CN104282720A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置包括：包含子像素的单元像素，每个子像素包含具有发光元件的发射区域和具有用于控制所述发光元件的开关晶体管的电路区域；扫描线，在第一方向上延伸并且连接至所述单元像素；分支线，在与所述第一方向交叉的第二方向上从所述扫描线开始延伸并且连接至每个所述子像素；以及数据线，在所述第二方向上延伸并且分别连接至所述子像素。

Description

显示装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2013年7月4日向韩国专利局提交的第10-2013-0078437号韩国专利申请的优先权，该申请在此通过引用并入以用于所有目的，如同其已完全在本文中阐述。
技术领域
本发明的一个或多个实施例涉及显示装置。
背景技术
显示装置在其显示区域内包括像素，并且当每一个像素包括有机发光器件时，显示装置可以被称作有机发光显示装置。有机发光显示装置包括驱动有机发光器件的像素电路。像素电路连接到接收数据信号的数据线和接收扫描信号的扫描线上。即，数据线和扫描线独立地连接到包含在显示装置中的每一个像素上。
因为与多个像素列或像素行对应地排列扫描线，其中像素设置于显示装置的显示区域，所以改善显示装置开口率的能力受到了限制。同样地，当为了实现高清晰度而增加像素的数量时，将增加扫描线的数量，这也导致了显示装置的线路故障率的增加。
发明内容
本发明的一个或多个实施例包括扫描线的数量减少的显示装置。
在下面的说明中会部分地陈述另外的方面，并且根据说明书部分地使得所述另外的方面显而易见，或者通过实践所述的实施例可以习得所述另外的方面。
根据本发明的一个或多个实施方式，显示装置包括：包含发射区域和电路区域的子像素，其中所述发射区域发射光并且所述电路区域包含开关晶体管并控制所述发光区域；由多个子像素形成的单元像素；在第一方向上延伸并与所述像素单元对应的扫描线；分支线，从所述扫描线开始在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，并且连接至形成所述单位像素的多个子像素；以及在所述第二方向上延伸并分别连接至所述多个子像素的多个数据线。
应当理解，前面的概括描述和后面的详细描述都是示例性的和解释性的，其目的在于为所要求保护的发明提供进一步说明。
附图说明
本申请包含附图以提供对于本发明的进一步理解，附图被并入说明书并组成说明书的一部分，其图示了本发明的示例性实施方式并且与说明书一起用于解释本发明的原理。
图1是根据本发明一示例性实施方式的显示装置的平面图。
图2是图示了图1的显示装置中所包含的子像素结构的电路图。
图3是图示了图1的显示装置中所包含的子像素一部分的结构的剖面图。
图4A是图1的显示装置的IV部分的放大图，并且图4B是根据本发明一示例性实施方式的、图4A的a-a`，b-b`和c-c`部分的剖视放大图。
图5是根据本发明另一示例性实施方式的、图1的显示装置的IV部分的放大图。
图6是根据本发明另一示例性实施方式的、图1的显示装置的IV部分的放大图。
具体实施方式
由于本发明可有多种变化和许多实施方式，因此将在附图中图示并且在说明书中详细描述具体实施方式。通过参考附图解释本发明的示例性实施方式，本发明的一个或多个实施方式的效果和特点将得到详细说明。然而，本发明可以以多种不同方式实施，因此不应当将其解释成限定于在此处陈述的实施方式。
在下文中，将通过参考附图解释本发明的示例性实施方式，来详细地说明本发明。在图中相同的参考数字表示相同的元件，并且在此省略其说明。
术语“第一”和“第二”仅用于区分每个组件。在整个说明书中，单数形式可包括复数形式，除非对其有相反的特殊说明。
同样，诸如“包括”或者“包括”的术语用于说明所列举的结构、数字、过程、操作、组件、和/或其组合的存在性，并不排除一个或多个其他所列举的结构、一个或多个其他数字、一个或多个其他过程、一个或多个其他操作、一个或多个其他组件、和/或其组合的存在性。
应当理解，当元件或层被表示成“在另一元件或层上”或者“与另一元件或层连接”时，其可以直接在其它的元件或层上或者直接与其它元件或层连接，或者可以存在中间元件或层。与此相反，当元件或层被表示成“直接在另一元件或层上”或者“直接与另一元件或层连接”，则不存在中间元件或层。
在图中，为了清楚起见，放大了区域和层的厚度。例如，可以放大图中每个元件的尺寸和厚度；就这点而言，本发明的一个或多个实施例并不限于此。
如在此所用的，术语“和/或”包括一个或多个相关列出项的任何和所有组合。应当理解，为了本公开的目的，“X、Y和Z中的至少一个”可以被解释为仅X、仅Y、仅Z，或者X、Y、Z中任意两项或两项以上的组合(例如，XYZ、XYY、YZ、ZZ)。
图1是根据本发明一示例性实施方式的显示装置的平面图。显示装置包括：基底100，在其上形成有像素；封装部件200(参考图3)，用于封装在基底100上的像素。图1示意性地图示了其上形成有像素的基底100。基底100包括其中形成有像素的显示区域DA，以及设置在显示区域DA周围的非显示区域NDA。基底100可以由多种材料形成，诸如玻璃材料、金属材料、塑料材料等。
像素形成在基底100的显示区域DA中，且每个像素包括发射区域EA和电路区域PA。从发射区域EA发射光，用于控制从发射区域EA发射光的电路单元设置在电路区域PA。当显示装置是有机发光显示装置时，有机发光器件设置在发射区域EA中。电路区域PA包括两个或者两个以上的薄膜晶体管(TFT)和至少一个电容器。设置在电路区域PA中的至少一个薄膜晶体管可以直接与有机发光器件连接。将设置在电路区域PA的薄膜晶体管中的一个称作开关晶体管。开关晶体管与将要在后面描述的扫描线和数据线耦合。通过扫描信号导通开关晶体管，从而向电容器和其余的薄膜晶体管传送数据信号。
像素可形成群组以形成单元像素UP。在整个说明书中，将形成单元像素UP的每个像素称作子像素SP。形成单元像素UP的子像素SP数量可以等于或者大于2，并且在本实施方式中三个子像素SP形成一个单元像素UP。形成单元像素UP的三个子像素SP可以发射不同颜色的光。例如，包含在单元像素UP中的三个子像素SP可以分别发射红光、绿光和蓝光。然而，在其他实施方式中，形成单元像素UP的一些子像素SP可以发射相同颜色的光、或者形成单元像素UP的所有子像素SP可以发射相同颜色的光。
图2是图示了在图1的显示装置中包含的子像素SP结构的电路图。例如，在子像素SP的电路区域PA可以包含三个薄膜晶体管(即，开关晶体管STR、驱动晶体管DTR、和补偿晶体管CTR)和两个电容器(即，第一电容器Cst1和第二电容器Cst2)。扫描信号被施加至开关晶体管STR的栅极，开关晶体管STR的源极连接至数据线DL，并且开关晶体管STR的漏极连接至第一节点N1。驱动晶体管DTR的栅极连接至第二节点N2，并且驱动晶体管DTR的源极连接至第一电源电压线VDD1。驱动晶体管DTR的漏极连接至有机发光器件OLED。
补偿信号GC被施加于补偿晶体管CTR的栅极，补偿晶体管CTR的源极连接至第二节点N2，并且补偿晶体管CTR的漏极连接至驱动晶体管DTR的漏极。第一电容器Cst1的一端连接至第一电源电压线VDD1，并且第一电容器Cst1的另一端连接至第一节点N1。第二电容器Cst2的一端连接至第一节点N1，并且第二电容器Cst2的另一端连接至第二节点N2。然而，可以改变如图2所示的薄膜晶体管和电容器的数量以及它们之间的关系。
有机发光器件OLED设置在子像素SP的发射区域EA中。有机发光器件OLED的一端连接至驱动晶体管DTR，并且第二电源电压线应用于有机发光器件OLED的另一端。
图3是图示了在图1的显示装置中包含的子像素SP一部分的结构的剖面图。图3仅图示了图2所示的薄膜晶体管中的开关晶体管STR、第一电容器Cst1和有机发光器件OLED。由于其余的薄膜晶体管和第二电容器Cst2的截面图与图3所示的开关晶体管STR和第一电容器Cst1的截面图相似，因此在此省略了其详细说明。
以氧化硅或氮化硅形成的缓冲层101设置在基底100上，从而平坦化基底100的表面和/或阻止杂质渗入半导体层102a。开关晶体管STR形成在电路区域PA中，并且包括半导体层102a、栅极104g以及源极106s/漏极106d。半导体层102a可包含非晶硅、多晶硅或者有机半导体材料。
栅极104g可以具有包含以透明导电材料形成的第一层L1和以诸如金属的低电阻材料形成的第二层L2的多层结构。例如，第一层L1可以由氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In2O3)、氧化铟镓(IGO)、和氧化锌铝(AZO)中的至少一个形成。考虑到与其相邻层的粘合性、层叠的目标层的表面平坦性、成膜性等，第二层L2可以通过使用铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、和铜(Cu)中的至少一个形成为单层或多层。
为了使半导体层102a和栅极104g之间绝缘，由氧化硅和/或氮化硅形成的栅绝缘层103可以***在半导体层102a和栅极104g之间。可以将层间绝缘层105设置于栅极104g上，并且可以通过使用氧化硅、氮化硅等将其形成为单层或多层结构。根据一些实施方式，层间绝缘层105可以由有机材料形成。
源/漏极106s和106d设置在层间绝缘层105上。所述源/漏极106s和106d通过接触孔电连接至半导体层102a，所述接触孔被形成为穿过层间绝缘层105和栅绝缘层103。考虑到导电性，源/漏极106s和106d可以通过使用铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)、和铜(Cu)中的至少一个形成为单层或多层结构。
像素限定层(PDL)109设置在源/漏极106s和106d上。通过具有与每个发射区域EA对应的开口(即，所述开口至少露出像素电极111的中央部分)，像素限定层109至少部分地限定像素。像素限定层109增加了像素电极111的各个端部与像素电极111上的相对电极112之间的距离，由此像素限定层109可防止在像素电极111的每个端部出现电弧。可以以诸如聚酰亚胺的有机材料形成像素限定层109。
第一电容器Cst1形成在电路区域PA中，并包含下电极102b，上电极104b、和***于下电极102b与上电极104b之间的介电层。以与开关晶体管STR的半导体层102a相同的材料形成下电极102b。以与像素电极111和栅极104g的第一层L1相同的材质层形成上电极104b。介电层对应于栅绝缘层103的一部分。形成第一电容器Cst1的电极数量、形成电极的材料、以及在上面形成有电极的层不局限于上述说明或者图3所示，其可以是多样化的。
有机发光器件OLED形成在发射区域EA中，并且可包括像素电极111、相对电极112、和***在像素电极111和相对电极112之间的中间层113。中间层113包括发射层。
以与第一栅极104g的第一层L1相同的材质层形成像素电极111。由于像素电极111以透明导电材料形成，因此像素电极111被形成为透明电极，由此有机发光器件OLED朝向基底100发射光。
有机发光器件OLED的中间层113可以包括小分子量材料或者聚合物材料。当中间层113包括小分子量材料时，中间层113可具有这样的结构，其中空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发射层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等形成为单层或者多层结构，并且可以通过使用包括酞菁铜(CuPc)、N,N′-二(萘-1-基)-N,N′-二苯基-联苯胺(N,N′-Di(naphthalene-1-yl)-N,N′-diphenyl-benzidine，简称为NPB)、三-8-羟基喹啉铝(tris-8-hydroxyquinoline aluminum，简称为Alq3)等多种有机材料中的一个形成中间层113。可以通过使用真空沉积法形成上述层。
当中间层113包括聚合物材料时，中间层113可以包括空穴传输层和发射层。这里，可通过使用丝网印刷方法、喷墨印刷方法、激光诱导热成像(LITI)等，以聚(3,4-乙烯基二氧噻吩)(poly(3,4-ethylenedioxythiophene)，简称为PEDOT)形成空穴传输层，可以以聚亚苯基乙烯(poly-phenylenevinylene)、聚芴(polyfluorene)等形成发射层。中间层113的结构并不局限于上述结构，因此可以是多样化的。
相对电极112设置在显示区域DA的上部；更详细地，可以完全覆盖显示区域DA。相对电极112相对于多个有机发光器件OLED将形成为一体，从而相对电极112可以与多个像素电极111对应。可以将相对电极112形成为反射电极。当将相对电极112形成为反射电极时，相对电极112可以具有以Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg或这些材料的任意组合物形成的层。然而相对电极112的结构和材料可以是多样化的。
显示区域DA(参考图1)形成有将各种电信号供给至像素的线路。多个单元像素UP(参考图1)中的每一个由多个子像素SP(参考图1)形成，并且多个单元像素UP在显示区域DA中以包含行和列的矩阵排列。沿着单元像素UP的阵列，线路在第一方向(X-轴方向)上或者在与第一方向交叉的第二方向(Y-轴方向)上延伸。如图2和图4图示，线路包含：扫描线SL1和SL2(参考图4A)，数据线DL1、DL2和DL3(参考图4A)，以及第一电源电压线VDD1(参考图2)。扫描线SL1和SL2，数据线DL1、DL2和DL3，以及第一电源电压线VDD1不与发射区域EA(参考图1)重叠；因此不干扰光的发射。
图4A是图1的IV部分的放大图，并且是根据本发明一实施方式的显示装置的平面图。在下文中，如图1所示，单元像素UP是指用于说明多种特定单元像素的特征的通用单元像素；子像素SP是指用于说明多种特定子像素的特征的通用子像素；发射区域EA是指用于说明多种特定发射区域的特征的通用发射区域；集合电路区域PA是指用于说明多种特定集合电路区域的特征的通用集合电路区域。同样地，开关晶体管STR是指通用开关晶体管。为了便于说明，扫描线SL是指通用扫描线，数据线路组DL是指数据线的通用组，分支线BL是指通用分支线。
参考图4A，四个单元像素UP矩阵排列，沿着顺时针方向，所述四个单元像素UP为第一单元像素UP1、第二单元像素UP2、第三单元像素UP3、和第四单元像素UP4。四个单元像素UP的每一个包含发射不同颜色光的子像素SP，所述子像素SP排列在第二方向上(Y-轴方向)上。沿着第二方向，子像素SP被称为第一子像素SP1、第二子像素SP2、和第三子像素SP3。每一个子像素SP包含发射区域EA和电路区域PA；在这里，发射区域EA被称为第一、第二、和第三发射区域EA1、EA2、和EA3，电路区域PA被称为第一、第二、和第三电路区域PA1、PA2、和PA3。
数据线组DL向子像素SP传输数据信号并在第二方向上延伸。在一个单元像素UP里，数据线组DL里的数据线数量与包含在单元像素UP里的子像素SP的数量相对应，从而数据线组DL的数据线独立地与子像素SP连接。例如，参考图4A，每个单元像素UP排列有三个子像素SP。因此，数据线组DL包含三个数据线。更具体地，第一数据线DL1与第一子像素SP1连接，第二数据线DL2与第二子像素SP2连接，第三数据线DL3与第三子像素SP3连接。
包含在一个单元像素UP内的三个子像素SP可以接收不同的数据信号。从设置于同一列的单元像素UP中所包含的子像素SP中发射相同颜色光的子像素SP与一个数据线组DL里的数据线共同地连接。就是说，排列在同一列并且发射相同颜色光的子像素SP可以接收相同的数据信号。例如，第一单元像素UP1的第一子像素SP1和第四单元像素UP4的第一子像素SP1都连接至第一数据线DL1，因此接收相同的数据信号。第一、第二和第三数据线DL1、DL2和DL3设置在一起。如此，与未将第一、第二和第三数据线DL1、DL2和DL3设置在一起的情形相比，显示装置可以具有更高的开口率。
数据线组DL的长度小于下面将要描述的扫描线SL的长度。例如，第一、第二和第三数据线DL1、DL2和DL3每一个的长度都小于第一和第二扫描线SL1和SL2每一个的长度。当数据线组DL的长度增加时，输入到子像素SP的数据信号强度因由数据线组DL的长度导致的线路电阻而降低。通常，显示装置受数据信号的影响比受扫描信号的影响大。为了使数据线组DL的长度比扫描线SL的长度短，如图1所示，将像素的发射区EA域沿着第一方向(X-轴方向)纵向设置，从而可以避免输入到显示装置的数据信号之间的不平衡，其中所述第一方向是显示装置的长轴。
尽管图4A未示出，但第一电源电压线VDD1(参考图2)在第二方向(Y-轴方向)上以与数据线组DL相同的方式延伸，并且一个第一电源电压线VDD1对应于一个单元像素UP。就这点而言，将形成单元像素UP的子像素SP连接到相同的第一电源电压线VDD1上。因为第一电源电压线VDD1在第二方向(Y-轴方向)上延伸，因此可以将排列在同一列的单元像素UP连接到相同的第一电源电压线VDD1上。可以将第一电源线VDD1与数据线DL相邻设置。换句话说，参考图4A，第一电源电压线VDD1可以设置在第三数据线DL3的右侧。但是，第一电源电压线VDD1的位置可以是多样化的。
传送扫描信号的扫描线SL在第一方向上(X-轴方向)延伸，并且一个扫描线SL对应于一个单元像素UP。同样地，设置在同一行的单元像素UP可以共同地对应于一个扫描线SL。换句话说，第一扫描线SL1对应于第一单元像素UP1和第二单元像素UP2；第二扫描线SL2对应于第三单元像素UP3和第四单元像素UP4，而不是对应于第一单元像素UP1和第二单元像素UP2。即，将第一扫描线SL1连接到设置在相同行上的第一单元像素UP1和第二单元像素UP2上。相似地，将第二扫描线SL2连接到设置在相同行上的第三单元像素UP3和第四单元像素UP4上。
根据相关技术，扫描线与子像素的总数对应，并与子像素独立地连接。然而，因为形成一个单元像素的所有子像素接收相同的扫描信号，所以如果一个扫描线对应于一个单元像素，则显示装置可以正常地运作。因此，通过对应于一个单元像素设置一个扫描线，而不是设置与形成一个单元像素的子像素数量相一致的扫描线，可以减少线路的数量。随着线路的数量减少，可以增加显示装置的开口率；因线路设置的简化而可以减少开路或短路的发生；并且当在扫描线上出现开路或短路时，可以很容易地检查出错误发生的位置。
当将一个扫描线SL连接到一个单元像素UP上时，设置分支线BL以将扫描信号施加于形成单元像素UP的每个子像素SP上。分支线BL在第二方向上(Y-轴方向)从扫描线SL延伸。将一个分支线BL连接到一个单元像素UP上。换句话说，分支线BL不像扫描线SL或数据线组DL那样与排列在相同行或列的单元像素UP公共地对应。相反，分支线BL仅与一个单元像素UP连接。例如，第一分支线BL1仅与第一像素单元UP1连接。第二、第三和第四分支线BL2、BL3和BL4仅独立地与第二、第三和第四单元像素UP2、UP3和UP4分别连接。尽管其他配置是可能的，分支线BL和扫描线SL可以同时由彼此相同的材料层构成。
参考图4A，相对于单元像素UP，扫描线SL可以设置于在第一方向上(X-轴方向)延伸的侧边并且设置在单元像素UP的侧边。换句话说，相对于多个单元像素UP，将扫描线SL设置成穿过两个在列方向上互相相邻的单元像素UP之间的空间。例如，可以将第一扫描线SL1设置成穿过第一单元像素UP1和第四单元像素UP4之间的空间。
分支线BL从扫描线SL向对应于扫描线SL的单元像素UP延伸。分支线BL与形成对应单元像素UP的多个子像素SP中的每一个电连接，所述单元像素UP对应于扫描线SL。例如，将第一分支线BL1连接到形成第一单元像素UP1的第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中的每一个上。更详细地，第一分支线BL1形成第一、第二和第三开关晶体管STR1、STR2和STR3中每一个的栅极，所述第一、第二和第三开关晶体管STR1、STR2和STR3设置在第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3的电路区域PA1、PA2和PA3内，从而第一分支线BL1与第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3的每一个电连接。
图4B图示了沿图4A中线a-a`，b-b`，和c-c`获取的显示装置的剖面图。参考图4B，第一开关晶体管STR1包含：第一栅极，以第一分支线BL1形成；第一源极，与第一数据线DL1连接；以及第一漏极，与第一电路区域PA1(未示出)连接。类似地，第二开关晶体管STR2包含：第二栅极，以第一分支线BL1形成；第二源极，与第二数据线DL2连接；以及第二漏极，与第二电路区域PA2(未示出)连接。同样类似地，第三开关晶体管STR3包含：第三栅极，以第一分支线BL1形成；第三源极，与第三数据线DL3连接；以及第三漏极，与第三电路区域PA3(未示出)连接。
图5是根据本发明另一个实施方式的显示装置的平面图，并且是图1中IV部分的放大图。图5所示实施方式与图4所示实施方式的区别在于扫描线SL的位置不同。
参考图5，相对于单元像素UP，将扫描线SL设置成穿过两个子像素SP之间的空间，所述两个子像素SP互相相邻并且来自形成单元像素UP的子像素SP中。例如，第一扫描线SL1可以穿过第一单元像素UP1的第二子像素SP2和第三子像素SP3之间的空间。
分支线BL在子像素SP形成与扫描线SL对应的单元像素UP的方向上从扫描线SL延伸。分支线BL可以在Y-轴方向上从扫描线SL的两个相对侧延伸，即在正的Y-轴方向和负的Y-轴方向。例如，第一分支线BL1在朝向第一子像素SP1和第二子像素SP2的方向上从扫描线SL开始延伸，并且朝向第三子像素SP3延伸；从而，第一分支线BL1与第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中的每一个连接。更详细地，第一分支线BL1形成第一、第二和第三开关晶体管STR1、STR2和STR3中每一个的栅极，所述第一、第二和第三开关晶体管STR1、STR2和STR3设置在第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3的电路区域PA1、PA2和PA3内，从而第一分支线BL1与第一、第二和第三子像素SP1、SP2和SP3中的每一个电连接。
与图4A的实施方式相比，在图5的实施方式中，分支线BL从扫描线SL延伸的距离可以减少，并且分支线BL与接近于分支线BL中心的扫描线SL连接，从而由于分支线BL一端的线路长度导致的压降可以减少。
图6是根据本发明另一个实施方式的显示装置的平面图，并且是图1中IV部分的放大图。图6的实施方式与图5的实施方式的区别在于设置在扫描线SL两侧的子像素SP的结构。
参考图6，将包含在两个子像素SP内的开关晶体管STR相对于扫描线SL互相对称地设置，其中两个子像素SP互相邻近并且被设置在扫描线SL的相对侧。例如，在第二开关晶体管STR2和第三开关晶体管STR3相对于扫描线SL互相对称的位置上设置第二子像素SP2和第三子像素SP3。明显地，除了第二和第三晶体管STR2和STR3之外，可以在包含在第二和第三电路区域PA2和PA3内的第二和第三电路单元C2和C3(即，多个晶体管和至少一个电容器)相对于扫描线SL相互对称的位置上设置第二子像素SP2和第三子像素SP3。
与图5的实施方式相比，在图6的实施方式中，可以将开关晶体管STR设置成更接近于相邻的扫描线SL，从而分支线BL的长度可以进一步减小。依此，因分支线BL一端的线路长度而引起的压降可以比图5中的实施方式更小。
虽然图5和图6的实施方式示出了将扫描线SL1和SL2设置在单元像素UP的第二和第三子像素SP2和SP3之间，但是扫描线SL1和SL2也可以可选地设置在单元像素UP的第一和第二子像素SP1和SP2之间。在这种情况下，类似于上面关于图6中第二和第三子像素SP2和SP3的描述，第一和第二子像素SP1和SP可以有对称布置的元素。
根据本发明的一个或多个实施方式，可以提供这样一种显示装置，即在所述显示装置中减少扫描线的数量，从而改善显示装置的开口率并降低线路的缺陷率。
本领域的普通技术人员应当理解，在未脱离本发明宗旨和范围的前提下可以对本发明进行多种修改和变化。因此要说明的是，本发明覆盖对在此提供的本发明的修改和变形，这些落入附加的权利要求和其等同物的范围内。

Claims (20)

1.一种显示装置，包括：
单元像素，包含子像素，每个所述子像素包括发射区域和电路区域，所述发射区域包括发光元件并且所述电路区域包括被配置成控制所述发光元件的开关晶体管；
扫描线，在第一方向上延伸；
分支线，从所述扫描线开始在与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，所述分支线与所述子像素连接；以及
数据线，在所述第二方向上延伸并且分别与所述子像素连接。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述扫描线设置于在所述第一方向上延伸的所述单元像素的边缘。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，
所述分支线形成所述子像素的开关晶体管的栅极。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述扫描线在所述子像素中的两个相邻的子像素之间延伸。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
所述分支线形成所述子像素的开关晶体管的栅极。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
包含在所述两个相邻的子像素内的开关晶体管分别被设置为距离所述电路区域邻近所述扫描线的边缘比距离所述电路区域的相对边缘更近；并且
所述两个相邻的子像素设置于所述扫描线的两侧。
7.根据权利要求4所述的显示装置，其中，
包含在所述两个相邻的子像素内的开关晶体管被设置在与所述扫描线不同的距离处。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述扫描线和所述分支线形成在相同的层上。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
每个所述子像素发射不同颜色的光。
10.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述数据线和所述分支线均穿过所述单元像素的同一侧而延伸。
11.根据权利要求9所述的显示装置，其中，
所述扫描线沿着所述显示装置的长度方向延伸，并且
所述数据线沿着所述显示装置的宽度方向延伸。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
每个所述数据线均短于所述扫描线。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
每个发光单元包含有机发光器件；
所述有机发光器件包含第一电极、第二电极和有机发光层，所述有机发光层设置于所述第一电极和所述第二电极之间。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述扫描线，所述分支线和所述数据线不与所述发射区域重叠。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
每个所述子像素的所述电路区域包含另一个晶体管和至少一个电容器。
16.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包含：
供电线路，在所述第二方向上延伸并与每个所述子像素连接。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述单元像素仅包含三个所述子像素。
18.根据权利要求1所述的显示装置，包含设置于矩阵的行和列上的多个所述单元像素，其中，
所述扫描线共同地连接到一行中的所述单元像素上；
所述数据线连接到设置在一列中的所述单元像素上；以及
所述分支线仅连接到所述单元像素中的一个上。
19.根据权利要求18所述的显示装置，其中，
设置于一列中的所述数据线的数量与设置在所述列中的每个所述单元像素的子像素的数量相等。
20.根据权利要求1所述的显示装置，其中，
所述扫描线在两个相邻的所述子像素之间延伸；并且
所述分支线从所述扫描线的相对侧延伸，从而与所述相邻的子像素连接。
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