CN104350628A - 用于光电子器件的具有改善的光学性能的肌理化玻璃基材 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及用于光电子器件的具有改善的光学性能的玻璃基材，使得所述基材通过化学侵蚀在其面至少之一上由一组几何图案完全地或者部分地肌理化，使得图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切至少等于35°的角度并且至多等于80°的角度。
Description
技术领域
1.本发明的领域
本发明的领域是用于光电子器件的肌理化玻璃基材的技术领域。
更具体地，本发明涉及用于光电子器件的具有改善的光学性能的肌理化玻璃基材并且涉及用于制造这种肌理化玻璃基材的方法。术语“光电子器件”是指可以发射或者收集光的任何类型的器件。这类器件例如是简称为OLED(OLED：Organic Light Emitting Device)的有机电致发光器件，或者光收集器件，例如有机光伏电池，也称为太阳能电池。特别是，本发明涉及用于有机电致发光器件(OLED：Organic LightEmitting Device)的具有改善的光学性能的玻璃基材。
术语“肌理化(的)(texturé)”旨在表示基材在其表面的至少之一上包含肌理化(texturation)的事实。术语“肌理化(texturation)”被理解为是指相对于玻璃基材面的总平面产生凹或凸的起伏(relief)的多个图案(motifs)。玻璃基材的两面可具有这类图案。由于其肌理化，玻璃基材呈现出改善的光学性能。术语“改善的光学性能”旨在表示改善的光透射，换句话说是指穿过肌理化玻璃基材的透射光量增加。因而，当将该玻璃基材引入到有机电致发光器件中时，无论入射光取向如何，观察到由所述有机电致发光器件发射的光量的增加，而且还观察到色刺激的主波长以及透射颜色的纯度的角度依赖性降低。
颜色的纯度通过如下方式定义：在CIE 1931 XYZ色度空间中，CIE的射影平面xy上的颜色(x,y)和白色点(xI,yI)的位置之间的欧几里得距离除以相同色调的纯色(在同一条线上的单色或二色)的距离(仍是欧几里得距离)(xP,yP)＝ρmax(x–xI,y–yI)+(xI,yI)：
并且ρmax在色度图的限度内最大。
主波长是与无色颜色混合恢复等效有色感觉的单色波长。
背景技术
2.现有技术的解决方案
已知的是，基材表面的肌理化导致透射光量增加。因而，文献EP 1449017 B1描述了通过轧制肌理化的玻璃板，该玻璃板在其至少一个面上具有多个金字塔类型的图案。如此获得的表面具有更好的光透射。但这是一种实施不太灵活的方法。这是因为，该玻璃肌理化产生于图案的印制，所述图案的印制通过在玻璃的变形温度下轧制玻璃产生印记来进行。对于该肌理化的任何变化仅可通过改变所产生的印记来实现，这涉及到所用轧制辊的改变。这种操作是漫长且令人厌倦的。而且，所用辊也往往会随时间而磨损，这带来了所产生的印记的可再现性问题。
JP2004342523描述了一种具有透明基材的OLED，其与有机体系相对的表面具有通过光刻法产生的不平整的表面。其中的粗糙度以5.7°-31°的平均角度表征，这个角度太低而无法实现通过有机电致发光器件发射的颜色的纯度以及主波长的角度依赖性的良好降低以及良好的光提取。
发明内容
3.本发明的目的
本发明的目的尤其在于克服现有技术的这些缺陷。
更特别地，在其至少一种实施模式中，本发明的目的在于提供用于光电子器件的肌理化玻璃基材，其具有改善的光透射性能，而无论入射光的取向如何。更特别地，这涉及到提供一种肌理化玻璃基材，其能够使由引入其的有机电致发光器件透射的光量增加，并且这是对于覆盖波长范围的多色辐射来说的。
在其至少一种实施模式中，本发明的另一目的在于提供一种肌理化玻璃基材，其使得能够降低由引入了所述肌理化玻璃基材的有机电致发光器件所发射的颜色的纯度以及主波长的角度依赖性。
在其至少一种实施模式中，本发明的进一步目的在于提供一种配备有透明电极的肌理化玻璃基材。更特别地，本发明涉及一种配备有电极的肌理化玻璃基材，所述电极包含至少一个金属层，优选由银制成。
4.本发明的描述
根据一种特定的实施模式，本发明涉及一种用于光电子器件的具有改善的光学性能的玻璃基材，使得所述基材通过化学侵蚀在其面的至少之一上完全地或部分地由一组几何图案肌理化，使得：
·图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切至少等于35°的角度，
·图案的高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的距离RSm的一半之间的比率的反正切至多等于80°的角度。
本发明的一般原理基于玻璃基材通过化学侵蚀的肌理化，这种肌理化可以在所述基材的至少一个面上进行。该肌理化可以在整个该面上进行或者在该面的一部分上进行。这种通过化学侵蚀的肌理化导致形成一组几何图案，使得它们的存在改善了玻璃基材的光学性能。
因而，本发明在于一种基于玻璃基材的化学肌理化的完全新颖性且创造性的方法。玻璃的这种化学肌理化使得能够省掉图案印制步骤以及与这种操作有关的限制，该图案印制通过轧制达到其变形温度的玻璃产生印记来进行。实际上，这种肌理化模式是更为灵活的并且可更容易控制。更为灵活的肌理化模式被理解为是指以粗糙度参数Rz和RSm的形式测量的表面肌理化可通过对侵蚀时间或者对侵蚀溶液化学组成进行略微变化而改变。可更容易控制的肌理化模式被理解为是指该肌理化的控制简单地与侵蚀溶液组成和侵蚀时间的控制相关，这种控制比可印制图案的轧制辊的磨损控制要更为容易。
术语“肌理化(的)(texturé)”还被理解为是指该玻璃基材包含至少一种通过化学侵蚀的表面肌理化。这种肌理化包括至少消光(matage)和/或蚀刻，优选消光。
玻璃基材的化学侵蚀可通过酸性或碱性化学侵蚀来进行。基材的碱性化学侵蚀通过使该基材的表面与至少一种碱金属(alcalin)化合物(NaOH，KOH或者它们的混合物)接触来进行，所述碱金属化合物以固体形式或者以包含至少10％重量碱金属的浓溶液形式应用。在应用碱金属化合物之前或者之后，使该基材达到至少等于350℃的温度。
玻璃基材的化学侵蚀可有利地通过使用在肌理化玻璃生产中使用的酸溶液通过受控酸性侵蚀(例如通过使用氢氟酸的侵蚀)来进行。通常，所述酸溶液是pH范围为0-5的氢氟酸水溶液。这种水溶液除了氢氟酸之外可包含这种酸的盐、其它酸如盐酸、硫酸、硝酸、磷酸以及它们的盐(例如：Na2SO4、K2SO4、(NH4)2SO4、BaSO4等)，以及小比例的任选添加剂(例如：酸/碱缓冲剂、润湿剂等)。碱金属盐和铵盐通常是优选的；在这些当中可更特别地提及钠、钾以及铵的氢氟化物和/或二氟化物。这种溶液例如是包含0-600g/l氢氟酸且优选150-250g/l氢氟酸并且还包含0-700g/l的NH4HF2且优选150-300g/l的NH4HF2的水溶液。该酸性侵蚀可在一个或多个步骤中进行。侵蚀时间为至少10秒。优选地，侵蚀时间为至少20秒。侵蚀时间不超过30分钟。图案的平均高度Rz定义为图案的顶点与底部之间的平均距离。术语“顶点”被理解为是指相对于图案底部的最远点。这个点在峰的情况下是唯一的，但当顶点以平台形式存在时可以是多个。在以平台形式存在的顶点的情况下，距离RSm是平台的中点相隔的距离。
根据前述模式的一种特定模式，该玻璃基材使得：
·图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切至少等于35°的角度，
·图案的高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的距离RSm的一半之间的比率的反正切至多等于70°的角度。
根据前述模式的一种特定模式，该玻璃基材使得：
·图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切至少等于35°的角度，
·图案的高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的距离RSm的一半之间的比率的反正切至多等于60°的角度。
图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切等于范围在35°-80°的值，优选范围在35°-70°的值，最优选范围在35°-60°的值。
根据前述模式的一种特定模式，根据本发明的玻璃基材包括与旨在容纳光电子器件的表面相对的该基材的表面的至少一种全部或部分肌理化。根据前述模式的一种特定模式，该表面的肌理化包括至少形成具有多边形底部的金字塔形物，其在一方面是与所述金字塔形物的底部平行的平面与另一方面是所述金字塔形物的至少一个侧面的平面之间形成的最小角度是至少35°。在一方面是与所述金字塔形物的底部平行的平面与另一方面是所述金字塔形物的至少一个侧面的平面之间形成的角度是至多80°，优选至多70°，更优选至多60°。在一方面是与所述金字塔形物的底部平行的平面与另一方面是所述金字塔形物的至少一个侧面的平面之间形成的角度的数值范围是35°-80°，优选的数值范围是35°-70°，更优选的数值范围是35°-60°。由该基材的表面的部分或完全肌理化所提供的优点在于能够减少与在此基材的界面处的内部反射有关的损失。根据一种特定的实施模式，该玻璃基材具有至少等于1.5的折射率。具有较高折射率的基材的使用使得能够以相同的光电子***和相同的肌理化获得更高的透射光量并且因而获得更大的亮度。
该玻璃基材有利地尤其选自AGC的玻璃Matelux Clear，AGC的玻璃Matelux Light，AGC的玻璃Matelux Double Sided，AGC的玻璃Matelux Clearvision，AGC的玻璃Matelux Antislip，AGC的玻璃ArcticWhite，AGC的玻璃Matelux Stopsol Supersilver Clear，AGC的玻璃Glamatt，AGC的玻璃Matobel，等等。
根据一种特定的实施模式，该基材使得几何图案包含至少一种具有多边形底部的阶梯状金字塔形物类型的结构。术语“阶梯状金字塔形物”被理解为是指其至少一个面具有阶梯结构的金字塔形物。这种阶梯结构使得梯级和梯级高度的尺寸并不必然彼此相等和成对。由包含梯级的平面与包含梯级高度的平面形成的角度并不必然等于90°。优选地，从金字塔形物的内部看到的“梯级-梯级高度(marche-contre marche)”角为至少100°，更优选至少120°，最优选至少145°。这个角度可随着“梯级-梯级高度”结构而变化。
优选地，所述几何图案彼此尽可能地接近。根据一种优选实施模式，该基材包含拼接的图案。术语“拼接的图案”被定义为它们的底部的至少一部分接触的两个图案。拼接的图案使得能够获得具有更大图案密度的基材表面，由此获得更大的肌理化并且因而获得甚至更高的光透射。
根据一种优选实施模式，该基材包含完全拼接的图案。术语“完全拼接的图案”被理解为是指一个图案的底部的每一侧也构成另一图案的底部的一部分。
本发明的另一目的在于一种肌理化玻璃基材，使得该肌理化玻璃基材在其面的至少之一上包含至少一个透明电极。在本发明基材中包含的电极在以下情况下将被看作是透明的：其在可见光的波长范围内具有至多50％，甚至至多30％，优选至多20％，更优选至多10％的光吸收。另外，在本发明玻璃基材中包含的电极根据其所***到的器件的类型而可表现为阳极或者相反地表现为阴极。
根据一种优选实施模式，根据本发明的肌理化玻璃基材使得所述基材在与其上沉积有所述透明电极的面相对的该基材的面上完全或者部分肌理化，该透明电极侧的基材面可以进行肌理化或者不进行肌理化，优选地，该透明电极则的面不进行肌理化。
根据前述模式的一种特定模式，用于光电子器件的肌理化玻璃基材使得该透明电极包含至少一个基于至少一种掺杂氧化物的导电氧化物层，所述掺杂氧化物优选选自锡掺杂的氧化铟(ITO)，被至少一种选自铝(AZO)或镓(GZO)的掺杂元素掺杂的氧化锌，或者以氟或以锑掺杂的氧化锡。
根据另一种实施模式，用于光电子器件的肌理化玻璃基材使得该透明电极包含层堆结构(empilement)，所述层堆结构包含至少一个导电金属层，优选仅仅一个导电金属层，以及至少一个具有改善穿过所述电极的光透射的性能的涂层，所述涂层具有至少大于3.0nm并且至多小于或等于200nm，优选小于或等于170nm，更优选小于或等于130nm的几何厚度，所述涂层包含至少一个改善光透射的层并且位于该导电金属层与在其上沉积有所述电极的基材之间。
根据前述模式的一种特定实施模式，用于光电子器件的肌理化玻璃基材使得该透明电极包含层堆结构，所述层堆结构包含仅一个导电金属层以及至少一个具有改善穿过所述电极的光透射的性能的涂层，所述涂层具有至少大于3.0nm并且至多小于或等于200nm，优选小于或等于170nm，更优选小于或等于130nm的几何厚度，所述涂层包含至少一个改善光透射的层并且位于该导电金属层与在其上沉积有所述电极的基材之间，使得该具有改善光透射的性能的涂层的光学厚度TD1和导电金属层的几何厚度TME由以下关系关联：
TME＝TME_0+[B*sin(Π*TD1/TD1_0)]/(n基材)3
其中TME_0、B和TD1_0为常数，TME_0具有在10.0至25.0nm范围内的值，B具有在10.0至16.5范围内的值，并且TD1_0具有在23.9*nD1至28.3*nD1nm范围内的值，其中nD1表示改善光透射的涂层在550nm的波长下的折射率，n基材表示构成基材的玻璃在550nm的波长下的折射率。优选地，常数TME_0、B和TD1_0使得TME_0具有在11.5至22.5nm范围内的值，B具有在12至15范围内的值，并且TD1_0具有在24.8*nD1至27.3*nD1nm范围内的值。更优选地，常数TME_0、B和TD1_0使得TME_0具有在12.0至22.5nm范围内的值，B具有在12至15范围内的值，并且TD1_0具有在24.8*nD1至27.3*nD1nm范围内的值。
由本发明基材所提供的优点在于，其使得能够获得引入了该基材的光电子器件所发射或转化的光的量的增加，并且这是对于单色辐射而言的，更特别地是在有机电致发光器件(OLED)的情况下发射的光的量的增加。
表述“具有改善光透射的性能的涂层”指的是这样的涂层：它在构成电极的层堆结构中的存在导致穿过该基材透射的光量增加，例如具有抗反射性能的涂层。换言之，与相同类型的但是包含沉积于与本发明基材相同的基材上的常规电极(例如：ITO)的光电子器件相比，引入了本发明基材的光电子器件发射或转化更大量的光。更特别地，当基材***有机电致发光器件中时，发射的光量的增加以更高的亮度值为特征，而无论发射的光的颜色如何。
该改善光透射的涂层的几何厚度必须具有至少大于3nm的厚度，优选至少等于5nm，更优选至少等于7nm，最优选至少等于10nm。例如，当改善光透射的涂层基于氧化锌或者基于氧低于化学计量的氧化锌ZnOx(这些氧化锌任选地用锡掺杂或与锡合金)时，该改善光透射的涂层的至少大于3nm的几何厚度使得能够获得具有良好电导率的导电金属层(特别是银制的导电金属层)。该改善光透射的涂层的几何厚度有利地具有小于或等于200nm的厚度，优选小于或等于170nm，更优选小于或等于130nm，由这样的厚度所提供的优点在于所述涂层的制造过程更快。
术语“基材”也应当被理解为不仅指玻璃基材本身，而且还指包含该玻璃基材以及至少一个材料层的任何结构，所述材料具有与构成基材的玻璃的折射率n基材接近的折射率n材料，换言之|n基材-n材料|≤0.1。|n基材-n材料|表示折射率之差的绝对值。作为实例，可以提及沉积在由钠钙玻璃制成的玻璃基材上的氧化硅层。
玻璃基材优选具有至少0.35mm的几何厚度。术语“几何厚度”指的是平均几何厚度。所述玻璃是无机或有机玻璃。无机玻璃是优选的。在这当中优选白(clair)或者本体或表面着色的钠钙玻璃。更优选地，它们是超白(extra clair)钠钙玻璃。术语“超白”指的是含有玻璃的至多0.020％重量并且优选至多0.015％重量的总Fe(以Fe2O3表示)的玻璃。由于成本原因，玻璃的折射率n基材优选具有在1.4至1.6范围内的值。更优选地，玻璃的折射率具有等于1.5的值。n基材表示构成基材的玻璃在550nm的波长下的折射率。
根据一种具体实施模式，根据本发明的玻璃基材使得构成其的玻璃具有在550nm的波长下在1.4至1.6范围内的折射率，并且其所包含的电极使得该具有改善光透射的性能的涂层的光学厚度TD1和导电金属层的几何厚度TME由以下关系关联：
TME＝TME_0+[B*sin(Π*TD1/TD1_0)]/(n基材)3
其中TME_0、B和TD1_0为常数，TME_0具有在10.0至25.0nm范围内、优选10.0至23.0nm范围内的值，B具有在10.0至16.5范围内的值，并且TD1_0具有在23.9*nD1至28.3*nD1nm范围内的值，其中nD1表示该改善光透射的涂层在550nm的波长下的折射率，n基材表示构成基材的玻璃在550nm的波长下的折射率。优选地，常数TME_0、B和TD1_0使得TME_0具有在10.0至23.0nm、优选10.0至22.5nm、最优选11.5至22.5nm范围内的值，B具有在11.5至15.0范围内的值，并且TD1_0具有在24.8*nD1至27.3*nD1nm范围内的值。更优选地，常数TME_0、B和TD1_0使得TME_0具有在10.0至23.0nm、优选10.0至22.5nm、最优选11.5至22.5nm范围内的值，B具有在12.0至15.0范围内的值，并且TD1_0具有在24.8*nD1至27.3*nD1nm范围内的值。
根据一种具体实施模式，根据本发明的玻璃基材使得构成其的玻璃具有在550nm的波长下等于1.5的折射率，并且其所包含的电极使得该具有改善光透射的性能的涂层的光学厚度TD1和导电金属层的几何厚度TME由以下关系关联：
TME＝TME_0+[B*sin(Π*TD1/TD1_0)]/(n基材)3
其中TME_0、B和TD1_0为常数，其中TME_0具有在10.0至25.0nm、优选10.0至23.0nm范围内的值，B具有在10.0至16.5范围内的值，并且TD1_0具有在23.9*nD1至27.3*nD1nm范围内的值，其中nD1表示该改善光透射的涂层在550nm的波长下的折射率，n基材表示构成该基材的玻璃在550nm的波长下的折射率。优选地，常数TME_0、B和TD1_0使得TME_0具有在10.0至23.0nm、优选10.0至22.5nm、最优选11.5至22.5nm范围内的值，B具有在11.5至15.0范围内的值，并且TD1_0具有在24.8*nD1至27.3*nD1范围内的值。更优选地，常数TME_0、B和TD1_0使得TME_0具有在10.0至23.0nm、优选10至22.5nm、最优选11.5至22.5nm范围内的值，B具有在12.0至15.0范围内的值，并且TD1_0具有在24.8*nD1至27.3*nD1nm范围内的值。
根据前述模式的一种具体实施模式，根据本发明的玻璃基材使得该导电金属层的几何厚度至少等于6.0nm，优选至少等于8.0nm，更优选至少等于10.0nm，并且至多等于22.0nm，优选至多等于20.0nm，更优选至多等于18.0nm，并且其中该改善光透射的涂层的几何厚度至少等于50.0nm，优选至少等于60.0nm，并且至多等于130.0nm，优选至多等于110.0nm，更优选至多等于90.0nm。
根据一种具体实施模式，根据本发明的玻璃基材使得构成其的玻璃具有在1.4至1.6范围内的折射率值，并且使得该导电金属层的几何厚度至少等于16.0nm，优选至少等于18.0nm，更优选至少等于20.0nm，并且至多等于29.0nm，优选至多等于27.0nm，更优选至多等于25.0nm，并且其中该改善光透射的涂层的几何厚度至少等于20.0nm并且至多等于40.0nm。令人吃惊地，与该改善光透射的涂层的优化厚度组合的厚导电金属层的使用使得能够获得一方面具有高亮度并且另一方面引入了玻璃基材的光电子***，更特别地是OLED器件，所述玻璃基材的电极具有以Ω/□表示的较低的表面电阻。
根据一种优选实施模式，根据本发明的玻璃基材使得构成该改善光透射的涂层的材料的折射率(nD1)高于构成基材的玻璃的折射率(n基材)(nD1＞n基材)，优选nD1＞1.2*n基材，更优选nD1＞1.3*n基材，最优选nD1＞1.5*n基材。构成该涂层的材料的折射率(nD1)具有在550nm的波长下在1.5至2.4、优选2.0至2.4、更优选2.1至2.4范围内的值。当该改善光透射的涂层由多个层构成时，nD1由以下关系给出：
其中m表示构成该涂层的层数，nx表示从基材起构成第x层的材料的折射率，1x表示第x层的几何厚度，1D1表示该涂层的几何厚度。具有更高折射率的材料的使用使得能够获得更大的发射或透射的光量。该改善光透射的涂层的折射率与构成基材的玻璃的折射率之间的差越大，提供的优点越显著。
构成该改善光透射的涂层的至少一个层的材料包含至少一种介电化合物和/或至少一种导电化合物。术语“介电化合物”指的是至少一种选自以下的化合物：
·选自Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Ni、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi的至少一种元素的氧化物以及其中的至少两种的混合物；
·选自硼、铝、硅、锗的至少一种元素的氮化物以及它们的混合物；
·氧氮化硅、氧氮化铝；
·氧碳化硅。
当存在时，该介电化合物优选包括氧化钇、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化铌、氧化钽、氧化锌、氧化锡、氧化铝、氮化铝、氮化硅和/或氧碳化硅。
术语“导电”指的是至少一种选自以下的化合物：
·氧低于化学计量的氧化物以及用选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi的至少一种元素掺杂的氧化物以及其中的至少两种的混合物；
·用选自硼、铝、硅、锗的至少一种元素掺杂的氮化物以及它们的混合物；
·掺杂的氧碳化硅；
优选地，掺杂剂包含选自Al、Ga、In、Sn、P、Sb、F的至少一种元素。在氧氮化硅的情况下，掺杂剂包含B、Al和/或Ga。
优选地，该导电化合物包含至少ITO和/或掺杂的Sn氧化物，其中掺杂剂是选自F和Sb的至少一种元素，和/或掺杂的Zn氧化物，其中掺杂剂是选自Al、Ga、Sn、Ti的至少一种元素。根据一种优选实施模式，该无机化合物包含至少ZnOx(其中x≤1)和/或ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)。优选地，ZnxSnyOz包含至多95重量％的锌，锌的重量百分比相对于该层中存在的金属的总重量表示。
构成本发明玻璃基材的一部分的电极的导电金属层主要确保所述电极的导电。它包含至少一个包含金属或金属混合物的层。一般性术语“金属混合物”指的是至少两种金属的组合，其为合金形式或者将至少一种金属用至少一种其它金属掺杂的形式；该金属和/或金属混合物包含选自Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Al的至少一种元素。优选地，该金属和/或金属混合物包含选自Cu、Ag、Au、Al的至少一种元素。更优选地，该导电金属层包含至少Ag，其为纯净形式或者与其它金属形成合金。优选地，该其它金属包含选自Au、Pd、Al、Cu、Zn、Cd、In、Si、Zr、Mo、Ni、Cr、Mg、Mn、Co、Sn的至少一种元素。更优选地，该其它金属包含至少Pd和/或Au，优选Pd。
根据一种具体实施模式，构成本发明基材的一部分的电极的该改善光透射的涂层包含至少一个额外的结晶层，相对于基材，所述结晶层是构成所述涂层的层堆结构中最远的层。这个层使得能够实现构成该导电金属层的金属层(例如银层)的优先生长，并且因此获得导电金属层的良好电学和光学性能。它包含至少一种无机化合物。构成该结晶层的无机化合物并不必然具有高折射率。该无机化合物包含至少ZnOx(其中x≤1)和/或ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)。优选地，ZnxSnyOz包含至多95重量％的锌，锌的重量百分比相对于该层中存在的金属的总重量表示。优选地，该结晶层是ZnO制成的。由于具有改善光透射性能的层具有与多层导电涂层(例如：低发射型涂层)领域中惯常遇到的厚度相比通常更大的厚度，必须调整并提高结晶层的厚度以提供具有良好导电性和非常少吸收的导电金属层。
根据一种具体实施模式，该结晶层的几何厚度至少等于该改善光透射的涂层的总几何厚度的7％，优选11％，更优选14％。例如，在改善光透射的涂层包含改善光透射的层和结晶层的情况下，如果提高结晶层的几何厚度，则必须降低该改善光透射的层的几何厚度，以符合导电金属层的几何厚度与该改善光透射的涂层的光学厚度之间的关系。
根据一种具体实施模式，将结晶层与构成该改善光透射的涂层的至少一个改善光透射的层合并。
根据一种具体实施模式，该透明电极的该改善光透射的涂层包含至少一个额外的阻挡层，相对于在其上沉积了电极的基材的面，所述阻挡层是构成所述涂层的层堆结构中最近的层。这种层尤其使得能够保护电极免受来自玻璃基材(例如由钠钙玻璃制成的玻璃基材)的碱金属迁移产生的任何污染，并且因而使得能够延长电极的寿命。该阻挡层包含至少一种选自以下的化合物：
·氧化钛、氧化锆、氧化铝、氧化钇以及其中至少两种的混合物；
·锌-锡、锌-铝、锌-钛、锌-铟、锡-铟的混合氧化物；
·氮化硅、氧氮化硅、氧碳化硅、氧碳氮化硅、氮化铝、氧氮化铝以及其中至少两种的混合物；
这种阻挡层任选地用锡掺杂或者与锡形成合金。
根据一种具体实施模式，将该阻挡层与构成该改善光透射的涂层的至少一个改善光透射的层合并。
根据阻挡层和结晶层的一种优选实施模式，将这两种额外层的至少之一与该改善光透射的涂层的至少一个改善光透射的层合并。
根据一种具体实施模式，根据本发明的玻璃基材使得该电极包含表面电性能均一化的薄层，相对于在其上沉积了该电极的基材的面，所述薄层位于构成所述电极的多层层堆结构的顶部。该表面电性能均一化的薄层的主要功能是使得能够在电极的整个表面上获得电荷的均匀迁移。这种均匀迁移表现为表面任何点上的发射或转化的光的均等的通量。它也使得可以提高光电子器件的寿命，因为这种迁移在每个点上相同，从而消除了可能的热点。该均一化层具有至少0.5nm、优选至少1.0nm的几何厚度。该均一化层具有至多6.0nm、优选至多2.5nm、更优选至多2.0nm的几何厚度。更优选地，该均一化层等于1.5nm。该均一化层包含至少一个包含至少一种无机材料的层，该无机材料选自金属、氮化物、氧化物、碳化物、氧氮化物、氧碳化物、碳氮化物、氧碳氮化物。
根据前述模式的第一具体实施模式，该均一化层的无机材料包含单一金属或者金属混合物。一般性术语“金属混合物”指的是至少两种金属的组合，其为合金形式或者将至少一种金属用至少一种其它金属掺杂的形式。该均一化层包含选自Li、Na、K、Be、Mg、Ca、Ba、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Ce、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、B、Al、Ga、In、Tl、C、Si、Ge、Sn、Pb的至少一种元素。该金属和/或金属混合物包含选自Li、Na、K、Mg、Ca、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Co、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Si、C的至少一种元素。更优选地，该金属或金属混合物包含选自C、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Ni、Cr、Al、Zn的至少一种元素。该金属混合物优选包含用Al掺杂的Zn和/或Ni-Cr。由这种具体实施模式提供的优点在于能够获得一方面由表面电性能均一化层的作用所产生的电性能与另一方面由于改善涂层而获得的光学性能之间的最好的可能的折中。具有尽可能低厚度的均一化层的使用是基本的。这是因为，这种层的厚度越低，其对光电子器件发射或转化的光量的影响就越小。因而，这种均一化层在其为金属时以其更薄的厚度而区别于导电层，因为这种厚度不足以保证导电性。因此，如果该均一化层是金属的，即由单一金属或者金属混合物组成，则它优选具有至多5.0nm的几何厚度。
根据第二具体实施模式，该均一化层的无机材料以至少一种化合物的形式存在，该化合物选自碳化物、碳氮化物、氧氮化物、氧碳化物、氧碳氮化物以及其中至少两种的混合物。均一化层的氧氮化物、氧碳化物、氧碳氮化物可以为非化学计量的形式，优选相对于氧低于化学计量。该碳化物为选自Be、Mg、Ca、Ba、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、Ce、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Au、Zn、Cd、B、Al、Si、Ge、Sn、Pb的至少一种元素，优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Co、Ni、Pd、Pt、Cu、Au、Zn、Cd、Al、Si的至少一种元素，更优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Ni、Cr、Zn、Al的至少一种元素的碳化物。碳氮化物为选自Be、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W、Fe、Co、Zn、B、Al、Si的至少一种元素，优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Co、Zn、Al、Si的至少一种元素，更优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Zn、Al的至少一种元素的碳氮化物。氧氮化物为选自Be、Mg、Ca、Sr、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Rh、Ir、Ni、Cu、Au、Zn、B、Al、Ga、In、Si、Ge的至少一种元素，优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Co、Ni、Cu、Au、Zn、Al、Si的至少一种元素，更优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Zn、Al的至少一种元素的氧氮化物。氧碳化物是选自Be、Mg、Ca、Sr、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ni、Zn、Si、Ge的至少一种元素，优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W、Mn、Ni、Zn、Al、Si的至少一种元素，更优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Zn、Al的至少一种元素的氧碳化物。氧碳氮化物是选自Be、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W、Mn、Zn、B、Al、Si、Ge的至少一种元素，优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Mo、W、Mn、Zn、Al、Si的至少一种元素，更优选选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Cr、Zn、Al的至少一种元素的氧碳氮化物。表面电性能均一化层的碳化物、碳氮化物、氧氮化物、氧碳化物、氧碳氮化物任选地包含至少一种掺杂元素。在一种优选实施模式中，均一化薄层包含至少一种氧氮化物，该氧氮化物包含选自Ti、Zr、Cr、Mo、W、Mn、Co、Ni、Cu、Au、Zn、Al、Si的至少一种元素。更优选地，表面电性能均一化薄层包含选自Ti氧氮化物、Zr氧氮化物、Ni氧氮化物、NiCr氧氮化物的至少一种氧氮化物。
根据第三具体实施模式，均一化层的无机材料以选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn的至少一种元素的至少一种金属氮化物的形式存在。优选地，该均一化层包含选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Co、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、Si的元素的至少一种氮化物。更优选地，该氮化物包含选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Ni、Cr、Al、Zn的至少一种元素。更优选地，表面电性能均一化薄层包含至少Ti氮化物、Zr氮化物、Ni氮化物、NiCr氮化物。
根据第四具体实施模式，均一化层的无机材料以选自Be、Mg、Ca、Sr、Ba、Sc、Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Ru、Os、Co、Rh、Ir、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、B、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Pb的至少一种元素的至少一种金属氧化物的形式存在。优选地，该均一化层包含选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Co、Ni、Pd、Pt、Cu、Ag、Au、Zn、Cd、Al、In、Si、Sn的元素的至少一种氧化物。更优选地，该氧化物包含选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Ni、Cu、Cr、Al、In、Sn、Zn的至少一种元素。均一化层的氧化物可以是氧低于化学计量的氧化物。该氧化物任选地包含至少一种掺杂元素。优选地，该掺杂元素选自至少一种选自以下的元素：Al、Ga、In、Sn、Sb、F、Ag。更优选地，表面电性能均一化薄层包含至少Ti氧化物和/或Zr氧化物和/或Ni氧化物和/或NiCr氧化物和/或ITO和/或掺杂的Cu氧化物，其中掺杂剂为Ag，和/或掺杂的Sn氧化物，其中掺杂剂是选自F和Sb的至少一种元素，和/或掺杂的Zn氧化物，其中掺杂剂是选自Al、Ga、Sn、Ti的至少一种元素。
根据一种具体实施模式，根据本发明的玻璃基材使得该电极包含位于导电金属层和均一化薄层之间的至少一个额外的***层。***导电金属层和均一化层之间的该层包含至少一个包含至少一种介电化合物和/或至少一种导电化合物的层。优选地，该***层包含至少一个包含至少一种导电化合物的层。这种***层的功能是构成光学腔的一部分，该光学腔能够使导电金属层变透明。术语“介电化合物”指的是选自以下的至少一种化合物：
·选自Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi的至少一种元素的氧化物以及其中至少两种的混合物；
·选自硼、铝、硅、锗的至少一种元素的氮化物以及它们的混合物；
·氧氮化硅、氧氮化铝；
·氧碳化硅。
当存在时，介电化合物优选包含氧化钇、氧化钛、氧化锆、氧化铪、氧化铌、氧化钽、氧化锌、氧化锡、氧化铝、氮化铝、氮化硅和/或氧碳化硅。
术语“导电”涉及选自以下的至少一种化合物：
·氧低于化学计量的氧化物以及用选自Y、Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Zn、Al、Ga、In、Si、Ge、Sn、Sb、Bi的至少一种元素掺杂的氧化物以及其中的至少两种的混合物；
·用选自硼、铝、硅、锗的至少一种元素掺杂的氮化物以及它们的混合物；
·掺杂的Si氧碳化物；
优选地，掺杂剂包含选自Al、Ga、In、Sn、P、Sb、F的至少一种元素。在氧氮化硅的情况下，掺杂剂包含B、Al和/或Ga。
优选地，导电化合物包含至少ITO和/或掺杂的Sn氧化物，其中掺杂剂是选自F和Sb的至少一种元素，和/或掺杂的Zn氧化物，其中掺杂剂是选自Al、Ga、Sn、Ti的至少一种元素。根据一种优选实施模式，该无机化合物包含至少ZnOx(其中x≤1)和/或ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)。优选地，ZnxSnyOz包含至多95％重量的锌，锌的重量百分比相对于该层中存在的金属的总重量表示。
根据前述模式的一种具体实施模式，在根据本发明的透明基材中，***层的几何厚度(Ein)使得一方面其欧姆厚度至多等于1012欧姆，优选至多等于107欧姆，更优选至多等于104欧姆，其中该欧姆厚度等于一方面是构成***层的材料的电阻率(ρ)与另一方面是该同一层的几何厚度(l)之间的比；并且另一方面，***层的几何厚度与有机电致发光器件的第一有机层的几何厚度(Eorg)通过关系Eorg＝Ein-A相关，术语“第一有机层”指的是位于***层和有机电致发光层之间的所有有机层，A是具有在5.0至75.0nm、优选20.0至60.0nm、更优选30.0至45.0nm的范围内的值的常数。本发明人已经令人吃惊地确认，关系Eorg＝Ein-A使得可以使用有机电致发光器件的第一有机层的几何厚度优化***层的光学参数(几何厚度和折射率)并因而优化透射光量，同时保持与电性能相容的***层厚度，该电性能使得可以避免高的起亮电压，并且这是对于第一最大亮度来说的。
根据另一种具体实施模式，在根据本发明的玻璃基材中，***层的几何厚度(Ein)使得一方面其欧姆厚度至多等于1012欧姆，优选至多等于107欧姆，更优选至多等于104欧姆，其中该欧姆厚度等于一方面是构成***层的材料的电阻率(ρ)与另一方面是该同一层的几何厚度(l)之间的比；并且另一方面，***层的几何厚度与有机电致发光器件的第一有机层的几何厚度(Eorg)通过关系Eorg＝Ein-C相关，术语“第一有机层”指的是位于***层和有机电致发光层之间的所有有机层，C是具有在150.0至250.0nm、优选160.0至225.0nm、更优选75.0至205.0nm的范围内的值的常数。本发明人已经令人吃惊地确认，关系Eorg＝Ein-C使得可以使用有机电致发光器件的第一有机层的几何厚度优化***层的光学参数(几何厚度和折射率)并因而优化透射光量，同时保持与电性能相容的***层厚度，该电性能使得可以避免高的起亮电压，并且这是对于第二最大亮度来说的。
根据本发明的玻璃基材的另一种具体实施模式，该电极的导电金属层在其面的至少之一上包含至少一个牺牲层。牺牲层指的是可以完全或部分氧化或氮化的层。这个层使得可以避免导电金属层的劣化，特别是氧化或氮化引起的劣化。此外，尽管该牺牲层可以位于导电金属层和结晶层之间，该牺牲层的存在与结晶层的作用相容。当存在时，该牺牲层包含选自金属、氮化物、氧化物、氧低于化学计量的金属氧化物的至少一种化合物。优选地，该金属、氮化物、氧化物、低于化学计量的金属氧化物包含选自Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Cr、Mo、W、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Al的至少一种元素。优选地，牺牲层包含至少Ti、Zr、Ni、Zn、Al。最优选地，牺牲层包含至少Ti、TiOx(其中x≤2)、NiCr、NiCrOx、TiZrOx(TiZrOx表示具有50重量％的氧化锆的氧化钛层)、ZnAlOx(ZnAlOx表示具有2-5重量％的氧化铝的氧化锌层)。根据符合以上所述的一种具体实施模式，牺牲层的厚度包含至少0.5nm的几何厚度。牺牲层的厚度包含至多6.0nm的厚度。更优选地，该厚度等于2.5nm。根据一种优选实施模式，牺牲层沉积于导电金属层的相对于载体最远的面上。
根据另一种具体实施模式，根据本发明的玻璃基材使得其包含至少一个散射层，所述散射层位于透明电极与基材之间。这种层被描述于公开的文献WO2009/017035、WO2009/116531、WO2010/084922、WO2010/084925、WO2011/046156、WO2011/046190中以及申请PCT/JP2011/074358中，所述这些文献通过引用而被并入本文。通常，这种散射层具有大于5μm的厚度并且不被看作是相干光学***。
根据另一具体实施模式，根据本发明的玻璃基材使得其包含至少一个功能涂层。优选地，所述功能涂层位于与在其上沉积有电极的面相对的面上。这种涂层包含至少一个选自以下的涂层：抗反射的层或多层层堆结构，散射层，抗雾化或抗污层，光学过滤器，特别是氧化钛层，选择性吸收层。
根据一种优选实施模式，根据本发明的肌理化玻璃基材基本上具有以下结构：
·白玻璃板或超白玻璃板，通过化学侵蚀在其面的至少之一上完全地或部分地由一组几何图案肌理化，使得图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切等于范围在35°-80°的值，优选范围在35°-70°的值，最优选范围在35°-60°的值。
·改善光透射的涂层：
○由TiO2制成的改善光透射的层(与阻挡层合并)
○由ZnO或ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)制成的结晶层
·由Ag制成的导电金属层，该具有改善光透射的性能的涂层的几何厚度和导电金属层的几何厚度由以下关系关联：
TME＝TME_0+[B*sin(Π*TD1/TD1_0)]/(n基材)3
其中TME_0、B和TD1_0为常数，其中TME_0具有在10.0至25.0nm、优选10.0至23.0nm范围内的值，B具有在10.0至16.5范围内的值，并且TD1_0具有在23.9*nD1至28.3*nD1范围内的值，其中nD1表示改善光透射的涂层在550nm的波长下的折射率，n基材表示构成基材的玻璃在550nm的波长下的折射率。优选地，常数TME_0、B和TD1_0使得TME_0具有在10.0至23.0nm、优选10.0至22.5nm、最优选11.5至22.5nm范围内的值，B具有在11.5至15.0范围内的值，并且TD1_0具有在24.8*nD1至27.3*nD1nm范围内的值。更优选地，常数TME_0、B和TD1_0使得TME_0具有在10.0至23.0nm、优选10.0至22.5nm、最优选11.5至22.5nm范围内的值，B具有在12.0至15.0范围内的值，并且TD1_0具有在24.8*nD1至27.3*nD1nm范围内的值。
·牺牲层：几何厚度1.0-3.0nm，由Ti制成
·***层：几何厚度3.0-20.0nm，由ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)制成
·均一化层：几何厚度0.5-3.0nm，由X、X氮化物、X氧氮化物制成，其中X为：Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Ni、Pd、Cr、Mo、Al、Zn、Ni-Cr或用Al掺杂的Zn。
根据一种优选实施模式，根据本发明的肌理化玻璃基材基本上具有以下结构：
·白玻璃板或超白玻璃板，通过化学侵蚀在其面的至少之一上完全地或部分地由一组几何图案肌理化，使得图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切等于范围在15°-80°的值，优选范围在25°-70°的值，最优选范围在35°-60°的值。
·改善光透射的涂层：
○由TiO2制成的改善光透射的层(与阻挡层合并)
○由ZnO或ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)制成的结晶层该改善光透射的涂层的几何厚度至少等于50.0nm，优选至少等于60.0nm，更优选至少等于70.0nm，并且至多等于100nm，优选至多等于90.0nm，更优选至多等于80.0nm
·由Ag制成的导电金属层，其中导电金属层的几何厚度至少等于6.0nm，优选至少等于8.0nm，更优选至少等于10.0nm，并且至多等于22.0nm，优选至多等于20.0nm，更优选至多等于18.0nm
·牺牲层：几何厚度1.0-3.0nm，由Ti制成
·***层：几何厚度3.0-20.0nm，由ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)制成
·均一化层：几何厚度0.5-3.0nm，由X、X氮化物、X氧氮化物制成，其中X为：Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Ni、Pd、Cr、Mo、Al、Zn、Ni-Cr或用Al掺杂的Zn。
根据一种优选实施模式，根据本发明的肌理化玻璃基材基本上具有以下结构：
·白玻璃板或超白玻璃板，通过化学侵蚀在其面的至少之一上完全地或部分地由一组几何图案肌理化，使得图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切等于范围在35°-80°的值，优选范围在35°-70°的值，最优选范围在35°-60°的值。
·改善光透射的涂层：
○由TiO2制成的改善光透射的层(与阻挡层合并)
○由ZnO或ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)制成的结晶层该改善光透射的涂层的几何厚度至少等于20.0nm并且至多等于40.0nm。
·由Ag制成的导电金属层，该导电金属层的几何厚度至少等于16.0nm，优选至少等于18.0nm，优选至少等于20.0nm，并且至多等于29.0nm，优选至多等于27.0nm，更优选至多等于25.0nm。
·牺牲层：几何厚度1.0-3.0nm，由Ti制成
·***层：几何厚度3.0-20.0nm，由ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)制成
·均一化层：几何厚度0.5-3.0nm，由X、X氮化物、X氧氮化物制成，其中X为：Ti、Zr、Hf、V、Nb、Ta、Ni、Pd、Cr、Mo、Al、Zn、Ni-Cr或用Al掺杂的Zn。
肌理化玻璃基材的实施模式并不限于以上所述的实施模式，而是还可以将其中的两种或多种结合而得到。
本发明的另一目的涉及包含透明电极的肌理化玻璃基材的制造方法。根据本发明的肌理化基材的制造方法是下述这样的方法：将均一化层和/或组成电极的一组层沉积到基材上。这类方法的实例为阴极溅射技术(任选地使用磁场)、使用等离子体的沉积技术、CVD(化学气相沉积)和/或PVD(物理气相沉积)型沉积技术。优选地，该沉积方法在真空下进行。术语“在真空下”指的是低于或等于1.2Pa的压力。更优选地，在真空下的方法是使用磁场的阴极溅射技术。该肌理化玻璃基材的制造方法包括连续方法，其中构成电极的每一层紧接在多层层堆结构中位于其下的层之后沉积(例如：构成本发明电极的层堆结构在为进给的带材的基材上的沉积，或者层堆结构在为板材的基材上的沉积)。该制造方法还包括不连续方法，其中在构成电极的层堆结构中，一个时间间隔(例如以储存的形式)将一层的沉积与位于其下的层的沉积分离开来。
根据一种优选实施模式，根据本发明的肌理化基材的制造方法在分成如下的三个阶段中进行：
·借助于具有0-5的pH值的基于氢氟酸的水溶液通过酸性侵蚀将基材的面肌理化，所述酸性侵蚀在至少一个步骤中进行，侵蚀时间为10秒至30分钟，
·在预先化学肌理化的玻璃基材上在与该肌理化面相对的基材面上沉积具有改善光透射的性能的涂层，
·在与该肌理化面相对的基材面上沉积导电金属层，紧接着沉积构成光电子***的各种功能元件。
根据另一种优选实施模式，根据本发明的肌理化玻璃基材的制造方法使得其在分成如下的三个阶段中进行：
·借助于具有0-5的pH值的基于氢氟酸的水溶液通过酸性侵蚀将基材的面肌理化，所述酸性侵蚀在至少一个步骤中进行，侵蚀时间为10秒至30分钟，
·在预先化学肌理化的玻璃基材上在与该肌理化面相对的基材面上沉积具有改善穿过电极的光透射的性能的涂层、导电金属层、牺牲层、***层，
·在与该肌理化面相对的基材面上沉积均一化层，紧接着沉积构成光电子***的各种功能元件。
当均一化层或导电金属层随后沉积时，光电子器件的有机部分在均一化层或导电金属层的沉积之后立即沉积，即均一化层或导电金属层在光电子器件的有机部分的沉积之前不暴露于空气。由这些方法提供的优点是当导电或均一化层由金属构成时可以避免它们的氧化。根据以上模式的一种具体模式，阻挡层沉积在玻璃带材上(例如：通过CVD)。层堆结构的接下来的层(有或没有均一化层)在真空下沉积到所述带材上或者沉积到通过切割所述带材而得到的玻璃板材上。将切割后获得的阻挡层覆盖的板材任选地储存。
根据一种具体实施模式，基于氧化物和/或氧氮化物的表面电性能均一化层可以通过直接沉积获得。根据一种另选模式，基于氧化物和/或氧氮化物的均一化层可以通过金属和/或相应氮化物的氧化而获得(例如：Ti氧化成Ti氧化物，Ti氮化物氧化成Ti氧氮化物)。这种氧化可以在均一化层沉积之后的长时间后进行或者直接进行。该氧化可以是自然的(例如：与制造过程中或者光电子器件的制造完成之前电极的储存过程中存在的氧化性化合物的相互作用)或者可以由后处理导致(例如：在紫外光下用臭氧的处理)。
根据一种另选实施模式，该方法包括额外的电极表面结构化(structuration)步骤。电极表面结构化不同于基材的肌理化。这种额外步骤实现电极表面的修饰和/或表面的塑造。电极表面的塑造方法包括至少通过激光或通过化学侵蚀的雕刻。表面的修饰方法包括至少掩模操作。掩模是下述这样的操作：其中将电极表面的至少一部分用保护涂层覆盖，以便进行后处理，例如未覆盖部分的化学侵蚀。
根据本发明的另一目的，根据本发明的玻璃基材被引入发射或收集光的光电子器件中。根据一种优选实施模式，该光电子器件是包含至少一个上述符合本发明的肌理化玻璃基材的有机电致发光器件。
根据前述实施模式的一种变化形式，有机电致发光器件在根据本发明的基材上方包含OLED***，该OLED***用于发射准白光。为产生准白光，可以使用多种方法：通过在单一的有机层中混合发射红光、绿光和蓝光的化合物；通过将三个有机层结构堆叠，所述有机层分别对应于红光、绿光和蓝光的发射体部分，或者通过将两个有机层结构(黄色和蓝色发光)堆叠；通过将连接到光散射***上的三个(红色、绿色、蓝色发光)或两个(黄色和蓝色发光)有机层结构并置。
术语“准白光”指的是下述这样的光：对于垂直于基材表面的辐射，它在0°的色度坐标包含在八个色度四边形之一中，包括这些四边形的轮廓(contour)。这些四边形定义在标准ANSI_NEMA_ANSLGC78.377-2008第10至12页中。这些四边形显示在部分1图A1中，其标题为“Graphical representation of the chromaticity specification of SSLproducts in Table 1,on the CIE(x,y)chromaticity diagramme(表1中的SSL产品的色度规格的图形表示，在CIE(x,y)色度图上)”。
根据一种具体实施模式，将有机电致发光器件纳入装配玻璃(vitrage)、双层装配玻璃或层叠装配玻璃中。也可以纳入多个有机电致发光器件，优选大量的有机电致发光器件。
根据另一种具体实施模式，将有机电致发光器件封闭在玻璃和/或塑料制成的至少一种封装材料中。可以将有机电致发光器件的不同实施模式组合。
最后，不同的有机电致发光器件具有广泛的应用领域。本发明尤其涉及这些有机电致发光器件在形成一个或多个发光表面中的可能应用。术语“发光表面”包括例如采光瓦、发光板、发光隔板、工作面、温室、手电、屏基板、抽屉座、发光屋顶、触摸屏、灯、照相机闪光灯、用于显示器的发光基板、安全信号、搁板。
附图说明
现在将通过下图说明符合本发明的肌理化玻璃基材。这些图以非限制性方式示出了一些基材结构，更具体地说示出了构成本发明基材中所含的电极的层堆结构。这些图纯粹用于说明目的，并且不构成对结构的按比例表示。此外，也将以图的形式显示包含本发明肌理化玻璃基材的有机电致发光器件的性能。
图1：肌理化的结构的示意表示。
图2：对于25、50和75μm的金字塔形物底部宽度来说透射光/发射光之比随反正切(Rz/(RSm/2))的变化。
图3：阶梯状金字塔形物形式的肌理化图案的实例。
图4：阶梯状金字塔形物形式的肌理化图案的实例。
图5：阶梯状金字塔形物形式的肌理化图案的实例。
图6：阶梯状金字塔形物形式的肌理化图案的实例。
图7：根据本发明的肌理化玻璃基材的电子显微照片。
图8：可确定电致发光、主波长以及颜色纯度随观察角度变化的实验装置的示意表示。
图9：主波长和颜色纯度随观察角度的变化。
图10：根据一种优选实施模式的本发明肌理化玻璃基材的横截面。
图11：在透明电极处包含最小数目层的肌理化玻璃基材的横截面。
图12：根据第二实施模式的本发明肌理化玻璃基材的横截面。
图13：在透明电极处包含具有不同效果的最小数目层的肌理化玻璃基材的横截面。
图14：有机电致发光器件的亮度随着改善光透射的涂层的几何厚度以及Ag导电金属层的几何厚度的变化，该有机电致发光器件发射准白光并包含载体，该载体具有在等于550nm的波长下1.4的折射率，该改善光透射的涂层具有在550nm的波长下2.3的折射率。
图15：有机电致发光器件的亮度随着改善光透射的涂层的几何厚度以及Ag导电金属层的几何厚度的变化，该有机电致发光器件发射准白光并包含载体，该载体具有在等于550nm的波长下1.5的折射率，该改善光透射的涂层具有在550nm的波长下2.3的折射率。
图16：有机电致发光器件的亮度随着改善光透射的涂层的几何厚度以及Ag导电金属层的几何厚度的变化，该有机电致发光器件发射准白光并包含载体，该载体具有在等于550nm的波长下1.6的折射率，该改善光透射的涂层具有在550nm的波长下2.3的折射率。
图17：有机电致发光器件的亮度随着改善光透射的涂层的几何厚度以及Ag导电金属层的几何厚度的变化，该有机电致发光器件发射准白光并包含载体，该载体具有在等于550nm的波长下1.8的折射率，该改善光透射的涂层具有在550nm的波长下2.3的折射率。
图18：有机电致发光器件的亮度随着改善光透射的涂层的几何厚度以及Ag导电金属层的几何厚度的变化，该有机电致发光器件发射准白光并包含载体，该载体具有在等于550nm的波长下2.0的折射率，该改善光透射的涂层具有在550nm的波长下2.3的折射率。
图1示意性地表示用于光电子器件的具有改善的性能的玻璃基材的肌理化的结构。玻璃基材的肌理化由参数Rz、RSm和θ定义。Rz表示图案的平均高度，RSm是两个相邻图案的顶点相隔的平均距离。角度θ由以下关系式定义：
θ＝反正切(Rz/(RSm/2))
图2表示当施加1mA电流时从包含根据本发明的表面肌理化的有机电致发光器件正面离开(相对于基材表面的平均平面垂直地)的绿光(λ:550nm)相对于由此器件发射的光的百分数的变化。令人吃惊地，这些计算显示出，透射光的量随着角度θ而变化。当表面无肌理化时，发射光/透射光之比是12.5％。可观察到，当角度θ在15°和80°之间时，发射光/透射光之比是最小25％，这对应于从有机电致发光器件正面观看的亮度提高2倍。当角度θ在25°和70°之间时，发射光/透射光之比是最小30％，这对应于从有机电致发光器件正面观看的亮度提高2.4倍。最后，当角度θ在35°和60°之间时，发射光/透射光之比是最小34％，这对应于从有机电致发光器件正面观看的亮度提高2.7倍。该模拟因而显示出，表面的合适肌理化使得能够获得透射光量的提高并且因而获得正面亮度的提高，换句话说光源的光功率的提高。合适肌理化被理解为是指15°-80°，优选25°-70°，更优选35°-60°的角度θ的值。这些模拟通过考虑基于具有正方形底部的金字塔形物类型的几何图案的肌理化来进行。该模拟使用Optical Research Associates的“Light Tool-version 6”程序来计算。这些模拟通过考虑下述这样的模型(modéle)来计算：在该模型中将在1mA下发射的发射器引入到有机电致发光器件的有机部分的中间。所发射的光是多色辐射，其主波长位于绿色光的区域。所考虑的模型的结构如下所示：
·由根据本发明的肌理化白玻璃制成的基材
·包含ITO的透明电极
·由N,N’-双(1-萘基)-N,N’-二苯基-1,1’-联苯-4,4’-二胺(缩写为α-NPD)制成的层
·由三(8-羟基喹啉)铝(III)制成的层
·由LiF制成的层
·由Al制成的上反射电极。
根据所进行的模拟，观察到金字塔形物的底部尺寸没有影响；只有角度θ具有显著的作用。而且，所述模拟显示出，拼接的金字塔形物是优选的。这是因为，金字塔形物彼此之间距离越远，肌理化对透射光量的影响越弱。几何图案因而必须尽可能地彼此接近；这些图案优选是拼接的图案，最优选完全拼接的图案。术语“拼接的图案”被定义为它们的底部的至少一部分接触的两个图案。“完全拼接的图案”被理解为是指一个图案的底部的每一侧也构成另一图案的底部的一部分。
本发明人已经确认，通过化学侵蚀可产生表面肌理化，所述表面肌理化使得能够获得几何图案，所述几何图案使得反正切(Rz/(Rsm/2))对应于15°-80°，优选25°-70°，更优选35°-60°的角度θ的值。该化学侵蚀可使用浓碱性溶液或者酸性溶液来进行。碱性溶液以高浓度来使用并且施用于玻璃基材，该玻璃基材具有至少350°的温度或者在施用之后达到至少此温度。
基材的化学侵蚀可有利地通过使用在肌理化玻璃生产中通常使用的酸溶液通过受控酸性侵蚀(例如通过使用氢氟酸的侵蚀)来进行。通常，所述酸溶液是pH范围为0-5的氢氟酸水溶液。这种水溶液除了氢氟酸之外可包含这种酸的盐、其它酸如盐酸、硫酸、硝酸、磷酸以及它们的盐(例如：Na2SO4、K2SO4、(NH4)2SO4、BaSO4等)，以及小比例的任选添加剂(例如：酸/碱缓冲剂、润湿剂等)。碱金属盐和铵盐通常是优选的；在这些当中可更特别地提及钠、钾以及铵的氢氟化物和/或二氟化物。这种溶液例如是包含0-600g/l氢氟酸且优选150-250g/l氢氟酸并且还包含0-700g/l的NH4HF2且优选150-300g/l的NH4HF2的水溶液。该酸性侵蚀可在一个或多个步骤中进行。侵蚀时间为至少10秒。优选地，侵蚀时间为至少20秒。侵蚀时间不超过30分钟。这种化学侵蚀使得能够获得基材，该基材使得几何图案包含至少一种具有多边形底部的阶梯状金字塔形物类型的结构。术语“阶梯状金字塔形物”被理解为是指其至少一个面具有阶梯结构的金字塔形物。这种阶梯结构使得梯级和梯级高度的尺寸并不必然彼此相等和成对。由包含梯级的平面与包含梯级高度的平面形成的角度并不必然等于90°。优选地，从金字塔形物的内部看到的“梯级-梯级高度”角为至少100°，更优选至少120°。这个角度可随着“梯级-梯级高度”结构而变化。这种类型的结构示于图3、4、5和6中。图7示出了使用酸性肌理化获得的根据本发明的基材的电子显微照片，其几何图案是“阶梯状金字塔型物”类型的图案并且其在粗糙度测量方面描述的肌理化是Rz:14μm。图8示出了通过干涉测量显微术获得的3D图像。图9示出了为了确定剖面之间的平均距离(Rsm)而从样品的3D图像随机获取(不必经过剖面的顶点)的两个线性剖面(profile)，一个沿着X，一个沿着Y。在200微米的距离上，可容易地在6-7个剖面之间计算，无论是在水平方向(沿着X)还是在垂直方向(沿着Y)。因而可确定Rsm为28微米(7个剖面)和34微米(6个剖面)之间的值。剖面的平均角度因而是39°-45°。
粗糙度测量使用Veeco 3D干涉仪装置来进行。使用下面的参数来测量样品：
尺寸：2036x2036
取样：98.21nm
模式：VSI
去除项(terms removed)：倾斜
过滤：无
所使用的有机电致发光器件(1)从发射表面开始由下述层堆构成：
·厚度4mm的白玻璃，
·透明电极，包含：
·光学优化涂层，包含由TiO2制成的60nm的光学优化层和由ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)形成的结晶层(与厚度9.0nm的阻挡层合并)
·Ag导电层：几何厚度14.6nm
·由Ti制成的牺牲层：几何厚度6.0nm
·***层：ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)：几何厚度9.0nm
·由TiN制成的均一化层，几何厚度1.5nm
·一组有机层和由银制成的对电极，如S.Reineke和Coll.在Nature，2009年第459卷第234至238页的文章的“Methods Summary”部分中所述的。
图10表示根据本发明的肌理化玻璃基材的实例，这种基材包含透明电极。根据本发明的玻璃基材的一般结构如下所示：
о白玻璃板或超白玻璃板，通过化学侵蚀在其面的至少之一上完全地或部分地由一组几何图案肌理化，使得图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切等于范围在35°-80°的值，优选范围在35°-70°的值，最优选范围在35°-60°的值(1)。
о光学优化涂层(2)，包含光学优化层(20)
о导电金属层(3)
图11表示根据本发明的玻璃基材的另选实例，这种基材包含透明电极。根据本发明的玻璃基材的一般结构如下所示：
о白玻璃板或超白玻璃板，通过化学侵蚀在其面的至少之一上完全地或部分地由一组几何图案肌理化，使得图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切等于范围在35°-80°的值，优选范围在35°-70°的值，最优选范围在35°-60°的值(1)。
о光学优化涂层(2)，包含光学优化层(21)
о导电层(3)
о***层(4)
о均一化层(5)。
图12表示根据本发明的玻璃基材的又一另选实例，这种基材包含透明电极。根据本发明的玻璃基材的一般结构如下所示：
·白玻璃板或超白玻璃板，通过化学侵蚀在其面的至少之一上完全地或部分地由一组几何图案肌理化，使得图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切等于范围在35°-80°的值，优选范围在35°-70°的值，最优选范围在35°-60°的值(1)。
·光学优化涂层(2)，包含：
о阻挡层(20)
о光学优化层(21)
о结晶层(22)
·牺牲层(31)
·导电层(3)
·牺牲层(32)
·***层(4)
·均一化层(5)。
图13表示根据本发明的基材的又一另选实例，这种基材包含透明电极。从根据本发明的基材(1)开始的层堆的一般结构如下所示：
·光学优化涂层(2)，包含光学优化层(21)
·导电层(3)
·牺牲层(32)
·***层(4)
·均一化层(5)。
图14、15、16、17和18显示了有机电致发光器件的亮度随着改善光透射的涂层的几何厚度(D1)以及Ag金属导电层的几何厚度的变化，该有机电致发光器件发射准白光并包含载体，该载体分别具有在等于550nm的波长下等于1.4、1.5、1.6、1.8和2.0的折射率，该改善光透射的涂层具有在550nm的波长下2.3的折射率(nD1)。该有机电致发光器件的结构包含以下层堆结构：
·具有等于1000.0nm的几何厚度的未肌理化的白玻璃板
·电极
о改善光透射的涂层，
оAg金属导电层，
·有机电致发光器件的有机部分使得其具有以下结构：
о空穴传输层或HTL(英文Hole Transporting Layer)，其具有等于25.0nm的几何厚度，
о电子阻挡层或EBL(英文Electron Blocking Layer)，其具有等于10.0nm的几何厚度，
о发光层，其发射对应于发光体A的白光的高斯光谱并具有等于16.0nm的几何厚度，
о空穴阻挡层或HBL(英文Hole Blocking Layer)，其具有等于10.0nm的几何厚度，
о电子传输层或ETL(英文Electron Transporting Layer)，其具有等于43.0nm的几何厚度。
·由Al制成的对电极，其具有等于100.0nm的厚度。
令人惊讶地，这些计算表明，对于下述透明基材获得最大亮度：该基材使得具有改善光透射的性能的涂层(110)的光学厚度TD1和金属导电层(112)的几何厚度TME由以下关系关联：
TME＝TME_0+[B*sin(Π*TD1/TD1_0)]/(n基材)3
其中TME_0、B和TD1_0为常数，其中TME_0具有在10.0至25.0nm范围内的值，B具有在10.0至16.5范围内的值，并且TD1_0具有在23.9*nD1至28.3*nD1nm范围内的值，其中nD1表示改善光透射的涂层在550nm的波长下的折射率，n基材表示构成基材的玻璃在550nm的波长下的折射率。亮度使用Fluxim公司的程序SETFOS第三版(半导体发光薄膜光学模拟器)进行计算。该亮度以任意单位表示。以较粗的线的形式出现的正弦曲线表示通过等式TME＝TME_0+[B*sin(Π*TD1/TD1_0)]/(n基材)3选择的区域的极值。本发明人已经令人吃惊地确认，选择的区域不仅对于发射准白光的有机器件而且对于任何类型的发射颜色(例如：红、绿、蓝)都是有效的。本发明人已确认，在相同的透明基材结构的情况下，其玻璃具有高折射率的玻璃基材的使用使得能够提高光电子***透射的光量。高折射率应当理解为至少等于1.4的折射率，优选至少等于1.5，更优选至少等于1.6，最优选至少等于1.7。实际上，如图5和9的对比所表明，在相同的透明基材结构的情况下使用具有等于2.0的折射率的载体代替等于1.4的折射率的载体时，观察到OLED器件的亮度的约180％的提高，玻璃的折射率是在550nm的波长下的折射率。而且，本发明人已经令人吃惊地确认，具有改善光透射的性能的涂层(2)的光学厚度TD1和金属导电层(3)的几何厚度TME之间的关系也适用于根据本发明的肌理化玻璃基材。
表I示出了载体粗糙度对光提取效率(英文表述为Out-couplingCoefficient Efficiency(OCE))的影响。
表I
| Ra(μm) | RSm(μm) | OCE |
| 14 | 28-34 | 1.41 |
OCE是一个确定与参照物相比可被提取的光量的因数。所用的参照物是相同结构的OLED装置(阳极，OLED的有机部分和阴极)，但其玻璃板未进行肌理化。在具有下述结构的OLED装置上测量OCE：
·几何厚度等于4mm的肌理化超白玻璃板，
·透明电极，包含：
·光学优化涂层，包含由TiO2制成的60nm的光学优化涂层和由ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)形成的结晶层(与厚度9.0nm的阻挡层合并)
·Ag导电层：几何厚度14.6nm
·由Ti制成的牺牲层：几何厚度6.0nm
·***层：ZnxSnyOz(其中x+y≥3并且z≤6)：几何厚度9.0nm
·由TiN制成的均一化层，几何厚度1.5nm
·一组有机层和由铝制成的对电极，如在S.Reineke和Coll.在Nature，2009年第459卷第234至238页的文章的“Methods Summary”部分中所述的。
OCE值以下述方式获得：
·利用LABSPHERE LMS-200累计球的光通量的绝对测量。施加到每个样品的电压是为了获得4mA的电流强度所需的电压。
·通过将获得的光通量值除以针对参照物测量的光通量值而获得OCE。
表II示出了针对以下情况的CIE(x,y)图中的色度坐标的角度依赖性：参照OLED装置，所述参照样品与用于确定表I中示出的OCE值的样品相同；具有相同结构的装置(阳极，OLED的有机部分和阴极)，其玻璃板具有14μm的粗糙度Rz和28-34μm的RSm。可观察到，利用肌理化玻璃板材获得降低的色度坐标的角度依赖性。Δx0°-80°表示在0°-80°之间测量的x的最高值与在0°-80°之间测量的x的最低值之差。类似地，Δy0°-80°表示在0°-80°之间测量的y的最高值与在0°-80°之间测量的x的最低值之差。
表II
| 样品 | Δx0°-80° | Δy0°-80° |
| 未肌理化玻璃板 | 0.26 | 0.25 |
| 具有14μm的Rz和28-34μm的RSm的肌理化玻璃板 | 0.14 | 0.16 |
使用由Hamamatsu Photonics K.K公司销售的商品名为C10027的多通道分光镜来进行光学测量。测量角度由一方面是与玻璃板垂直的直线并且另一方面是与分光镜的测量面垂直的直线之间形成的角度定义。
Claims (13)
1.用于光电子器件的具有改善的光学性能的玻璃基材，在其面之一上包含透明电极，其特征在于所述基材在与其上沉积有所述透明电极的面相对的该基材的面上由一组几何图案完全地或者部分地肌理化，使得图案的平均高度Rz与两个相邻图案的顶点相隔的平均距离RSm的一半之间的比率的反正切至少等于35°的角度并且至多等于80°的角度。
2.根据权利要求1的玻璃基材，其特征在于它具有数值至少等于1.5的折射率。
3.根据上述权利要求任一项的玻璃基材，其特征在于所述几何图案包含至少一种具有多边形底部的“阶梯状金字塔形物”类型的结构。
4.根据上述权利要求任一项的玻璃基材，其特征在于它包含拼接的图案。
5.根据上述权利要求任一项的玻璃基材，其特征在于该透明电极包含层堆结构，所述层堆结构包含至少一个导电金属层(3)，优选仅仅一个导电金属层，以及至少一个具有改善穿过所述电极的光透射的性能的涂层(2)，所述涂层具有至少大于3.0nm并且至多小于或等于200nm，优选小于或等于170nm，更优选小于或等于130nm的几何厚度，所述涂层包含至少一个改善光透射的层(21)并且位于导电金属层(3)与在其上沉积有所述电极的基材的面之间。
6.根据权利要求5的玻璃基材，其特征在于该透明电极包含层堆结构，所述层堆结构包含仅一个导电金属层(3)以及至少一个具有改善穿过所述电极的光透射的性能的涂层(2)，所述涂层具有至少大于3.0nm并且至多小于或等于200nm，优选小于或等于170nm，更优选小于或等于130nm的几何厚度，所述涂层包含至少一个改善光透射的层(21)并且位于导电金属层(3)与在其上沉积有所述电极的基材的面之间，使得具有改善光透射的性能的涂层(2)的光学厚度TD1和导电金属层(3)的几何厚度TME由以下关系关联：
TME＝TME_0+[B*sin(Π*TD1/TD1_0)]/(n基材)3
其中TME_0、B和TD1_0为常数，其中TME_0具有在10.0至25.0nm范围内的值，B具有在10.0至16.5范围内的值，并且TD1_0具有在23.9*nD1至28.3*nD1nm范围内的值，其中nD1表示改善光透射的涂层在550nm的波长下的折射率，n基材表示构成基材的玻璃在550nm的波长下的折射率。
7.根据权利要求5或6任一项的玻璃基材，其特征在于该电极包含改善光透射的涂层(2)，所述改善光透射的涂层(2)包含至少一个额外的结晶层(22)，相对于在其上沉积有所述电极的基材的面，所述结晶层(22)是构成所述涂层(2)的层堆结构中最远的层。
8.根据权利要求5-7任一项的玻璃基材，其特征在于该透明电极的改善光透射的涂层(2)包含至少一个额外的阻挡层(20)。
9.根据权利要求5-8任一项的玻璃基材，其特征在于该电极包含表面电性能均一化的薄层(5)，相对于在其上沉积有电极的基材的面，所述薄层(5)位于构成所述电极的多层层堆结构的顶部。
10.根据权利要求9的玻璃基材，其特征在于该透明电极包含位于导电层(3)和均一化薄层(5)之间的至少一个额外的***层(4)。
11.根据权利要求5-10任一项的玻璃基材，其特征在于该电极的导电金属层(3)在其面的至少之一上包含至少一个牺牲层(31，32)。
12.根据权利要求5-11任一项的肌理化基材的制造方法，其特征在于该方法在分成如下的三个阶段中进行：
·借助于具有0-5的pH值的基于氢氟酸的水溶液通过酸性侵蚀将玻璃基材的面肌理化，所述酸性侵蚀在至少一个步骤中进行，侵蚀时间为10秒至30分钟，
·在预先化学肌理化的玻璃基材上在与该肌理化面相对的基材面上沉积具有改善光透射的性能的涂层(2)，
·在与该肌理化面相对的基材面上沉积导电金属层(3)，紧接着沉积构成光电子***的各种功能元件。
13.根据权利要求11的肌理化玻璃基材的制造方法，其特征在于该方法在分成如下的三个阶段中进行：
·借助于具有0-5的pH值的基于氢氟酸的水溶液通过酸性侵蚀将玻璃基材的面肌理化，所述酸性侵蚀在至少一个步骤中进行，侵蚀时间为10秒至30分钟，
·在预先化学肌理化的玻璃基材上在与该肌理化面相对的基材面上沉积具有改善穿过电极的光透射的性能的涂层(2)、导电金属层(3)、牺牲层(32)、***层(4)，
·在与该肌理化面相对的基材面上沉积均一化层(5)，紧接着沉积构成光电子***的各种功能元件。
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