CN104299937B - 一种应用于硅腐蚀的固定装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种应用于硅腐蚀的固定装置,所述固定装置包括第一片架和第二片架以及用于连接所述第一片架和所述第二片架的连接装置,所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,以减少所述硅片与所述第一卡合装置和所述第二卡合装置的接触面积。
Description
技术领域
本发明涉及计算机技术领域,尤其涉及一种应用于硅腐蚀的固定装置。
背景技术
随着半导体技术的发展,现有的多半导体产品由于芯片的散热、封装体积的要求都会进行背面减薄工艺,减薄后厚度按客户要求有100~400微米不等。现有背面减薄工艺一般采用研磨轮减薄机来对硅片进行减薄,如此,导致硅片表面会残留大量的硅屑,而且存在严重的损失层,使得所述硅片会因损伤层而有较严重翘曲及内部应力,这时就需要使用硅腐蚀工艺,通过硅腐蚀来修复晶圆表面同时起到消除内部应力和减小翘曲的目的。
在采用硅腐蚀工艺腐蚀硅片时,一般是通过普通的特氟龙片架来装置硅片,以使所述硅片进行表面清洗和腐蚀。
但本申请发明人在实现本申请实施例中发明技术方案的过程中,发现上述技术至少存在如下技术问题:
由于现有技术中时通过普通的特氟龙片架这种容置装置来容置硅片,在进行硅腐蚀工艺时,特氟龙片架的内层夹片与硅片腐蚀面接触面积较大,使得所述硅片与所述内层夹片的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,使得所述硅片整体厚度不均匀,同时在所述硅片的腐蚀面会残留所述片架内夹层的片架印,导致所述硅片的质量较差,合格率低的问题。
发明内容
本申请实施例通过提供一种应用于硅腐蚀的固定装置,用于解决现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,及由此而带来的硅片的质量较差,合格率低的问题。
本申请实施例提供了一种应用于硅腐蚀的固定装置,所述固定装置包括第一片架和第二片架以及用于连接所述第一片架和所述第二片架的连接装置,所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,以减少所述硅片与所述第一卡合装置和所述第二卡合装置的接触面积。
可选的,所述第一内凹部分是通过获取所述硅片与所述第一卡合装置接触的第一参数,基于所述第一参数来确定的。
可选的,所述第二内凹部分是通过获取所述硅片与所述第二卡合装置接触的第二参数,基于所述第二参数来确定的。
可选的,所述第一卡合装置至少包括第一夹片和第二夹片,所述第一夹片包括第一连接片,所述第一连接片固接在所述第一片架的上部,所述第一连接片与所述第一片架的第一底柱形成第一缺口,所述第二夹片包括第二连接片,所述第二连接片固接在所述第一片架的上部,所述第二连接片与所述第一片架的第一底柱形成第二缺口,通过所述第一缺口和所述第二缺口组成所述第一内凹部分。
可选的,所述第二卡合装置至少包括第三夹片和第四夹片,所述第三夹片包括第三连接片,所述第三连接片固接在所述第二片架的上部,所述第三连接片与所述第二片架的第二底柱形成第三缺口,所述第四夹片包括所述第四连接片,所述第四连接片固接在所述第二片架的上部,所述第四连接片与所述第二片架的第二底柱形成第四缺口,通过所述第三缺口和所述第四缺口组成所述第二内凹部分。
可选的,所述第一夹片还包括第五连接片,所述第五连接片固接在所述第一片架下端且与所述第一连接片相互对应,所述第一连接片与所述第五连接片具有第五缺口,所述第二夹片还包括第六连接片,所述第六连接片固接在所述第一片架的下端且与所述第二连接片相互对应,所述第二连接片与所述第六连接片具有第六缺口,所述第五缺口与所述第六缺口相互对应,通过所述第五缺口和所述第六缺口组成所述第一内凹部分。
可选的,所述第三夹片还包括第七连接片,所述第七连接片固接在所述第二片架的下端且与所述第三连接片相互对应,所述第三连接片与所述第七连接片具有第七缺口,所述第四夹片还包括第八连接片,所述第八连接片固接在所述第二片架的下端且与所述第四连接片相互对应,所述第八连接片与所述第四连接片具有第八缺口,所述第七缺口与所述第八缺口相互对应,通过所述第七缺口和所述第八缺口组成所述第二内凹部分。
可选的,所述第一片架外侧固接有第一支撑装置,所述第二片架外侧固接有第二支撑装置,以使所述固定装置在进行硅片腐蚀时保持稳定。
可选的,所述第一支撑装置至少包括第五夹片和第六夹片,所述第五夹片和所述第六夹片分别与所述至少第一夹片和第二夹片中的一夹片固接,且所述第五夹片与所述第六夹片之间的第一间距大于所述第一夹片和所述第二夹片之间的第二间距。
可选的,所述第一支持装置至少包括第七夹片和第八夹片,所述第七夹片和所述第八夹片分别与所述至少第三夹片和第四夹片中的一夹片固接,且所述第七夹片与所述第八夹片之间的第三间距大于所述第三夹片和所述第四夹片之间的第四间距。
可选的,所述第一底柱与水平面具有第一倾角,所述第二底柱与水平面具有第二倾角,所述第一倾角与所述第二倾角相互对应,以使所述固定装置向一侧倾斜。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
其一、由于本申请实施例在所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,在所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,如此,使得所述硅片放置在所述固定装置中时,所述硅片靠近所述固定装置下端两侧的部分是容置在由所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置中,从而解决了现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,实现了减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,能够提高所述硅片的质量和合格率。
其二、由于本申请实施例的第一卡合装置中的第一夹片和第二夹片固接在所述第一片架的上部,使得所述第一夹片和所述第二夹片与所述第一片架的第一底柱组成了第一内凹部分,第二卡合装置中的第三夹片和第四夹片固接在所述第二片架的上部,使得所述第三夹片和所述第四夹片与所述第二片架的第二底柱组成了第二内凹部分,在所述硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,能够进一步减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,进一步使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,提高所述硅片的质量和合格率。
其三、由于本申请实施例中所述第一片架外侧固接有第一支撑装置,以及在所述第二片架外侧固接有第二支撑装置,所述第一支撑装置至少包括第五夹片和第六夹片,所述第五夹片与所述第六夹片之间的第一间距大于所述第一夹片和所述第二夹片之间的第二间距,所述第二支持装置至少包括第七夹片和第八夹片,且所述第七夹片与所述第八夹片之间的第三间距大于所述第三夹片和所述第四夹片之间的第四间距,如此,使得在进行硅片腐蚀时,有效提高所述硅片间酸液流动性,导致所述硅片腐蚀均匀,提高所述硅片的质量和合格率。
其四、由于本申请实施例中所述第一底柱与水平面具有第一倾角,所述第二底柱与水平面具有第二倾角,所述第一倾角与所述第二倾角相互对应,以使所述固定装置向一侧倾斜,如此,在进行硅片腐蚀时,将所述硅片腐蚀面朝倾斜侧相反的一侧摆放时,比如所述固定装置向右侧倾斜时,所述硅片腐蚀面朝向左侧,使得所述硅片在重力作用向与所述固定装置倾斜方向一致,使得所述硅片腐蚀面与所述固定装置不完全接触,进一步减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,进一步使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,提高所述硅片的质量和合格率。
附图说明
图1为本申请实施例中应用于硅腐蚀的固定装置的结构图;
图2为图1中第一片架的放大结构图;
图3为图1中第二片架的放大结构图;
图4为图2中第一卡合装置的放大结构图;
图5为图3中第二卡合装置的放大结构图;
图6为硅片放入第一卡合装置和第二卡合装置中结构图;
图7为第一卡合装置未设有第一内凹部分的结构图;
图8为第二卡合装置未设有第二内凹部分的结构图;
图9为实施二中第一卡合装置的结构图;
图10为实施例二中第二卡合装置的结构图;
图11为实施例三中第一支撑装置的结构图;
图12为实施例三中第二支撑装置的结构图;
图13为实施例四中第一片架的结构图;
图14为实施例四中第二片架的结构图;
图15为图13中第一支撑装置的结构图;
图16为图14中第二支撑装置的结构图;
图17为实施例五中第一片架的结构图;
图18为实施例五中第二片架的结构图。
具体实施方式
本申请实施例通过提供一种应用于硅腐蚀的固定装置,用于解决现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,及由此而带来的硅片的质量较差,合格率低的问题。
本申请实施例的技术方案为解决上述技术问题,总体思路如下:
在所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,在所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,如此,使得所述硅片放置在所述固定装置中时,所述硅片靠近所述固定装置下端两侧的部分是容置在由所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置中,从而解决了现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,实现了减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,能够提高所述硅片的质量和合格率。
为了更好的理解上述技术方案,下面将结合说明书附图以及具体的实施方式对上述技术方案进行详细的说明。
实施例一
参见图1,本申请实施例提供了一种应用于硅腐蚀的固定装置,固定装置10包括第一片架20和第二片架30以及用于连接第一片架20和第二片架30的连接装置,所述连接装置包括第一连接件40和第二连接件41。
其中,第一片架20内侧固接有第一卡合装置50,第二片架30内侧固接有第二卡合装置60,第一卡合装置50的下端具有第一内凹部分51,第二卡合装置60的下端具有第二内凹部分61。
参见图2,第一片架20包括第一框架21以及固定在第一框架21下端的第一底柱22和固定在第一框架21上部的第一上柱23,第一框架21的中间部位固接有第一横梁24,第一片架20内侧固接有第一卡合装置50,第一卡合装置50包括第一夹片52和第二夹片53等夹片。其中,第一底柱22的长度与第一上柱23的长度可以设置成相同的长度,还可以设置成不同的长度。
参见图3,第二片架30包括第二框架31以及固定在第二框架31下端的第二底柱32和固定在第二框架31上部的第二上柱33,第二框架31的中间部位固接有第二横梁34,第二片架30内侧固接有第二卡合装置60,第二卡合装置60包括第三夹片62和第四夹片63等夹片。其中,第二底柱32的长度与第二上柱33的长度可以设置成相同的长度,还可以设置成不同的长度。
其中,第一底柱22的长度与第二底柱32的长度相同,第一上柱23的长度与第二上柱33的长度相同,并通过第一连接件40和第二连接件41分别连接第一框架21和第二框架31,以使固定装置10形成一个梯形体结构。通过第一上柱23和第二上柱33组成的第一开口,通过第一底柱22和第二底柱32组成的第二开口,其中,所述第一开口的面积大于所述第二开口的面积,且通过所述第一开口将硅片放入固定装置10中,从而方便所述硅片放入固定装置10中,且通过第一底柱22和第二底柱32来阻挡所述硅片,以使所述硅片固定在固定装置10中。其中,第一底柱22和第二底柱32之间的距离是根据硅片的大小来确定,以使得第一底柱22和第二底柱32能够阻挡住所述硅片。
第一卡合装置50包括N个夹片,其中,所述N为不小于2的整数,即,第一卡合装置至少包括第一夹片和第二夹片。以图2中的第一卡合装置50只包括第一夹片52和第二夹片53为例,参见图4,第一夹片52包括第一连接片54,第一连接片54固接在第一片架20的上部,第一连接片54与第一底柱22形成第一缺口55;第二夹片53包括第二连接片56,第二连接片56固接在第一片架20的上部,第二连接片56与第一底柱22形成第二缺口57,通过第一缺口55和第二缺口57组成第一内凹部分51,通过第一夹片52和第二夹片53组成一个夹层,以使所述硅片卡合在第一卡合装置50中,其中,第一夹片52和第二夹片53之间的距离根据所述硅片的厚度来确定,比如若硅片的厚度为100微米时,第一夹片52和第二夹片53之间的距离可以为200微米到1厘米之间,以使所述硅片固定在所述夹层中更稳定。同理,在第一卡合装置50固接有2个以上的夹片时,所述2个以上的夹片中每个夹片的结构与第一夹片52和第二夹片53结构相同,且相邻两个夹片之间的距离也相同。
其中,第一框架21的中间部位固接有第一横梁24,第一连接片54分别与第一上柱23和第一横梁24固接,以促使第一连接片54能够更牢固;第二连接片56分别与第一上柱23和第一横梁24固接,以促使第二连接片56更牢固,促使所述硅片更稳定的卡合在第一卡盒装置50中。
第二卡合装置60包括M个夹片,其中,所述M为不小于2的整数,即,第二卡合装置至少包括第三夹片和第四夹片。以图3中的第二卡合装置60只包括第三夹片62和第四夹片63为例,参见图5,第二卡合装置60包括第三夹片62和第四夹片63,第三夹片62包括第三连接片64,第三连接片64固接在第二片架30的上部,第三连接片64与第二底柱32形成第三缺口65,第四夹片63包括所述第四连接片66,第四连接片66固接在第二片架30的上部,第四连接片66与第二底柱32形成第四缺口67,通过第三缺口65和第四缺口67组成第二内凹部分61,通过第二夹片62和第三夹片63组成一个夹层,以使所述硅片卡合在第二卡合装置60中,其中,第三夹片62和第四夹片63之间的距离根据所述硅片的厚度来确定,比如若硅片的厚度为300微米时,第三夹片62和第四夹片63之间的距离可以为500微米到1厘米之间,以使所述硅片固定在所述夹层中更稳定。同理,在第二卡合装置60固接有2个以上的夹片时,所述2个以上的夹片中每个夹片的结构与第三夹片62和第四夹片63结构相同,且相邻两个夹片之间的距离也相同。
其中,第二框架31的中间部位固接有第二横梁34,第三连接片64分别与第二上柱33和第二横梁34固接,以促使第三连接片64能够更牢固;第四连接片66分别与第二上柱33和第二横梁34固接,以促使第四连接片66更牢固,促使所述硅片更稳定的卡合在第一卡盒装置50中。
参见图6,为硅片放入第一卡合装置和第二卡合装置中结构图。在所述硅片放入固定装置10中时,由于第一底柱22和第二底柱32之间的距离是根据硅片70的大小来确定,使得第一底柱22和第二底柱32能够阻挡住硅片70,并通过第一内凹部分51和第二内凹部分61组成的容置空间容置硅片70,如此,使得硅片70放置在固定装置10中时,硅片70靠近固定装置10下端两侧的部分是容置在由第一内凹部分51和第二内凹部分61组成的容置空间中,从而减少硅片70与第一卡合装置50和第二卡合装置60的接触面积。
其中,第一内凹部分51是通过获取硅片70与第一卡合装置50接触的第一参数,基于所述第一参数来确定的;第二内凹部分61是通过获取硅片70与第二卡合装置60接触的第二参数,基于所述第二参数来确定的。
具体来讲,参见图7,为第一卡合装置未设有第一内凹部分的结构图,以及参见图8,为第二卡合装置未设有第二内凹部分的结构图。第一夹片52和第二夹片53将硅片70夹在中间,第三夹片62和第四夹片63将硅片70夹在中间,获取硅片70与第一夹片52和第二夹片53的接触面积和接触位置作为所述第一参数,基于所述第一参数,确定第一夹片52和第二夹片53能够将硅片70固定的最小接触面积,如此,可以确定由第一缺口55和第二缺口57组成的第一内凹部分51来容置硅片70,第一内凹部分51为图7中虚线标注部分,即,所述第一内凹部分是基于所述第一参数来确定的;获取硅片70与第三夹片62和第四夹片63的接触面积和接触位置作为所述第二参数,基于所述第二参数,确定第三夹片62和第四夹片63能够将硅片70固定的最小接触面积,如此,可以确定由第三缺口65和第四缺口67组成的第二内凹部分61来容置硅片70,第一内凹部分51为图7中虚线标注部分为图8中虚线标注部分,即,所述第二内凹部分是基于所述第二参数来确定的。
在实际应用过程中,在将所述硅片放入固定装置10中时,是通过面积较大的第一开口70将所述硅片放入固定装置10中,以方便所述硅片放入固定装置10中,通过第一夹片52和第二夹片53形成的夹层来固定所述硅片,以及通过第三夹片62和第四夹片63形成的夹层来固定所述硅片,由于第一夹片52的第一连接片54和第二夹片53的第二连接片56都是固定在第一片架20的上部,使得第一连接片54和第二连接片56只有上面的一部分与所述硅片进行接触,用于固定所述硅片,以及第三夹片62的第三连接片64和第四夹片63的第四连接片66都是固定在第二片架30的上部,如此,使得第三连接片64和第四连接片66只有上面的一部分与所述硅片进行接触,用于固定所述硅片,以及通过第一内凹部分51和第二内凹部分组成的容置空间来容置所述硅片,然后再通过第一底柱22和第二底柱32来阻挡所述硅片,从而促使所述硅片能够固定在固定装置10中,且所述硅片与固定装置10的接触面积也最小,使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,有效提高所述硅片的质量和合格率。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
其一、由于本申请实施例在所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,在所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,如此,使得所述硅片放置在所述固定装置中时,所述硅片靠近所述固定装置下端两侧的部分是容置在由所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置中,从而解决了现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,实现了减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,能够提高所述硅片的质量和合格率。
其二、由于本申请实施例的第一卡合装置中的第一夹片和第二夹片固接在所述第一片架的上部,使得所述第一夹片和所述第二夹片与所述第一片架的第一底柱组成了第一内凹部分,第二卡合装置中的第三夹片和第四夹片固接在所述第二片架的上部,使得所述第三夹片和所述第四夹片与所述第二片架的第二底柱组成了第二内凹部分,在所述硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,能够进一步减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,进一步使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,提高所述硅片的质量和合格率。
实施例二
本申请实施例二与实施例一的不同之处在于第一卡合装置和第二卡合装置的结构不同。为了说明书的简洁,本申请实施例二与实施一的相同之处可以参考实例一,在此就不在赘述了。以下详细叙述本申请实施例二与实施一的不同之处,具体包括:
第一卡合装置50包括N个夹片,其中,所述N为不小于2的整数,即,第一卡合装置至少包括第一夹片和第二夹片。参见图9,以第一卡合装置50只包括第一夹片52和第二夹片53为例。第一夹片52包括第一连接片54和第五连接片58,第五连接片58固接在第一片架20下端且与第一连接片54相互对应,第一连接片54与第五连接片58具有第五缺口59,第二夹片53包括第二连接片56和第六连接片500,第六连接片500固接在第一片架20的下端且与第二连接片56相互对应,第二连接片56与第六连接片500具有第六缺口501,第五缺口59与第六缺口501相互对应,通过第五缺口59和第六缺口501组成第一内凹部分51。同理,在第一卡合装置50固接有2个以上的夹片时,所述2个以上的夹片中每个夹片的结构与第一夹片52和第二夹片53结构相同,且相邻两个夹片之间的距离也相同。
其中,第五连接片58固接在第一底柱22的上端,以使第五连接片58能够更牢固的固定在第一片架20下端;第六连接片500固接在第一底柱22的上端,以使第六连接片500能够更牢固的固定在第一片架20下端。
其次,第一连接片54与第五连接片58相互对应,以及第二连接片56和第六连接片500相互对应,在使所述硅片放入固定装置10时,通过第一连接片54与第五连接片58和第二连接片56和第六连接片500形成一个夹层,第一连接片54的下端和第二连接片56的下端分别与所述硅片接触,第五连接片58和第六连接片500也分别与所述硅片接触,以使所述硅片能够更牢固的固定在所述夹层中。
第二卡合装置60包括M个夹片,其中,所述M为不小于2的整数,即,第二卡合装置至少包括第三夹片和第四夹片。参见图10,以第二卡合装置60只包括第三夹片62和第四夹片63为例。第三夹片62包括第三连接片64和第七连接片68,第七连接片68固接在第二片架30下端且与第三连接片64相互对应,第三连接片64与第七连接片68具有第七缺口69,第四夹片63包括第四连接片66和第八连接片600,第八连接片600固接在第二片架30的下端且与第四连接片66相互对应,第四连接片66与第八连接片600具有第八缺口601,第七缺口69与第八缺口601相互对应,通过第七缺口69和第八缺口601组成第二内凹部分61。同理,在第二卡合装置60固接有2个以上的夹片时,所述2个以上的夹片中每个夹片的结构与第三夹片62和第四夹片63结构相同,且相邻两个夹片之间的距离也相同。
其中,第七连接片68固接在第二底柱32的上端,以使第七连接片68能够更牢固的固定在第二片架30下端;第八连接片600固接在第二底柱32的上端,以使第八连接片600能够更牢固的固定在第二片架30下端。
其次,第三连接片64与第七连接片68相互对应,以及第四连接片66和第八连接片600相互对应,在使所述硅片放入固定装置10时,通过第三连接片64与第七连接片68和第四连接片66和第八连接片600形成一个夹层,第三连接片64的下端和第四连接片66的下端分别与所述硅片接触,第七连接片68和第八连接片600也分别与所述硅片接触,以使所述硅片能够更牢固的固定在所述夹层中。
在实际应用过程中,在将所述硅片放入固定装置10中时,是通过面积较大的第一开口70将所述硅片放入固定装置10中,以方便所述硅片放入固定装置10中,通过第三连接片64与第七连接片68和第四连接片66和第八连接片600形成一个夹层,第一夹片52和第二夹片53形成的夹层来固定所述硅片,以及通过第三夹片62和第四夹片63形成的夹层来固定所述硅片,以及通过五连接片58和第六连接片500也分别与所述硅片接触,用于固定所述硅片,以及通过第三连接片64与第七连接片68和第四连接片66和第八连接片600形成一个夹层,第三连接片64的下端和第四连接片66的下端分别与所述硅片接触,第七连接片68和第八连接片600也分别与所述硅片接触,用于固定所述硅片;以及通过第五缺口59和第六缺口501组成第一内凹部分51和通过第七缺口69和第八缺口601组成第二内凹部分61组成的容置空间来容置所述硅片,然后再通过第一底柱22和第二底柱32来阻挡所述硅片,从而促使所述硅片能够固定在固定装置10中,且所述硅片与固定装置10的接触面积也最小,使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,有效提高所述硅片的质量和合格率。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
由于本申请实施例在所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,在所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,如此,使得所述硅片放置在所述固定装置中时,所述硅片靠近所述固定装置下端两侧的部分是容置在由所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置中,从而解决了现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,实现了减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,能够提高所述硅片的质量和合格率。
实施例三
本申请实施例三与实施例一的不同之处在于所述第一片架外侧固接有第一支撑装置,所述第二片架外侧固接有第二支撑装置,以使所述固定装置在进行硅片腐蚀时保持稳定。为了说明书的简洁,本申请实施例三与实施一的相同之处可以参考实例一,在此就不在赘述了。以下详细叙述本申请实施例三与实施一的不同之处,具体包括:
所述第一支撑装置包括N个夹片,其中,所述N为不小于2的整数,即,第一支撑装置至少包括第五夹片和第六夹片。参见图11,以第一支撑装置包括第五夹片和第六夹片为例。第一片架20的外侧固接有第一支撑装置80,第一支持装置80包括第五夹片81和第六夹片82。
其中,第五夹片81包括第一上夹片83和第一下夹片84,第一上夹片83和第一下夹片84的位置相互对应,第一上夹片83的一端固接在第一上柱23上,另一端固接在第一横梁24上;第一下夹片84的一端固接在第一底柱22上,另一端固接在第一横梁24上;第六夹片82包括第二上夹片85和第二下夹片86,第二上夹片85和第二下夹片86的位置相互对应,第二上夹片85的一端固接在第一上柱23上,另一端固接在第一横梁24上;第二下夹片86的一端固接在第一底柱22上,另一端固接在第一横梁24上。
其次,第五夹片81固接在第一夹片52和第二夹片53之间的位置,第六夹片82固接在第二夹片53之后的位置,且第五夹片81和第六夹片82之间的距离大于第一夹片52和第二夹片53的距离,以促使所述硅片在腐蚀过程中,腐蚀液的流动性更好,从而能够有效的提高所述硅片的腐蚀速度,还能够确保所述硅片腐蚀均匀。其中,所述第六夹片82可以与第一卡合装置50中在第二夹片53之后的某一夹片固接成一体,也可以同第五夹片81一样,固接在第一卡合装置50中的两个夹片之间。
所述第二撑装置包括M个夹片,其中,所述M为不小于2的整数,即,第二支撑装置至少包括第七夹片和第八夹片。参见图12,以第二支撑装置只包括第七夹片和第八夹片为例。第二片架30的外侧固接有第二支撑装置90,第二支持装置90包括第七夹片91和第八夹片92。
其中,第七夹片91包括第三上夹片93和第三下夹片94,第三上夹片93和第三下夹片94的位置相互对应,第三上夹片93的一端固接在第二上柱33上,另一端固接在第二横梁34上;第三下夹片94的一端固接在第二底柱32上,另一端固接在第二横梁34上;第八夹片92包括第四上夹片95和第四下夹片96,第四上夹片95和第四下夹片96的位置相互对应,第四上夹片95的一端固接在第二上柱33上,另一端固接在第二横梁34上;第四下夹片96的一端固接在第二底柱32上,另一端固接在第二横梁34上。
其次,第七夹片91固接在第三夹片62和第四夹片63之间的位置,第八夹片92固接在第四夹片63之后的位置,且第七夹片91和第八夹片92之间的距离大于第三夹片62和第四夹片63的距离,以促使所述硅片在腐蚀过程中,腐蚀液的流动性更好,从而能够有效的提高所述硅片的腐蚀速度,还能够确保所述硅片腐蚀均匀。其中,所述第八夹片92可以与第二卡合装置60中在第四夹片63之后的某一夹片固接成一体,也可以同第七夹片91一样,固接在第二卡合装置60中的两个夹片之间。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
其一、由于本申请实施例在所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,在所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,如此,使得所述硅片放置在所述固定装置中时,所述硅片靠近所述固定装置下端两侧的部分是容置在由所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置中,从而解决了现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,实现了减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,能够提高所述硅片的质量和合格率。
其二、由于本申请实施例中所述第一片架外侧固接有第一支撑装置,以及在所述第二片架外侧固接有第二支撑装置,所述第一支撑装置至少包括第五夹片和第六夹片,所述第五夹片与所述第六夹片之间的第一间距大于所述第一夹片和所述第二夹片之间的第二间距,所述第二支持装置至少包括第七夹片和第八夹片,且所述第七夹片与所述第八夹片之间的第三间距大于所述第三夹片和所述第四夹片之间的第四间距,如此,使得在进行硅片腐蚀时,有效提高所述硅片间酸液流动性,导致所述硅片腐蚀均匀,提高所述硅片的质量和合格率。
实施例四
本申请实施例四与实施例一的不同之处在于所述第一片架和第二片架的结构不同,以及在所述第一片架外侧固接有第一支撑装置,在所述第二片架外侧固接有第二支撑装置。为了说明书的简洁,本申请实施例四与实施一的相同之处可以参考实施例一,在此就不在赘述了。以下详细叙述本申请实施例四与实施一的不同之处,具体包括:
如图13所示,第一片架20设置有第三横梁25,第三横梁25设置在第一横梁24的上方,第三横梁25的一端固接在第一片架20的第一边框26上,另一端固接在第一片架20的第二边框27上。
其中,第一片架20的外侧固接有第一支撑装置80,其中,第一支撑装置80包括多个夹片,所述多个夹片中每个夹片都与第一卡合装置50中的一夹片设置成一体,图12中虚线为第一卡合装置50中的夹片。
其中,以第一支撑装置80包含的第五夹片81和第六夹片82为例,来说明第一支撑装置80中的夹片与第一卡合装置50中的夹片的关系,具体如下:
第五夹片81包括第五上夹片83和第一中夹片84和第五下夹片85,第五上夹片83的一端固接在第一上柱23上,另一端固接在第三横梁25上;第一中夹片84一端固接在第三横梁25上,另一端固接在第一横梁24上;第五下夹片85的一端固接在第一横梁24上,另一端固接在第一底柱22上。其中,第五上夹片83和第一中夹片84和第五下夹片85相互对应,以形成一个整体。
第六夹片82包括第六上夹片86和第二中夹片87和第六下夹片88,第六上夹片86的一端固接在第一上柱23上,另一端固接在第三横梁25上;第二中夹片87一端固接在第三横梁25上,另一端固接在第一横梁24上;第六下夹片88的一端固接在第一横梁24上,另一端固接在第一底柱22上。其中,第六上夹片86和第二中夹片87和第六下夹片88相互对应,以形成一个整体。
其中,第五夹片81与第一卡合装置50中左侧的第二个夹片设置成一体,第六夹片82与第一卡合装置50中右侧的第四个夹片设置成一体,如此,使得第五夹片81和第六夹片82之间的距离为第一卡合装置50中两个相邻夹片距离的2倍,以促使所述硅片在腐蚀过程中,腐蚀液的流动性更好,从而能够有效的提高所述硅片的腐蚀速度,还能够确保所述硅片腐蚀均匀。
其中,第一支撑装置80中其他的夹片与第五夹片81和第六夹片82的结构相同,为了说明书的简洁,在此就不再赘述了。
参见图14,第二片架30设置有第四横梁35,第四横梁35设置在第二横梁34的上方,第四横梁35的一端固接在第二片架30的第一边框36上,另一端固接在第二片架30的第二边框37上。
其中,第二片架30的外侧固接有第二支撑装置90,其中,第二支撑装置90包括多个夹片,所述多个夹片中每个夹片都与第二卡合装置60中的一夹片设置成一体,图13中虚线为第二卡合装置60中的夹片。
其中,以第二支撑装置90包含的第七夹片91和第八夹片92为例,来说明第二支撑装置90中的夹片与第二卡合装置60中的夹片的关系,具体如下:
第七夹片91包括第七上夹片93和第三中夹片94和第七下夹片95,第第七上夹片93的一端固接在第二上柱33上,另一端固接在第四横梁35上;第三中夹片94一端固接在第四横梁35上,另一端固接在第二横梁34上;第七下夹片95的一端固接在第二横梁34上,另一端固接在第二底柱32上。其中,第七上夹片93和第三中夹片94和第七下夹片95相互对应,以形成一个整体。
第八夹片92包括第八上夹片96和第四中夹片97和第八下夹片98,第八上夹片96的一端固接在第二上柱33上,另一端固接在第四横梁35上;第四中夹片97一端固接在第四横梁35上,另一端固接在第二横梁34上;第八下夹片98的一端固接在第二横梁34上,另一端固接在第二底柱32上。其中,第八上夹片96和第四中夹片97和第八下夹片98相互对应,以形成一个整体。
其中,第七夹片91与第二卡合装置60中左侧的第二个夹片设置成一体,第八夹片92与第二卡合装置60中右侧的第四个夹片设置成一体,如此,使得第七夹片91和第八夹片92之间的距离为第二卡合装置60中两个相邻夹片距离的2倍,以促使所述硅片在腐蚀过程中,腐蚀液的流动性更好,从而能够有效的提高所述硅片的腐蚀速度,还能够确保所述硅片腐蚀均匀。
其中,第二支撑装置90中其他的夹片与第七夹片91和第八夹片92的结构相同,为了说明书的简洁,在此就不再赘述了。
第一支撑装置80还包括第三支撑装置,所述第三支撑装置包括至少一个夹片,所述至少一个夹片中每个夹片设置在第一上柱23和第三横梁25之间。参见图15,第三支撑装置100包括多个夹片,以设置在靠近第二边框27的第九上夹片101和第十上夹片102为例来说明第三支撑装置100的结构。
其中,第九上夹片101的一端固接在第一上柱23上,另一端固接在第三横梁25上,且第九夹片101与第一卡合装置50中左侧的第一个夹片设置成一体;第十上夹片102的一端固接在第一上柱23上,另一端固接在第三横梁25上,且第十上夹片102与第一卡合装置50中左侧的第三个夹片设置成一体。由于第一支撑装置80还包括第三支撑装置100,在所述硅片在腐蚀过程中,能够进一步保证固定装置10的平衡性,从而导致所述硅片固定在固定装置10中更稳定。
当然,所述第三支撑装置也可以只包括一个夹片,所述夹片也可以与所述第一卡合装置中的夹片错开,不设置成一体。在所述第三支撑装置包括多个夹片时,所述多个夹片中的每个夹片都可以与所述第一卡合装置中的夹片错开,也可以将所述多个夹片中的一些夹片与所述第一卡合装置中的夹片错开,剩下的夹片与所述第一卡合装置中的夹片设置成一体。比如第三支撑装置设置有6个夹片,其中有2个或3个夹片与所述第一卡合装置中的夹片错开,相对应的,还剩下的4个或3个夹片与所述第一卡合装置中的夹片设置成一体。
第二支撑装置90还包括第四支撑装置,所述第四支撑装置包括至少一个夹片,所述至少一个夹片中每个夹片设置在第二上柱33和第四横梁35之间。参见图16,第三支撑装置200包括多个夹片,以设置在靠近第四边框37的第十一上夹片201和第十二上夹片202为例来说明第四支撑装置200的结构。
其中,第十一上夹片201的一端固接在第二上柱33上,另一端固接在第四横梁35上,且第十一夹片201与第二卡合装置60中左侧的第一个夹片设置成一体;第十二上夹片202的一端固接在第二上柱33上,另一端固接在第四横梁35上,且第十二上夹片202与第二卡合装置60中左侧的第三个夹片设置成一体。由于第二支撑装置90还包括第四支撑装置200,在所述硅片在腐蚀过程中,能够进一步保证固定装置10的平衡性,从而导致所述硅片固定在固定装置10中更稳定。
当然,所述第四支撑装置也可以只包括一个夹片,所述夹片也可以与所述第二卡合装置中的夹片错开,不设置成一体。在所述第四支撑装置包括多个夹片时,所述多个夹片中的每个夹片都可以与所述第二卡合装置中的夹片错开,也可以将所述多个夹片中的一些夹片与所述第二卡合装置中的夹片错开,剩下的夹片与所述第二卡合装置中的夹片设置成一体。比如第四支撑装置设置有8个夹片,其中有2个或4个夹片与所述第二卡合装置中的夹片错开,相对应的,还剩下的6个或4个夹片与所述第二卡合装置中的夹片设置成一体。
本申请实施例中提供的一个或多个技术方案,至少具有如下技术效果或优点:
其一、由于本申请实施例在所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,在所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,如此,使得所述硅片放置在所述固定装置中时,所述硅片靠近所述固定装置下端两侧的部分是容置在由所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置中,从而解决了现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,实现了减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,能够提高所述硅片的质量和合格率。
其二、由于本申请实施例中所述第一片架外侧固接有第一支撑装置,以及在所述第二片架外侧固接有第二支撑装置,所述第一支撑装置至少包括第五夹片和第六夹片,所述第五夹片与所述第六夹片之间的第一间距大于所述第一夹片和所述第二夹片之间的第二间距,所述第二支持装置至少包括第七夹片和第八夹片,且所述第七夹片与所述第八夹片之间的第三间距大于所述第三夹片和所述第四夹片之间的第四间距,如此,使得在进行硅片腐蚀时,有效提高所述硅片间酸液流动性,导致所述硅片腐蚀均匀,提高所述硅片的质量和合格率。
实施例五
本申请实施例五与实例一的不同之处在于所述第一片架和所述第二片架的结构不同。为了说明书的简洁,本申请实施例五与实施一的相同之处可以参考实施例一,在此就不在赘述了。以下详细叙述本申请实施例五与实施一的不同之处,具体包括:
如图17所示,为所述第一片架的结构图。第一片架20的下端设置有第三底柱28,第三底柱28的第一斜面29和水平面形成了第一倾角203,第一倾角203为15°。当然,第一倾角203可以设置在5°~60°角度之间,例如第一倾角203可以为10°、20°、30°、45°等角度。
如图18所示,为所述第二片架的结构图。第二片架30的下端设置有第四底柱38,第四底柱38的第二斜面39和水平面形成了第二倾角300,第二倾角300为15°。当然,第二倾角300可以设置在5°~60°角度之间,例如第二倾角300可以为10°、20°、30°、45°等角度。
其中,由于第一倾角203和第二倾角300的角度相同,使得固定装置10会向右侧倾斜15°,固定装置10的重心也会向右侧倾斜,在进行硅片腐蚀时,使所述硅片需要腐蚀的一面放置在左侧,促使所述硅片由于重力作用会向右边倾斜,,就可以使硅片腐蚀面与第一卡合装置和第二卡合装置左侧的夹片不完全接触,进一步减少所述硅片的腐蚀面和固定装置10的接触面积又可以保证硅片能很稳定的摆放在片架内,进一步使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,以及能够有效提高所述硅片的质量和合格率。
其中,在所述第一倾角和所述第二倾角的角度相同的同时,还需促使所述第一倾角和所述第二倾角相互对应,比如所述第一倾角为向右倾斜20°,那么,第二倾角也应向右倾斜20°,如此,通过所述第一倾角和所述第二倾角促使固定装置10向一侧倾斜。
另外,实施一和实施二为第一部分,实施三和实施四为第二部分,实施五为第三部分,所述第一部分和所述第二部分和第三部分可以随机组合。例如可以将实施例一和实施例三相结合,还可以将实施例二和实施例三相结合,还可以将实施例二和实施例三和实施例四相结合,都可以解决现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题。
上述本申请实施例中的技术方案,至少具有如下的技术效果或优点:
其一、由于本申请实施例在所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,在所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,如此,使得所述硅片放置在所述固定装置中时,所述硅片靠近所述固定装置下端两侧的部分是容置在由所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置中,从而解决了现有技术中在进行硅腐蚀工艺时,硅片与容置装置接触面积较大,所述硅片与所述容置装置的接触部分不能被酸液完全浸透而无法腐蚀的技术问题,实现了减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,能够提高所述硅片的质量和合格率。
其二、由于本申请实施例的第一卡合装置中的第一夹片和第二夹片固接在所述第一片架的上部,使得所述第一夹片和所述第二夹片与所述第一片架的第一底柱组成了第一内凹部分,第二卡合装置中的第三夹片和第四夹片固接在所述第二片架的上部,使得所述第三夹片和所述第四夹片与所述第二片架的第二底柱组成了第二内凹部分,在所述硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,能够进一步减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,进一步使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,提高所述硅片的质量和合格率。
其三、由于本申请实施例中所述第一片架外侧固接有第一支撑装置,以及在所述第二片架外侧固接有第二支撑装置,所述第一支撑装置至少包括第五夹片和第六夹片,所述第五夹片与所述第六夹片之间的第一间距大于所述第一夹片和所述第二夹片之间的第二间距,所述第二支持装置至少包括第七夹片和第八夹片,且所述第七夹片与所述第八夹片之间的第三间距大于所述第三夹片和所述第四夹片之间的第四间距,如此,使得在进行硅片腐蚀时,有效提高所述硅片间酸液流动性,导致所述硅片腐蚀均匀,提高所述硅片的质量和合格率。
其四、由于本申请实施例中所述第一底柱与水平面具有第一倾角,所述第二底柱与水平面具有第二倾角,所述第一倾角与所述第二倾角相互对应,以使所述固定装置向一侧倾斜,如此,在进行硅片腐蚀时,将所述硅片腐蚀面朝倾斜侧相反的一侧摆放时,比如所述固定装置向右侧倾斜时,所述硅片腐蚀面朝向左侧,使得所述硅片在重力作用向与所述固定装置倾斜方向一致,使得所述硅片腐蚀面与所述固定装置不完全接触,进一步减少所述硅片与所述固定装置的接触面积,进一步使得所述硅片能够被酸液完全腐蚀,提高所述硅片的质量和合格率。
尽管已描述了本发明的优选实施例,但本领域内的技术人员一旦得知了基本创造性概念,则可对这些实施例作出另外的变更和修改。所以,所附权利要求意欲解释为包括优选实施例以及落入本发明范围的所有变更和修改。
显然,本领域的技术人员可以对本发明进行各种改动和变型而不脱离本发明的精神和范围。这样,倘若本发明的这些修改和变型属于本发明权利要求及其等同技术的范围之内,则本发明也意图包含这些改动和变型在内。
Claims (10)
1.一种应用于硅腐蚀的固定装置,所述固定装置包括第一片架和第二片架以及用于连接所述第一片架和所述第二片架的连接装置,其特征在于,所述第一片架内侧固接有第一卡合装置,所述第二片架内侧固接有第二卡合装置,所述第一卡合装置的下端具有第一内凹部分,所述第二卡合装置的下端具有第二内凹部分,在硅片卡合在所述第一卡合装置和所述第二卡合装置中时,通过所述第一内凹部分和所述第二内凹部分组成的容置空间容置所述硅片,以减少所述硅片与所述第一卡合装置和所述第二卡合装置的接触面积;
第一片架包括第一底柱,所述第一底柱与水平面具有第一倾角;第二片架包括第二底柱,所述第二底柱与水平面具有第二倾角,所述第一倾角与所述第二倾角相互对应,以使所述固定装置向一侧倾斜。
2.如权利要求1所述的固定装置,其特征在于,所述第一内凹部分是通过获取所述硅片与所述第一卡合装置接触的第一参数,基于所述第一参数来确定的。
3.如权利要求1所述的固定装置,其特征在于,所述第二内凹部分是通过获取所述硅片与所述第二卡合装置接触的第二参数,基于所述第二参数来确定的。
4.如权利要求1所述的固定装置,其特征在于,所述第一卡合装置至少包括第一夹片和第二夹片,所述第一夹片包括第一连接片,所述第一连接片固接在所述第一片架的上部,所述第一连接片与所述第一片架的第一底柱形成第一缺口,所述第二夹片包括第二连接片,所述第二连接片固接在所述第一片架的上部,所述第二连接片与所述第一片架的第一底柱形成第二缺口,通过所述第一缺口和所述第二缺口组成所述第一内凹部分。
5.如权利要求1所述的固定装置,其特征在于,所述第二卡合装置至少包括第三夹片和第四夹片,所述第三夹片包括第三连接片,所述第三连接片固接在所述第二片架的上部,所述第三连接片与所述第二片架的第二底柱形成第三缺口,所述第四夹片包括第四连接片,所述第四连接片固接在所述第二片架的上部,所述第四连接片与所述第二片架的第二底柱形成第四缺口,通过所述第三缺口和所述第四缺口组成所述第二内凹部分。
6.如权利要求1所述的固定装置,其特征在于,所述第一卡合装置至少包括第一夹片和第二夹片,所述第一夹片还包括第五连接片,所述第五连接片固接在所述第一片架下端且与第一连接片相互对应,所述第一连接片与所述第五连接片具有第五缺口,所述第二夹片还包括第六连接片,所述第六连接片固接在所述第一片架的下端且与第二连接片相互对应,所述第二连接片与所述第六连接片具有第六缺口,所述第五缺口与所述第六缺口相互对应,通过所述第五缺口和所述第六缺口组成所述第一内凹部分。
7.如权利要求1所述的固定装置,其特征在于,所述第二卡装置至少包括第三夹片和第四夹片,所述第三夹片还包括第七连接片,所述第七连接片固接在所述第二片架的下端且与第三连接片相互对应,所述第三连接片与所述第七连接片具有第七缺口,所述第四夹片还包括第八连接片,所述第八连接片固接在所述第二片架的下端且与第四连接片相互对应,所述第八连接片与所述第四连接片具有第八缺口,所述第七缺口与所述第八缺口相互对应,通过所述第七缺口和所述第八缺口组成所述第二内凹部分。
8.如权利要求1所述的固定装置,其特征在于,所述第一片架外侧固接有第一支撑装置,所述第二片架外侧固接有第二支撑装置,以使所述固定装置在进行硅片腐蚀时保持稳定。
9.如权利要求8所述的固定装置,其特征在于,所述第一支撑装置至少包括第五夹片和第六夹片,所述第五夹片和所述第六夹片分别与第一夹片和第二夹片中的一夹片固接,且所述第五夹片与所述第六夹片之间的第一间距大于所述第一夹片和所述第二夹片之间的第二间距;其中,所述第一夹片和所述第二夹片是所述第一卡合装置的。
10.如权利要求8所述的固定装置,其特征在于,所述第二支撑装置至少包括第七夹片和第八夹片,所述第七夹片和所述第八夹片分别与第三夹片和第四夹片中的一夹片固接,且所述第七夹片与所述第八夹片之间的第三间距大于所述第三夹片和所述第四夹片之间的第四间距;其中,所述第三夹片和所述第四夹片是所述第二卡合装置的。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
CN201310295832.6A CN104299937B (zh) | 2013-07-15 | 2013-07-15 | 一种应用于硅腐蚀的固定装置 |
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Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN104299937A CN104299937A (zh) | 2015-01-21 |
CN104299937B true CN104299937B (zh) | 2017-11-21 |
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Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
CN (1) | CN104299937B (zh) |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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CN102834908A (zh) * | 2010-01-22 | 2012-12-19 | Lg矽得荣株式会社 | 用于晶片清洁设备的盒夹具和具有该夹具的盒组件 |
-
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- 2013-07-15 CN CN201310295832.6A patent/CN104299937B/zh active Active
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Publication number | Publication date |
---|---|
CN104299937A (zh) | 2015-01-21 |
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