CN104347801A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

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CN104347801A CN201310339553.5A CN201310339553A CN104347801A CN 104347801 A CN104347801 A CN 104347801A CN 201310339553 A CN201310339553 A CN 201310339553A CN 104347801 A CN104347801 A CN 104347801A
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周明杰
黄辉
冯小明
王平
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述阴极包括层叠于所述电子注入层上的金属层和层叠于所述金属层上的三元掺杂层；所述金属层的材料为功函数-2.0～-3.5eV的金属；所述三元掺杂层由质量比为3:2:1～15:5:1的铼的氧化物、噻吩类小分子及钠盐组成。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法，该制备方法简单，容易操作，且制备出复合阴极，通过提高载流子浓度，电子的注入效率以及将顶部出射的光反射回底部，可以达到提高发光效率的目的。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光器件领域，特别是涉及一种发光效率高的有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与铟锡氧化物之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，铟锡氧化物折射率为1.8，光从铟锡氧化物到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。
发明内容
基于此，有必要提供一种发光效率高的有机电致发光器件及其制备方法。
一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述阴极包括层叠于所述电子注入层上的金属层和层叠于所述金属层上的三元掺杂层；所述金属层的材料为功函数-2.0～-3.5eV的金属；所述三元掺杂层由质量比为3:2:1～15:5:1的铼的氧化物、噻吩类小分子及钠盐组成。
在其中一个实施例中，所述金属为镁、锶、钙或镱；所述铼的氧化物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼或三氧化二铼；所述噻吩类小分子为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩；所述钠盐为碳酸钠、氟化钠、氯化钠或溴化钠。
在其中一个实施例中，所述金属层厚度为80～300纳米；所述三元掺杂层的厚度为20～250纳米。
在其中一个实施例中，所述导电阳极玻璃基底的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；所述空穴注入层的材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种；所述空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种；所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种；所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-***衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种；所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。
在其中一个实施例中，所述空穴注入层厚度为20～80纳米；所述空穴传输层厚度为20～60纳米；所述发光层厚度为5～40纳米；所述电子传输层厚度为40～300纳米；所述电子注入层厚度为0.5～10纳米。
一种有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
在导电阳极玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层；
在所述电子注入层表面蒸镀制备阴极，得到有机电致发光器件，所述阴极包括层叠于所述电子注入层上的金属层和层叠于所述金属层上的三元掺杂层，所述金属层为功函数-2.0～-3.5eV的金属，所述三元掺杂层由质量比为3:2:1～15:5:1的铼的氧化物、噻吩类小分子及钠盐组成。
在其中一个实施例中，在导电阳极玻璃基底上蒸镀制备空穴注入层之前，还包括对导电阳极玻璃基底进行清洗的步骤；所述清洗的步骤为：将导电阳极玻璃基底依次采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇及异丙醇超声清洗，然后干燥，去除玻璃基底表面的有机污染物。
在其中一个实施例中，所述金属为镁、锶、钙或镱；所述铼的氧化物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼或三氧化二铼；所述噻吩类小分子为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩；所述钠盐为碳酸钠、氟化钠、氯化钠或溴化钠。
在其中一个实施例中，所述金属层厚度为80～300纳米；所述三元掺杂层的厚度为20～250纳米。
上述有机电致发光器件，通过制备复合阴极，提高出光效率，在电子注入层之上先制备一层金属层，由低功函数金属组成，提高载流子浓度，从而提高器件的导电性，然后再制备一层三元掺杂层，由铼的氧化物、噻吩类小分子和钠盐金属组成，铼的氧化物功函数较低，约为-6.5eV～-7.2eV，可阻挡空穴穿越到阴极与电子复合淬灭，且蒸发温度较低，在300-800℃左右，噻吩类小分子的噻吩基团可有利于电子的传输，同时，蒸镀后链段存在交联，链段交联后可形成有序的排列结构，有利于光的散射，使向侧面发射的光散射回到顶部从而提高出光效率，钠盐功函数较低，与有机材料的LUMO能级相差较小，可有效降低有机材料与阴极之间的电子势垒，提高电子的注入效率，同时，由于存在金属盐类化合物，因此，可对光进行反射，使顶部出射的光反射回到底部，这种复合阴极可有效提高发光效率。
附图说明
图1为一实施方式的有机电致发光器件结构示意图；
图2为一实施方式的有机电致发光器件的制备方法的流程图；
图3为实施例1制备的结构为ITO玻璃/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Sr/ReO3:3-己基噻吩:NaF的有机电致发光器件与结构为ITO玻璃/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的一般的常用器件的电流密度与流明效率的关系图。
具体实施方式
下面主要结合附图及具体实施例对有机电致发光器件及其制备方法作进一步详细的说明。
如图1所示，一实施方式的有机电致发光器件100，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106和阴极107。
所述阴极107包括层叠于所述电子注入层106上的金属层1071和层叠于所述金属层1071上的三元掺杂层1072。
导电阳极玻璃基底101的材料选自铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）及铟锌氧化物（IZO）中的至少一种。优选的，导电阳极玻璃基底101的材料为ITO。
空穴注入层102形成于导电阳极玻璃基底101的表面。其中，空穴注入层102的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，厚度为20～80纳米。优选的，空穴注入层102的材料为WO3，厚度为25纳米。
空穴传输层103形成于空穴注入层102的表面。其中，空穴传输层103的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，厚度为20～60纳米。优选的，空穴传输层103的材料为TCTA，厚度为25纳米。
发光层104形成于空穴传输层103的表面。其中，发光层104的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，厚度为5～40纳米。优选的，发光层104的材料为Alq3，厚度为12纳米。
电子传输层105形成于发光层104的表面。其中，电子传输层105的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-***衍生物（TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，厚度为40～300纳米。优选的，电子传输层105的材料为TAZ，厚度为150纳米。
电子注入层106形成于电子传输层105的表面。其中，电子注入层106的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，厚度为0.5～10纳米。优选的，电子注入层106的材料为LiF，厚度为1纳米。
阴极107形成于电子注入层106的表面。
阴极107包括层叠于所述电子注入层106上的金属层1071和层叠于所述金属层1071上的三元掺杂层1072。
金属层1071的材料为功函数-2.0～-3.5eV的金属。优选的，金属层1071的材料选自镁（Mg）、锶（Sr）、钙（Ca）及镱（Yb）中的至少一种，厚度为80～300纳米。
三元掺杂层1072由质量比为3:2:1～15:5:1的铼的氧化物、噻吩类小分子及钠盐组成。三元掺杂层1072的厚度为20～250纳米。
优选的，铼的氧化物为七氧化二铼（Re2O7）、二氧化铼（ReO2）、三氧化铼（ReO3）或三氧化二铼（Re2O3）；噻吩类小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩；钠盐为碳酸钠（Na2CO3）、氟化钠（NaF）、氯化钠（NaCl）或溴化钠（NaBr）。
上述有机电致发光器件100包括依次层叠的导电阳极玻璃基底101、空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105、电子注入层106和阴极107。阴极107包括层叠于所述电子注入层106上的金属层1071和层叠于所述金属层1071上的三元掺杂层1072。金属层1071由低功函数金属组成，提高了载流子浓度，从而提高了器件的导电性；三元掺杂层1072由铼的氧化物、噻吩类小分子和钠盐组成，铼的氧化物功函数较低，为-6.5eV～7.2eV，可阻挡空穴穿越到阴极与电子复合淬灭，且蒸发温度较低，为300～800℃左右，噻吩类小分子的噻吩基团可有利于电子的传输，同时，蒸镀后链段存在交联链段交联后可形成有序的排列结构，有利于光的散射，使向侧面发射的光散射回到顶部从而提高出光效率，钠盐功函数较低，与有机材料的LUMO能级相差较小，可有效降低有机材料与与阴极之间的电子势垒，提高电子的注入效率，同时由于存在金属盐类化合物，因此可对光进行反射，使顶部出射的光反射回到底部，因此这种阴极可有效提高发光效率。
如图2所示，一实施方式的有机电致发光器件的制备方法，包括如下步骤：
步骤S310、在导电阳极玻璃基底101上依次蒸镀制备空穴注入层102、空穴传输层103、发光层104、电子传输层105及电子注入层106。
导电阳极玻璃基底101的材料选自铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）及铟锌氧化物（IZO）中的至少一种。优选的，导电阳极玻璃基底101的材料为ITO。
优选的，在导电阳极玻璃基底101上蒸镀制备空穴注入层102之前，还包括对导电阳极玻璃基底101进行清洗的步骤。所述清洗的步骤为：将导电阳极玻璃基底101依次采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇及异丙醇超声清洗，然后干燥，去除玻璃基底表面的有机污染物。
空穴注入层102形成于导电阳极玻璃基底101的一侧表面。空穴注入层102的材料选自三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）及五氧化二钒（V2O5）中的至少一种，厚度为20～80纳米。优选的，空穴注入层102的材料为WO3，厚度为25纳米。优选的，空穴注入层102采用蒸镀制备，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为1～10nm/s
空穴传输层103形成于空穴注入层102的一侧表面。空穴传输层103的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的至少一种，厚度为20～60纳米。优选的，空穴传输层103的材料为TCTA，厚度为25纳米。优选的，空穴传输层103采用蒸镀制备，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
发光层104形成于空穴传输层103的一侧表面。发光层104的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯（BCzVBi）及8-羟基喹啉铝（Alq3）中的至少一种，厚度为5～40纳米。优选的，发光层104的材料为Alq3，厚度为12纳米。优选的，发光层104采用蒸镀制备，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
电子传输层105形成于发光层104的一侧表面。电子传输层105的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-***衍生物（TAZ）及N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的至少一种，厚度为40～300纳米。优选的，电子传输层105的材料为TAZ，厚度为150纳米。优选的，电子传输层105采用蒸镀制备，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
电子注入层106形成于电子传输层105的一侧表面。电子注入层106的材料选自碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）及氟化锂（LiF）中的至少一种，厚度为0.5～10纳米。优选的，电子注入层106的材料为LiF，厚度为1纳米。优选的，电子注入层采用蒸镀制备，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
步骤S320、在电子注入层106表面蒸镀制备阴极107，得到有机电致发光器件100。
本实施方式中，阴极107包括层叠于电子注入层106上的金属层1071和层叠于金属层1071上的三元掺杂层1072。
金属层1071的材料为功函数-2.0～-3.5eV的金属。优选的，金属层1071的材料选自镁（Mg）、锶（Sr）、钙（Ca）及镱（Yb）中的至少一种，厚度为80～300纳米。优选的，金属层1071采用蒸镀制备，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
三元掺杂层1072由质量比为3:2:1～15:5:1的铼的氧化物、噻吩类小分子及钠盐组成。
优选的，铼的氧化物为七氧化二铼（Re2O7）、二氧化铼（ReO2）、三氧化铼（ReO3）或三氧化二铼（Re2O3）；噻吩类小分子为3-己基噻吩、3-甲基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩；钠盐为碳酸钠（Na2CO3）、氟化钠（NaF）、氯化钠（NaCl）或溴化钠（NaBr）。优选的，三元掺杂层1072采用蒸镀制备，工作压强为2×10-3～5×10-5Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
上述有机电致发光器件的制备方法简单，容易操作，且制备出复合阴极，通过提高载流子浓度，电子的注入效率以及将顶部出射的光反射回底部，可以达到提高发光效率的目的。
本发明实施例及对比例所用到的测试与制备设备为：高真空镀膜***（沈阳科学仪器研制中心有限公司），美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度。
以下结合具体实施例对本发明提供的有机电致发光器件的制备方法进行详细说明。
实施例1
本实施例的有机电致发光器件的结构为：ITO/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Sr/ReO3:3-己基噻吩:NaF；其中，斜杆“/”表示层状结构，冒号“：”表示掺杂，下同。
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）将ITO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物。
（2）在ITO玻璃基底表面依次蒸镀制备空穴注入层：材料为WO3，厚度为50nm；空穴传输层：材料为TCTA，厚度为20nm；发光层：材料为Alq3，厚度为40nm；电子传输层：材料为TAZ，厚度为300nm；电子注入层：材料为LiF，厚度为5nm。空穴注入层采用蒸镀制备，工作压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s。空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层均采用蒸镀制备，工作压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s。
（3）在电子注入层表面蒸镀制备复合阴极，得到有机电致发光器件。复合阴极包括金属层和三元掺杂层。先在电子注入层表面蒸镀制备金属层：材料为Sr，厚度为200nm，工作压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s；接着在金属层表面蒸镀制备三元掺杂层：材料为质量比为5:3:1的ReO3、3-己基噻吩和NaF，厚度为100nm，工作压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s。复合阴极结构表示为：Sr/ReO3:3-己基噻吩:NaF
得到本实施例的结构为ITO/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Sr/ReO3:3-己基噻吩:NaF的有机电致发光器件。本实施例制备的有机电致发光器件与一般的常用器件结构：ITO玻璃/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的电流密度与流明效率的关系请参阅图3。
图3所示为实施例1制备的结构为ITO玻璃/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Sr/ReO3:3-己基噻吩:NaF的有机电致发光器件与结构为ITO玻璃/WO3/TCTA/Alq3/TAZ/LiF/Ag的一般的常用器件的电流密度与流明效率的关系图，曲线1为实施例1器件的电流密度与流明效率的关系图；曲线2为对比例器件的电流密度与流明效率的关系图。由图3可以看出，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大的流明效率为9.76lm/W，而对比例的仅为7.36lm/W，同时，随着电流密度的提高，实施例1的流明效率衰减更慢，这说明，复合阴极提高器件的导电性，阻挡空穴穿越到阴极与电子复合淬灭，有利于电子的传输，有利于光的散射，提高电子的注入效率，使顶部出射的光反射回到底部，这种复合阴极可有效提高发光效率。
实施例2
本实施例的有机电致发光器件的结构为：AZO/V2O5/NPB/ADN/Bphen/CsF/Mg/ReO2:3-甲基噻吩：Na2CO3；
该实施例的有机电致发光器件的制备如下：
（1）将AZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物。
（2）在AZO玻璃基底表面依次蒸镀制备空穴注入层：材料为V2O5，厚度为80nm；空穴传输层：材料为NPB，厚度为60nm；发光层：材料为AND，厚度为5nm；电子传输层：材料为Bphen，厚度为200nm；电子注入层：材料为CsF，厚度为10nm。空穴注入层采用蒸镀制备，工作压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s。空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层均采用蒸镀制备，工作压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s。
（3）在电子注入层表面蒸镀制备复合阴极。复合阴极包括金属层和三元掺杂层。先在电子注入层表面蒸镀制备金属层：材料为Mg，厚度为80nm，工作压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s；接着在金属层表面蒸镀制备三元掺杂层：材料为质量比为15:5:1的ReO2、3-甲基噻吩和Na2CO3，厚度为20nm，工作压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s。复合阴极结构表示为：Mg/ReO2:3-甲基噻吩
得到本实施例的结构为AZO/V2O5/NPB/ADN/Bphen/CsF/Mg/ReO2:3-甲基噻吩：Na2CO3的有机电致发光器件。
实施例3
本实施例的有机电致发光器件的结构为：IZO/MoO3/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2CO3/Ca/Re2O7:3-辛基噻吩：NaCl。
该实施例的有机电致发光器件制备如下：
（1）将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物。
（2）在IZO玻璃基底表面依次蒸镀制备空穴注入层：材料为MoO3，厚度为20nm；空穴传输层：材料为TAPC，厚度为30nm；发光层：材料为BCzVBi，厚度为40nm；电子传输层：材料为TPBi，厚度为60nm；电子注入层：材料为Cs2CO3，厚度为0.5nm。空穴注入层采用蒸镀制备，工作压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s。空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层均采用蒸镀制备，工作压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s。
（3）在电子注入层表面蒸镀制备复合阴极。复合阴极包括金属层和三元掺杂层。先在电子注入层表面蒸镀制备金属层：材料为Ca，厚度为300nm，工作压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s；接着在金属层表面蒸镀制备三元掺杂层：材料为质量比为3:2:1的Re2O7、3-辛基噻吩和NaCl，厚度为250nm，工作压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s。复合阴极结构表示为：Ca/Re2O7:3-辛基噻吩：NaCl。
得到本实施例的结构为IZO/MoO3/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2CO3/Ca/Re2O7:3-辛基噻吩：NaCl的有机电致发光器件。
实施例4
本实施例的有机电致发光器件的结构为：IZO/WO3/TCTA/DCJTB/Bphen/CsN3/Yb/Re2O3:3-十二烷基噻吩：NaBr。
该实施例的有机电致发光器件制备如下：
（1）将IZO玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，超声15min，去除玻璃表面的有机污染物。
（2）在IZO玻璃基底表面依次蒸镀制备空穴注入层：材料为WO3，厚度为30nm；空穴传输层：材料为TCTA，厚度为50nm；发光层：材料为DCJTB，厚度为5nm；电子传输层：材料为Bphen，厚度为40nm；电子注入层：材料为CsN3，厚度为1nm。空穴注入层采用蒸镀制备，工作压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s。空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层均采用蒸镀制备，工作压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s。
（3）在电子注入层表面蒸镀制备复合阴极。复合阴极包括金属层和三元掺杂层组成。先在电子注入层表面蒸镀制备金属层：材料为Yb，厚度为250nm，工作压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s；接着在金属层表面蒸镀制备三元掺杂层：材料为质量比为10:5:1的Re2O3、3-十二烷基噻吩和NaBr，厚度为120nm，工作压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s。复合阴极结构表示为：Yb/Re2O3:3-十二烷基噻吩：NaBr。
得到本实施例的结构为IZO/WO3/TCTA/DCJTB/Bphen/CsN3/Yb/Re2O3:3-十二烷基噻吩：NaBr的有机电致发光器件。
以上所述实施例仅表达了本发明的几种实施方式，其描述较为具体和详细，但并不能因此而理解为对本发明专利范围的限制。应当指出的是，对于本领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干变形和改进，这些都属于本发明的保护范围。因此，本发明专利的保护范围应以所附权利要求为准。

Claims (9)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，其特征在于，所述阴极包括层叠于所述电子注入层上的金属层和层叠于所述金属层上的三元掺杂层；所述金属层的材料为功函数-2.0～-3.5eV的金属；所述三元掺杂层由质量比为3:2:1～15:5:1的铼的氧化物、噻吩类小分子及钠盐组成。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属为镁、锶、钙或镱；所述铼的氧化物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼或三氧化二铼；所述噻吩类小分子为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩；所述钠盐为碳酸钠、氟化钠、氯化钠或溴化钠。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属层厚度为80～300纳米；所述三元掺杂层的厚度为20～250纳米。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电阳极玻璃基底的材料为铟锡氧化物、铝锌氧化物或铟锌氧化物；所述空穴注入层的材料选自三氧化钼、三氧化钨及五氧化二钒中的至少一种；所述空穴传输层的材料选自1，1-二[4-[N，N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4′,4″-三(咔唑-9-基)三苯胺及N，N’-（1-萘基）-N，N’-二苯基-4,4’-联苯二胺中的至少一种；所述发光层的材料选自4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二-β-亚萘基蒽、4,4′-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1′-联苯及8-羟基喹啉铝中的至少一种；所述电子传输层的材料选自4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-***衍生物及N-芳基苯并咪唑中的至少一种；所述电子注入层的材料选自碳酸铯、氟化铯、叠氮铯及氟化锂中的至少一种。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层厚度为20～80纳米；所述空穴传输层厚度为20～60纳米；所述发光层厚度为5～40纳米；所述电子传输层厚度为40～300纳米；所述电子注入层厚度为0.5～10纳米。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
在导电阳极玻璃基底上依次蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层及电子注入层；
在所述电子注入层表面蒸镀制备阴极，得到有机电致发光器件，所述阴极包括层叠于所述电子注入层上的金属层和层叠于所述金属层上的三元掺杂层，所述金属层为功函数-2.0～-3.5eV的金属，所述三元掺杂层由质量比为3:2:1～15:5:1的铼的氧化物、噻吩类小分子及钠盐组成。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，在导电阳极玻璃基底上蒸镀制备空穴注入层之前，还包括对导电阳极玻璃基底进行清洗的步骤；所述清洗的步骤为：将导电阳极玻璃基底依次采用洗洁精、去离子水、丙酮、乙醇及异丙醇超声清洗，然后干燥，去除玻璃基底表面的有机污染物。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属为镁、锶、钙或镱；所述铼的氧化物为七氧化二铼、二氧化铼、三氧化铼或三氧化二铼；所述噻吩类小分子为3-甲基噻吩、3-己基噻吩、3-辛基噻吩或3-十二烷基噻吩；所述钠盐为碳酸钠、氟化钠、氯化钠或溴化钠。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属层厚度为80～300纳米；所述三元掺杂层的厚度为20～250纳米。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105552243A (zh) * 2016-01-29 2016-05-04 桂林电子科技大学 一种紫外有机发光器件及其制备方法
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