CN104280841B - 全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置 - Google Patents

全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置 Download PDF

Info

Publication number
CN104280841B
CN104280841B CN201410519443.1A CN201410519443A CN104280841B CN 104280841 B CN104280841 B CN 104280841B CN 201410519443 A CN201410519443 A CN 201410519443A CN 104280841 B CN104280841 B CN 104280841B
Authority
CN
China
Prior art keywords
electric field
sensitive element
graphene film
optical fiber
optical
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN201410519443.1A
Other languages
English (en)
Other versions
CN104280841A (zh
Inventor
周锋
金晓峰
章献民
池灏
郑史烈
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Zhejiang University ZJU
Original Assignee
Zhejiang University ZJU
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Zhejiang University ZJU filed Critical Zhejiang University ZJU
Priority to CN201410519443.1A priority Critical patent/CN104280841B/zh
Publication of CN104280841A publication Critical patent/CN104280841A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN104280841B publication Critical patent/CN104280841B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/42—Coupling light guides with opto-electronic elements
    • G02B6/4201—Packages, e.g. shape, construction, internal or external details
    • G02B6/4219—Mechanical fixtures for holding or positioning the elements relative to each other in the couplings; Alignment methods for the elements, e.g. measuring or observing methods especially used therefor
    • G02B6/422—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements
    • G02B6/4225—Active alignment, i.e. moving the elements in response to the detected degree of coupling or position of the elements by a direct measurement of the degree of coupling, e.g. the amount of light power coupled to the fibre or the opto-electronic element
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/14—Mode converters
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/24—Coupling light guides
    • G02B6/26—Optical coupling means

Abstract

本发明公开了一种全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置。该电场敏感元件包括光纤，所述光纤的一端作为电场敏感元件的信号端；所述光纤靠近信号端的一端的纤芯的外周设有模式转换器，另一端的包层的外周设有布拉格光栅；沿光纤的长度方向，在模式转换器和布拉格光栅之间，至少部分光纤包层的外周包覆有石墨烯薄膜。本发明的电场敏感元件为全光纤结构，一方面降低了***损耗小，另一方便，有利于降低器件尺寸，便于集成，且基于该电场敏感元件的电场传感装置，在应用时，不会对被测电场产生影响，具有灵敏度高以及有利于光集成等优点。

Description

全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置
技术领域
本发明涉及光电子技术领域，具体涉及一种全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置。
背景技术
电场测量在科学、工业和商业领域中有着重要的应用。传统电磁波测量***采用有源金属探测器，它势必会引起电磁干扰，产生电磁场畸变，并且会导致测量***对电磁噪音非常敏感。随着光电子技术的发展，为解决电磁波测量***中的电磁噪音的干扰，美国海军研究机构Bulmer、英国NPL的W.LANG等人，将光波导、电极与天线有机集成在一起，制备出了一种基于Pockels效应的集成光电式电场传感器，首次实现了利用光学原理对电场的测量。
与传统电子电场传感器相比，基于电光效应的光电式电场传感器利用某些晶体(如铌酸锂LiNbO3)的线性电光效应，当光信号在电光材料中传输时，由于光电材料的电光效应，将电场强度的变化通过晶体折射率的变化转化为光信号相位的变化，最终导致干涉信号强度变化，进而干涉信号的强度变化计算得到待测电场的强度变化。
光电式电场传感器克服了传统电子电场传感器的电磁干扰的问题，且由于光电式电场传感器通常基于集成光学器件和光纤器件，与其他类型的电场传感器相比，还具有尺寸小、质量轻、灵敏度高等优点，具有广泛的应用前景，近年来发展迅速。
但是，该类电场传感器无法做到全光纤化，结构复杂、成本高、体积大、难以实现光集成，且波导与光纤之间耦合会产生较大的损耗，难于实现级联构成准分布式传感网络。此外，该类电场传感器基于晶体材料实现，一方面由于晶体的偏光特性，使得电场传感器的探头需要采用保偏光纤与光源相连，且还另需一根传输光纤将干涉信号光导入测量***中，进一步增加了结构的复杂程度和制备成本。另一方面，晶体材料的光电性能对温度比较敏感，直接导致基于该晶体材料的电场传感器的性能也对温度敏感，因此，须经常对探头进行结构上的调整，以保持最佳工作状态，增加了操作的复杂度。
发明内容
针对现有技术的不足，本发明提供了一种全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置。
一种全光纤结构的电场敏感元件，包括光纤，所述光纤的一端作为电场敏感元件的信号端；
所述光纤靠近信号端的一端的纤芯的外周设有模式转换器，另一端的包层的外周设有布拉格光栅；
沿光纤的长度方向，在模式转换器和布拉格光栅之间，至少部分光纤包层的外周包覆有石墨烯薄膜。
本发明中整个光纤可以都包覆有石墨烯薄膜，也可以仅模式转换器和布拉格光栅之间的光纤包层外包覆有石墨烯薄膜。
本发明的电场敏感元件中，所述的光纤为单模光纤，且为裸光纤，即只有纤芯和包层。
本发明中可以整段光纤的包层外都包覆有石墨烯薄膜，也可以仅一段光纤包层***包覆有石墨烯薄膜。
本发明中的模式转换器是可逆，可以使输入的信号光在低阶模式和高阶模式之间转化。
本发明的电场敏感元件在使用时将电场敏感元件置于被测电场中，信号光从信号端进入电场敏感元件后，通过模式转换器将在纤芯中部分以低阶模式传输的信号光转化高阶模式。由于光纤传输特性的限制，部分高阶模式的信号光在传输过程中会进入包层。
在被测电场的作用下，光纤包层表面的石墨烯薄膜的电导率发生变化，继而引起折射率发生变化，从而导致石墨烯薄膜包覆处的包层的有效折射率发生变化，进一步使经过石墨烯薄膜包覆处的包层的信号光的相位发生变化。
信号光(高阶模式的信号光)通过布拉格光栅时，满足布拉格条件的信号光将会被反射，沿着之前的传输路径，再次经过石墨烯薄膜的作用后重新返回至模式转换器，并由模式转换器重新转化为低阶模式，并将部分在包层中传输的高阶模式的信号光全部限定至纤芯中传输并从信号端输出。此时输出的信号光，部分由于经过石墨烯薄膜的作用而发生了相位变化，另外还有部分不经过石墨烯薄膜包覆处的包层，因此未发生相位变化的。根据两部分信号光的相位关系，即可实现对外加电场(被测电场)的感知。
本发明的电场敏感元件为光纤同轴石墨烯结构，利用石墨烯的电光效应实现了对外界电场强度的传感，这种光纤同轴石墨烯结构的电场传感器具有体积小，不会对被测电场产生影响，灵敏度高、易于光集成等优点。
本发明中的模式转换器实际上为一段由光纤的纤芯制备得到的光纤光栅模，制备时直接在该光纤的一端写入光栅即可，基于该模式转换器能够实现敏感元件的全光纤结构，易于集成，且大大减小了接入损耗。
模式转换器的转化效率越高，发生相位变化的信号光越多，电场敏感元件的灵敏度会越高。光纤光栅模式转换器的转换效率主要取决于光纤光栅的长度。一般光纤光栅的长度越大，转换效率越高。但是为实现器件的小型化，需要根据应用需求适当调整光纤光栅的长度。通常光纤光栅模式转换器的长度为5mm左右。
布拉格光栅起反射作用，用于将经过石墨烯薄膜后的光反射回模式转换器，由模式转换器将高阶模式转换为低阶模式，进而将信号光重新限定在纤芯中。本发明中布拉格光栅由光纤的包层制备得到。布拉格光栅的长度决定了布拉格光栅对反射波长的选择性，布拉格光栅越长，波长选择性越好，可以有效滤除其他波长成分的信号(如噪声信号)的干扰。本发明中，所述布拉格光栅的长度为1～5mm。
本发明的电场敏感元件中模式转换器的工作波长以及布拉格光栅的反射波长必须与该电场敏感元件的工作波长相匹配，可通过合理设置模式转换器和布拉格光栅的周期实现波长匹配。
本发明中模式转换器、石墨烯薄膜和布拉格光栅是否完整覆盖整个周向，可根据需要和工艺条件设定。为保证信号光能量分布的均匀性，本发明中模式转换器、石墨烯薄膜和布拉格光栅完整覆盖整个周向。
所述的模式转换器、石墨烯薄膜和布拉格光栅三者在长度方向上的间距小于1mm。
间距指自信号端沿光纤长度方向，前一个部件(部件指模式转换器、石墨烯薄膜和布拉格光栅)的尾端与后一个部件的首端的距离。该间距过大一方面会使光的传输损耗增大，导致敏感元件的灵敏度下降，另一方面，也不利于器件的小型化和集成化。在工艺条件允许的情况下，模式转换器与石墨烯薄膜，以及石墨烯薄膜与布拉格光栅之间的距离可以为零(刚好在长度方向上首尾相接)。
所述石墨烯薄膜的长度为50～200μm。
本发明中利用石墨烯薄膜的电光效应，改变包层中传输的信号光的相位，进而实现对电场的感知，石墨烯薄膜的长度直接影响到相位改变量的大小，石墨烯薄膜的长度越长，相位改变越大。但是，若过长，会增加传输距离，增大光损耗，不利于后续应用。且从器件集成角度考虑，石墨烯薄膜的长度也不宜过长，具体可根据应用场合进行调整。作为优选，所述石墨烯薄膜的长度为100～200μm。
所述石墨烯薄膜的厚度为0.335nm～1.005nm。
由于石墨烯薄膜由若干(至少一层)单层石墨烯构成，单层石墨烯的厚度一定为0.335nm，因此石墨烯薄膜的厚度应为0.335nm的整数倍。
增加石墨烯薄膜的厚度，可以增强石墨烯薄膜和信号光的作用，使得有效折射率的变化量增加，进而增大信号光的相位的变化量，提高敏感元件的灵敏度，但是在相同传输距离下，增加石墨烯薄膜也会导致信号光的传输损耗增大。作为优选，即石墨烯薄膜的厚度为0.335nm。
光纤长度一方面要保证至少能够依次分布模式转换器、石墨烯薄膜和布拉格光栅，另外还需要考虑敏感元件的体积，所述光纤的长度为0.8～10cm。其中长出的部分在布拉格光栅之后，用于对经过布拉格反射后的信号光进行衰减，防止经过光纤断面返回，影响电场敏感元件的工作效率。
本发明还提供了一种电场传感装置，包括上述的电场敏感元件。
所述的电场传感装置，还包括光环形器，以及与所述光环形器的双向输出端口连接的偏振转换器，与单向输出端口连接的光电探测器；
所述偏振转换器的另一端与电场敏感元件中的模式转换器的输入接口连接。
所述的光环形器为三端口光环形器，其单向输入端口用于连接光源通过利用光环形器，形成环路，有利于提高装置的集成度。
偏振转换器为可逆的，具有两个双向输出端口，当输入的信号光为线偏振光时，偏置转换器将输入的信号光转换为圆偏振光，反之，当输入的信号光为圆偏振光时，偏置转换器将输入的信号光转换为线偏振光。
使用时，本发明的电场传感装置中光环形器的单向输入端口需要外接LD光源，以提供信号光。外接的LD光源的工作波长必须与偏振转换器、敏感元件和光电探测器的工作波长相匹配。
光电探测器将光环形器输出的信号光(包含相位发生变化的信号光和相位未发生变化的信号光)进行拍频，相位的变化将会转换成时域上电信号幅度的大小，外加电场(被测电场)的变化，最终反映为光电探测器输出的电信号的幅度变化，从而完成电场传感。
为使LD光源的输出光与电场敏感元件中的光纤的传输特性匹配，降低传输损耗，本发明的电场传感装置还设有偏振转换器，利用该偏振转换器将LD光源的输出光转换为圆偏振光之后再进入电场敏感元件中，将LD光源输入的线偏振光转换为圆偏振光。
另外，由于绝大多数光电探测器均是利用同频同偏振方向的两束线偏振光的干涉实现光电探测，因此，需要进一步将圆偏振光再次转换为线偏振光，便于光电探测器完成检测。
本发明的电场传感装置中通过设置光环形器，利用该光环形器控制光的传输路径，形成环形光路，有利于缩小电场传感装置的体积，便于集成。
与现有技术相比，本发明的优点在于：
(1)本发明的电场敏感元件为全光纤结构，一方面降低了***损耗小，另一方便，有利于降低器件尺寸，便于集成。
(2)本发明的电场敏感元件利用包覆于光纤包层外的石墨烯薄膜的电光效应，使由模式转换器激发的以高阶模式在包层中传输的信号光发生相位变化，从而实现了对外界电场强度的传感，该电场敏感元件不会对被测电场产生影响，有利于提高电场敏感元件的灵敏度；
(3)本发明的电场传感装置中通过设置光环形器，利用该光环形器控制光的传输路径，形成环形光路，有利于缩小电场传感装置的体积，便于集成。
附图说明
图1为本实施例的电场敏感元件的结构示意图；
图2为该结构在不同外加电场下光相位和石墨烯薄膜长度关系的仿真图；
图3为本实施例的电场传感装置的结构框图。
具体实施方式
下面将结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述。
如图1所示，本实施例的全光纤结构的电场敏感元件，包括光纤1，光纤1的一端作为电场敏感元件的信号端。本实施例中电场敏感元件采用长度为2cm的SMF-28型单模光纤，且为裸光纤，只有纤芯和包层。
光纤靠近信号端的一端的纤芯的外周设有模式转换器2，另一端的包层的外周设有布拉格光栅4；
沿光纤的长度方向，在模式转换器和布拉格光栅之间，至少部分光纤包层的外周包覆有石墨烯薄膜3。
为缩小电场敏感元件的体积，便于集成，本实施例中模式转换器、石墨烯薄膜和布拉格光栅在长度方向上的距离为零(即相互首尾相接)。
模式转换器2的长度为5mm。为便于集成，降低***损耗，本实施例中直接在光纤1的纤芯上写入光栅作为模式转换器2。
布拉格光栅4其反射作用，采用二氧化碳激光器在包层中写入得到。本实施例中布拉格光栅4用于将经过其的信号光中符合布拉格反射条件的信号光返回。布拉格光栅的反射波长的选择性取决于布拉格光栅的长度，越长波长选择性越好。本实施例中布拉格光栅的长度为5mm。
模式转换器的工作波长和布拉格光栅的反射波长必须与电感敏感元件的工作波长匹配。本实施例中电感敏感元件的工作波长为1.55μm，通过设置模式转换器和布拉格光栅的的光栅周期，使模式转换器2的工作波长以及布拉格光栅4的反射波长也为1.55μm。例如，为使布拉格光栅的反射波长为1.55μm，本实施例中设置布拉格光栅的周期为0.53μm。
为保证包层中传输的信号光的相位能够发生明显变化，本实施例中石墨烯薄膜的长度为185.5μm，厚度为0.335nm(即为一层)。本实施例中石墨烯薄膜采用化学气相沉积法或者物理机械剥离法制备得到。
本实施例电场敏感元件工作时，在包层中以高阶模式传输的信号光的相位(默认进入时信号光的相位为零)如下：
其中k0为真空中波数，L为石墨烯薄膜的长度，neff为包层的有效折射率。当电场敏感元件置于被测电场中时，由于电光效应石墨烯薄膜的折射率发生变化，进而导致石墨烯薄膜包覆处包层的有效折射率neff发生变化，进而使经过包层中以高阶模式传输的信号光的相位变换。
图2为该结构在不同外加电场下光相位和石墨烯薄膜长度关系的仿真图，由图中可以看出，光相位和石墨烯薄膜的长度成正比关系。四种颜色分别表示在不同外加电压下(0V，0.2V，0.25V，1V)信号光的相位随着石墨长度的变化示意图，四条曲线变化趋近重合，但对石墨烯薄膜长度为184.5～185.5μm区间内的图形进行局部放大，可以看出来，在0.2V和0.25V外加电压情况下，当经过了185.5μm长度的石墨烯薄膜后，两者的相位差约可以达到π/2，足够分辨出两者电压细微的差别，这也从另外一个角度说明该种电场传感器具有较高的精确度和灵敏度。
本实施例的电场敏感元件为光纤同轴石墨烯结构，利用石墨烯薄膜的电光效应实现了对外界电场强度的传感，这种光纤同轴石墨烯结构的电场传感器具有体积小，***损耗小，不会对被测电场产生影响，灵敏度高以及有利于光集成等优点。
如图3所示，本实施例的电场传感装置包括电场敏感元件，以及光环形器和偏振转换器，偏振转换器的两个端口分别与光环形器的双向输出端口和电场敏感元件中模式转换器的输入接口连接，光环形器的单向输出端口与光电探测器输入端口连接。
本实施例中光环形器为三端口光环形器，使用时该三端口光环形器的单向输入端口需要外接LD光源连接以为整个传感装置提供信号光。外接的LD光源的工作波长必须与偏振转换器、敏感元件和光电探测器的工作波长相匹配。
为使LD光源的输出光能够与电场敏感元件中光纤传输特性匹配，通过偏振转换器，将LD光源输入的线偏振光转换为圆偏振光。另外，由于绝大多数光电探测器均是利用同频同偏振方向的两束线偏振光的干涉实现光电探测，因此，需要进一步将圆偏振光再次转换为线偏振光，便于光电探测器完成检测。
本实施例中通过三端口环形器形成环形光路，仅复用一个偏振转换器，即可完成线偏振光和圆偏振光之间的相互转换，无需设置两个偏振转换器，一方面降低成本，另一方面还有利于实现光学集成。
以上所述的具体实施方式对本发明的技术方案和有益效果进行了详细说明，应理解的是以上所述仅为本发明的最优选实施例，并不用于限制本发明，凡在本发明的原则范围内所做的任何修改、补充和等同替换等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (4)

1.一种全光纤结构的电场敏感元件，其特征在于，包括由纤芯和包层组成的光纤，所述光纤的一端作为电场敏感元件的信号端；
所述光纤靠近信号端的一端的纤芯的外周设有模式转换器，另一端的包层的外周设有布拉格光栅；
沿光纤的长度方向，在模式转换器和布拉格光栅之间，至少部分光纤包层的外周包覆有石墨烯薄膜；
所述的模式转换器、石墨烯薄膜和布拉格光栅三者在长度方向上的间距小于1mm；所述石墨烯薄膜的长度为50～200μm；所述石墨烯薄膜的厚度为0.335nm～1.005nm。
2.如权利要求1所述的全光纤结构的电场敏感元件，其特征在于，所述石墨烯薄膜的长度为100～200μm。
3.如权利要求1所述的全光纤结构的电场敏感元件，其特征在于，所述光纤的长度为0.8～10cm。
4.一种电场传感装置，其特征在于，包括如权利要求1～3中任意一项权利要求所述的电场敏感元件；
还包括光环形器，以及与光环形器的双向输出端口连接的偏振转换器，与光环形器的单向输出端口连接的光电探测器；
所述偏振转换器的另一端与电场敏感元件的信号端连接。
CN201410519443.1A 2014-09-30 2014-09-30 全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置 Active CN104280841B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410519443.1A CN104280841B (zh) 2014-09-30 2014-09-30 全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201410519443.1A CN104280841B (zh) 2014-09-30 2014-09-30 全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN104280841A CN104280841A (zh) 2015-01-14
CN104280841B true CN104280841B (zh) 2017-03-15

Family

ID=52255889

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201410519443.1A Active CN104280841B (zh) 2014-09-30 2014-09-30 全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104280841B (zh)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105334566A (zh) * 2015-10-22 2016-02-17 重庆理工大学 点状凹槽型光纤包层表面Bragg光栅
CN105353458A (zh) * 2015-10-22 2016-02-24 重庆理工大学 线状沟槽型光纤包层表面Bragg光栅
CN105403535A (zh) * 2015-10-22 2016-03-16 重庆理工大学 光纤包层表面Bragg光栅生化传感器及其制作方法
CN106940461B (zh) * 2017-01-23 2019-07-12 厦门大学 一种基于石墨烯与硅波导的复合结构的分光器件
CN107421913A (zh) * 2017-05-18 2017-12-01 重庆大学 基于石墨烯的光纤传感器及其制作方法
CN108896837B (zh) * 2018-06-12 2021-03-02 昆明理工大学 一种集成光波导三维电场传感器***

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7539361B2 (en) * 2006-10-05 2009-05-26 Harris Corporation Fiber optic device for measuring a parameter of interest
CN103176294B (zh) * 2013-04-02 2015-08-12 浙江大学 一种基于石墨烯材料的全光纤电光调制器及其方法
CN203405289U (zh) * 2013-06-19 2014-01-22 暨南大学 一种基于石墨烯的光纤温度传感器
CN103471701B (zh) * 2013-09-04 2015-09-23 华中科技大学 一种光纤声波传感器及光纤声波探测方法
CN103811568B (zh) * 2014-02-21 2016-04-20 中国科学院半导体研究所 一种基于一维光栅的表面入射石墨烯光电探测器

Also Published As

Publication number Publication date
CN104280841A (zh) 2015-01-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104280841B (zh) 全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置
CN103226162B (zh) 一种基于双光路补偿的光波导电压传感器
WO2017054374A1 (zh) 一种适用于二维电场测量的光学传感装置
CN107561373A (zh) 一种单光纤集成光波导电场测量***及方法
CN104459267B (zh) 具有温度补偿的薄膜型全光纤电流互感器
CN103424618B (zh) 一种光子型微波频率测量方法及装置
CN103616570B (zh) 一种自校正光电集成电场传感器***
CN109631963A (zh) 基于微结构光纤干涉微波光子传感方法的多元参量测量***及方法
CN107390146A (zh) 一种集成光波导磁场测量***及方法
CN108614126B (zh) 基于宽带可调谐光电振荡器的角速度测量装置和方法
CN105043526B (zh) 一种基于光电振荡器的振动传感装置
CN104020334B (zh) 一种电光相位调制器半波电压测量***及测量方法
CN109814048A (zh) 用于测量磁场的光电振荡器及其测量方法
CN108152582A (zh) 一种集成光波导微波信号频率测量***及测量方法
CN107462776A (zh) 基于波长控制的集成光波导电场测量***及其测量方法
CN103308082A (zh) 一种单环镶嵌谐振腔耦合m-z干涉仪的传感结构
CN105628174B (zh) 基于偏振切换的光纤f-p传感器振动解调***和方法
CN106597052B (zh) 一种新型全光纤电流互感器及其干涉部件的制作方法
CN106443126B (zh) 一种测量电光晶体半波电压的方法与装置
CN104280900A (zh) 一种全光纤结构的电场敏感元件及电场传感装置
CN103605005B (zh) 一种基于双y波导的光电集成电场测量***
CN204008794U (zh) 一种单边瓣间干涉式全光纤电压互感器
CN202330519U (zh) 一种采用干涉闭环检测的磁光玻璃光学电流互感器
CN104459350B (zh) 一种铌酸锂直波导电场测量***
CN201749141U (zh) 一种全光纤电流互感器

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant