CN104124352A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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黄辉
张振华
王平
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Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
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Abstract

本发明公开了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成；金属氧化物掺杂层的材质为折射率为1.7～2.0的低折射率金属氧化物和折射率为2.0～2.5的高折射率金属氧化物形成的混合材料，金属氧化物掺杂层可避免器件的全反射损失；富勒烯衍生物是小分子材料，容易成膜，可以提高膜的质量；同时使光线反射回到底部，避免光损失；导电薄膜材料可以有效提高电子的注入效率，同时使光反射回到器件的底部，这种复合阴极可有效提高器件发光效率。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明涉及有机电致发光领域，特别涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
1987年，美国Eastman Kodak公司的C.W.Tang和VanSlyke报道了有机电致发光研究中的突破性进展。利用超薄薄膜技术制备出了高亮度，高效率的双层有机电致发光器件（OLED）。10V下亮度达到1000cd/m2，其发光效率为1.51lm/W，寿命大于100小时。
OLED的发光原理是基于在外加电场的作用下，电子从阴极注入到有机物的最低未占有分子轨道（LUMO），而空穴从阳极注入到有机物的最高占有轨道（HOMO）。电子和空穴在发光层相遇、复合、形成激子，激子在电场作用下迁移，将能量传递给发光材料，并激发电子从基态跃迁到激发态，激发态能量通过辐射失活，产生光子，释放光能。
在传统的发光器件中，器件内部的光只有18%左右是可以发射到外部去的，而其他的部分会以其他形式消耗在器件外部，界面之间存在折射率的差（如玻璃与ITO之间的折射率之差，玻璃折射率为1.5，ITO为1.8，光从ITO到达玻璃，就会发生全反射），引起了全反射的损失，从而导致整体出光性能较低。因此，有必要提高OLED的发光效率。
发明内容
为解决上述技术问题，本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法，所述有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成，本发明提高了器件的导电能力和发光效率。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成，所述金属氧化物掺杂层材质为折射率为1.7～2.0的低折射率金属氧化物和折射率为2.0～2.5的高折射率金属氧化物按质量比1:1～1:3混合形成的混合材料，所述低折射率金属氧化物为氧化镁（MgO）、氧化锆（ZrO2）和氧化钙（CaO）中的一种，所述高折射率金属氧化物为氧化锌（ZnO）、二氧化钛（TiO2）和氧化铜（CuO）中的一种；所述富勒烯衍生物层材质为足球烯（C60）、碳70（C70）、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯（PC61BM）和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯（P71BM）中的一种；所述导电薄膜层的材质为铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）和铟锌氧化物（IZO）中的一种。
优选地，所述金属氧化物掺杂层的厚度为50～200nm。
优选地，所述富勒烯衍生物层的厚度为1～5nm。
优选地，所述导电薄膜层的厚度为200～400nm。
优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）和铟锌氧化物玻璃（IZO）中的一种，更优选为ITO。
优选地，所述空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的一种，厚度为20～80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3，厚度为30nm。
优选地，所述空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三(咔唑-9-基)三苯胺（TCTA）和N,N’-（1-萘基）-N,N’-二苯基-4,4’-联苯二胺（NPB）中的一种，所述空穴传输层的厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层材质为NPB，厚度为50nm。
优选地，所述发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二-β-亚萘基蒽（ADN）、4,4'-双(9-乙基-3-咔唑乙烯基)-1,1'-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的一种，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层的材质为Alq3，厚度为25nm。
优选地，所述电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）和N-芳基苯并咪唑（TPBI）中的一种，厚度为40～300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为Bphen，厚度为250nm。
优选地，所述电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）和氟化锂（LiF）中的一种，厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚度为1nm。
所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成，金属氧化物掺杂层材质为折射率为1.7～2.0的金属氧化物（低折射率金属氧化物）和折射率为2.0～2.5的金属氧化物（高折射率金属氧化物）形成的混合材料，低折射率金属与有机层的折射率相差不大，可避免器件的全反射损失，同时，高折射率金属氧化物在可见光范围内吸收较小，可使光透过，同时，金属氧化物颗粒的纳米直径较大，是微球状颗粒，可使膜层保持排列有序的微球结构，对光进行散射；富勒烯衍生物是小分子材料，因此，容易成膜，可降低金属氧化物掺杂层的粗糙度，提高膜的质量，同时，富勒烯衍生物层折射率比高折射率金属化合物要低，光发射时，会形成全反射，使光线反射回到底部，避免光损失；导电薄膜层材料功函数介于有机材料的HOMO（最高已占轨道）与LUMO（最低未占轨道）能级之间，可以有效提高电子的注入效率，同时增加导电性，并且可对透过的光进行反射，使光反射回到器件的底部，这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
（2）在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成；
在电子注入层上采用电子束蒸镀的方法制备金属氧化物掺杂层，所述金属氧化物掺杂层的材质为折射率为1.7～2.0的低折射率金属氧化物和折射率为2.0～2.5的高折射率金属氧化物按质量比1:1～1:3混合形成的混合材料，所述低折射率金属氧化物为MgO、ZrO2和CaO中的一种，所述高折射率金属氧化物为ZnO、TiO2和CuO中的一种；所述电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2；
在金属氧化物掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层的材质为C60、C70、PC61BM和P71BM中的一种；蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在富勒烯衍生物层上采用磁控溅射的方法制备导电薄膜层，所述导电薄膜层的材质为ITO、AZO和IZO中的一种，磁控溅射的加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm2；得到所述有机电致发光器件。
优选地，所述金属氧化物掺杂层的厚度为50～200nm。
优选地，所述富勒烯衍生物层的厚度为1～5nm。
优选地，所述导电薄膜层的厚度为200～400nm。
优选地，所述空穴注入层和电子注入层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
优选地，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
优选地，所述提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，具体操作为：将导电阳极玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
优选地，所述清洗后干燥的操作为将导电阳极玻璃基底依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干。
优选地，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）和铟锌氧化物玻璃（IZO）中的一种，更优选为ITO。
优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3、WO3和V2O5中的一种，厚度为20～80nm。更优选地，所述空穴注入层的材质为MoO3，厚度为30nm。
优选地，所述空穴传输层的材质为TAPC、TCTA和NPB中的一种，所述空穴传输层材质厚度为20～60nm，更优选地，所述空穴传输层的材质为NPB，厚度为50nm。
优选地，所述发光层的材质为DCJTB、ADN、BCzVBi和Alq3中的一种，厚度为5～40nm，更优选地，所述发光层的材质为Alq3，厚度优选为25nm。
优选地，所述电子传输层的材质为Bphen、TAZ和TPBI中的一种，厚度为40～300nm，更优选地，所述电子传输层的材质为Bphen，厚度为250nm。
优选地，所述电子注入层的材质为Cs2CO3、CsF、CsN3和LiF中的一种，厚度为0.5～10nm，更优选地，所述电子注入层的材质为LiF，厚度为1nm。
所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成，金属氧化物掺杂层为折射率为1.7～2.0的金属氧化物（低折射率金属氧化物）和折射率为2.0～2.5的金属氧化物（高折射率金属氧化物）形成的混合材料，低折射率金属与有机层的折射率相差不大，可避免器件的全反射损失，同时，高折射率金属氧化物在可见光范围内吸收较小，可使光透过，同时，金属氧化物颗粒的纳米直径较大，是微球状颗粒，可使膜层保持排列有序的微球结构，对光进行散射；富勒烯衍生物是小分子材料，因此，容易成膜，可降低金属氧化物掺杂层的粗糙度，提高膜的质量，同时，富勒烯衍生物层折射率比高折射率金属化合物要低，光发射时，会形成全反射，使光线反射回到底部，避免光损失；导电薄膜层材料功函数介于有机材料的HOMO（最高已占轨道）与LUMO（最低未占轨道）能级之间，制备在复合阴极一边的时候，可以有效提高电子的注入效率，同时增加导电性，并且可对透过的光进行反射，使光反射回到器件的底部，这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
实施本发明实施例，具有以下有益效果：
（1）本发明提供的复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成，提高了器件的导电性能和发光效率；
（2）本发明提供的复合阴极的制备方法，工艺简单，成本低。
附图说明
为了更清楚地说明本发明的技术方案，下面将对实施方式中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施方式，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构示意图；
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流密度与电流效率关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施方式中的附图，对本发明实施方式中的技术方案进行清楚、完整地描述。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将ITO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为MoO3，蒸镀时采用的压强8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸镀厚度为30nm；
空穴传输层的材质为NPB，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为50nm；
发光层的材质为Alq3，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为25nm；
电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为250nm；
电子注入层的材质为LiF，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为3nm/s，蒸镀厚度为1nm；
（2）制备复合阴极；
在电子注入层上电子束蒸镀制备MgO和ZnO按质量比1:1.5混合形成的混合材料，得到厚度为100nm的金属氧化物掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为25W/cm2；
在金属氧化物掺杂层上热阻蒸镀PC61BM，得到厚度为2nm的富勒烯衍生物层，蒸镀时采用的压强为8×10-5Pa，蒸镀速率为0.2nm/s。
在富勒烯衍生物层上采用磁控溅射的方法制备ITO，得到厚度为300nm的导电薄膜层，磁控溅射的加速电压为500V，磁场为150G，功率密度为20W/cm2；得到有机电致发光器件。
图1为本实施例制备的有机电致发光器件的结构示意图，如图1所示，本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底1、空穴注入层2、空穴传输层3、发光层4、电子传输层5、电子注入层6和复合阴极7，复合阴极7由依次层叠的金属氧化物掺杂层71、富勒烯衍生物层72和导电薄膜层73组成。具体结构表示为：
ITO玻璃/MoO3/NPB/Alq3/Bphen/LiF/MgO:ZnO（1:1.5）/PC61BM/ITO，其中，斜杠“/”表示依次层叠，MgO:ZnO中的冒号“：”表示混合，1:1.5表示前者和后者的质量比，后面实施例中各个符号表示的意义相同。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将AZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为WO3，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为80nm；
空穴传输层的材质为NPB，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为60nm；
发光层的材质为ADN，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为5nm；
电子传输层的材质为TPBi，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为10nm/s，蒸镀厚度为300nm；
电子注入层的材质为CsF，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s，蒸镀厚度为10nm；
（2）制备复合阴极；
在电子注入层上电子束蒸镀制备ZrO2和TiO2按质量比1:1混合形成的混合材料，得到厚度为50nm的金属氧化物掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2；
在金属氧化物掺杂层上热阻蒸镀C60，得到厚度为1nm的富勒烯衍生物层，蒸镀时采用的压强为2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1nm/s。
在富勒烯衍生物层上采用磁控溅射的方法制备AZO，得到厚度为200nm的导电薄膜层，磁控溅射的加速电压为300V，磁场为200G，功率密度为1W/cm2；得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成。具体结构表示为：
AZO玻璃/WO3/NPB/ADN/TPBi/CsF/ZrO2:TiO2（1:1）/C60/AZO。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将IZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为V2O5，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为20nm；
空穴传输层的材质为TAPC，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为20nm；
发光层的材质为BCzVBi，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为40nm；
电子传输层的材质为Bphen，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为60nm；
电子注入层的材质为Cs2CO3，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s，蒸镀厚度为0.5nm；
（2）制备复合阴极；
在电子注入层上电子束蒸镀制备CaO和CuO按质量比1:3混合形成的混合材料，得到厚度为200nm的金属氧化物掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2；
在金属氧化物掺杂层上热阻蒸镀C70，得到厚度为5nm的富勒烯衍生物层，蒸镀时采用的压强为5×10-5Pa，蒸镀速率为1nm/s。
在富勒烯衍生物层上采用磁控溅射的方法制备IZO，得到厚度为400nm的导电薄膜层，磁控溅射的加速电压为800V，磁场为50G，功率密度为40W/cm2；得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成。具体结构表示为：
IZO玻璃/V2O5/TAPC/BCzVBi/Bphen/Cs2CO3/CaO:CuO（1:3）/C70/IZO。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下操作步骤：
（1）先将IZO玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成2×2cm2的正方形尺寸，然后依次用洗洁精，去离子水，丙酮，乙醇，异丙醇各超声15min，去除玻璃表面的有机污染物，清洗干净后风干；然后在阳极上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；其中，
空穴注入层的材质为WO3，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为30nm；
空穴传输层的材质为TCTA，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为50nm；
发光层的材质为DCJTB，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为5nm；
电子传输层的材质为TAZ，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s，蒸镀厚度为40nm；
电子注入层的材质为CsN3，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为5nm/s，蒸镀厚度为1nm；
（2）制备复合阴极；
在电子注入层上电子束蒸镀制备MgO与TiO2按质量比1:1.5混合形成的混合材料，得到厚度为150nm的金属氧化物掺杂层，电子束蒸镀的能量密度为25W/cm2；
在金属氧化物掺杂层上热阻蒸镀PC61BM，得到厚度为5nm的富勒烯衍生物层，蒸镀时采用的压强为5×10-4Pa，蒸镀速率为0.2nm/s；
在富勒烯衍生物层上采用磁控溅射的方法制备ITO，得到厚度为280nm的导电薄膜层，磁控溅射的加速电压为350V，磁场为100G，功率密度为25W/cm2；得到有机电致发光器件。
本实施例制备的有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成。具体结构表示为：
IZO玻璃/WO3/TCTA/DCJTB/TAZ/CsN3/MgO:TiO2（1:1.5）/P71BM/ITO。
对比实施例
为体现为本发明的创造性，本发明还设置了对比实施例，对比实施例与实施例1的区别在于对比实施例中的阴极为金属单质银（Ag），厚度为120nm，对比实施例有机电致发光器件的具体结构为ITO玻璃/MoO3/NPB/Alq3/Bphen/LiF/Ag，分别对应导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极。
效果实施例
采用美国海洋光学Ocean Optics的USB4000光纤光谱仪测试电致发光光谱，美国吉时利公司的电流-电压测试仪Keithley2400测试电学性能，日本柯尼卡美能达公司的CS-100A色度计测试亮度和色度，得到有机电致发光器件的电流效率随电流密度变化曲线，以考察器件的发光效率，测试对象为实施例1与对比实施例制备的有机电致发光器件。测试结果如图2所示。
图2是本发明实施例1与对比实施例有机电致发光器件的电流效率和电流密度的关系图。从图2中可以看出，在不同电流密度下，实施例1的电流效率都比对比例的要大，实施例1的最大的电流效率为8.38cd/A，而对比例的仅为6.27cd/A，这说明，本发明复合阴极利用高折射率金属氧化物与低折射率金属氧化物进行掺杂，可以避免器件的全反射损失，使膜层保持排列有序的微球结构，对光进行散射，富勒烯衍生物降低金属氧化物掺杂层的粗糙度，提高膜的质量，导电薄膜层材料有效提高电子的注入效率，同时增加导电性，并且可对光进行反射，使光反射回到器件的底部，这种复合阴极可有效提高器件发光效率。
以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以做出若干改进和润饰，这些改进和润饰也视为本发明的保护范围。

Claims (10)

1.一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和复合阴极，其特征在于，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成，所述金属氧化物掺杂层的材质为折射率为1.7～2.0的低折射率金属氧化物和折射率为2.0～2.5的高折射率金属氧化物按质量比1:1～1:3混合形成的混合材料，所述低折射率金属氧化物为氧化镁、氧化锆和氧化钙中的一种，所述高折射率金属氧化物为氧化锌、二氧化钛和氧化铜中的一种；所述富勒烯衍生物层的材质为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中的一种；所述导电薄膜层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物和铟锌氧化物中的一种。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述金属氧化物掺杂层的厚度为50～200nm。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述富勒烯衍生物层的厚度为1～5nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电薄膜层的厚度为200～400nm。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下操作步骤：
（1）提供所需尺寸的导电阳极玻璃基底，清洗后干燥；在导电阳极玻璃基底上采用热阻蒸镀的方法依次制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
（2）在电子注入层上制备复合阴极，所述复合阴极由依次层叠的金属氧化物掺杂层、富勒烯衍生物层和导电薄膜层组成；
在电子注入层上采用电子束蒸镀的方法制备金属氧化物掺杂层，所述金属氧化物掺杂层的材质为折射率为1.7～2.0的低折射率金属氧化物和折射率为2.0～2.5的高折射率金属氧化物按质量比1:1～1:3混合形成的混合材料，所述低折射率金属氧化物为氧化镁、氧化锆和氧化钙中的一种，所述高折射率金属氧化物为氧化锌、二氧化钛和氧化铜中的一种；所述电子束蒸镀的能量密度为10～l00W/cm2；
在金属氧化物掺杂层上采用热阻蒸镀的方法制备富勒烯衍生物层，所述富勒烯衍生物层的材质为足球烯、碳70、[6,6]-苯基-C61-丁酸甲酯和[6,6]-苯基-C71-丁酸甲酯中的一种；蒸镀压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在富勒烯衍生物层上采用磁控溅射的方法制备导电薄膜层，所述导电薄膜层的材质为铟锡氧化物、铝锌氧化物和铟锌氧化物中的一种，磁控溅射的加速电压为300～800V，磁场为50～200G，功率密度为1～40W/cm2；得到所述有机电致发光器件。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述金属氧化物掺杂层的厚度为50～200nm。
7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述富勒烯衍生物层的厚度为1～5nm。
8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电薄膜层的厚度为200～400nm。
9.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层和电子注入层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为1～10nm/s。
10.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴传输层、电子传输层和发光层的热阻蒸镀条件均为：压强为5×10-5Pa～2×10-3Pa，蒸镀速率为0.1～1nm/s。
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