CN104252845B - 像素驱动电路、方法、显示面板和显示装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供了一种像素驱动电路、方法、显示面板和显示装置。所述像素驱动电路包括第一像素驱动单元和第二像素驱动单元；所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管、第一存储单元和第一驱动控制单元；所述第一驱动控制单元在第一补偿阶段通过对数据电压施加跳变的电压以控制对与所述第一驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿；所述第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管、第二存储单元和第二驱动控制单元；所述第二驱动控制单元在第二补偿阶段通过对数据电压施加跳变的电压以控制对与所述第二驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制所述第二发光元件发光。本发明可以大幅降低像素单元的开口率和成本。

Description

像素驱动电路、方法、显示面板和显示装置
技术领域
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种像素驱动电路、方法、显示面板和显示装置。
背景技术
AMOLED(Active Matrix/Organic Light Emitting Diode，有源矩阵有机发光二极管)显示器是当今平板显示器研究领域的热点之一。有机发光二极管(OLED)具有低能耗、生产成本低、自发光、宽视角及响应速度快等优点。像素驱动电路设计是AMOLED显示器核心技术内容，具有重要的研究意义。
在AMOLED显示器中，需要稳定的电流来控制OLED发光。由于工艺制程和器件老化等原因，AMOLED显示器中的各像素点的驱动晶体管的阈值电压(Vth)会漂移，这样就导致了流过每个像素点OLED的电流因阈值电压的变化而变化，使得显示亮度不均，从而影响整个图像的显示效果。
如图1所示，每个现有的基本的AMLOED像素驱动电路只包括1个驱动晶体管DTFT，一个开关晶体管T1和一个存储电容Cs，当扫描线选择某一行时，扫描线上的扫描电压Vscan为低电平，T1导通，数据电压Vdata写入存储电容Cs，当该行扫描结束后，Vscan变为高电平，T1关断，存储在Cs上的栅极电压驱动DTFT，使DTFT产生电流来驱动OLED，保证OLED在一帧内持续发光，流过OLED的电流IOLED＝K(VGS-Vth)2，其中，K为常数，VGS为DTFT的栅源电压，Vth为DTFT的阈值电压。正如前面所述，由于工艺制程和器件老化等原因，各像素点的驱动晶体管DTFT的阈值电压Vth会漂移，这样就导致了流过每个像素点OLED的电流因Vth的变化而变化，从而影响整个图像的显示效果。
现有技术中的具有阈值补偿功能的像素驱动电路可以为6T1C像素驱动电路，采用了过多的薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)和线路，虽然满足了补偿阈值的要求，但是像素的开口率相应会比较大，并且现有的像素驱动电路是被设置于每一个像素单元内，从而使得OLED器件分布空间过为紧凑。
发明内容
本发明的主要目的在于提供一种像素驱动电路、方法、像素电路、显示面板和显示装置，以解决现有技术中在进行阈值补偿时采用的TFT和数据线的数目多而引起的像素单元的开口率高从而不能获得更高的画质和PPI(Pixels per inch，每英寸所拥有的像素数目)的问题。
为了达到上述目的，本发明提供了一种像素驱动电路，用于驱动第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件的第一端和所述第二发光元件的第一端均接入第一电平；所述像素驱动电路包括第一像素驱动单元和第二像素驱动单元；
所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管、第一存储单元和第一驱动控制单元，其中，
该第一存储电容，第一端与该第一驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第一驱动控制单元接入数据电压；
该第一驱动晶体管，栅极通过该第一驱动控制单元与该第一驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第一驱动控制单元接入第二电平，第二极通过该第一驱动控制单元接入该第一电平；该第一驱动晶体管的第二极还与所述第一发光元件的第二端连接；
所述第一驱动控制单元，用于通过该第二电平、该数据电压和该第一电平对所述第一存储电容进行充放电，从而在第一补偿阶段通过对数据电压施加跳变的电压以控制对与所述第一驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制所述第一发光元件发光；
所述第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管、第二存储单元和第二驱动控制单元，其中，
该第二存储电容，第一端与该第二驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第一驱动控制单元接入数据电压；
该第二驱动晶体管，栅极通过该第二驱动控制单元与该第二驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第二驱动控制单元接入第二电平，第二极通过该第二驱动控制单元接入该第一电平；该第二驱动晶体管的第二极还与所述第二发光元件的第二端连接；
所述第二驱动控制单元，用于通过该第二电平、该数据电压和该第一电平对所述第二存储电容进行充放电，从而在第二补偿阶段通过对数据电压施加跳变的电压以控制对与所述第二驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制所述第二发光元件发光。
实施时，第一驱动控制单元的结构和第二驱动控制单元的结构相同。
实施时，所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管的栅极连接；
第二控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第一驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第三控制晶体管，栅极接入第一驱动控制信号，第一极与所述第一存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第四控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第一驱动晶体管的第一极连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管的栅极连接；
第六控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第二驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第七控制晶体管，栅极接入第二驱动控制信号，第一极与所述第二存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第八控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第二驱动晶体管的第一极连接。
实施时，在所述第一像素驱动单元中，所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管、所述第三控制晶体管和所述第四控制晶体管都为n型TFT；
在所述第二像素驱动单元中，所述第二驱动晶体管、所述第五控制晶体管、所述第六控制晶体管、所述第七控制晶体管和所述第八控制晶体管都为n型TFT。
实施时，所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管的栅极连接；
第二控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第一驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第三控制晶体管，栅极接入第一驱动控制信号，第一极与所述第一存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第四控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第一驱动晶体管的第一极连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管的栅极连接；
第六控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第二驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第七控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极与所述第二存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第八控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第二驱动晶体管的第一极连接。
实施时，在所述第一像素驱动单元中，所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管、所述第三控制晶体管和所述第四控制晶体管都为n型TFT；
在所述第二像素驱动单元中，所述第二驱动晶体管、所述第五控制晶体管、所述第六控制晶体管和所述第八控制晶体管都为n型TFT，所述第七控制晶体管为p型TFT。
实施时，所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管的栅极连接；
第二控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第一驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第三控制晶体管，栅极接入第一驱动控制信号，第一极与所述第一存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第四控制晶体管，栅极接入第二驱动控制信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第一驱动晶体管的第一极连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管的栅极连接；
第六控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第二驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第七控制晶体管，栅极接入所述第二驱动控制信号，第一极与所述第二存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第八控制晶体管，栅极接入所述第二驱动控制信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第二驱动晶体管的第一极连接。
实施时，在所述第一像素驱动单元中，所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管和所述第三控制晶体管都为n型TFT，所述第四控制晶体管为p型TFT；
在所述第二像素驱动单元中，所述第二驱动晶体管、所述第五控制晶体管、所述第六控制晶体管和所述第七控制晶体管都为n型TFT，所述第八控制晶体管为p型TFT。
本发明还提供了一种像素驱动电路，用于驱动第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件的第一端和所述第二发光元件的第一端均接入第一电平；
所述像素驱动电路包括第一像素驱动单元和第二像素驱动单元；
所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管、第一存储电容和第一驱动控制单元；
该第一存储电容，第一端与该第一驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第一驱动控制单元接入数据电压；
该第一驱动晶体管，栅极通过该第一驱动控制单元与该第一驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第一驱动控制单元与所述第一发光元件的第二端连接，第二极通过该第一驱动控制单元接入第二电平；
所述第一驱动控制单元，用于通过该第二电平和该数据电压对所述第一存储电容进行重置充电，从而在第一补偿阶段通过对该数据电压施加跳变的电压以控制对所述第一驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制该第一驱动晶体管驱动所述第一发光元件发光；
所述第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管、第二存储电容和第二驱动控制单元；
该第二存储电容，第一端与该第二驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第二驱动控制单元接入数据电压；
该第二驱动晶体管，栅极通过该第二驱动控制单元与该第二驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第二驱动控制单元与所述第二发光元件的第二端连接，第二极通过该第二驱动控制单元接入第二电平；
所述第二驱动控制单元，用于通过该第二电平和该数据电压对所述第二存储电容进行重置充电，从而在第二补偿阶段通过对该数据电压施加跳变的电压以控制对所述第二驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制该第二驱动晶体管驱动所述第二发光元件发光。
实施时，所述第一驱动控制单元的结构和所述第二驱动控制单元的结构相同。
实施时，所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管，栅极接入第一驱动控制信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管的栅极连接；
第二控制晶体管，栅极接入所述第一驱动控制信号，第一极接入数据电压，第二极与所述第一存储电容的第二端连接；
第三控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第二极连接，第二极接入所述第二电平；
以及，第四控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极与所述第一发光元件的第二端连接，第二极与该第一驱动晶体管的第一极连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管，栅极接入第二驱动控制信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管的栅极连接；
第六控制晶体管，栅极接入所述第二驱动控制信号，第一极接入数据电压，第二极与所述第二存储电容的第二端连接；
第七控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第二极连接，第二极接入所述第二电平；
以及，第八控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极与所述第二发光元件的第二端连接，第二极与该第二驱动晶体管的第一极连接。
实施时，在所述第一像素驱动单元中，所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管、所述第三控制晶体管和所述第四控制晶体管都为p型TFT，在所述第二像素驱动单元中，所述第二驱动晶体管、所述第五控制晶体管、所述第六控制晶体管、所述第七控制晶体管和所述第八控制晶体管都为p型TFT。
本发明还提供了一种像素驱动方法，用于驱动上述的像素驱动电路，包括：
在一时间周期的充电阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端的电位被充电至第二电平，第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端的电位被充电至第二电平；
在该时间周期的放电阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端的电位放电至第一驱动晶体管的阈值电压，并控制该第一存储电容的第二端接入数据电压；第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端的电位放电至第二驱动晶体管的阈值电压，并控制该第二存储电容的第二端接入数据电压；其中，在该放电阶段该数据电压为V0；
在该时间周期的第一补偿阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第二端接入所述数据电压，控制该第一存储电容的第一端浮接，从而控制第一驱动晶体管的栅源电压补偿该第一驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第一补偿阶段该数据电压跳变为V0+△V1；
在该时间周期的第二补偿阶段，第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端浮接，从而控制第二驱动晶体管的栅源电压补偿该第二驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第二补偿阶段该数据电压跳变为V0+△V2；
在该时间周期的发光阶段，第一驱动控制单元控制第一驱动晶体管驱动第一发光元件发光，第二驱动控制单元控制第二驱动晶体管驱动第二发光元件发光。
本发明提供了一种像素驱动方法，用于驱动上述的像素驱动电路，包括：
在一时间周期的重置充电阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端的电位被充电至第二电平与第一驱动晶体管的阈值电压的差值，并控制该第一存储电容的第二端接入数据电压；第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端的电位被充电至第二电平与第二驱动晶体管的阈值电压的差值，并控制该第二存储电容的第二端接入数据电压；在重置充电阶段所述数据电压为△V1；
在该时间周期的第一补偿阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端浮接，从而控制第一驱动晶体管的栅源电压补偿该第一驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第一补偿阶段该数据电压跳变为△V2；
在该时间周期的第二补偿阶段，第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端浮接，从而控制第二驱动晶体管的栅源电压补偿该第二驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第二补偿阶段该数据电压跳变为△V3；
在该时间周期的发光阶段，第一驱动控制单元控制第一驱动晶体管驱动第一发光元件发光，第二驱动控制单元控制第二驱动晶体管驱动第二发光元件发光。
本发明还提供了一种显示面板，其特征在于，包括上述的像素驱动电路。
本发明还提供了一种显示装置，包括上述的显示面板。
本发明实施例所述的像素驱动电路，将传统的相邻的两具有阈值补偿功能的单像素驱动单元组合，使得两像素驱动单元共用一条数据线，使用一个具有阈值补偿功能的像素驱动电路来在控制驱动两个像素单元分别在相应的补偿阶段进行对驱动晶体管的阈值的跳变补偿，同时压缩用于补偿的TFT以及数据线的数目，可以大幅降低像素单元的开口率和成本，从而获得更高的画质和PPI(Pixels per inch，每英寸所拥有的像素数目)。
附图说明
图1是现有的基本的AMLOED像素驱动电路的电路图；
图2是本发明第二实施例所述的像素驱动电路的结构框图；
图3A是本发明第三实施例所述的像素驱动电路的电路图；
图3B是本发明第四实施例所述的像素驱动电路的电路图；
图3C是本发明第五实施例所述的像素驱动电路的电路图；
图4是本发明第三实施例所述的像素驱动电路的工作时序图；
图5A是本发明第三实施例所述的像素驱动电路在第一阶段的工作状态图；
图5B是本发明第三实施例所述的像素驱动电路在第二阶段的工作状态图；
图5C是本发明第三实施例所述的像素驱动电路在第三阶段的工作状态图；
图5D是本发明第三实施例所述的像素驱动电路在第四阶段的工作状态图；
图5E是本发明第三实施例所述的像素驱动电路在第五阶段的工作状态图；
图6是本发明第七实施例所述的像素驱动电路的结构框图；
图7是本发明第八实施例所述的像素驱动电路的电路图；
图8是本发明第八实施例所述的像素驱动电路的工作时序图；
图9A是本发明第八实施例所述的像素驱动电路在第一阶段的工作状态图；
图9B是本发明第八实施例所述的像素驱动电路在第二阶段的工作状态图；
图9C是本发明第八实施例所述的像素驱动电路在第三阶段的工作状态图；
图9D是本发明第八实施例所述的像素驱动电路在第四阶段的工作状态图；
图10是本发明实施例所述的像素驱动电路设置于的像素电路的示意图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
本发明所有实施例中采用的晶体管均可以为薄膜晶体管或场效应管或其他特性相同的器件。在本发明实施例中，为区分晶体管除栅极之外的两极，其中第一极可以为源极或漏极，第二极可以为漏极或源极。此外，按照晶体管的特性区分可以将晶体管分为n型晶体管或p型晶体管。在本发明实施例提供的驱动电路中，可以想到的是在采用n型晶体管或p型晶体管实现是本领域技术人员可在没有做出创造性劳动前提下轻易想到的，因此也是在本发明的实施例保护范围内的。
本发明第一实施例所述的像素驱动电路，用于驱动第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件的第一端和所述第二发光元件的第一端均接入第一电平；其特征在于，所述像素驱动电路包括第一像素驱动单元和第二像素驱动单元；
所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管、第一存储单元和第一驱动控制单元，其中，
该第一存储电容，第一端与该第一驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第一驱动控制单元接入数据电压；
该第一驱动晶体管，栅极通过该第一驱动控制单元与该第一驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第一驱动控制单元接入第二电平，第二极通过该第一驱动控制单元接入该第一电平；该第一驱动晶体管的第二极还与所述第一发光元件的第二端连接；
所述第一驱动控制单元，用于通过该第二电平、该数据电压和该第一电平对所述第一存储电容进行充放电，从而在第一补偿阶段通过对数据电压施加跳变的电压以控制对与所述第一驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制所述第一发光元件发光；
所述第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管、第二存储单元和第二驱动控制单元，其中，
该第二存储电容，第一端与该第二驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第一驱动控制单元接入数据电压；
该第二驱动晶体管，栅极通过该第二驱动控制单元与该第二驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第二驱动控制单元接入第二电平，第二极通过该第二驱动控制单元接入该第一电平；该第二驱动晶体管的第二极还与所述第二发光元件的第二端连接；
所述第二驱动控制单元，用于通过该第二电平、该数据电压和该第一电平对所述第二存储电容进行充放电，从而在第二补偿阶段通过对数据电压施加跳变的电压以控制对与所述第二驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制所述第二发光元件发光。
本发明实施例所述的像素驱动电路，将传统的相邻的两具有阈值补偿功能的单像素驱动单元组合，使得第一像素驱动单元和第二像素驱动单元共用一条数据线，使用一个具有阈值补偿功能的像素驱动电路来在控制驱动两个像素单元分别在相应的补偿阶段进行对驱动晶体管的阈值的跳变补偿，同时压缩用于补偿的TFT以及数据线的数目，可以大幅降低像素单元的开口率和成本，从而获得更高的画质和PPI(Pixels per inch，每英寸所拥有的像素数目)。
在具体实施时，所述发光元件可以是OLED；
如图2所示，本发明第二实施例所述的像素驱动电路，用于驱动第一有机发光二极管O1和第二有机发光二极管O2；
第一有机发光二极管O1的阴极和第二有机发光二极管O2的阴极均接入第一电平V1；
所述像素驱动电路包括控制第一有机发光二极管O1的第一像素驱动单元，以及控制第二有机发光二极管O2的第二像素驱动单元；
第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管D1、第一存储电容C1和第一驱动控制单元21；
该第一存储电容C1，第一端与该第一驱动晶体管D1的栅极连接，第二端通过该第一驱动控制单元21接入数据线Data上的数据电压；
该第一驱动晶体管D1，栅极通过该第一驱动控制单元21与该第一驱动晶体管D1的第一极连接，第一极通过该第一驱动控制单元211接入第二电平V2，第二极通过该第一驱动控制单元21接入该第一电平V1；该第一驱动晶体管D1的第二极还与所述第一有机发光二极管O1的阳极连接；
所述第一驱动控制单元21，用于通过该第二电平V2、该数据线Data上的数据电压和该第一电平V1对第一存储电容C1进行充放电，从而在第一补偿阶段控制第一驱动晶体管D1的栅源电压补偿该第一驱动晶体管D1的阈值电压之后，控制该第一驱动晶体管D1驱动第一有机发光二极管O1发光；
第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管D2、第二存储电容C2和第二驱动控制单元22；
该第二存储电容C2，第一端与该第二驱动晶体管D2的栅极连接，第二端通过该第二驱动控制单元22接入数据线Data上的数据电压；
该第二驱动晶体管D2，栅极通过该第二驱动控制单元22与该第二驱动晶体管D2的第一极连接，第一极通过该第二驱动控制单元22接入第二电平V2，第二极通过该第二驱动控制单元22接入该第一电平V1；该第二驱动晶体管D2的第二极还与所述第二有机发光二极管O2的阳极连接；
所述第二驱动控制单元22，用于通过该第二电平V2、该数据线Data上的数据电压和该第一电平V1对第二存储电容C2进行充放电，从而在第二补偿阶段控制第二驱动晶体管D1的栅源电压补偿该第二驱动晶体管D2的阈值电压之后，控制该第二驱动晶体管D2驱动第二有机发光二极管O2发光。
在如图2所示的像素驱动电路的实施例中，D1和D2都为n型TFT，此时第一电平V1为低电平，第二电平V2为高电平。
根据一种具体实施方式，第一驱动控制单元的结构和第二驱动控制单元的结构可以相同。
具体的，所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管的栅极连接；
第二控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第一驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第三控制晶体管，栅极接入第一驱动控制信号，第一极与所述第一存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第四控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第一驱动晶体管的第一极连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管的栅极连接；
第六控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第二驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第七控制晶体管，栅极接入第二驱动控制信号，第一极与所述第二存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第八控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第二驱动晶体管的第一极连接。
具体的，在所述第一像素驱动单元中，所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管、所述第三控制晶体管和所述第四控制晶体管都为n型TFT；在所述第二像素驱动单元中，所述第二驱动晶体管、所述第五控制晶体管、所述第六控制晶体管、所述第七控制晶体管和所述第八控制晶体管都为n型TFT。
所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管的栅极连接；
第二控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第一驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第三控制晶体管，栅极接入第一驱动控制信号，第一极与所述第一存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第四控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第一驱动晶体管的第一极连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管的栅极连接；
第六控制晶体管，栅极接入该第一扫描信号，第一极与该第二驱动晶体管的第二极连接，第二极接入该第一电平；
第七控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极与所述第二存储电容的第二端连接，第二极接入所述数据电压；
以及，第八控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极接入该第二电平，第二极与该第二驱动晶体管的第一极连接。
具体的，在该第一像素驱动单元中，该第一驱动晶体管、该第一控制晶体管、该第二控制晶体管、该第三控制晶体管和该第四控制晶体管都为n型TFT；
在该第二像素驱动单元中，该第二驱动晶体管、该第五控制晶体管、该第六控制晶体管和该第八控制晶体管都为n型TFT，该第七控制晶体管为p型TFT。
如图3A所示，本发明第三实施例所述的像素驱动电路，用于驱动第一有机发光二极管O1和第二有机发光二极管O2；
第一有机发光二极管O1的阴极和第二有机发光二极管O2的阴极均接地端GND；
所述像素驱动电路包括控制第一有机发光二极管O1的第一像素驱动单元，以及控制第二有机发光二极管O2的第二像素驱动单元；
第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管D1、第一存储电容C1和第一驱动控制单元；
所述第一驱动晶体管D1的栅极与所述第一存储电容C1的第一端连接；
所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管T1，栅极接入第一扫描信号Scan1，第一极与所述第一驱动晶体管D1的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管D1的栅极连接；
第二控制晶体管T2，栅极接入该第一扫描信号Scan1，第一极与该第一驱动晶体管D1的第二极连接，第二极接地端GND；
第三控制晶体管T3，栅极接入第一驱动控制信号EM1，第一极与所述第一存储电容C1的第二端连接，第二极接入数据线Data上的数据电压；
以及，第四控制晶体管T4，栅极接入第二扫描信号Scan2，第一极接入高电平Vdd，第二极与该第一驱动晶体管D1的第一极连接；
所述第一驱动晶体管D1的第二极与所述第一有机发光二极管O1的阳极连接；
所述第一有机发光二极管O1的阴极接地端GND；
第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管D2、第二存储电容C2和第二驱动控制单元；
所述第二驱动晶体管D2的栅极与所述第二存储电容C2的第一端连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管T5，栅极接入第一扫描信号Scan1，第一极与所述第二驱动晶体管D2的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管D2的栅极连接；
第六控制晶体管T6，栅极接入该第一扫描信号Scan1，第一极接入该第二驱动晶体管D2的第二极，第二极接地端GND；
第七控制晶体管T7，栅极接入第二驱动控制信号EM2，第一极与所述第二存储电容C2的第二端连接，第二极接入该数据线Data上的数据电压；
以及，第八控制晶体管T8，栅极接入第二扫描信号Scan2，第一极接入高电平Vdd，第二极与该第二驱动晶体管D2的第一极连接；
所述第二驱动晶体管D2的第二极与所述第二有机发光二极管O2的阳极连接；
所述第二有机发光二极管O2的阴极接地端GND；
在图3A中，与C1的第一端连接的节点标识为a1，与C2的第一端连接的节点标识为a2；
与C1的第二端连接的节点标识为b1，与C2的第二端连接的节点标识为b2。
在如图3A所示的像素驱动电路的实施例中，D1、D2、T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8均为n型TFT，可以统一工艺流程，有助于提高产品良率。
并且，如图4所示，由于Scan2的波形图和EM2的波形图是对称翻转的，因此也可以通过改变接入Scan2和EM2的晶体管的类型的方式来减少控制信号线的数目，例如，如图3B所示，本发明第四实施例所述的像素驱动电路可以将图3A中原接入EM2的T7的晶体管类型更换为p型，并将接入T7的栅极的控制信号改为第二扫描信号Scan2，同样可以达到发明目的，同时可减少控制信号的数目；或者，如图3C所示，本发明第五实施例所述的像素驱动电路可以将图3A中接入T4的栅极和T8的栅极的控制信号由Scan2改为EM2，同时将T4的晶体管类型和T8的晶体管类型改为p型，同样可以达到发明目的，同时可减少控制信号的数目。
如图3A所示的像素驱动电路的实施例在工作时，具体工作过程如下：
在第一阶段，即充电阶段，如图4所示，Scan1和Scan2都为高电平，EM1和EM2都为低电平，数据线上的数据电压Vdata为V0；
如图5A所示，Vdd通过T4和T1向C1充电，使得a1点的电位为Vdd，T3断开；
Vdd通过T8和T5向C2充电，使得a2点的电位为Vdd，T7断开；
在第二阶段，即放电阶段，如图4所示，Scan1、EM1和EM2都为高电平，Scan2为低电平，Vdata为V0；
如图5B所示，T1、T2和T3都导通，T4断开，C1通过T1、D1和T2向地端放电，直至a1点的电位为D1的阈值电压Vth1，b1点接入Vdata，则此时b1点的电位为V0；
T5、T6和T7都导通，T8断开，C2通过T5、D2和T26向地端放电，直至a2点的电位为D3的阈值电压Vth2，b2点接入Vdata，则此时b2点的电位为V0；
在第三阶段，即第一补偿阶段，Scan1和Scan2同时为低电平，EM1和EM2都为高电平，Vdata跳变为V0+△V1；
如图5C所示，b1点的电位从第二阶段时的V0跳变为第三阶段的V0+△V1，由于此时C1的第一端浮接，所以a1点的电位Va1和b1点的电位Vb1实现电位等量跳变(保持原来的压差，原来的压差为Vth1-V0)，因此此时a1点的电位Va1＝△V1+Vth1，并维持住；
B2点的电位从第二阶段时的V0跳变为第三阶段的V0+△V1，由于此时C2的第一端浮接，所以a12点的电位Va2和b2点的电位Vb2实现电位等量跳变(保持原来的压差，原来的压差为Vth2-V0)，因此此时a2点的电位Va2＝△V1+Vth2，并稳定住；
在第四阶段，即补偿阶段，如图4所示，Scan1、Scan2和EM1均为低电平，EM2为高电平，Vdata跳变为V0+△V2；
如图5D所示，b2点的电位从第三阶段时的V0+△V1变为第四阶段时的V0+△V2，由于C2的第一端浮接，a2点的电位Va2和b2点的电位Vb2实现电压等量跳变(保持原来的压差，原来的压差为Vth2-V0)，所以a2点的电位Va2＝△V2+Vth2，并稳定住；
在第五阶段，即发光阶段，如图4所示，Scan1、EM1和EM2都为低电平，Scan2为高电平；
如图5E所示，经过两次电压补偿、跳变过程后，进入OLED发光阶段，T4导通，D1的第一极通过T4接入高电平Vdd，T2断开，D1驱动第一有机发光二极管O1发光，流过O1的电流IOLED1＝K(Vgs1-Vth1)2＝K[△V1+Vth1–Voled1–Vth1]2＝K(△V1–Voled1)2；其中，Vgs1为D1的栅源电压，Voled1为O1的阳极电势，K为固定参数；
同理，流过O2的电流为K(△V2–Voled2)2，Voled2为O2的阳极电势。
本发明实施例所述的像素驱动电路通过依次对包括第一有机发光二极管的第一像素单元以及包括第二有机发光二极管的第二像素进行跳变阈值补偿，通过对Vdata施加跳变信号，即在不同时区通过信号叠加跳变的方式，实现像素补偿，解决了双像素点驱动TFT由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压不均一的问题，使得流过两个像素单元包括OLED的电流不受驱动晶体管的阈值电压的影响，最终保证了图像显示的均匀性，且在充电阶段、放电阶段、第一补偿阶段和第二补偿阶段阶段保证无电流通过OLED，间接提高了OLED的使用寿命。
本发明实施例所述的像素驱动方法，用于驱动本发明第一实施例、第二实施例、第三实施例、第四实施例或第五实施例所述的像素驱动电路，包括：
在一时间周期的充电阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端的电位被充电至第二电平，第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端的电位被充电至第二电平；
在该时间周期的放电阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端的电位放电至第一驱动晶体管的阈值电压，并控制该第一存储电容的第二端接入数据电压；第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端的电位放电至第二驱动晶体管的阈值电压，并控制该第二存储电容的第二端接入数据电压；其中，在该放电阶段该数据电压为V0；
在该时间周期的第一补偿阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第二端接入所述数据电压，控制该第一存储电容的第一端浮接，从而控制第一驱动晶体管的栅源电压补偿该第一驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第一补偿阶段该数据电压跳变为V0+△V1；
在该时间周期的第二补偿阶段，第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端浮接，从而控制第二驱动晶体管的栅源电压补偿该第二驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第二补偿阶段该数据电压跳变为V0+△V2；
在该时间周期的发光阶段，第一驱动控制单元控制第一驱动晶体管驱动第一发光元件发光，第二驱动控制单元控制第二驱动晶体管驱动第二发光元件发光。
当本发明上述实施例所述的像素驱动电路包括的驱动TFT为n型TFT时，V0大于0，△V1和△V2都大于0，△V2大于△V1。
本发明第六实施例所述的像素驱动电路，用于驱动第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件的第一端和所述第二发光元件的第一端均接入第一电平；
所述像素驱动电路包括第一像素驱动单元和第二像素驱动单元；
所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管、第一存储电容和第一驱动控制单元；
该第一存储电容，第一端与该第一驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第一驱动控制单元接入数据电压；
该第一驱动晶体管，栅极通过该第一驱动控制单元与该第一驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第一驱动控制单元与所述第一发光元件的第二端连接，第二极通过该第一驱动控制单元接入第二电平；
所述第一驱动控制单元，用于通过该第二电平和该数据电压对所述第一存储电容进行重置充电，从而在第一补偿阶段通过对该数据电压施加跳变的电压以控制对所述第一驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制该第一驱动晶体管驱动所述第一发光元件发光；
所述第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管、第二存储电容和第二驱动控制单元；
该第二存储电容，第一端与该第二驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第二驱动控制单元接入数据电压；
该第二驱动晶体管，栅极通过该第二驱动控制单元与该第二驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第二驱动控制单元与所述第二发光元件的第二端连接，第二极通过该第二驱动控制单元接入第二电平；
所述第二驱动控制单元，用于通过该第二电平和该数据电压对所述第二存储电容进行重置充电，从而在第二补偿阶段通过对该数据电压施加跳变的电压以控制对所述第二驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制该第二驱动晶体管驱动所述第二发光元件发光。本发明该实施例所述的像素驱动电路，将传统的相邻的两具有阈值补偿功能的单像素驱动单元组合，使得第一像素驱动单元和第二像素驱动单元共用一条数据线，使用一个具有阈值补偿功能的像素驱动电路来在控制驱动两个像素单元在相应的补偿阶段进行阈值的跳变补偿，同时压缩用于补偿的TFT以及数据线的数目，可以大幅降低像素单元的开口率和成本，从而获得更高的画质和PPI(Pixels per inch，每英寸所拥有的像素数目)。
在具体实施时，所述发光元件可以是OLED；
如图6所示，本发明第七实施例所述的像素驱动电路，用于驱动第一有机发光二极管O1和第二有机发光二极管O2；
第一有机发光二极管O1的阴极和第二有机发光二极管O2的阴极均接入第一电平V1；
所述像素驱动电路包括控制第一有机发光二极管O1的第一像素驱动单元，以及控制第二有机发光二极管O2的第二像素驱动单元；
第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管D1、第一存储电容C1和第一驱动控制单元61；
该第一存储电容C1，第一端与该第一驱动晶体管D1的栅极连接，第二端通过该第一驱动控制单元61接入数据线Data上的数据电压；
该第一驱动晶体管D1，栅极通过该第一驱动控制单元61与该第一驱动晶体管D1的第一极连接，第一极通过该第一驱动控制单元61与所述第一有机发光二极管O1的阳极连接，第二极通过该第一驱动控制单元61接入第二电平V2；
第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管D2、第二存储电容C2和第二驱动控制单元62；
该第二存储电容C2，第一端与该第二驱动晶体管D2的栅极连接，第二端通过该第二驱动控制单元62接入数据线Data上的数据电压；
该第二驱动晶体管D2，栅极通过该第二驱动控制单元62与该第二驱动晶体管D2的第一极连接，第一极通过该第二驱动控制单元62与所述第二有机发光二极管O2的阳极连接，第二极通过该第二驱动控制单元62接入第二电平V2。
在如图6所示的像素驱动电路的实施例中，D1和D2都为p型TFT，此时第一电平V1为低电平，第二电平V2为高电平。
具体的，第一驱动控制单元的结构和第二驱动控制单元的结构可以相同。
具体的，所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管，栅极接入第一驱动控制信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管的栅极连接；
第二控制晶体管，栅极接入所述第一驱动控制信号，第一极接入数据电压，第二极与所述第一存储电容的第二端连接；
第三控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第二极连接，第二极接入所述第二电平；
以及，第四控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极与所述第一发光元件的第二端连接，第二极与该第一驱动晶体管的第一极连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管，栅极接入第二驱动控制信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管的栅极连接；
第六控制晶体管，栅极接入所述第二驱动控制信号，第一极接入数据电压，第二极与所述第二存储电容的第二端连接；
第七控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第二极连接，第二极接入所述第二电平；
以及，第八控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极与所述第二发光元件的第二端连接，第二极与该第二驱动晶体管的第一极连接。
具体的，在所述第一像素驱动单元中，所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管、所述第三控制晶体管和所述第四控制晶体管都为p型TFT，在所述第二像素驱动单元中，所述第二驱动晶体管、所述第五控制晶体管、所述第六控制晶体管、所述第七控制晶体管和所述第八控制晶体管都为p型TFT。
如图7所示，本发明第八实施例所述的像素驱动电路，用于驱动第一有机发光二极管O1和第二有机发光二极管O2；
第一有机发光二极管O1的阴极和第二有机发光二极管O2的阴极均接地端GND；
所述像素驱动电路包括控制第一有机发光二极管O1的第一像素驱动单元，以及控制第二有机发光二极管O2的第二像素驱动单元；
所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管D1、第一存储电容C1和第一驱动控制单元；
该第一存储电容C1，第一端a1与该第一驱动晶体管D1的栅极连接；
所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管T1，第一极与所述第一驱动晶体管D1的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管D1的栅极连接；
第二控制晶体管T2，第一极接入数据线Data上的数据电压，第二极与所述第一存储电容C1的第二端b1连接；
第三控制晶体管T3，栅极接入第一扫描信号Scan1，第一极与所述第一驱动晶体管D1的第二极连接，第二极接入所述高电平Vdd；
以及，第四控制晶体管T4，栅极接入第二扫描信号Scan2，第一极与所述第一有机发光二极管O1的阳极连接，第二极与该第一驱动晶体管D1的第一极连接；
第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管D2、第二存储电容C2和第二驱动控制单元；
该第二存储电容C2，第一端a2与该第二驱动晶体管D2的栅极连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管T5，第一极与所述第二驱动晶体管D2的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管D2的栅极连接；
第六控制晶体管T6，第一极接入数据线Data上的数据电压，第二极与所述第二存储电容C2的第二端b2连接；
第七控制晶体管T7，栅极接入第一扫描信号Scan1，第一极与所述第二驱动晶体管D2的第二极连接，第二极接入所述高电平Vdd；
以及，第八控制晶体管T8，栅极接入第二扫描信号Scan2，第一极与所述第二有机发光二极管O2的阳极连接，第二极与该第二驱动晶体管D2的第一极连接；
在第一驱动控制单元中，T1的栅极和T2的栅极均接入第三扫描信号Scan3；
在第二驱动控制单元中，T5的栅极和T6的栅极均接入第四扫描信号Scan4；
T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7、T8、D1和D2都为p型TFT。
在如图7所示的像素驱动电路的实施例中，所有TFT均为p型TFT，统一工艺流程，有助于提高产品良率。
从图7中可以看出，原本的两个具有阈值补偿功能的像素驱动单元被合并为一个像素驱动电路，并且只由一根数据线Data控制，其中，T1、T2、T3、T4、T5、T6、T7和T8都为开关TFT，D1和D2为像素的驱动TFT，Scan1、Scan2、Scan3和Scan4都为扫描信号，控制开关TFT导通或断开。
如图7所示的像素驱动电路的工作过程如下：
如图8所示，在第一阶段，即重置充电阶段，Scan1、Scan3和Scan4均为低电平，Scan2为高电平；
如图9A所示，除T4和T8外所有的TFT均导通，Vdd通过T3、D1和T1开始对a1点进行充电，一直将a1点的电位充电至Vdd-Vth1为止(满足D1的栅源之间的压差为Vth1，Vth1为D1的阈值电压)，在该过程中，由于b1点接通数据电压Vdata，此时b1点的电位为△V1，所以当充电完毕后，C1两端的电位差会一致维持在Vdd-Vth1-△V1，另外由于T4达到关闭使得电流不会流过O1，间接降低了O1的寿命损耗；
同理，另一个像素单元的C2两端的电位差会一直维持在Vdd-Vth2-△V1，Vth2为D2的阈值电压；
如图8所示，在第二阶段，即第一补偿阶段，Scan1和Scan2都为高电平，Scan3和Scan4都为低电平；
如图9B所示，由于Vdata由第一阶段时的△V1跳变为第二阶段时的△V2(V2大于V1)，由于a1点浮接，因此a1点的电位Va1和b1点的电位Vb1实现电位等量跳变(保持原来的电位差，原来的电位差为Vdd-Vth1-V1),所以此时a1点的电位Va1＝Vdd-Vth1+△V2-△V1，并稳定住；
同理，a2点的电位Va2＝Vdd-Vth2+△V2-△V1；
如图8所示，在第三阶段，即第二补偿阶段，Scan1、Scan2和Scan3都为高电平，Scan4为低电平；
如图9C所示，Vdata跳变为V3，V3大于V2，C2的第二端b2的电位Vb2由△V2变为△V3，由于a2点浮接，Va2和Vb2实现电位等量跳变(保持原来的电位差，原来的电位差为Vdd-Vth2-△V1)，所以a2点的电位Va2＝Vdd-Vth2+△V3-△V1，并稳定住；
如图8所示，在第四阶段，即发光阶段，Scan1和Scan2都为低电平，Scan3和Scan4都为高电平；
如图9D所示，经过两次电压补偿、跳变过程后，OLED进入正式发光阶段，导通情况如图9D所示，工作电压接Vdd，两像素通过各自路径进行发光；
由TFT饱和电流公式可以得到：
流过O1的电流IO1＝K(VGS1-Vth1)2＝K[Vdd-(Vdd-Vth1+△V2-△V1)-Vth1]2＝K(△V2-△V1)2；其中，K为固定参数，VGS1为D1的栅源电压；
同理，流过O2的电流IO2的电流为K(V3-V1)2。
本发明实施例所述的像素驱动电路通过依次对包括第一有机发光二极管的第一像素单元以及包括第二有机发光二极管的第二像素进行跳变补偿，通过对Vdata施加跳变信号，即在不同时区通过信号叠加跳变的方式，实现像素补偿，解决了双像素点驱动TFT由于工艺制程及长时间的操作造成阈值电压不均一的问题，使得流过两个像素单元包括OLED的电流不受驱动晶体管的阈值电压的影响，最终保证了图像显示的均匀性，且补偿、跳变阶段保证无电流通过OLED，间接提高了OLED的使用寿命。
本发明实施例所述的像素驱动方法，用于驱动本发明第五实施例、第六实施例或第七实施例所述的像素驱动电路，包括：
在一时间周期的重置充电阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端的电位被充电至第二电平与第一驱动晶体管的阈值电压的差值，并控制该第一存储电容的第二端接入数据电压；第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端的电位被充电至第二电平与第二驱动晶体管的阈值电压的差值，并控制该第二存储电容的第二端接入数据电压；在重置充电阶段所述数据电压为△V1；
在该时间周期的第一补偿阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端浮接，从而控制第一驱动晶体管的栅源电压补偿该第一驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第一补偿阶段该数据电压跳变为△V2；
在该时间周期的第二补偿阶段，第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端浮接，从而控制第二驱动晶体管的栅源电压补偿该第二驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第二补偿阶段该数据电压跳变为△V3；
在该时间周期的发光阶段，第一驱动控制单元控制第一驱动晶体管驱动第一发光元件发光，第二驱动控制单元控制第二驱动晶体管驱动第二发光元件发光。
当本发明实施例所述的像素驱动电路包括的驱动TFT为p型TFT时，△V1、△V2和△V3都大于0，且△V3大于△V2，V2大于△V1。
与现有技术中在每个像素单元中都设置具有阈值补偿功能的像素驱动电路不同的是，一本发明实施例所述的像素驱动电路设置于如图10所示的像素电路中的两相邻像素单元中，该两相邻像素单元共用一数据线；在图10中，例如可以是本发明实施例所述的像素驱动电路设置于相邻的红色像素单元R和绿色像素单元G中，也可以是本发明实施例所述的像素驱动电路设置于相邻的绿色像素单元G和蓝色像素单元B中。
本发明实施例所述的显示面板包括上述的像素驱动电路。
本发明实施例所述的显示装置包括上述的显示面板。
优选的，该显示装置具体可以为AMOLED显示装置。
本发明所述的像素电路、有机发光显示面板与显示装置优选采用LTPS(低温多晶硅技术)制程下，这种多TC的设计(多个晶体管+电容)设计，不会影响到模组的开口率。
本发明所述的像素电路、有机发光显示面板与显示装置也可采用非晶硅工艺。
需指出的是，本发明实施例所提供的像素电路可采用非晶硅、多晶硅、氧化物等工艺的薄膜晶体管。本发明实施例所述的像素电路采用的晶体管的类型可以根据实际需要更换。而且，尽管上述实施例中以有源矩阵有机发光二极管为例进行了说明，然而本发明不限于使用有源矩阵有机发光二极管的显示装置，也可以应用于使用其他各种发光二极管的显示装置。
以上所述仅是本发明的实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也应视为本发明的保护范围。

Claims (5)

1.一种像素驱动电路，用于驱动第一发光元件和第二发光元件，所述第一发光元件的第一端和所述第二发光元件的第一端均接入第一电平；其特征在于，
所述像素驱动电路包括第一像素驱动单元和第二像素驱动单元；
所述第一像素驱动单元包括第一驱动晶体管、第一存储电容和第一驱动控制单元；
该第一存储电容，第一端与该第一驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第一驱动控制单元接入数据电压；
该第一驱动晶体管，栅极通过该第一驱动控制单元与该第一驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第一驱动控制单元与所述第一发光元件的第二端连接，第二极通过该第一驱动控制单元接入第二电平；
所述第一驱动控制单元，用于通过该第二电平和该数据电压对所述第一存储电容进行重置充电，从而在第一补偿阶段通过对该数据电压施加跳变的电压以控制对所述第一驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制该第一驱动晶体管驱动所述第一发光元件发光；
所述第二像素驱动单元包括第二驱动晶体管、第二存储电容和第二驱动控制单元；
该第二存储电容，第一端与该第二驱动晶体管的栅极连接，第二端通过该第二驱动控制单元接入数据电压；
该第二驱动晶体管，栅极通过该第二驱动控制单元与该第二驱动晶体管的第一极连接，第一极通过该第二驱动控制单元与所述第二发光元件的第二端连接，第二极通过该第二驱动控制单元接入第二电平；
所述第二驱动控制单元，用于通过该第二电平和该数据电压对所述第二存储电容进行重置充电，从而在第二补偿阶段通过对该数据电压施加跳变的电压以控制对所述第二驱动晶体管的阈值电压进行跳变补偿，并控制该第二驱动晶体管驱动所述第二发光元件发光；
所述第一驱动控制单元的结构和所述第二驱动控制单元的结构相同；
所述第一驱动控制单元包括：
第一控制晶体管，栅极接入第一驱动控制信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第一驱动晶体管的栅极连接；
第二控制晶体管，栅极接入所述第一驱动控制信号，第一极接入数据电压，第二极与所述第一存储电容的第二端连接；
第三控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第一驱动晶体管的第二极连接，第二极接入所述第二电平；
以及，第四控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极与所述第一发光元件的第二端连接，第二极与该第一驱动晶体管的第一极连接；
所述第二驱动控制单元包括：
第五控制晶体管，栅极接入第二驱动控制信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第一极连接，第二极与该第二驱动晶体管的栅极连接；
第六控制晶体管，栅极接入所述第二驱动控制信号，第一极接入数据电压，第二极与所述第二存储电容的第二端连接；
第七控制晶体管，栅极接入第一扫描信号，第一极与所述第二驱动晶体管的第二极连接，第二极接入所述第二电平；
以及，第八控制晶体管，栅极接入第二扫描信号，第一极与所述第二发光元件的第二端连接，第二极与该第二驱动晶体管的第一极连接。
2.如权利要求1所述的像素驱动电路，其特征在于，
在所述第一像素驱动单元中，所述第一驱动晶体管、所述第一控制晶体管、所述第二控制晶体管、所述第三控制晶体管和所述第四控制晶体管都为p型TFT，在所述第二像素驱动单元中，所述第二驱动晶体管、所述第五控制晶体管、所述第六控制晶体管、所述第七控制晶体管和所述第八控制晶体管都为p型TFT。
3.一种像素驱动方法，用于驱动如权利要求1或2所述的像素驱动电路，其特征在于，包括：
在一时间周期的重置充电阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端的电位被充电至第二电平与第一驱动晶体管的阈值电压的差值，并控制该第一存储电容的第二端接入数据电压；第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端的电位被充电至第二电平与第二驱动晶体管的阈值电压的差值，并控制该第二存储电容的第二端接入数据电压；在重置充电阶段所述数据电压为△V1；
在该时间周期的第一补偿阶段，第一驱动控制单元控制第一存储电容的第一端浮接，从而控制第一驱动晶体管的栅源电压补偿该第一驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第一补偿阶段该数据电压跳变为△V2；
在该时间周期的第二补偿阶段，第二驱动控制单元控制第二存储电容的第一端浮接，从而控制第二驱动晶体管的栅源电压补偿该第二驱动晶体管的阈值电压；其中，在该第二补偿阶段该数据电压跳变为△V3；
在该时间周期的发光阶段，第一驱动控制单元控制第一驱动晶体管驱动第一发光元件发光，第二驱动控制单元控制第二驱动晶体管驱动第二发光元件发光。
4.一种显示面板，其特征在于，包括如权利要求1或2所述的像素驱动电路。
5.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求4所述的显示面板。
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