力树脂、聚酰亚胺树脂、金属、金属氧化物、金属堆叠层、或金属以及金属氧化物的堆叠层。举例而言，在阻挡层150的材质为硅的情况下，阻挡层150能够阻挡能量为100mJ/cm2以上的波长为308nm的激光的厚度为以上；在阻挡层150的材质为聚酰亚胺树脂的情况下，阻挡层150能够阻挡能量为100mJ/cm2以上的波长为308nm的激光的厚度为1μm以上；在阻挡层150的材质为亚克力树脂的情况下，阻挡层150能够阻挡能量为100mJ/cm2以上的波长为308nm的激光的厚度为1μm以上；以及在阻挡层150为铟锡氧化物与银的堆叠层的情况下，阻挡层150能够阻挡能量为100mJ/cm2以上的波长为308nm的激光的铟锡氧化物与银厚度为以上。
另外，虽然图1所示阻挡层150仅位于部分的信号线140上方，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，阻挡层150也可以是整个覆盖住信号线。也就是说，本发明的阻挡层只要至少位于部分的信号线上方即可。
另外，虽然图1所示阻挡层150为一长条状图案且与信号线140相交，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，阻挡层150也可以是多个岛状图案，或是任何几何图案，只要阻挡层150可以覆盖至少部分信号线140即可。
多个接合垫160设置于外部信号接合区域106内，其中信号线140电性连接接合垫160与像素单元130。详细而言，外部信号接合区域106例如是集成电路接合区域(IC bonding area)、薄膜覆晶接合区域(COF bonding area)或软性印刷电路接合区域(FPC bonding area)。也就是说，在本实施方式中，像素单元130经由信号线140连接至接合垫160，从而透过接合垫160与外部电路(例如集成电路、或软性印刷电路)电性连接，藉此接收来自于外部电路的驱动信号。
具体而言，请参照图3，区域A中的接合垫160是透过导体层M1及导体层M2而与信号线140电性连接，其中导体层M1与信号线140为一连续的导电图案(即导体层M1与信号线140属于同一膜层)，而导体层M2与源极漏极层SD属于同一膜层。然而，本发明并不限于此。在其他实施方式中，接合垫160可透过任何连接方式而与信号线140电性连接。
盖板170与基板100对向设置。在本实施方式中，盖板170为软性基板，其中软性基板的材质例如是聚亚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯对苯甲酸酯、聚醚砜、环烯烃共聚合物、环烯烃聚合物或其组合，但并不以此为限。另外，盖板170例如是彩色滤光基板。也就是说，盖板170上还配置有彩色滤光片(图未示)。在本发明的显示装置10中，透过同时设置基板100与配置有彩色滤光片(图未示)的盖板170，不但使得在对显示装置10进行挠曲时，显示装置10的应力得以均匀而避免像素单元130受到破坏，也可有效改善环境光反射的问题。
另外，请同时参照图1至图3，盖板170覆盖显示区102中的像素单元130且暴露出外部信号接合区域106中的接合垫160，藉此盖板170不但能够保护像素单元130，也使得暴露出的接合垫160能够与外部电路连接。
另外，在本实施方式中，显示装置10还可包括位于盖板170与像素单元130之间的粘着层139。详细而言，如图3所示，盖板170是透过粘着层139以粘贴的方式形成于封装层137上而与基板100接合对组在一起。然而，本发明并不限于此，在其他实施方式中，亦可于盖板170与基板100的***涂布框胶(图未示)使得盖板170与基板100接合对组在一起。
值得说明的是，在本实施方式中，透过设置阻挡层150能够避免信号线140在制造显示装置10的过程中受到破坏，进而使得显示装置10具有良好的制成合格率及显示品质。以下，将参照图4A至图4G以及图5A至图5G来说明前述功效。
图4A至图4G是本发明一实施方式的显示装置的制作流程的剖面示意图。
首先，请参照图4A，提供上板200，上板200包括硬质基板201以及配置于硬质基板201上的基板202，其中基板202具有一预切割线CL，以利后续进行切割工序。硬质基板201例如是玻璃基板，而基板202为软性基板，其中软性基板的材质例如是聚亚酰胺、聚碳酸酯、聚乙烯对苯甲酸酯、聚醚砜、环烯烃共聚合物、环烯烃聚合物或其组合，但并不以此为限。
接着，于基板202上进一步形成粘着层139，以于后续步骤中进行接合工序。
接着，请参照图4B，依据预切割线CL对基板202进行一切割工序210，以于基板202中形成一切口CO。详细而言，切口CO暴露出硬质基板201且使得基板202区分成盖板部202A以及牺牲部202B，其中基板202的盖板部202A即为前述的盖板170(如图1所示)。在本实施方式中，切割工序210例如是使用刀轮或激光等切割设备进行切割。
接着，请参照图4C，提供下板220，其中下板220包括硬质基板221、基板100、显示元件230、周边膜层结构240以及阻挡层150。硬质基板221例如是玻璃基板。显示元件230位于基板100的显示区102上，且显示元件230包括前述的扫描线110、数据线120及像素单元130(如图1所示)。周边膜层结构240位于基板100的周边区104上，且周边膜层结构240包括前述的栅绝缘层GI、信号线140、导体层M1、层间介电层ILD、介电层IL、导体层M2及接合垫160，其中该些膜层的详细配置关系请参照图3的剖线II-II’的剖面。阻挡层150位于周边膜层结构240上。
之后，进行一接合工序250，以将上板200与下板220接合对组在一起，而形成如图4D所示的结构。详细而言，切口CO与至少部分的阻挡层150在垂直投影方向上重叠。进一步而言，在垂直投影面上，阻挡层150会完全覆盖切口CO。也就是说，本发明的阻挡层150不但是至少部分与盖板170的侧边S重叠，还是至少部分与切口CO重叠。在本实施方式中，接合工序250是透过使用粘着层139将盖板170与显示元件230结合在一起来进行。
接着，请参照图4E，进行剥离工序260，以使得硬质基板201与盖板170分离，而形成如图4F所示的结构。在本实施方式中，剥离工序260例如是透过激光剥离法(laser lift-off)来进行，其中使硬质基板201与盖板170分离的激光的能量例如是100mJ/cm2以上，而波长例如是308nm。值得说明的是，在剥离工序260中，当激光扫描到切口CO处时，激光并无法被吸收而会直接照射到基板100上，然而即使如此，对应切口CO的信号线140并不会遭到破坏，其原因如下。如前文所述，阻挡层150能够阻挡能量为100mJ/cm2以上的波长为380nm以下的激光，因此在剥离工序260中，配置在信号线140上方且在垂直投影方向上至少部分与切口CO重叠的阻挡层150能够吸收往基板100照射的激光，而避免对应切口CO的信号线140受到破坏。如此一来，在不破坏连接像素单元130与接合垫160的信号线140的情况下，透过剥离工序260能够将暴露出接合垫160的盖板170顺利地与硬质基板201分离。
接着，请参照图4G，进行剥离工序270，以使得硬质基板221与基板100分离，而完成前述所提出的显示装置10(如图1至图3所示)。在本实施方式中，剥离工序270例如是透过激光剥离法来进行，其中使硬质基板221与基板100分离的激光的能量例如是100mJ/cm2以上，而波长例如是308nm。
图5A至图5G是本发明另一实施方式的显示装置的制作流程的剖面示意图。
首先，请参照图5A，提供上板300，上板300包括硬质基板301以及配置于硬质基板301上的基板302，其中基板302具有一预切割线CL’。接着，于基板302上进一步形成粘着层139。上板300、硬质基板301、基板302及预切割线CL’与图4A至图4G的实施方式中对应者相同，于此不再重述。
之后，提供下板320，其中下板320包括硬质基板321、基板100、显示元件330、周边膜层结构340以及阻挡层150。同样的，下板320、硬质基板321、显示元件330及周边膜层结构340与图4A至图4G的实施方式中对应者相同，于此不再重述。
在提供上板300及下板320之后，进行一接合工序350，以将上板300及下板320接合对组在一起，而形成如图5B所示的结构。详细而言，预切割线CL’与阻挡层150在垂直投影方向上至少部分重叠。也就是说，在垂直投影面上，阻挡层150会完全覆盖预切割线CL’。同样的，接合工序350与图4A至图4G的实施方式中对应者相同，于此不再重述。
接着，请参照图5C，进行剥离工序360，以使得硬质基板301与基板302分离，而形成如图5D所示的结构。同样的，剥离工序360与图4A至图4G的实施方式中对应者相同，于此不再重述。
接着，请参照图5E，经由预切割线CL’对基板302进行一切割工序370，以形成盖板170(如图5F所示)。详细而言，切割工序370例如是使用激光来进行切割，其中所述激光的能量例如是100mJ/cm2以上，而波长例如是355nm。值得说明的是，如前文所述，由于阻挡层150能够阻挡能量为100mJ/cm2以上的波长为380nm以下的激光，因此在切割工序370中，配置在信号线140上方且在垂直投影面上与预切割线CL’完全重叠的阻挡层150能够吸收往基板100照射的激光，而避免对应预切割线CL’的信号线140受到破坏。如此一来，在不破坏连接像素单元130与接合垫160的信号线140的情况下，透过切割工序370能够顺利地形成暴露出接合垫160的盖板170。
之后，请参照图5G，进行剥离工序380，以使得硬质基板321与基板100分离，而完成前述所提出的显示装置10(如图1至图3所示)。同样的，剥离工序380与图4A至图4G的实施方式中对应者相同，于此不再重述。
另外，在完成显示装置10的制作之后，还可以视需求于显示装置10上贴附触控面板(图未示)或其他膜层、元件，以完成具有所需功能的装置。
另外，在前述实施方式中，虽然显示装置10以有机发光二极管显示装置为例进行说明，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，本发明的显示装置也可以是液晶显示装置。
另外，在图1至图3中，显示装置10中的阻挡层150设置于邻近盖板170的一侧边S，且在垂直投影面上与该侧边S相重叠，但本发明并不限于此。在其他实施方式中，显示装置中的盖板的侧边也可以设置成与阻挡层切齐。以下，将参照图6至图8进行详细说明。
图6是本发明另一实施方式的显示装置的示意图。图7是图6的区域A的放大示意图。图8是沿图7的剖线I-I’及剖线II-II’的剖面示意图。另外，图6至图8的实施方式与上述图1至图3的实施方式相似，因此相同的元件以相同的符号表示，且不再重复说明。
请同时参照图8及图3，本实施方式的显示装置20与图3的实施方式的显示装置10不相同之处仅在于：显示装置20中的阻挡层150’与盖板170的侧边S切齐。如此一来，除了将阻挡层150’设置成与盖板170的侧边S切齐外，制作显示装置20的方法可参考图4A至图4G以及图5A至图5G。
进一步而言，透过将能够阻挡能量为100mJ/cm2以上的波长为380nm以下的激光的阻挡层150’设置成与盖板170的侧边S相切齐，在制作显示装置20的过程中，在使用激光进行剥离工序(请参照图4E)或切割工序(请参照图5E)时，阻挡层150’能够有效吸收往基板100照射的激光，而避免信号线140受到破坏，进而使得显示装置20具有良好的制成合格率及显示品质。
综上所述，在本发明的显示装置中，透过在信号线上方设置能够吸收波长为380nm以下的激光的阻挡层，使得在制作显示装置的过程中，能够避免信号线被进行剥离工序或切割工序所使用的激光所破坏，进而提升显示装置的工艺合格率及显示品质。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员当可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明所附的权利要求的保护范围。
Claims (18)
1.一种显示装置，其特征在于，包括：
一基板，具有一显示区以及设置于该显示区至少一侧的一周边区，该周边区内具有一外部信号接合区域；
多个像素单元，阵列排列于该基板的该显示区上；
多条信号线，位于该外部信号接合区域与该显示区之间，其中该多条信号线电性连接该多个像素单元；
一阻挡层，至少位于部分该多条信号线上方；以及
一盖板，与该基板对向设置，该盖板覆盖该多个像素单元且暴露该外部信号接合区域。
2.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该阻挡层用以吸收激光，该激光的波长为380nm以下。
3.如权利要求2所述的显示装置，其特征在于，该阻挡层阻挡能量为100mJ/cm2以上的该激光。
4.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该阻挡层包括硅、亚克力树脂、聚酰亚胺树脂、金属、金属氧化物、金属堆叠层、或金属以及金属氧化物的堆叠层。
5.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，还包括多个接合垫，设置于该外部信号接合区域，其中该多条信号线电性连接该多个接合垫与该多个像素单元。
6.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该阻挡层设置于邻近该盖板的一侧边，并与至少部分该多条信号线相交。
7.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该盖板的一侧边与该阻挡层至少部分重叠。
8.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，该基板或该盖板为软性基板。
9.如权利要求1所述的显示装置，其特征在于，每一像素单元包括：
一主动元件；
一第一电极层，与该主动元件电性连接；
一发光层，位于该第一电极层上；以及
一第二电极层，覆盖该发光层。
10.一种显示装置的制造方法，其特征在于，包括：
提供一上板，其中该上板包括：
一第一硬质基板；以及
一第一基板，配置于该第一硬质基板上，该第一基板具有一预切割线；
提供一下板，其中该下板包括：
一第二硬质基板；
一第二基板，配置于该第二硬质基板上，该第二基板具有一显示区以及设置于该显示区至少一侧的一周边区，该周边区内具有一外部信号接合区域；
多个像素单元，阵列排列于该第二基板的该显示区上；
多条信号线，位于该外部信号接合区域与该显示区之间，并且电性连接该多个像素单元；以及
一阻挡层，至少位于部分该多条信号线上方；
进行一接合工序，以使得该上板与该下板接合对组在一起，其中该预切割线与该阻挡层在一垂直投影方向上至少部分重叠；以及
进行一第一剥离工序，以使得该第一硬质基板与该第一基板分离。
11.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该阻挡层吸收激光，该激光的波长为380nm以下。
12.如权利要求11所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该阻挡层阻挡能量为100mJ/cm2以上的该激光。
13.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该阻挡层包括硅、亚克力树脂、聚酰亚胺树脂、金属、金属氧化物、金属堆叠层、或金属以及金属氧化物的堆叠层。
14.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括在进行该接合工序之前，依据该预切割线对该第一基板进行一切割工序，以于该第一基板中形成一切口，该切口暴露出该第一硬质基板且使得该第一基板区分成一盖板部以及一牺牲部。
15.如权利要求14所述的显示装置的制造方法，其特征在于，进行该第一剥离工序，以使得该第一硬质基板与该第一基板的该盖板部分离而形成一盖板，该盖板覆盖该多条像素单元且暴露该外部信号接合区域。
16.如权利要求10所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括在进行该第一剥离工序之后，经由该预切割线对该第一基板进行一切割工序，以形成一盖板，其中该盖板覆盖该多个像素单元且暴露该外部信号连接区。
17.如权利要求15或16所述的显示装置的制造方法，其特征在于，还包括进行一第二剥离工序，以使得该第二硬质基板与该第二基板分离。
18.如权利要求17所述的显示装置的制造方法，其特征在于，该第一剥离工序及该第二剥离工序包括激光剥离工序，以及该切割工序包括激光切割工序。
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