CN104362114B - 一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置及其清洗方法 - Google Patents
一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置及其清洗方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104362114B CN104362114B CN201410525225.9A CN201410525225A CN104362114B CN 104362114 B CN104362114 B CN 104362114B CN 201410525225 A CN201410525225 A CN 201410525225A CN 104362114 B CN104362114 B CN 104362114B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- acid
- polycrystalline
- polycrystalline bar
- large diameter
- zone melting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 47
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims abstract description 27
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 20
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 71
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 44
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 44
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 18
- 238000001035 drying Methods 0.000 claims abstract description 14
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims abstract description 12
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims abstract description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical group O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims description 11
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 7
- 238000005554 pickling Methods 0.000 claims description 6
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 claims description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 4
- 235000011194 food seasoning agent Nutrition 0.000 claims description 4
- 238000006396 nitration reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000010301 surface-oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims description 3
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 claims 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 abstract description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 abstract description 2
- 229960002050 hydrofluoric acid Drugs 0.000 description 9
- 239000003153 chemical reaction reagent Substances 0.000 description 3
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940023184 after bite Drugs 0.000 description 1
- 239000011260 aqueous acid Substances 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000007812 deficiency Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008030 elimination Effects 0.000 description 1
- 238000003379 elimination reaction Methods 0.000 description 1
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 1
- 235000013312 flour Nutrition 0.000 description 1
- 238000011010 flushing procedure Methods 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000012856 packing Methods 0.000 description 1
- 230000008092 positive effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
Landscapes
- Cleaning And De-Greasing Of Metallic Materials By Chemical Methods (AREA)
- Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
Abstract
本发明提供了一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置,属于半导体材料清洗技术领域，包括操作室、上料台和下料台，上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QRD氮气保护装置。本发明还公开了一种大直径区熔用多晶棒料的清洗方法。本发明能够完成直径140‑160mm多晶棒料的自动清洗过程，节省了人力，稳定了产品洗后的质量；适用于大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质的去除，使多晶棒料表面无污染，提高硅多晶质量和成晶率。
Description
技术领域
本发明涉及属于半导体材料清洗技术领域，具体是一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置及其清洗方法。
背景技术
目前，块状或棒状多晶硅的表面的杂质量通常采用试剂清洗的方法，用于除去杂质的试剂有：氢氟/过氧化氢酸水溶液和水的混合物、纯水、硝酸与氢氟酸的混合液等，用这些试剂清洗多晶硅的表面。现有技术是使用硝酸及氢氟酸的混酸溶液，对硅多晶表面进行腐蚀，然后使用去离子水对多晶棒料进行冲洗、烘干、冷却包装。此过程依靠人力进行多晶棒料的加工清洗，效率低下，清洗品质不够稳定。
发明内容
本发明要解决的问题是：克服现有技术的不足，提供一种去除大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质，使多晶棒料表面无污染，提高硅多晶质量，提高成晶率，自动化程度高，劳动强度小，酸对人体危害小的大直径区熔用多晶棒料的清洗装置。
为解决上述技术问题，本发明采用的技术方案是：一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置,包括操作室和设置在操作室前、后端的上料台和下料台，所述上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，所述预清洗装置和酸腐蚀装置均为滚动清洗，所述预清洗装置为一水槽，所述水槽的底部设有若干个滚轴，所述水槽的顶部内边缘设有高压水喷头,所述操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，其中一个物料转移装置位于上料台和酸腐蚀槽之间，另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽和下料台之间，所述酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QDR氮气保护装置,所述QDR氮气保护装置为若干个氮气喷头，所述氮气喷头设置在酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间。
进一步地，所述酸腐蚀槽的底部是由一排滚轴组成。
进一步地，所述酸腐蚀槽的材料为PT或PVC材质。
进一步地，所述酸腐蚀槽的侧壁上连接一自动补酸装置，所述自动补酸装置可对酸腐蚀槽中的混合酸溶液进行补给和替换。
进一步地，所述操作室的后端设有一风淋窗口，所述下料台位于风淋窗口的正下方。
本发明要解决的另一个问题是：提供一种大直径区熔用多晶棒料的自动清洗装置的清洗方法。
一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的清洗方法，包括以下步骤：
(1)上料：将多晶棒料放置于上料台，随后进行预清洗；
(2)预清洗：对多晶棒料的表面污渍进行清洗；
(3)酸洗：将多晶棒料放入酸腐蚀槽中旋转滚动，所述酸腐蚀槽中的酸液为硝酸与氢氟酸的混酸溶液；
(4)QDR氮气喷淋：在酸洗结束后，将酸腐蚀槽中的多晶棒料取出放入超声波水槽中，此过程需要使用氮气喷淋保护，防止多晶棒料表面氧化；
(5)超声：通过超声波震动，去除多晶棒料表面的酸液及杂质；
(6)烘干：热风烘干多晶棒料；
(7)下料：将多晶棒料经过风淋窗口后放置在下料台上。
进一步地，所述混酸的配比为硝酸与氢氟酸的体积比为7.5：1。
进一步地，所述氮气喷淋时长为3min。
进一步地，所述超声时长为15min。
进一步地，所述烘干温度为60-90℃，烘干时间为10-15min。
本发明具有的优点和积极效果是：
采用多晶棒料的自动清洗设备，能够完成直径140-160mm多晶棒料的自动清洗过程，节省了人力，稳定了产品洗后的质量；本发明适用于大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质的去除，使多晶棒料表面无污染，提高硅多晶质量，提高成晶率。
附图说明
图1是本发明大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的主视图。
图2是本发明大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的俯视图。
图中：1、操作室；2、上料台；3、下料台；4、预清洗装置；5、酸腐蚀槽；6、超声波清洗装置；7、烘干装置；8、物料转移装置；9、QRD氮气保护装置；10、自动补酸装置；11、风淋窗口。
具体实施方式
如图1、图2所示，一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置,包括操作室1和设置在操作室1前、后端的上料台2和下料台3，上料台2和下料台3之间依次设置有预清洗装置4、酸腐蚀槽5、超声波清洗装置6和烘干装置7。预清洗装置4为一水槽，水槽的底部设有若干个滚轴，水槽的顶部边缘设有高压水喷头，对多晶棒料进行预清洗。PVC的酸腐蚀装置5的底部是由一排PVC滚轴组成的，可以防止强酸的腐蚀，酸腐蚀槽5的侧壁上连接一自动补酸装置10，自动补酸装置10可将硝酸与氢氟酸配比混合，然后对酸腐蚀槽5中的混合酸溶液进行补给和替换。操作室1的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置8，其中一个物料转移装置位于上料台2和酸腐蚀槽5之间，另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽5和下料台3之间，物料转移装置8为机械臂，机械臂可将多晶棒料由前一装置转移至后一装置。酸腐蚀槽5和超声波清洗装置6之间还设置有一QRD氮气保护装置9，QRD氮气保护装置9为若干个氮气喷头，氮气喷头设置在酸腐蚀槽5和超声波清洗装置6之间，对在酸腐蚀槽5和超声波清洗装置6之间转移的多晶棒进行氮气喷淋保护，防止多晶棒料表面氧化。烘干装置7为热风烘干机，操作室1的后端设有一风淋窗口11，下料台3位于风淋窗口11的正下。
一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的清洗方法，包括以下步骤：
(1)上料：将多晶棒料放置于上料台1，随后进行预清洗；
(2)预清洗：对多晶棒料的表面污渍进行清洗；
(3)酸洗：将多晶棒料放入酸腐蚀槽5中旋转滚动，酸腐蚀槽5中的酸液为硝酸与氢氟酸的混酸溶液，混酸的配比为硝酸与氢氟酸的体积比为7.5：1。
(4)QDR氮气喷淋：在酸洗结束后，将酸腐蚀槽中的多晶棒料取出放入超声波水槽中，此过程需要使用氮气喷淋保护，防止多晶棒料表面氧化，氮气喷淋时长为3min。
(5)超声：通过超声波震动，超声时长为15min，去除多晶棒料表面的酸液及杂质；
(6)烘干：热风烘干多晶棒料，烘干温度为60-90℃，烘干时间为10-15min；
(7)下料：将多晶棒料经过风淋窗口风淋后放置在下料台上。
本实例的工作过程：将多晶棒料放置在上料台1上，机械臂自动将多晶棒料放入预清洗装置4的水槽中，水槽底部的滚轮转动带动多晶棒料转动，水槽的顶部边缘的高压水喷头对多晶棒料进行喷射，完成多晶硅棒料表面的硅粉和油污的清洗。预清洗完毕之后，机械臂将水槽中的多晶棒料取出，缓慢放入酸腐蚀槽5中，混酸的配比为硝酸与氢氟酸的体积比为7.5：1，多晶棒料在酸腐蚀槽5中自动旋转滚动腐蚀。酸洗腐蚀结束后，机械臂将酸腐蚀槽5中的多晶棒料取出，氮气喷头对多晶棒进行氮气喷淋3min，然后转移至超声波清洗装置6中，超声震动15min，将多晶棒料表面的酸液及杂质去除。超声清洗完毕后，机械臂将多晶棒料移至烘干装置7中，在60-90℃热风烘干10-15min。机械臂将烘干后的多晶棒料经过风淋窗口11风淋后，放置到下料台3上，多晶棒料的清洗完成。随着酸腐蚀时间的增长，混合酸溶液的浓度发生变化，自动补酸装置10可将硝酸与氢氟酸配比混合，然后对酸腐蚀槽5中的酸进行补给和替换。
采用多晶棒料的自动清洗设备，能够完成直径140-160mm多晶棒料的自动清洗过程，节省了人力，稳定了产品洗后的质量；本发明适用于大直径区熔用多晶棒料表面的金属杂质的去除，使多晶棒料表面无污染，提高硅多晶质量，提高成晶率。
以上对本发明的一个实施例进行了详细说明，但所述内容仅为本发明的较佳实例，不能被认为用于限定本发明的实施范围。凡依本发明申请范围所作的均等变化与改进等，均应仍归属于本发明的专利涵盖范围之内。
Claims (10)
1.一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置,包括操作室和设置在操作室前、后端的上料台和下料台，其特征在于：所述上料台和下料台之间依次设置有预清洗装置、酸腐蚀槽、超声波清洗装置和烘干装置，所述预清洗装置和酸腐蚀装置均为滚动清洗，所述预清洗装置为一水槽，所述水槽的底部设有若干个滚轴，所述水槽的顶部内边缘设有高压水喷头,所述操作室的顶部前后滑动连接有两个物料转移装置，其中一个物料转移装置位于上料台和酸腐蚀槽之间，另一个物料转移装置位于酸腐蚀槽和下料台之间，所述酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间还设置有一QDR氮气保护装置,所述QDR氮气保护装置为若干个氮气喷头，所述氮气喷头设置在酸腐蚀槽和超声波清洗装置之间。
2.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述酸腐蚀槽的底部是由一排滚轴组成。
3.根据权利要求2所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述酸腐蚀槽的材料为PT或PVC材质。
4.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述酸腐蚀槽的侧壁上连接一自动补酸装置，所述自动补酸装置可对酸腐蚀槽中的混合酸溶液进行补给和替换。
5.根据权利要求1所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置，其特征在于：所述操作室的后端设有一风淋窗口，所述下料台位于风淋窗口的正下方。
6.一种如权利要求1所述的大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的清洗方法，其特征在于：包括以下步骤：
(1)上料：将多晶棒料放置于上料台，随后进行预清洗；
(2)预清洗：对多晶棒料的表面污渍进行清洗；
(3)酸洗：将多晶棒料放入酸腐蚀槽中旋转滚动，所述酸腐蚀槽中的酸液为硝酸与氢氟酸的混酸溶液；
(4)QDR氮气喷淋：在酸洗结束后，将酸腐蚀槽中的多晶棒料取出放入超声波水槽中，此过程需要使用氮气喷淋保护，防止多晶棒料表面氧化；
(5)超声：通过超声波震动，去除多晶棒料表面的酸液及杂质；
(6)烘干：热风烘干多晶棒料；
(7)下料：将多晶棒料经过风淋窗口后放置在下料台上。
7.根据权利要求6所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的清洗方法，其特征在于：所述混酸的配比为硝酸与氢氟酸的体积比为7.5：1。
8.根据权利要求6所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的清洗方法，其特征在于：所述氮气喷淋时长为3min。
9.根据权利要求6所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的清洗方法，其特征在于：所述超声时长为15min。
10.根据权利要求6所述的一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置的清洗方法，其特征在于：所述烘干温度为60-90℃，烘干时间为10-15min。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410525225.9A CN104362114B (zh) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置及其清洗方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410525225.9A CN104362114B (zh) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置及其清洗方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104362114A CN104362114A (zh) | 2015-02-18 |
| CN104362114B true CN104362114B (zh) | 2017-07-18 |
Family
ID=52529363
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410525225.9A Active CN104362114B (zh) | 2014-09-30 | 2014-09-30 | 一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置及其清洗方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104362114B (zh) |
Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104624571B (zh) * | 2015-03-04 | 2016-06-01 | 烽火通信科技股份有限公司 | 石英反应管自动洗管机及其自动洗管方法 |
| CN109560006B (zh) * | 2017-09-26 | 2023-10-20 | 天津环鑫科技发展有限公司 | 一种硅片自动涂源生产线 |
| CN111151504A (zh) * | 2020-01-19 | 2020-05-15 | 洛阳中硅高科技有限公司 | 多晶硅清洗机和清洗多晶硅的方法 |
| CN111977988B (zh) * | 2020-08-04 | 2021-06-08 | 湖南巨强再生资源科技发展有限公司 | 一种基于马蹄焰熔炉的废玻璃回收利用生产线 |
| CN112222097B (zh) * | 2020-09-04 | 2022-03-08 | 山东国晶新材料有限公司 | 一种去除夹持杆表面残渣的方法 |
| CN112959527B (zh) * | 2021-02-05 | 2023-04-28 | 浙江快驴科技有限公司 | 一种电池智能化管理芯片生产上料装置及使用方法 |
| CN113319058A (zh) * | 2021-06-16 | 2021-08-31 | 中国恩菲工程技术有限公司 | 多晶硅清洗装置 |
| CN114226334A (zh) * | 2021-12-29 | 2022-03-25 | 有研半导体硅材料股份公司 | 一种多晶硅棒清洗装置及方法 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1395155A (zh) * | 2001-07-05 | 2003-02-05 | 丽台科技股份有限公司 | Ddr与qdr的转换装置以及使用其的适配卡、主板与内存模块接口 |
| CN1466173A (zh) * | 2002-06-04 | 2004-01-07 | 联华电子股份有限公司 | 金属电浆蚀刻后的晶圆清洗方法 |
| CN101127181A (zh) * | 2006-08-17 | 2008-02-20 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置及电子设备 |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10202209A (ja) * | 1997-01-20 | 1998-08-04 | Otsuka Giken Kogyo Kk | 洗浄装置 |
| JP4815000B2 (ja) * | 2010-01-13 | 2011-11-16 | 株式会社カイジョー | 超音波洗浄装置 |
| CN201924079U (zh) * | 2010-12-10 | 2011-08-10 | 自贡佳源炉业有限公司 | 在线超声波清洗烘干机 |
| JP2014063920A (ja) * | 2012-09-21 | 2014-04-10 | Kurita Water Ind Ltd | 洗浄方法および洗浄装置 |
| CN203695506U (zh) * | 2014-01-24 | 2014-07-09 | 北京亦庄国际诊断试剂技术有限公司 | 酶标板清洗*** |
-
2014
- 2014-09-30 CN CN201410525225.9A patent/CN104362114B/zh active Active
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1395155A (zh) * | 2001-07-05 | 2003-02-05 | 丽台科技股份有限公司 | Ddr与qdr的转换装置以及使用其的适配卡、主板与内存模块接口 |
| CN1466173A (zh) * | 2002-06-04 | 2004-01-07 | 联华电子股份有限公司 | 金属电浆蚀刻后的晶圆清洗方法 |
| CN101127181A (zh) * | 2006-08-17 | 2008-02-20 | 精工爱普生株式会社 | 电光学装置及电子设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN104362114A (zh) | 2015-02-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN104362114B (zh) | 一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置及其清洗方法 | |
| CN108499957B (zh) | 一种全自动超声波清洗*** | |
| CN204257598U (zh) | 一种大直径区熔用多晶棒料的清洗装置 | |
| CN102560615B (zh) | 提高冷轧带钢表面清洗质量的装置 | |
| CN101191232A (zh) | 一种去除不锈钢表面氧化皮膜之表面处理水溶液及其应用 | |
| CN105220235B (zh) | 一种单多晶制绒方法 | |
| CN208466675U (zh) | 发动机缸体清洗机 | |
| CN109234722A (zh) | 一种铜带表面处理工艺 | |
| CN203695538U (zh) | 通过式清洗机 | |
| CN206714021U (zh) | 一种新型蔬菜清洗装置 | |
| CN103834948B (zh) | 一种双槽沟槽蚀刻机 | |
| CN102698983A (zh) | 一种太阳能级硅片的清洗方法 | |
| CN105986300A (zh) | 自行车车架涂装方法 | |
| CN205413937U (zh) | 一种钢带清洗*** | |
| CN105293936B (zh) | 一种蒙砂加工装置 | |
| CN104028503B (zh) | 硅原材料的清洗方法 | |
| CN205684373U (zh) | 一种网板清洗装置 | |
| CN207767488U (zh) | 一种水果清洗机 | |
| CN206373107U (zh) | 一种自动油磨及清洗钛辊辊面的装置 | |
| CN103599897A (zh) | 一种鲜玉米穗清洗机 | |
| CN203621023U (zh) | 一种电池清洗设备 | |
| CN207713832U (zh) | 铜合金带酸碱洗装置 | |
| CN201857428U (zh) | 合金板带材半连续酸洗机组 | |
| CN207841004U (zh) | 清除预应力钢丝氧化皮的装置 | |
| CN107552481A (zh) | 一种硅片清洗工艺 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20181101 Address after: 300384 Tianjin Binhai New Area high tech Zone Huayuan Industrial Area (outside the ring) Hai Tai Road 12 Patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 300384 Tianjin Binhai New Area high tech Zone Huayuan Industrial Park (outside the ring) Hai Tai Road 12 Patentee before: TIANJIN HUANOU SEMICONDUCTOR MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191209 Address after: 214200 Dongfen Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Co-patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee after: Zhonghuan leading semiconductor materials Co.,Ltd. Address before: 300384 in Tianjin Binhai high tech Zone Huayuan Industrial Zone (outer ring) Haitai Road No. 12 Patentee before: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 214200 Dongjia Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee after: Zhonghuan Leading Semiconductor Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 214200 Dongjia Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: Zhonghuan leading semiconductor materials Co.,Ltd. Country or region before: China Patentee before: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |