CN104319346A - 一种高导热结构led芯片及其制备方法 - Google Patents
一种高导热结构led芯片及其制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN104319346A CN104319346A CN201410545166.1A CN201410545166A CN104319346A CN 104319346 A CN104319346 A CN 104319346A CN 201410545166 A CN201410545166 A CN 201410545166A CN 104319346 A CN104319346 A CN 104319346A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- electrode
- heat
- conducting metal
- layer
- metal layer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 16
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 76
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 76
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 72
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 66
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 claims abstract description 29
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 claims abstract description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims abstract description 8
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical group [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 14
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 14
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 12
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 7
- 230000003064 anti-oxidating effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000012774 insulation material Substances 0.000 claims description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 5
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 5
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 4
- 229910004337 Ti-Ni Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910011209 Ti—Ni Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N iminotitanium Chemical compound [Ti]=N KHYBPSFKEHXSLX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 abstract description 2
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 241000218202 Coptis Species 0.000 description 4
- 235000002991 Coptis groenlandica Nutrition 0.000 description 4
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 3
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002601 GaN Inorganic materials 0.000 description 2
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 2
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 238000003384 imaging method Methods 0.000 description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 2
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 2
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N Abietic-Saeure Natural products C12CCC(C(C)C)=CC2=CCC2C1(C)CCCC2(C)C(O)=O RSWGJHLUYNHPMX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N Rosin Natural products O(C/C=C/c1ccccc1)[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H](O)[C@@H](CO)O1 KHPCPRHQVVSZAH-HUOMCSJISA-N 0.000 description 1
- 230000032683 aging Effects 0.000 description 1
- 239000003963 antioxidant agent Substances 0.000 description 1
- 230000003078 antioxidant effect Effects 0.000 description 1
- 235000006708 antioxidants Nutrition 0.000 description 1
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012536 packaging technology Methods 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 1
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 1
- 238000001228 spectrum Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N trans-cinnamyl beta-D-glucopyranoside Natural products OC1C(O)C(O)C(CO)OC1OCC=CC1=CC=CC=C1 KHPCPRHQVVSZAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/64—Heat extraction or cooling elements
- H01L33/641—Heat extraction or cooling elements characterized by the materials
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Led Devices (AREA)
- Led Device Packages (AREA)
Abstract
本发明属于光电技术领域，具体涉及一种高导热结构LED芯片及其制备方法。所述高导热结构LED芯片包括基板和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底面向基板一侧设有N半导体层，所述N半导体层面向基板一侧表面的两端分别设有发光层和N电极，所述发光层一侧表面与N半导体层连接另一侧表面依次设有P半导体层和P电极；所述N电极通过第一导热金属层与基板连接，所述P电极通过第二导热金属层与基板连接，所述第一导热金属层、第二导热金属层、发光层、P半导体层、P电极和N电极的裸露外表面设有绝缘材料层。本发明高导热结构LED芯片工作时的热量通过电极和导热金属层传导至高散热基板上，散热性能是正装芯片的6倍。
Description
技术领域
本发明属于光电技术领域，具体涉及一种高导热结构LED芯片及其制备方法。
背景技术
散热问题是大功率型LED需重点解决的技术难题，散热效果的优劣直接关系到灯的寿命和节能效果。LED是靠电子在能带间跃迁产生光的，其光谱中不含有红外部分，所以LED芯片的热量不能靠辐射散发。如果LED芯片中的热量不能及时散发出去，会加速器件的老化。一旦LED芯片的温度超过最高临界温度(跟据不同外延及工艺，芯片温度大概为150℃)，往往会造成LED芯片永久性失效。传统LED芯片正装结构(见图1)包括金线11、蓝宝石衬底12、电极13、固金导热胶层14、高导热基板15组成，其热量需要经过蓝宝石传递，蓝宝石导热系数46W/MK，致使PN结温大部分热量被阻隔，只有少部分热量通过传导至基板，且正装结构的P/N电极层与发光为同侧，P/N电极面积阻挡部分发光层。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是：提供一种散热效率高、性能稳定的高导热结构LED芯片及其制备方法。
为了解决上述技术问题，本发明采用的技术方案为：提供一种高导热结构LED芯片，包括基板和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底面向基板一侧设有N半导体层，所述N半导体层面向基板一侧表面的两端分别设有发光层和N电极，所述发光层一侧表面与N半导体层连接另一侧表面依次设有P半导体层和P电极；
所述N电极通过第一导热金属层与基板连接，所述P电极通过第二导热金属层与基板连接，所述第一导热金属层、第二导热金属层、发光层、P半导体层、P电极和N电极的裸露外表面设有绝缘材料层。
本发明的另一技术方案为提供一种高导热结构LED芯片的制备方法，包括如下步骤：
步骤S1：在蓝宝石衬底面向基板的一侧设置N半导体层，所述N半导体层面向基板一侧的表面的两端分别设有发光层和N电极，所述发光层一侧表面与N半导体层连接另一侧表面依次设有P半导体层和P电极；
步骤S2：采用真空溅镀，在发光层、P半导体层、P电极、N电极和N半导体面向基板一侧的表面生成导通金属层使P电极和N电极导通互连；
步骤S3：利用黄光制程，露出P电极和N电极，采用电镀工艺，在P电极和N金电极上分别电镀第一导热金属层和第二导热金属层；
步骤S4：去除步骤2所述导通金属层；
步骤S5：将裸露出来的导热金属层、发光层、P半导体层、P电极、N电极和N半导体层面向基板一侧的表面采用绝缘材料填充；
步骤S6：研磨使第一导热金属层不与P电极连接的一端露出并与基板焊接，研磨使第二导热金属层不与N电极连接的一端露出并与基板焊接。
本发明的有益效果在于：1、本发明高导热结构LED芯片相对于传统LED芯片，减少了金线封装工艺，省掉导线架、打线步骤，应用时，无需固晶和打线封装，而是直接采用回流焊接在基板上，因此成本更低廉；2、本发明高导热结构LED芯片不会出现因金线虚焊或接触不良引起的不亮、闪烁、光衰大等问题，因此，相比于传统封装芯片，稳定性更好；3、相比于传统封装芯片，本发明高导热结构LED芯片密度增加了16倍，封装体积却缩小了80％，灯具设计空间更大；4、本发明高导热结构LED芯片在应用时无固晶胶、无高阻热系数的蓝宝石夹在芯片内部，其工作时的热量通过电极和导热金属层传导至高散热基板上，散热性能是正装芯片的6倍。5、本发明高导热结构LED芯片的P/N电极层与发光不在同侧，P/N电极面积不阻挡发光层，提高了光的出射面积。
附图说明
图1为LED芯片传统正装结构示意图；
图2为本发明具体实施方式中高导热结构LED芯片生成导通金属层时的结构示意图；
图3为本发明具体实施方式中高导热结构LED芯片的结构示意图；
标号说明：
11、金线；12、蓝宝石衬底；13、电极；14、固金导热胶层；15、高导热基板；
21、蓝宝石衬底；22、N半导体层；23、发光层；24、P半导体层；25、P电极；26、N电极；27、导通金属层；28、第一导热金属层；29、第二导热金属层；30、绝缘材料层。
具体实施方式
为详细说明本发明的技术内容、所实现目的及效果，以下结合实施方式并配合附图予以说明。
本发明最关键的构思在于：提供一条导热通道让热量从PN结往外散出，将PN结产生的热量通过高导热材料传导至高散热基板上，热量传递避开蓝宝石层，高导热材料既可以将热量进行传递，又可以满足外部电路连接。
现有的正装LED芯片热量导出结构：半导体(热源)-金层电极(导热系数317w/mk)-蓝宝石(导热系数46w/mk)。
本发明高导热结构LED芯片热量导出结构：半导体(热源)-金层电极(导热系数317w/mk)-铜层(导热系数401w/mk)。
实施例1
请参照图2、图3，本发明提供一种高导热结构LED芯片，包括基板和蓝宝石衬底21，所述蓝宝石衬底21面向基板一侧设有N半导体层22，所述N半导体层22面向基板一侧表面的两端分别设有发光层23和N电极26，所述发光层23一侧表面与N半导体层22连接另一侧表面依次设有P半导体层24和P电极25；
所述N电极26通过第一导热金属层28与基板连接，所述P电极25通过第二导热金属层29与基板连接，所述第一导热金属层28、第二导热金属层29、发光层23、P半导体层24、P电极25和N电极26的裸露外表面设有绝缘材料层30。
优选的，上述的高导热结构LED芯片中，所述蓝宝石衬底21的厚度为150-250微米，所述P半导体层24的厚度为1-5微米，N半导体层22的厚度为1-5微米，所述P电极25的厚度为0.1-0.8微米，所述N电极26的厚度为0.1-0.8微米，所述第一导热金属层28的厚度为10-600微米，所述第二导热金属层29的厚度为10-600微米。
优选的，上述的高导热结构LED芯片中，所述绝缘材料为绝缘树脂。所述第一导热金属层28和第二导热金属层29的材质为铜。所述P电极25和N电极26的材质为AU。
上述高导热结构LED芯片的制备方法具体如下：
步骤S1：在蓝宝石衬底21面向基板的一侧设置N半导体层22，所述N半导体层22面向基板一侧的表面的两端分别设有发光层23和N电极26，所述发光层23一侧表面与N半导体层22连接另一侧表面依次设有P半导体层24和P电极25；
步骤S2：采用真空溅镀，在发光层23、P半导体层24、P电极25、N电极26和N半导体面向基板一侧的表面生成导通金属层27使P电极25和N电极26导通互连；
步骤S3：利用黄光制程，露出P电极25和N电极26，采用电镀工艺，在P电极25和N金电极上分别电镀第一导热金属层28和第二导热金属层29；
步骤S4：去除步骤S2所述导通金属层27；
步骤S5：将裸露出来的导热金属层、发光层23、P半导体层24、P电极25、N电极26和N半导体面向基板一侧的表面采用绝缘材料填充；
步骤S6：研磨使第一导热金属层28不与P电极25连接的一端露出并与基板焊接，研磨使第二导热金属层29不与N电极26连接的一端露出并与基板焊接。
优选的，上述的高导热结构LED芯片的制备方法还包括步骤S7：将蓝宝石衬底21减薄或完全去除。
优选的，上述的高导热结构LED芯片的制备方法中，所述第一导热金属层28和第二导热金属层29的材质为铜，所述第一导热金属层28不与P电极25和基板连接的表面设有抗氧化层，所述第二导热金属层29不与N电极26和基板连接的表面设有抗氧化层。
优选的，上述的高导热结构LED芯片的制备方法中，所述绝缘材料为绝缘树脂，所述P电极25和N电极26的材质为AU，所述导通金属层27的材质为钛镍合金。
实施例2
本发明提供一种高导热结构LED芯片，包括基板和蓝宝石衬底21，所述蓝宝石衬底21面向基板一侧设有N半导体层22，所述N半导体层22面向基板一侧表面的两端分别设有发光层23和N电极26，所述发光层23一侧表面与N半导体层22连接另一侧表面依次设有P半导体层24和P电极25；
所述N电极26通过第一导热金属层28与基板连接，所述P电极25通过第二导热金属层29与基板连接，所述第一导热金属层28、第二导热金属层29、发光层23、P半导体层24、P电极25和N电极26的裸露外表面设有绝缘材料层30。
上述高导热结构LED芯片的制备方法具体如下：
1、外延片采用清洗、黄光制程、蚀刻、蒸镀金层制作P/N内部电极金层，所述外延片结构为“蓝宝石+N半导体(优选N氮化镓)+发光层+P半导体(优选P氮化镓)”；电极制作先在P半导体材料涂上光阻，曝光显影蚀刻p半导体和发光层，露出N半导体层，去除光阻层；清洗，蒸镀铬、铂、金层，涂光阻，曝光显影蚀刻，形成P/N电极金层，即电极结构为铬、铂、金层。
2、采用真空溅镀，将在半导体面生成导通金属层，使P/N电极导通互连(优选材料为钛+镍)，以便于后制程电镀电流导通。
3、利用黄光制程，露出内部P/N电极，按后采用电镀工艺，在P/N金电极上电镀导热金属层(铜)，其中在P/N金电极面上导通金属层(钛+镍)，可以保留或不保留。
4、采用电镀工艺制作导热金属层(即铜层)。导热金属层形成后，并利用化学处理方式，将“导通金属层”去除，导通金属层为“钛+镍”，仅辅助电镀铜层P/N电极与电镀夹点导通，电镀铜层完成后必须全部去除干净。
5、将裸露出来铜电极采用绝缘树脂填充，稳固铜层和隔离电极漏电。
6、采用研磨工艺露出导热金属层(铜层)，以便于与基板SMT焊接。
7、将蓝宝石衬底减薄或完全去除，以便于半导体导热发光。
8、由于铜层在常温环境中易于氧化，因此对芯片裸露出的铜面进行抗氧化表面处理，此抗氧化层在SMT高温过程中将被分解气化。
本发明高导热结构LED芯片相比于传统封装芯片，密度增加了16倍，封装体积却缩小了80％，灯具设计空间更大；在应用时无固晶胶、无高阻热系数的蓝宝石夹在芯片内部，其工作时的热量通过电极和导热金属层传导至高散热基板上，散热性能是正装芯片的6倍。
以上所述仅为本发明的实施例，并非因此限制本发明的专利范围，凡是利用本发明说明书及附图内容所作的等同变换，或直接或间接运用在相关的技术领域，均同理包括在本发明的专利保护范围内。
Claims (10)
1.一种高导热结构LED芯片，其特征在于，包括基板和蓝宝石衬底，所述蓝宝石衬底面向基板一侧设有N半导体层，所述N半导体层面向基板一侧表面的两端分别设有发光层和N电极，所述发光层一侧表面与N半导体层连接另一侧表面依次设有P半导体层和P电极；
所述N电极通过第一导热金属层与基板连接，所述P电极通过第二导热金属层与基板连接，所述第一导热金属层、第二导热金属层、发光层、P半导体层、P电极和N电极的裸露外表面设有绝缘材料层。
2.根据权利要求1所述的高导热结构LED芯片，其特征在于，所述蓝宝石衬底的厚度为150-250微米，所述P半导体层的厚度为1-5微米，N半导体层的厚度为1-5微米，所述P电极的厚度为0.1-0.8微米，所述N电极的厚度为0.1-0.8微米，所述第一导热金属层的厚度为10-600微米，所述第二导热金属层的厚度为10-600微米。
3.根据权利要求1所述的高导热结构LED芯片，其特征在于，所述绝缘材料为绝缘树脂。
4.根据权利要求1所述的高导热结构LED芯片，其特征在于，所述第一导热金属层和第二导热金属层的材质为铜。
5.根据权利要求1所述的高导热结构LED芯片，其特征在于，所述P电极和N电极的材质为AU。
6.一种高导热结构LED芯片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤S1：在蓝宝石衬底面向基板的一侧设置N半导体层，所述N半导体层面向基板一侧的表面的两端分别设有发光层和N电极，所述发光层一侧表面与N半导体层连接另一侧表面依次设有P半导体层和P电极；
步骤S2：采用真空溅镀，在发光层、P半导体层、P电极、N电极和N半导体面向基板一侧的表面生成导通金属层使P电极和N电极导通互连；
步骤S3：利用黄光制程，露出P电极和N电极，采用电镀工艺，在P电极和N金电极上分别电镀第一导热金属层和第二导热金属层；
步骤S4：去除步骤2所述导通金属层；
步骤S5：将裸露出来的导热金属层、发光层、P半导体层、P电极、N电极和N半导体层面向基板一侧的表面采用绝缘材料填充；
步骤S6：研磨使第一导热金属层不与P电极连接的一端露出并与基板焊接，研磨使第二导热金属层不与N电极连接的一端露出并与基板焊接。
7.根据权利要求6所述的高导热结构LED芯片的制备方法，其特征在于，还包括步骤S7：将蓝宝石衬底减薄或完全去除。
8.根据权利要求6所述的高导热结构LED芯片的制备方法，其特征在于，所述第一导热金属层和第二导热金属层的材质为铜，所述第一导热金属层不与P电极和基板连接的表面设有抗氧化层，所述第二导热金属层不与N电极和基板连接的表面设有抗氧化层。
9.根据权利要求6所述的高导热结构LED芯片的制备方法，其特征在于，所述蓝宝石衬底的厚度为150-250微米，所述P半导体层的厚度为1-5微米，N半导体层的厚度为1-5微米，所述P电极的厚度为0.1-0.8微米，所述N电极的厚度为0.1-0.8微米，所述第一导热金属层的厚度为10-600微米，所述第二导热金属层的厚度为10-600微米。
10.根据权利要求6所述的高导热结构LED芯片的制备方法，其特征在于，所述绝缘材料为绝缘树脂，所述P电极和N电极的材质为AU，所述导通金属层的材质为钛镍合金。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410545166.1A CN104319346A (zh) | 2014-10-15 | 2014-10-15 | 一种高导热结构led芯片及其制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN201410545166.1A CN104319346A (zh) | 2014-10-15 | 2014-10-15 | 一种高导热结构led芯片及其制备方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN104319346A true CN104319346A (zh) | 2015-01-28 |
Family
ID=52374551
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201410545166.1A Pending CN104319346A (zh) | 2014-10-15 | 2014-10-15 | 一种高导热结构led芯片及其制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN104319346A (zh) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851513A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-08-19 | 富通集团（天津）超导技术应用有限公司 | 一种超导线材及其制备方法 |
| CN104953022A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-09-30 | 富通集团（天津）超导技术应用有限公司 | 超导线材的制备方法 |
| CN113406472A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-09-17 | 世强先进(深圳)科技股份有限公司 | 一种发光芯片失效原因背面分析方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1731592A (zh) * | 2005-08-26 | 2006-02-08 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 倒装焊结构发光二极管及其制造方法 |
| CN1768434A (zh) * | 2003-03-28 | 2006-05-03 | 吉尔科有限公司 | 发光二极管功率封装 |
| CN1780002A (zh) * | 2004-11-19 | 2006-05-31 | 中国科学院半导体研究所 | 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 |
| US20110062486A1 (en) * | 2006-12-21 | 2011-03-17 | Palo Alto Research Center Incorporated | fabrication for electroplating thick metal pads |
| CN204144322U (zh) * | 2014-10-15 | 2015-02-04 | 厦门英诺尔电子科技股份有限公司 | 一种高导热结构led芯片 |
-
2014
- 2014-10-15 CN CN201410545166.1A patent/CN104319346A/zh active Pending
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1768434A (zh) * | 2003-03-28 | 2006-05-03 | 吉尔科有限公司 | 发光二极管功率封装 |
| CN1780002A (zh) * | 2004-11-19 | 2006-05-31 | 中国科学院半导体研究所 | 倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 |
| CN1731592A (zh) * | 2005-08-26 | 2006-02-08 | 杭州士兰明芯科技有限公司 | 倒装焊结构发光二极管及其制造方法 |
| US20110062486A1 (en) * | 2006-12-21 | 2011-03-17 | Palo Alto Research Center Incorporated | fabrication for electroplating thick metal pads |
| CN204144322U (zh) * | 2014-10-15 | 2015-02-04 | 厦门英诺尔电子科技股份有限公司 | 一种高导热结构led芯片 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN104851513A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-08-19 | 富通集团（天津）超导技术应用有限公司 | 一种超导线材及其制备方法 |
| CN104953022A (zh) * | 2015-05-15 | 2015-09-30 | 富通集团（天津）超导技术应用有限公司 | 超导线材的制备方法 |
| CN104851513B (zh) * | 2015-05-15 | 2017-08-08 | 富通集团（天津）超导技术应用有限公司 | 一种超导线材及其制备方法 |
| CN113406472A (zh) * | 2021-05-17 | 2021-09-17 | 世强先进(深圳)科技股份有限公司 | 一种发光芯片失效原因背面分析方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI320975B (zh) | ||
| KR101451266B1 (ko) | Ｌｅｄ 광 모듈 | |
| TWI437930B (zh) | 封裝載板及其製作方法 | |
| JP2008277817A (ja) | 放熱モジュール及びその製造方法 | |
| TWI513069B (zh) | 散熱板 | |
| TW200807652A (en) | Thermal isolation of electronic devices in submount used for LEDs lighting applications | |
| TWI297537B (en) | Embedded metal heat sink for semiconductor device and method for manufacturing the same | |
| US20120314369A1 (en) | Package carrier and package structure | |
| WO2012088790A1 (zh) | Led光模组和led芯片 | |
| US7884385B2 (en) | Light emitting diode device | |
| JP2013016769A (ja) | パワーモジュールパッケージ及びその製造方法 | |
| TW201216446A (en) | Power module | |
| CN104319346A (zh) | 一种高导热结构led芯片及其制备方法 | |
| TW201324705A (zh) | 電子元件 | |
| WO2011124019A1 (zh) | Led灯芯、led芯片及led芯片制造方法 | |
| CN103413851A (zh) | 光伏旁路器件及应用该器件的保护电路、接线盒及发电*** | |
| CN204144322U (zh) | 一种高导热结构led芯片 | |
| CN203192859U (zh) | 散热导线架结构 | |
| TW201608678A (zh) | 晶片封裝模組與封裝基板 | |
| TW201240170A (en) | Light source module with enhanced heat dissipation efficiency and assembly method thereof | |
| TW201205882A (en) | Manufacturing method for LED light emitting device | |
| TWI424593B (zh) | Light - emitting diodes of the thermal substrate and thermal module structure | |
| TWI244780B (en) | LED package method | |
| TWI422079B (zh) | 半導體發光元件之散熱座的製作方法 | |
| TWI722560B (zh) | 直接導出電子元件熱能的封裝結構 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20150128 |
|
| WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |