CN104241509B - 电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备 - Google Patents

电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备 Download PDF

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Abstract

本发明涉及电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备。电光装置的特征在于，具备具有第一面和与上述第一面交叉的端面的基板、配置在上述第一面上的发光元件、覆盖上述发光元件的平坦化层、以及配置在上述平坦化层上的第一无机密封层，上述第一无机密封层的外缘配置在上述平坦化层的外缘与配置有上述发光元件的第一区域之间。

Description

电光装置、电光装置的制造方法以及电子设备
技术领域
本发明涉及电光装置、该电光装置的制造方法以及搭载了该电光装置的电子设备。
背景技术
作为电光装置的一个例子的有机电致发光(EL)装置是自发光型显示装置，例如与液晶装置等非发光型显示装置相比，由于不需要作为光源的背光灯所以在薄型化、轻型化方面有利，人们正在期待一种应用于电子取景器等的、作为微型显示器的应用。有机EL装置具备作为发光元件的有机EL元件，该有机EL元件由阳极、阴极、以及由这些电极挟着的发光功能层等构成。由于发光功能层会因氧、水分(湿气)等而劣化，所以有机EL元件被阻隔氧、水分的阻挡膜覆盖。
例如，在专利文献1中，在以无机化合物膜(硅酸氮化物、硅氧化物等)和热固化性树脂(环氧树脂)交替层叠而成的多层膜覆盖的支持基板(母基板)形成多个有机EL装置后，通过对断开线处照射激光来断开母基板，形成单体的有机EL装置。配置在有机EL装置的有机EL元件被无机化合物膜和热固化性树脂交替层叠而成的多层膜、以及无机化合物膜和中间膜层叠而成的密封膜覆盖，通过该多层膜和该密封膜，水分对有机EL元件的影响被切断，能够较大地提高有机EL元件的可靠性。
专利文献1：日本特开2004－119138号公报
然而，在专利文献1的方法中，存在难以完全切断水分的影响这一技术问题。
具体而言，由于无机化合物膜(硅酸氮化物，硅氧化物等)和热固化性树脂(环氧树脂)交替层叠而成的多层膜、无机化合物膜(硅酸氮化物，硅氧化物等)和中间膜层叠而成的密封膜跨越上述断开线而形成，所以需要沿着断开线来断开这些多层膜和密封膜。构成无机化合物膜的硅酸氮化物、硅氧化物与例如构成热固化性树脂的环氧树脂相比，柔软性不良，容易由于应力、形变(变形)而产生裂缝。在沿着断开线来断开母基板的情况下，断开线附近的多层膜、密封膜无论如何都要被施加应力、形变，容易在构成多层膜、密封膜的无机化合物膜产生裂缝。根据裂缝的状态，有可能经由裂缝向有机EL元件侵入水分。
而且，在长时间使用有机EL装置的情况下，有机EL装置被施加热、力等外压力，在母基板的断开时产生的裂缝变大(生长)，有可能向有机EL元件侵入水分。即，存在长期可靠性降低的风险这一技术问题。
发明内容
本发明是为了解决上述课题的至少一部分而提出的，能够以以下的方式或者应用例实现。
应用例1
本应用例涉及的电光装置的特征在于，具备：具有第一面和与上述第一面交叉的端面的基板；配置在上述第一面上的发光元件；覆盖上述发光元件的平坦化层；以及配置在上述平坦化层上的第一无机密封层，上述第一无机密封层的外缘配置在上述平坦化层的外缘与配置有上述发光元件的第一区域之间。
在本应用例中，第一无机密封层的外缘配置在平坦化层的外缘与配置有发光元件的第一区域之间，即离开基板的端面(断开线)。
由于第一无机密封层的外缘离开断开线而配置，所以使断开线的初始裂纹进展的应力的影响变小，不容易通过该应力而在第一无机密封层产生缺陷(裂缝等)。因此，能够抑制水分、氧经由第一无机密封层的缺陷向发光元件侵入，能够抑制由于水分、氧引起的发光元件的劣化。因此，能够提高电光装置的长期可靠性。
应用例2
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，在上述发光元件与上述平坦化层之间具备覆盖上述第一区域的第二无机密封层，上述第二无机密封层的外缘配置在上述平坦化层的外缘与上述第一区域之间。
第二无机密封层的外缘配置在平坦化层的外缘与配置有发光元件的第一区域之间。即，第二无机密封层的外缘离开端面(断开线)而配置。由于第二无机密封层的外缘离开端面(断开线)而配置，所以使断开线的初始裂纹进展的应力的影响变小，不容易通过该应力而在第二无机密封层产生缺陷(裂缝等)。
应用例3
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，上述第一无机密封层的外缘离开上述端面0.1mm以上。
若利用工具等在母基板沿着断开线形成初始裂纹，使该初始裂纹进展的应力(拉伸应力)作用，使母基板沿着断开线断开，则以与断开线对应的端面为基点，有可能在基板的第一面产生面缺陷(贝壳形状的缺口等)、线缺陷(裂缝等)。该面缺陷、线缺陷大多数在以端面为基点的0.1mm为止的范围内产生。通过将第一无机密封层的外缘离开端面0.1mm以上而配置，能够实现在断开母基板时，不容易通过在基板的第一面产生的面缺陷、线缺陷而在第一无机密封层产生缺陷这一情况。
应用例4
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，上述第二无机密封层的外缘离开上述端面0.1mm以上。
通过将第二无机密封层的外缘离开端面0.1mm以上而配置，能够抑制在断开母基板时在基板的第一面产生的面缺陷、线缺陷的影响。即，能够实现在断开母基板时，不容易通过在基板的第一面产生的面缺陷、线缺陷而在第二无机密封层产生缺陷这一情况。
应用例5
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，上述第一面具有第一边、与上述第一边交叉的第二边和第三边、以及与上述第一边对置的第四边，在上述第一边与上述第一区域之间具备沿着上述第一边在上述第一面上配置的端子，上述平坦化层的外缘配置在上述第一边与配置有上述端子的第二区域之间、上述第二边与上述第一区域之间、上述第三边与上述第一区域之间、以及上述第四边与上述第一区域之间，上述平坦化层具有使上述端子露出的开口部，上述第一无机密封层具有沿着上述第一边的外缘、沿着上述第二边的外缘、沿着上述第三边的外缘以及沿着上述第四边的外缘，上述第一无机密封层的沿着上述第一边的外缘配置在上述第一区域与上述第二区域之间，上述第一无机密封层的沿着上述第二边的外缘、沿着上述第三边的外缘、以及沿着上述第四边的外缘配置在上述端面与上述第一区域之间。
元件基板主体的第一面具有第一边、与第一边交叉的第二边和第三边、以及与第一边对置的第四边。此外，第一边、第二边、第三边以及第四边与母基板的断开线对应。平坦化层的外缘配置在第一边与配置有端子的第二区域之间、第二边与第一区域之间、第三边与第一区域之间、以及第四边与第一区域之间。即，平坦化层的外缘离开断开线而配置。第一无机密封层的沿着第一边的外缘配置在第一区域与第二区域之间。第一无机密封层的沿着第二边的外缘、沿着上述第三边的外缘、以及沿着第四边的外缘配置在基板主体的端面(第二边、第三边、第四边)与第一区域之间。即，第一无机密封层的外缘离开断开线而配置。
由于平坦化层的外缘以及第一无机密封层的外缘离开断开线而配置，所以能够减小断开母基板时的影响，即减小使断开线的初始裂纹进展的应力的影响，不容易通过该应力而在平坦化层以及第一无机密封层产生缺陷(裂缝等)。
应用例6
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，上述第一面具有第一边、与上述第一边交叉的第二边和第三边、以及与上述第一边对置的第四边，在上述第一边与上述第一区域之间具有沿着上述第一边在上述第一面上配置的端子，上述平坦化层的外缘以及上述第一无机密封层的外缘配置在配置有上述端子的第二区域与上述第一区域之间、上述第二边与上述第一区域之间、上述第三边与上述第一区域之间、以及上述第四边与上述第一区域之间。
元件基板主体的第一面具有第一边、与第一边交叉的第二边和第三边、与第一边对置的第四边。此外，第一边、第二边、第三边以及第四边与母基板的断开线对应。平坦化层的外缘以及上述第一无机密封层的外缘配置在第一区域与第二区域之间，第二边与第一区域之间、第三边与第一区域之间、以及上述第四边与上述第一区域之间。即，平坦化层的外缘以及上述第一无机密封层的外缘离开断开线而配置。由于平坦化层的外缘以及第一无机密封层的外缘离开断开线而配置，所以能够减小断开母基板时的影响，即，使断开线的初始裂纹进展的应力的影响，不容易通过该应力而在平坦化层以及第一无机密封层产生缺陷(裂缝等)。
应用例7
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，上述第一面具有第一边、与上述第一边交叉的第二边和第三边、以及与上述第一边对置的第四边，在上述第一边与上述第一区域之间具有沿着上述第一边在上述第一面上配置的端子，上述第二无机密封层的外缘配置在上述第一边与配置有上述端子的第二区域之间、上述第二边与上述第一区域之间、上述第三边与上述第一区域之间、以及上述第四边与上述第一区域之间，上述第二无机密封层具有使上述端子露出的开口部。
元件基板主体的第一面具有第一边、与第一边交叉的第二边和第三边、与第一边对置的第四边。此外，第一边、第二边、第三边以及第四边与母基板的断开线对应。第二无机密封层的外缘配置在第一边与配置有端子的第二区域之间、第二边与第一区域之间、第三边与第一区域之间、以及第四边与第一区域之间。即，第二无机密封层的外缘离开断开线而配置。由于第二无机密封层的外缘离开断开线而配置，所以能够减小断开母基板时的影响，即。减小使断开线的初始裂纹进展的应力的影响，不容易通过该应力而在第二无机密封层产生缺陷(裂缝等)。
应用例8
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，上述第一面具有第一边、与上述第一边交叉的第二边和第三边、以及与上述第一边对置的第四边，
在上述第一边与上述第一区域之间具有沿着上述第一边配置在上述第一面上的端子，上述第二无机密封层的外缘配置在上述第一区域与配置有上述端子的第二区域之间、上述第二边与上述第一区域之间、上述第三边与上述第一区域之间、以及上述第四边与上述第一区域之间。
元件基板主体的第一面具有第一边、与第一边交叉的第二边以及第三边、与第一边对置的第四边。此外，第一边、第二边、第三边以及第四边与母基板的断开线对应。第二无机密封层的外缘配置在第一区域与第二区域之间、第二边与第一区域之间、第三边与第一区域之间、以及上述第四边与上述第一区域之间。即，第二无机密封层的外缘离开断开线而配置。由于第二无机密封层的外缘离开断开线而配置，所以能够减小断开母基板时的影响，即，减小使断开线的初始裂纹进展的应力的影响，不容易通过该应力而在第二无机密封层产生缺陷(裂缝等)。
应用例9
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，具备在上述第一无机密封层的上方被配置成覆盖上述第一区域的保护基板、和配置在上述第一无机密封层与上述保护基板之间的粘合层，上述第一无机密封层被上述粘合层覆盖。
在第一无机密封层的上方，以覆盖第一区域的方式配置有保护基板，在第一无机密封层与保护基板之间配置有粘合层，第一无机密封层被粘合层覆盖。在用工具在母基板的断开线形成初始裂纹(切筋)时，有时候产生并飞散切屑(碎玻璃)。即使在该情况下也由于第一无机密封层被粘合层覆盖，所以不容易由于该切屑(碎玻璃)的飞散而破损。而且，由于在第一无机密封层的上方，以覆盖第一区域(配置有发光元件的区域)的方式配置有保护基板，所以第一无机密封层由于保护基板而不容易破损，能够更强地抑制水分、氧向发光元件的侵入。
应用例10
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，具备滤光器，上述滤光器在上述第一无机密封层上具有红色的着色层、绿色的着色层以及蓝色的着色层，上述第一无机密封层被上述红色的着色层、上述绿色的着色层以及上述蓝色的着色层中的至少一个覆盖。
第一无机密封层被红色的着色层、绿色的着色层以及蓝色的着色层中的至少一个覆盖。在用工具在母基板的断开线形成初始裂纹(切筋)时，有时候产生并飞散切屑(碎玻璃)。即使在该情况下也由于第一无机密封层被着色层覆盖，所以不容易由于该切屑(碎玻璃)的飞散而破损。
应用例11
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，在上述滤光器的上方具备被配置成覆盖上述第一区域的保护基板、和配置在上述滤光器与上述保护基板之间的粘合层。
由于在覆盖第一无机密封层的着色层(滤光器)的上方，以覆盖第一区域(配置有发光元件的区域)的方式配置有保护基板，所以第一区域的第一无机密封层由于保护基板而不容易破损，能够更强地抑制水分、氧向发光元件的侵入。
应用例12
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，上述平坦化层由通过聚硅氮烷或者溶胶凝胶法形成的金属氧化物、以及环氧树脂中的任意一个构成。
平坦化层由通过聚硅氮烷或者溶胶凝胶法形成的金属氧化物、以及环氧树脂中的任意一个构成。该金属氧化物、该环氧树脂具有比例如聚乙烯、聚苯乙烯、聚丙烯等烃类高分子更致密的膜结构，水、氧的阻隔性能优良。通过由该金属氧化物、该环氧树脂构成平坦化层，能够与由烃类高分子构成平坦化层的情况相比，提高水、氧的阻隔性能。
应用例13
优选地，在上述应用例记载的电光装置中，上述平坦化层的杨氏模量为100GPa以下，上述第一无机密封层的杨氏模量在140GPa～200GPa的范围内。
平坦化层(杨氏模量100GPa以下)由比第一无机密封层(杨氏模量140GPa～200Gpa)柔软的材料构成，不容易产生裂缝、较厚地形成。由于能够较厚地形成平坦化层，所以能够缓和基板的弯曲、异物等的影响，形成平坦的面。例如，在发光元件附着异物的情况下，能够由平坦化层埋入(覆盖)异物。第一无机密封层是杨氏模量140GPa～200Gpa的硬的(致密的)膜，与平坦化层相比，氧、水分的阻隔性能更优良。通过在基板的弯曲、异物等的影响被缓和而成为平坦的面，即、平坦化层的表面形成第一无机密封层，从而不容易在第一无机密封层产生缺陷，能够提高水分、氧的阻隔性能。
应用例14
本应用例涉及的电子设备的特征在于具备上述应用例记载的电光装置。
本应用例涉及的电子设备具备上述应用例记载的电光装置，在该电光装置中，通过平坦化层以及第一无机密封层抑制发光元件的劣化，在长期可靠性方面优良。例如，通过将上述应用例记载的电光装置用于头戴式显示器、数字照相机、个人计算机、便携式信息终端、导航，阅读器、平视显示器等电子设备的显示部，能够实现长期可靠性优良的稳定的显示。
应用例15
本应用例涉及的电光装置的制造方法是具备：具有发光元件、平坦化层以及第一无机密封层的基板、与上述基板对置配置的保护基板、以及配置在上述基板与上述保护基板之间的粘合层的电光装置的制造方法，上述电光装置的制造方法的特征在于，具有：形成覆盖配置有上述发光元件的第一区域的上述平坦化层的工序；以在上述第一区域与上述平坦化层的外缘之间配置外缘的方式，形成覆盖上述平坦化层的至少一部分的上述第一无机密封层的工序；针对上述第一无机密封层实施氧等离子体处理的工序；以及，在上述第一无机密封层与上述保护基板之间配置粘合材料，一边按压上述保护基板一边使上述粘合材料固化来形成覆盖上述第一无机密封层的上述粘合层，并借助上述粘合层来贴合上述保护基板与上述基板的工序。
在本应用例涉及的电光装置的制造方法中，按照在配置有发光元件的第一区域与平坦化层的外缘之间配置外缘的方式形成第一无机密封层，在对第一无机密封层实施氧等离子体处理后，在第一无机密封层与保护基板之间配置粘合材料，形成覆盖第一无机密封层的粘合层，借助粘合层在基板贴合保护基板。由于第一无机密封层的表面被氧等离子体改质，所以粘合层能够以稳定的粘合强度均匀地覆盖第一无机密封层。而且，第一无机密封层借助粘合层而配置(粘合)有保护基板。因此，第一无机密封层被粘合层以及保护基板更强地保护，更不容易破损。
应用例16
本应用例涉及的电光装置的制造方法是使用配置有多个由发光元件、平坦化层以及第一无机密封层依次层叠而成的光电装置的母基板的电光装置的制造方法，上述电光装置的制造方法的特征在于，具有跨越将单体的上述电光装置从上述母基板断开的断开线而在上述母基板形成覆盖上述发光元件的上述平坦化层的工序；在上述配置的多个电光装置的每一个电光装置形成从上述断开线分离0.1mm以上，且夹着上述平坦化层而与上述发光元件对置的上述第一无机密封层的工序、以及沿着上述断开线断开上述母基板的工序。
在本应用例涉及的电光装置的制造方法中，在抑制发光元件的劣化的第一无机密封层从断开线分离0.1mm以上地形成于在母基板配置有多个的电光装置的每一个电光装置的状态下，沿着断开线断开母基板，形成单体的电光装置。由于第一无机密封层从断开线分离0.1mm以上，所以由于沿着断开线进行断开而作用的应力的影响变小，不容易通过该应力而在第一无机密封层产生缺陷。
附图说明
图1是表示实施方式1涉及的有机EL装置的电构成的等效电路图。
图2是表示实施方式1涉及的有机EL装置的构成的俯视图。
图3是表示沿着图2的A－A’线的有机EL面板的结构的剖视图。
图4是表示沿着图2的B－B’线的有机EL面板的结构的概要剖视图。
图5是实施方式1涉及的有机EL装置的端子区域的概要俯视图。
图6是表示有机EL面板的制造方法的概要的工序流程。
图7是表示经过图6的主要工序后的有机EL面板的状态的概要俯视图。
图8是表示经过图6的主要工序后的有机EL面板的状态的概要俯视图。
图9表示经过图6的主要工序后的有机EL面板的状态的概要俯视图。
图10是表示实施方式2涉及的有机EL装置的构成的概要俯视图。
图11是沿图10的A－A’线的有机EL面板的概要剖视图。
图12是沿图10的B－B’线的有机EL面板的概要剖视图。
图13是实施方式2涉及的有机EL装置的端子区域的概要俯视图。
图14是实施方式3涉及的有机EL装置的概要俯视图。
图15是沿着图14的B－B’线的有机EL面板的概要剖视图。
图16是表示第一无机密封层以及平坦化层的优选例的示意俯视图。
图17是表示第二无机密封层的优选例的示意俯视图。
图18(a)是头戴式显示器的概要图。(b)是数字照相机的概要图。
具体实施方式
以下，参照附图，对本发明的实施方式进行说明。该实施方式表示本发明的一个方式，并不限定本发明，能够在本发明的技术思想的范围内任意地变更。此外，在以下的各图中，由于使各层、各部位成为在附图上能够识别程度的大小，所以使各层、各部位的比例尺与实际不同。
实施方式1
有机EL装置的概要
实施方式1涉及的有机EL装置100是电光装置的一个例子，显示白黑图像，例如能够优选地使用于后述的HMD(Head Mounted Display：头戴式显示器)、数字照相机等的显示部等。
首先，参照图1以及图2对本实施方式涉及的有机EL装置100的概要进行说明。图1是表示本实施方式涉及的有机EL装置的电构成的等效电路图。图2是表示本实施方式涉及的有机EL装置的构成的概要俯视图。
如图1所示，本实施方式的有机EL装置100具有相互交叉的多个扫描线12以及多个数据线13、分别与多个数据线13并列的多个电源线14。扫描线12与扫描线驱动电路16连接，数据线13与数据线驱动电路15连接。此外，像素18与多个扫描线12和多个数据线13的各交叉部对应而被配置成矩阵状。
像素18具有作为发光元件的有机EL元件30、和控制有机EL元件30的驱动(发光)的像素电路20。
有机EL元件30具有作为阳极发挥功能的像素电极31、作为阴极发挥功能的对置电极33、以及包括设置在像素电极31和对置电极33之间的有机发光层的发光功能层32。这样的有机EL元件30在电学上可以记载为二极管，发光功能层32通过在有机EL元件30流通的电流而发光。具体而言，从像素电极31向发光功能层32供给空穴，从对置电极33向发光功能层32供给电子，空穴和电子在发光功能层32结合，发光功能层32发白色光。
有机EL元件30是本发明中的“发光元件”的一个例子。
像素电路20包括开关用晶体管21、积存电容22以及驱动用晶体管23。两个晶体管21、23例如能够使用n沟道型或p沟道型的薄膜晶体管(Thin Film transistor，以下称为TFT)等而构成。
开关用TFT21的栅极与扫描线12连接。开关用TFT21的源极或者漏极中的一方与数据线13连接。开关用TFT21的源极或者漏极中的另一方与驱动用TFT23的栅极连接。
驱动用TFT23的源极或者漏极中的一方与有机EL元件30的像素电极31连接。驱动用TFT23的源极或者漏极中的另一方与电源线14连接。驱动用TFT23的栅极和电源线14之间连接有积存电容22。
若扫描线12被驱动而使开关用TFT21成为导通状态，则基于此时从数据线13提供的图像信号的电位经由开关用TFT21被保持于积存电容22。根据该积存电容22的电位、即驱动用TFT23的栅极电位，来决定驱动用TFT23的导通、截止状态。然后，若驱动用TFT23成为导通状态，则与栅极电位对应量的电流从电源线14经由驱动用TFT23流入由像素电极31和对置电极33夹着的发光功能层32。有机EL元件30基于流入发光功能层32的电流量而发光。
如图2所示，有机EL装置100由有机EL面板1、挠性电路基板(以下，称为FPC)105等构成。
有机EL面板1具有元件基板10(元件基板主体11)、与元件基板10对置配置的保护基板40等。
元件基板10具有作为基材的元件基板主体11。在元件基板主体11的与保护基板40对置的一侧的面9配置有上述的像素18(有机EL元件30)、扫描线驱动电路16、数据线驱动电路15、扫描线12、数据线13、以及电源线14等。
元件基板主体11由例如石英、玻璃等透光性材料构成。此外，元件基板主体11可以不具有透光性，可以由例如硅、陶瓷等不透明材料构成。元件基板10比保护基板40大，且元件基板主体11的一边从保护基板40较大地伸出。以下，将从保护基板40较大地伸出的元件基板主体11的一边称为第一边9a。将与第一边9a交叉的(正交的)边称为第二边9b以及第三边9c，将与第一边9a对置的边称为第四边9d。此外，由第一边9a、第二边9b、第三边9c以及第四边9d围起的区域(面)成为元件基板主体11的与保护基板40对置的一侧的面9。
元件基板主体11是本发明中的“基板”的一个例子。元件基板主体11的与保护基板40对置的一侧的面9是本发明中的“第一面”的一个例子，以下称为表面9。
而且，将沿着第一边9a以及第四边9d的方向设为X方向，沿着第二边9b以及第三边9c的方向设为Y方向，将与X方向以及Y方向正交且从元件基板10朝向保护基板40的方向设为Z方向来进行说明。
如上所述，有机EL元件30具有像素电极31、发光功能层32、以及对置电极33。
像素电极31在X方向以及Y方向上矩阵状地配置，形成像素电极区域E1。即，像素电极31在每一像素18岛状地配置。像素电路20(开关用TFT21、积存电容22、驱动用TFT23等)与像素电极31对应地设置在每一像素18。伴随着像素电路20的动作，与像素电极31相接的发光功能层32发出白色光。配置有像素电极31的区域、即像素电极区域E1成为显示图像的显示区域。
发光功能层32被配置成覆盖像素电极区域E1。配置有发光功能层32的区域成为发光功能层区域E2。在从Z方向观察时，发光功能层区域E2被配置成覆盖像素电极区域E1且比像素电极区域E1大。
对置电极33被配置成覆盖发光功能层区域E2。配置有对置电极33的区域成为对置电极区域E3。在从Z方向观察时，对置电极区域E3被配置成覆盖发光功能层区域E2且比发光功能层区域E2大。
发光元件区域E由像素电极区域E1、发光功能层区域E2以及对置电极区域E3构成。在从Z方向观察时，由于对置电极区域E3最大，所以对置电极区域E3成为发光元件区域E。
此外，发光元件区域E是本发明中的“第一区域”的一个例子。
在从保护基板40较大地伸出部分的元件基板主体11的表面9，多个端子101在X方向排列。配置有端子101的区域成为端子区域T。在第二边9b与像素电极区域E1之间、以及第三边9c与像素电极区域E1之间分别配置有扫描线驱动电路16。在第四边9d与像素电极区域E1之间配置有检查电路17。
在第二边9b与扫描线驱动电路16之间、第三边9c与扫描线驱动电路16之间、以及第四边9d与检查电路17之间配置有布线层29。换言之，布线层29被配置成包围两个扫描线驱动电路16和检查电路17。上述的对置电极区域E3从Z方向观察时与布线层29重叠且被配置成覆盖布线层29。在对置电极区域E3与布线层29重叠的区域设置有用于布线层29和对置电极33电连接的接触孔46(参照图4)。
如上所述，有机EL元件30是根据在发光功能层32流过的电流量而发光的发光元件。流过最大电流的是跨越多个像素电极31而配置的对置电极33。例如，若由布线层29构成的布线(阴极布线)的布线电阻变高，被供给至对置电极33的电流变小，则存在有机EL元件30的亮度变小(变暗)这一不良情况。因此，布线层29的阴极布线的布线宽度比其他布线大(宽)。
保护基板40由例如石英、玻璃等透光性材料构成，比元件基板10小，且与元件基板10对置配置。保护基板40被配置成覆盖发光元件区域E。作为其结果，有机EL元件30配置在元件基板主体11与保护基板40之间，通过保护基板40而与外部环境隔离。换言之，保护基板40具有保护有机EL元件30不受机械冲击、不受外部环境的影响的作用。
在FPC105安装有包括上述的数据线驱动电路15的驱动用IC110。FPC105具有经由布线与驱动用IC110的输入侧连接的输入端子102、和经由布线与驱动用IC110的输出侧连接的输出端子(省略图示)。FPC105与元件基板10侧的端子区域T(端子101)连接。上述的元件基板10侧的数据线13、电源线14、扫描线驱动电路16、检查电路17、以及布线层29(对置电极33)经由端子101以及FPC105与驱动用IC110电连接，而被提供规定的信号。
有机EL面板的概要
接下来，参照图3～图5对有机EL面板1的概要进行说明。
图3是表示沿图2的A－A’线的有机EL面板的结构的概要剖视图。图4是表示沿图2的B－B’线的有机EL面板的结构的概要剖视图。图5是端子区域的概要俯视图。
在图3以及图4中，图示出本发明的说明必要的构成元件(驱动用TFT23、端子101、布线层29)，省略本发明的说明所不需要的构成元件(检查电路17、开关用TFT21、积存电容22等)的图示。此外，图3以及图4中的箭头表示在发光功能层32发出的光的射出方向。图5也仅示出本发明的说明必要的构成元件。
如图3以及图4所示，有机EL面板1具备元件基板10、保护基板40、以及粘合元件基板10与保护基板40的透明树脂层42等。透明树脂层42具有透光性，例如由环氧树脂构成，粘合元件基板10与保护基板40。如上所述，保护基板40具有透光性，例如由石英、玻璃等透光性材料构成。在元件基板10(有机EL元件30)发出的光透过透明树脂层42以及保护基板40，向箭头方向(Z方向)射出。即，有机EL面板1具有在元件基板10发出的光从保护基板40侧射出的顶部发光结构。
在作为元件基板10的基材的元件基板主体11的表面9，按像素电路20、有机EL元件30以及密封层34的顺序依次进行层叠。此外，元件基板主体11具有与表面9交叉的端面8。端面8与表面9交叉的区域(边)为第一边9a(图3)、第二边9b(省略图示)、第三边9c(省略图示)、以及第四边9d(图4)。
像素电路
像素电路20由从第一绝缘膜11a至第二层间绝缘膜26配置的绝缘膜、半导体膜以及导电膜等构成。由这些结构元件形成布线层103、布线层29、驱动用TFT23、开关用TFT21(省略图示)、积存电容22(省略图示)、检查电路17(省略图示)以及扫描线驱动电路16(省略图示)等。
元件基板主体11的表面9被第一绝缘膜11a覆盖。在第一绝缘膜11a上配置有半导体层23a。半导体层23a被作为栅极绝缘膜发挥功能的第二绝缘膜11b覆盖。在隔着第二绝缘膜11b与半导体层23a的沟道区域对置的位置配置有栅电极23g。驱动用TFT23由半导体层23a、第二绝缘膜11b(栅极绝缘膜)、以及栅电极23g等构成。栅电极23g被第一层间绝缘膜24覆盖。在第二绝缘膜11b以及第一层间绝缘膜24配置有接触孔。电极(源极电极，漏极电极)经由该接触孔电连接至驱动用TFT23。该电极例如由铝或者铝合金等光反射性材料构成。而且，在与该电极同层配置有由与该电极相同的材料构成的反射层25、布线层103、以及布线层29等。
第一层间绝缘膜24被第二层间绝缘膜26覆盖。在第二层间绝缘膜26配置有用于使像素电极31和驱动用TFT23电连接的接触孔。作为构成第一绝缘膜11a、第二绝缘膜11b、第一层间绝缘膜24、第二层间绝缘膜26的材料，例如能够使用硅氧化物、硅氮化物、以及硅氧氮化物等。
有机EL元件
有机EL元件30通过在第二层间绝缘膜26上依次层叠像素电极31、发光功能层32、以及对置电极33等而构成。
像素电极31是用于向发光功能层32供给空穴的电极。像素电极31具有透光性，例如，由ITO(Indium Tin Oxide：铟锡氧化物)等透光性材料形成。像素电极31与反射层25平面重叠，在多个像素18分别配置成岛状。像素电极31经由形成在第二层间绝缘膜26的接触孔而与驱动用TFT23电连接。配置有像素电极31的区域成为像素电极区域E1。
发光功能层32被配置成覆盖像素电极31，具有从像素电极31一侧起依次层叠的空穴注入层、空穴输送层、有机发光层、以及电子输送层等。从像素电极31供给的空穴和从对置电极33供给的电子在有机发光层结合，发光功能层32发光(产生光)。配置有发光功能层32的区域成为发光功能层区域E2。
有机发光层发出具有红色、绿色以及蓝色的光成分的光，即白色的光。有机发光层可以由单层构成，也可以由多层(例如，若电流流过，则主要发出蓝色光的蓝色发光层、若电流流过则发出包括红色和绿色的光的黄色发光层)构成。
对置电极33是用于向发光功能层32供给电子的共用电极。对置电极33被配置成覆盖发光功能层32，例如由Mg和Ag的合金等构成，具有透光性和光反射性。通过将构成对置电极33的合金薄膜化，能够除了光反射性的功能之外还赋予透光性的功能。
由发光功能层32发出的光如图中的箭头所示那样地向Z轴(+)方向射出，成为显示光。由发光功能层32发出的Z轴(－)方向的光借助反射层25而向Z轴(+)方向反射，成为显示光的一部分。
端子、布线
布线层29被第二层间绝缘膜26覆盖。在第二层间绝缘膜26设置有使布线层29露出的接触孔46。对置电极33被配置成覆盖接触孔46，经由接触孔46与布线层29电连接，而且经由布线层29与端子101电连接。
在第二层间绝缘膜26与第一无机密封层34a之间设置有由与像素电极31相同的材料构成的端子101。在第一无机密封层34a以及后述的平坦化层34b设置有使端子101露出的开口部45。端子101经由设置在第二层间绝缘膜26的接触孔与布线层103电连接。像素电路20、扫描线驱动电路16、以及检查电路17通过布线层103与端子101电连接。
如上所述，端子101沿着元件基板主体11的第一边9a、沿着X方向配置多个。如图5所示那样，开口部45被设置成使沿X方向配置多个的端子101的整体露出。配置有端子101的区域成为端子区域T。
密封层
密封层34是抑制发光功能层32、对置电极33的劣化的钝化膜，能够抑制水分、氧向发光功能层32、对置电极33的侵入。因此，密封层34被配置成覆盖发光元件区域E(对置电极区域E3)，且比发光元件区域E大。
密封层34由从对置电极33一侧起依次层叠的第一无机密封层34a、平坦化层34b、以及第二无机密封层34c构成。
此外，第一无机密封层34a是本发明中的“第二无机密封层”的一个例子。第二无机密封层34c是本发明中的“第一无机密封层”的一个例子。
第一无机密封层34a由使用例如公知技术的等离子体CVD(Chemical VaporDeposition：化学气相沉积)法等而形成的硅氧氮化物构成。第一无机密封层34a的膜厚大概为0.1μm～1μm。第一无机密封层34a的杨氏模量大致为160GPa。第一无机密封层34a覆盖对置电极33，遍及元件基板10的表面9的全域而配置。在第一无机密封层34a设置有使端子101露出的开口部45。第一无机密封层34a具有抑制水分、氧的浸入的高阻隔性能，通过第一无机密封层34a能够抑制(切断)水分、氧向有机EL元件30(像素电极31、发光功能层32、以及对置电极33)的侵入。
为了提高第一无机密封层34a对水分、氧的阻隔性能，优选由致密且硬的膜构成第一无机密封层34a。因此，构成第一无机密封层34a的材料优选为具有140GPa～200GPa的杨氏模量的材料。构成第一无机密封层34a的材料除了上述的硅氧氮化物之外还能够使用硅氧化物、硅氮化物等。
平坦化层34b由例如以烷氧基化合物为原料，通过溶胶凝胶法形成的金属氧化物构成。具体而言，通过使四烷氧基硅烷(Si(OR)4)、有机三烷氧基硅烷(R’Si(OR)3)等脱水缩合反应而形成，是以硅氧烷(Si－O－Si)结合为主体的硅氧化物。更具体而言，通过用旋涂、印刷、喷墨等方法涂覆具有烷氧基化合物的溶液，并通过脱水缩合反应而从液体(溶胶)转移至固体(凝胶)，形成以硅氧烷结合为主体的硅氧化物(平坦化层34b)。例如，若作为烷氧基化合物使用有机三烷氧基硅烷(R’Si(OR)3)，则有机物(R’)被获取至硅氧化物，能够调整平坦化层34b的杨氏模量。平坦化层34b包括无机物(Si)和有机物以分子等级被复合化而成的有机-无机混合型膜。
平坦化层34b的膜厚比第一无机密封层34a的膜厚大，大概为1μm～2μm。平坦化层34b的杨氏模量大概为60GPa。平坦化层34b覆盖第一无机密封层34a，且遍及元件基板10的表面9的全域而配置。在平坦化层34b设置有使端子101露出的开口部45。
平坦化层34b能够由比第一无机密封层34a柔软的材料构成，不容易产生裂缝而较厚地形成。例如，元件基板主体11的弯曲的影响被平坦化层34b缓和。例如，在存在使第一无机密封层34a产生缺陷的异物的情况下，该异物通过平坦化层34b而被埋入(覆盖)，不会给第二无机密封层34c带来负面影响。即使在第一无机密封层34a产生针孔、裂缝等凹状的缺陷，该凹状的缺陷也通过平坦化层34b而被覆盖，不会给第二无机密封层34c带来负面影响。
由此，异物、第一无机密封层34a的凹状的缺陷(针孔、裂缝)等的不良的地方被平坦化层34b覆盖，形成平坦的面。通过在利用平坦化层34b而成为平坦的面上形成第二无机密封层34c，不容易在第二无机密封层34c产生缺陷。由此，通过在第一无机密封层34a与第二无机密封层34c之间配置平坦化层34b，能够抑制密封层34的缺陷，格外提高密封层34的阻隔性能。
为了用平坦化层34b覆盖异物、第一无机密封层34a的凹状的缺陷等不良的地方，优选利用由溶液(液体)形成膜(固体)的湿式法(旋涂法、印刷、喷墨等)形成平坦化层34b。例如，对第一无机密封层34a而言，在从原料气(气体)形成膜(固体)的干式法(例如等离子体CVD)中，与旋涂法、印刷等湿式法相比，阶梯覆盖性不良，难以完全(无缺陷地)覆盖上述不良的地方。
而且，为了覆盖异物，需要较厚地形成平坦化层34b。因此，平坦化层34b优选为由即使较厚地形成也不容易产生裂缝的柔软的材料构成。具体而言，平坦化层34b优选为由杨氏模量100GPa以下的材料构成。
若由通过上述的溶胶凝胶法形成的金属氧化物构成平坦化层34b，则与由烃类高分子构成的情况相比，平坦化层34b针对水分、氧的阻隔性能优良。因此，若作为平坦化层34b使用通过溶胶凝胶法形成的金属氧化物，则能够除了埋入(覆盖)异物这一效果，还得到抑制水分、氧的影响这一效果。
平坦化层34b除了通过上述的溶胶凝胶法形成的金属氧化物之外还能够使用从包括硅氮烷化合物的溶液形成的金属氧化物、从树脂溶液形成的环氧树脂等。
例如，在通过旋涂法、印刷、喷墨等方法涂敷包括具有硅氮烷结构(Si－N)的硅氮烷化合物的溶液而形成聚硅氮烷膜后照射光、热，利用活性氧、臭氧等将聚硅氮烷膜中的氮置换为氧，从而能够形成致密性优良(针对水分、氧的阻隔性能优良)的硅氧化物。而且，利用印刷等涂敷树脂溶液而形成的环氧树脂也是与烃类高分子相比，针对水分、氧的阻隔性能优良的致密的膜。
第二无机密封层34c例如由使用公知技术的等离子体CVD法等而形成的硅酸氮化物构成。第二无机密封层34c的膜厚大概为0.1μm～1μm。第二无机密封层34c的杨氏模量大概为160GPa。即，第二无机密封层34c由与第一无机密封层34a相同的材料构成，且针对水分、氧具有高的阻隔性能。
此外，为了提高针对水分、氧的阻隔性能，优选由致密且硬的膜构成第二无机密封层34c。因此，第二无机密封层34c优选为由具有140GPa～200GPa的杨氏模量的材料构成。第二无机密封层34c除了上述的硅酸氮化物之外还能够使用硅氧化物、硅氮化物等。
如图3所示那样，第二无机密封层34c的外缘配置在端子区域T和发光元件区域E之间，且从保护基板40伸出。
如图4所示那样，第二无机密封层34c的外缘配置在元件基板主体11的第四边9d(端面8)与发光元件区域E之间，且从保护基板40伸出。而且，虽然省略了图示，但第二无机密封层34c的外缘配置在元件基板主体11的第二边9b(端面8)与发光元件区域E之间、以及元件基板主体11的第三边9c(端面8)与发光元件区域E之间，分别从保护基板40伸出。
换言之，第二无机密封层34c的外缘位于平坦化层34b的外缘与发光元件区域E之间。
第四边9d与第二无机密封层34c的外缘的间隔D1为0.1mm以上。而且，第二边9b与第二无机密封层34c的外缘的间隔、以及第三边9c与第二无机密封层34c的外缘的间隔也同样为0.1mm以上。
有机EL面板的制造方法
图6是示出表示本发明的特征部分的有机EL面板的制造方法的概要的工序流程。图7～图9是表示经过图6的主要工序后的有机EL面板的状态的概要俯视图。在图7中，以具有多个元件基板10的母基板11W的状态进行图示，在图8以及图9中，放大图7的区域C进行图示。此外，在图7～图9中，图示出各工序的说明必要的构成元件，省略各工序的说明所不必要的构成元件的图示。
以下，参照图6～图9，对有机EL面板1的制造方法的概要进行说明。此外，图6所示的工序以外的工序使用公知的技术，故省略说明。
从图6所示的形成第一无机密封层34a的工序(步骤S1)到断开母基板11W的工序(步骤S6)为止的工序是本实施方式涉及的有机EL面板1的制造方法的特征部分，其他的工序使用公知技术。
在图6的步骤S1中，使用公知技术的等离子体CVD法在形成有像素电路20、有机EL元件30等的元件基板10的整面堆积厚度0.1μm～1μm的硅氧氮化物，形成第一无机密封层34a。
在图6的步骤S2中，利用使用四甲氧基硅烷、氮氧化硅膜等烷氧基硅烷的溶胶凝胶法来在形成有第一无机密封层34a的元件基板10的整面形成厚度1μm～2μm的硅氧化物(平坦化层34b)。在溶胶凝胶法中，由于使用旋涂法、印刷、喷墨等方法在母基板11W涂敷烷氧基硅烷溶液，所以即使例如母基板11W存在异物，也能够由硅氧化物(平坦化层34b)埋入(覆盖)异物。
接着，使用公知技术的干式蚀刻法，以光刻胶为蚀刻掩模来蚀刻除去端子区域T的平坦化层34b以及第一无机密封层34a，形成露出端子101的开口部45(参照图3、图4)。此外，在蚀刻平坦化层34b以及第一无机密封层34a后，除去蚀刻掩模的光刻胶。
在图7中，图示出形成步骤S2的平坦化层34b后的状态(形成开口部45前的状态)。图中的双点划线表示断开线SL。由双点划线围起的区域成为单体的元件基板10。图中的有网点的区域表示形成有第一无机密封层34a以及平坦化层34b的区域。
如图7所示那样，母基板11W是晶圆状的例如石英基板，具有外周的一部分被切口的定向平面。在母基板11W以定向平面为基准，在X方向以及Y方向配置有多个元件基板10(形成有像素电路20以及有机EL元件30的元件基板10)。第一无机密封层34a以及平坦化层34b跨越断开线SL在母基板11W的大致整面形成。此外，在后述的步骤S6中，母基板11W沿着断开线SL断开，分割为单体的有机EL面板1(元件基板10)。换言之，断开线SL在后述的步骤S6中成为元件基板主体11的第一边9a、第二边9b、第三边9c、以及第四边9d。
在图6的步骤S3中，使用公知技术的等离子体CVD法堆积厚度0.1μm～1μm的硅氧氮化物，形成第二无机密封层34c。
图8(a)表示经过步骤S3后的状态。在步骤S3中的等离子体CVD中，使用金属掩模在规定的区域堆积硅酸氮化物，形成第二无机密封层34c。第二无机密封层34c的外缘配置在端子区域T与发光元件区域E之间、以及断开线SL与发光元件区域E之间。第二无机密封层34c分别在配置在母基板11W的多个元件基板10形成为岛状。未形成有第二无机密封层34c的区域的X方向尺寸、以及Y方向尺寸为0.2mm以上。断开线SL配置在未被该第二无机密封层34c覆盖的区域的中心。即，除去配置有端子区域T的一侧，断开线SL与第二无机密封层34c的间隔为0.1mm以上。换言之，第二无机密封层34c的外缘被配置成离开断开线SL0.1mm以上。
在图6的步骤S4中，针对第二无机密封层34c以及未被第二无机密封层34c覆盖的平坦化层34b实施氧等离子体处理。通过氧等离子体处理，将第二无机密封层34c以及未被第二无机密封层34c覆盖的平坦化层34b的表面改质(活性化)，改善步骤S5中使用的粘合剂(环氧树脂)的润湿性。例如，即使第二无机密封层34c被有机物污染，也能够通过氧等离子体处理除去污染物(有机物)。
此外，在步骤S4中，也可以代替氧等离子体处理，实施UV处理、臭氧处理。
在图6的步骤S5中，在第二无机密封层34c涂覆粘合材料(环氧树脂)，即利用贴片安装方式分别在母基板11W配置的多个元件基板10贴合单体的保护基板40。
图8(b)表示经过步骤S5后的状态。通过步骤S5，保护基板40被贴合在规定的位置。即，按照在保护基板40的外缘和断开线SL之间配置第二无机密封层34c的外缘的方式，保护基板40分别被贴合于在母基板11W配置多个的元件基板10。
在步骤S5中，按压保护基板40并照射UV、热，使环氧树脂固化，形成粘合元件基板10与保护基板40的透明树脂层42。在步骤S4中，由于针对第二无机密封层34c、平坦化层34b的粘合剂(环氧树脂)的润湿性被改善，所以透明树脂层42覆盖第二无机密封层34c而形成。于是，在母基板11W形成多个由元件基板10、透明树脂层42以及保护基板40构成的有机EL面板1。
在图6的步骤S6中，沿着断开线SL断开形成有多个有机EL面板1的母基板11W，形成单体的有机EL面板1。具体而言，在使用刀轮在断开线SL形成初始裂纹(切筋)后，使母基板11W弯曲(作用拉伸应力)，断开母基板11W。除了使用刀轮进行断开的方法(划线加工)之外，也可以通过对例如断开线SL照射激光后(局部加热后)快速冷却，来使断开线SL作用应力而断开的方法(激光加工)、使用割刀沿着断开线SL断开(切断)母基板11W的方法(切割加工)。
图9是表示经过步骤S6后的状态的单体的有机EL面板1的概要俯视图。如上所述，元件基板主体11的第一边9a、第二边9b、第三边9c、以及第四边9d(元件基板主体11的端面8)与母基板11W的断开线SL对应。如该图所示那样，第一无机密封层34a以及平坦化层34b在元件基板主体11的全域被依次配置(层叠)。在平坦化层34b上配置有第二无机密封层34c。第二无机密封层34c的外缘离开元件基板主体11的端面8(母基板11W的断开线SL)而配置。在第二无机密封层34c的上方配置有保护基板40。保护基板40的端面配置在第二无机密封层34c的外缘和发光元件区域E之间。即，第二无机密封层34c的外缘从保护基板40的端面伸出。而且，在第二无机密封层34c和保护基板40之间配置有透明树脂层42，第二无机密封层34c被透明树脂层42覆盖(参照图3、图4)。
如图3以及图4所示那样，在元件基板主体11的端面8(与母基板11W的断开线SL对应的区域)依次层叠有元件基板主体11、第一绝缘膜11a、第二绝缘膜11b、第一层间绝缘膜24、第二层间绝缘膜26、第一无机密封层34a、以及平坦化层34b。元件基板主体11由硬脆性材料(石英)构成。第一绝缘膜11a、第二绝缘膜11b、第一层间绝缘膜24、第二层间绝缘膜26、以及第一无机密封层34a也由硬脆性的材料(硅氧化物、硅氮化物、硅酸氮化物等)构成。另一方面，平坦化层34b由比第一无机密封层34a柔软的材料，即杨氏模量100GPa以下的材料构成。而且，在平坦化层34b上配置的第二无机密封层34c由与第一无机密封层34a相同的材料，即硬脆性材料构成。
在上述的划线加工、切割加工中，由于将刀尖工具直接按压于母基板11W，来机械加工母基板11W，所以产生(飞散)微小的切断屑(碎玻璃)。而且，沿着断开线SL作用应力(拉伸应力)，沿着断开线SL断开成单体的有机EL面板1。
在激光加工中，也需要通过机械加工成为裂纹进展的基点的初始裂纹来进行设置，在该机械加工中产生(飞散)碎玻璃。而且，作用使裂纹以初始裂纹为基点进展的应力(拉伸应力)，沿着断开线SL断开为单体的有机EL面板1。
由此，在划线加工、切割加工、以及激光加工等方法中，虽然多少存在差异，但母基板11W、配置于母基板11W的表面9的构成元件(像素电路20、有机EL元件30、密封层34)受到沿着断开线SL的应力的影响。
例如，在若由硬脆性材料构成的构成元件设置初始裂纹(断开线SL)，并施加使初始裂纹进展的应力(拉伸应力)，则由硬脆性材料构成的构成元件塑性变形，沿着断开线SL脆性破坏(断开)。另一方面，若在由10GPa以下的杨氏模量的材料构成的平坦化层34b施加使初始裂纹进展的方向的应力(拉伸应力)，则平坦化层34b弹性变形后塑性变形，沿着断开线SL延性破坏(断开)。即，在裂纹在平坦化层34b进展的过程中，平坦化层34b变形。
假设第二无机密封层34c跨越断开线SL而配置，则由于配置在第二无机密封层34c下的平坦化层34b通过沿着断开线SL的应力而变形，第二无机密封层34c也同样地变形。然而，由于第二无机密封层34c由硬脆性材料构成，所以第二无机密封层34c塑性变形，在第二无机密封层34c产生裂纹(裂缝)。根据在第二无机密封层34c产生的裂缝，密封层34的阻隔性能有可能显著地降低。
在本实施方式中，由于第二无机密封层34c离开断开线SL而配置，所以不容易受到沿着断开线SL的平坦化层34b的变形的影响。即，不容易通过该平坦化层34b的变形而在第二无机密封层34c产生裂缝。因此，在步骤S6的断开母基板11W的工序中，能够抑制密封层34的阻隔性能的降低。
如上所述，若在母基板11W形成断开线SL(初始裂纹)，则微小的切屑(碎玻璃)飞散。由于第二无机密封层34c被透明树脂层42覆盖，所以能够抑制第二无机密封层34c因该碎玻璃而破损这一情况。
在上述的划线加工中，若沿着断开线SL断开由石英、玻璃等硬脆性材料构成的对象物(母基板11W)，则在元件基板主体11的表面9以元件基板主体11的端面8(断开线SL)为基点产生例如贝壳状的缺口(面缺陷)、裂缝(线缺陷)等。这样的面缺陷、线缺陷在离开断开线SL不足0.1mm的范围内产生。由于第二无机密封层34c离开断开线SL0.1mm以上，所以能够抑制在元件基板主体11的表面9产生的面缺陷、线缺陷的影响。
如上所述，本实施方式能够得到如下所述的效果。
(1)由于第二无机密封层34c的外缘离开断开线SL0.1mm以上而配置，所以在沿着断开线SL将母基板11W断开为单体的有机EL面板1时，能够抑制在断开线SL附近产生的应力的影响(平坦化层34b的变形的影响)，能够抑制在第二无机密封层34c产生新缺陷这一情况。
(2)由于第二无机密封层34c的外缘由于离开断开线SL0.1mm以上而配置，所以能够抑制通过以元件基板主体11的端面8(断开线SL)为基点而在元件基板主体11的表面9产生的面缺陷(贝壳状的缺口等)、线缺陷(裂缝等)，从而在第二无机密封层34c产生新缺陷这一情况。
(3)由于第二无机密封层34c被透明树脂层42覆盖，所以能够抑制第二无机密封层34c由于在母基板11W形成断开线SL(切筋)时产生的微小的切断屑(碎玻璃)的飞散而导致第二无机密封层34c破损这一情况。
(4)由于利用从溶液(液体)形成膜(固体)的湿式法较厚地形成平坦化层34b，所以能够缓和元件基板主体11的弯曲、异物、以及第一无机密封层34a的凹状的缺陷(针孔、裂缝)等不良的地方的影响。即，这些不良的地方被平坦化层34b覆盖，形成平坦的面。通过利用平坦化层34b而平坦化的面上形成第二无机密封层34c，从而不容易在第二无机密封层34c产生缺陷。
(5)由于平坦化层34b由比第一无机密封层34a柔软的材料(杨氏模量100GPa以下的材料)构成，所以即使较厚地形成平坦化层34b，也不容易在平坦化层34b产生裂缝。
(6)由于平坦化层34b由利用溶胶凝胶法形成的金属氧化物、从包括硅氮烷化合物的溶液形成的金属氧化物、以及从树脂溶液形成的环氧树脂等致密的膜构成，所以能够抑制水分、氧等的透过。
(7)通过上述(1)～(5)，能够提供提高密封层34的阻隔性能，能够抑制由水分、氧等引起的有机EL元件30的劣化的高可靠性的有机EL装置100。
此外，本实施方式除了从配置有多个有机EL面板1的母基板11W断开单体的有机EL面板1之外，也能够用于从配置有多个元件基板10的母基板11W断开单体的元件基板10这一情况。
实施方式2
有机EL装置的概要
图10是表示实施方式2涉及的有机EL装置的构成的概要俯视图。图11是表示沿着图10的A－A’线(绿色(G)的着色层)的有机EL面板的结构的概要剖视图。图12是表示沿着图10的B－B’线(配置有绿色的着色层的区域)的有机EL面板的结构的概要剖视图。图13是端子区域的概要俯视图。
以下，参照图10～图13，对本实施方式涉及的有机EL装置200以与实施方式1不同的点为中心进行说明。此外，针对与实施方式1相同的构成部位赋予相同的附图标记，省略重复的说明。
本实施方式涉及的有机EL装置200(有机EL面板2)具有由红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的着色层构成的滤光器36，能够进行全彩显示的点是与实施方式1主要不同的点。
如图10所示那样，在像素18(像素电极31)配置有产生红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)的光的像素18。配置有红色(R)的着色层，且产生红色(R)的光的像素18为像素18R。配置有绿色(G)的着色层36G(图11)，且产生绿色(G)的光的像素18为像素18G。配置有蓝色(B)的着色层，且产生蓝色(B)的光的像素18为像素18B。像素18R、像素18G以及像素18B分别沿着Y方向排列。即，有机EL面板2在Y方向具有相同的色排列(条纹状的色排列)。在有机EL面板2中，在X方向排列的三个像素18(像素18R、像素18G、像素18B)成为显示单位P，提供全彩的显示。
此外，着色层的排列并不局限于上述的条纹状的色排列，例如也可以是在Y方向上不同的色排列(马赛克排列，倒三角排列)。
如图11以及图12所示那样，在第二无机密封层34c上配置有绿色(G)的着色层36G。绿色(G)的着色层36G与像素电极31平面重叠，比像素电极31更宽地配置。作为其结果，配置有绿色(G)的着色层36G的像素电极31(有机EL元件30)中，射出绿色(G)的光作为显示光。虽然省略了图示，但在第二无机密封层34c上除了绿色(G)的着色层36G之外还配置有红色(R)的着色层以及蓝色(B)的着色层。配置有红色(R)的着色层的像素电极31(有机EL元件30)中，射出红色(R)的光作为显示光，配置有蓝色(B)的着色层的像素电极31(有机EL元件30)射出蓝色(B)的光作为显示光。由此，在第二无机密封层34c上配置有绿色(G)的着色层36G、红色(R)的着色层、蓝色(B)的着色层中的任意一个。
在绿色着色层36G(滤光器36)的上方配置有覆盖发光元件区域E的保护基板40。在绿色着色层36G(滤光器36)与保护基板40之间配置有透明树脂层42。绿色的着色层36G(滤光器36)与保护基板40通过透明树脂层42而粘合。
如上所述，滤光器36由绿色(G)的着色层36G、红色的着色层、以及蓝色的着色层构成。在从Z方向观察时，第二无机密封层34c被绿色(G)的着色层36G、红色(R)的着色层、以及蓝色(B)的着色层中的至少一个覆盖。即，滤光器36覆盖第二无机密封层34c，且被配置在除了端子区域T之外的元件基板主体11的表面9的整面。此外，在端子区域T中，在滤光器36设置有使端子101露出的开口部44。
第二无机密封层34c由于被滤光器36覆盖，所以能够抑制因在将母基板11W断开为单体的有机EL面板1时产生的切断屑(碎玻璃)的飞散而使第二无机密封层34c破损。
例如，能够涂覆包含颜色材料的感光性树脂材料形成感光性树脂层，通过光刻法对形成的感光性树脂层进行曝光、显影来形成这样的滤光器36。
如图11所示那样，第一无机密封层34a的外缘配置在端子区域T和发光元件区域E(保护基板40)之间，即比平坦化层34b的外缘靠近内侧(平坦化层34b的外缘和发光元件区域E之间)。如图12所示那样，第一无机密封层34a的外缘配置在元件基板主体11的第四边9d(端面8)与发光元件区域E之间。虽然省略了图示，但第一无机密封层34a的外缘配置在元件基板主体11的第二边9b(端面8)与发光元件区域E之间、以及元件基板主体11的第三边9c(端面8)与发光元件区域E之间。第一无机密封层34a的外缘与元件基板主体11的第四边9d的间隔D2为0.1mm以上。虽然省略了图示，但第一无机密封层34a的外缘与元件基板主体11的第二边9b的间隔、以及第一无机密封层34a的外缘与元件基板主体11的第三边9c的间隔也同样地为0.1mm以上。即，第一无机密封层34a也与第二无机密封层34c同样，离开母基板11W的断开线SL0.1mm以上而配置。
另一方面，实施方式1涉及的第一无机密封层34a跨越断开线SL，配置在除了端子区域T的元件基板主体11的表面9的整个面。即，实施方式1和本实施方式的第一无机密封层34a的配置区域也不同。
在本实施方式中，与第二无机密封层34c同样地第一无机密封层34a也离开断开线SL而配置。因此，与第二无机密封层34c同样地第一无机密封层34a也能够抑制在断开线SL附近产生的应力的影响，能够抑制在第二无机密封层34c以及第一无机密封层34a中的新的缺陷的产生。而且，在断开母基板11W时，也能够抑制以元件基板主体11的端面8为基点在表面9产生的面缺陷(贝壳状的缺口等)、线缺陷(裂缝等)的影响，能够抑制在第二无机密封层34c以及第一无机密封层34a中的新的缺陷的产生。
如图11所示那样，在端子101的周边部层叠有平坦化层34b以及着色层36G(滤光器36)。在平坦化层34b以及着色层36G(滤光器36)设置有使端子101露出的开口部44。通过以着色层36G(滤光器36)作为蚀刻掩模来蚀刻平坦化层34b，从而形成使端子101露出的开口部44。另一方面，在实施方式1中，通过以光刻胶作为蚀刻掩模来蚀刻平坦化层34b，从而形成使端子101露出的开口部45。因此，在本实施方式中，实施方式1中的形成开口部45的蚀刻掩模的光刻工序简化。
实施方式1与本实施方式的使端子101露出的开口部的形状不同。如图13所示那样，在配置在X方向的多个端子101分别设置有使端子101露出的开口部44。在配置有在开口部44露出的端子101的区域，即配置有开口部44的区域成为端子区域T。在开口部44露出的端子101与FPC105(参照参照图2)电连接。
另一方面，在实施方式1中，设置有一并使多个端子101露出的开口部45。
可以在元件基板主体11的端面8与发光元件区域E之间除了绿色(G)的着色层36G之外还配置(层叠)有红色(R)的着色层、蓝色(B)的着色层等。即，可以在元件基板主体11的端面8与发光元件区域E之间配置有绿色(G)的着色层36G、红色(R)的着色层、以及蓝色(B)的着色层中的至少一个。
实施方式3
图14对应于图2，是实施方式3涉及的有机EL装置的概要俯视图。图15对应于图4，是表示沿着图14的B－B’线的有机EL面板的结构的概要剖视图。
以下，参照图14以及图15，以与实施方式1不同的点为中心对本实施方式涉及的有机EL装置300进行说明。此外，针对与实施方式1相同的构成部位赋予相同的附图标记，省略重复的说明。
在本实施方式涉及的有机EL装置300中，保护基板40的形状(大小)与实施方式1不同，其他的构成与实施方式1相同。
在实施方式1中，以在形成有多个元件基板10的母基板11W贴合单体的保护基板40的方法、即贴片安装方式分别在多个元件基板10贴合保护基板40。在本实施方式中，以贴合形成有多个元件基板10的母基板与成为保护基板40的母基板的方法，即大板贴合方式来贴合元件基板10与保护基板40，来形成配置有多个有机EL面板3的母基板11W。然后，通过沿着断开线SL来断开母基板11W，从而形成图14以及图15所示的单体的有机EL面板3。
如图14所示那样，保护基板40的外缘的一部分配置在端子区域T与发光元件区域E之间，具有与实施方式1相同的构成。
如图15所示那样，保护基板40的外缘和元件基板主体11的第四边9d配置在大致相同的位置。虽然省略了图示，保护基板40的外缘和元件基板主体11的第二边9b、以及保护基板40的外缘和元件基板主体11的第三边9c分别配置在大致相同的位置。在实施方式1中，保护基板40的外缘配置在元件基板主体11的第四边9d与发光元件区域E之间、第二边9b与发光元件区域E之间、以及第三边9c与发光元件区域E之间。由此，由于本实施方式涉及的保护基板40比实施方式1涉及的保护基板40大，所以本实施方式与实施方式1的保护基板40的外缘的配置位置不同。
在本实施方式中，由于以贴合形成有多个元件基板10的母基板与配置有多个保护基板40的母基板的方法(大板贴合方式)，来贴合元件基板10与保护基板40，所以与在形成有多个元件基板10的母基板11W贴合单体的保护基板40这一方法(贴片安装方式)相比，能够加大贴合元件基板10与保护基板40的处理速度(能够提高生产性)。
如上所述，由于保护基板40具有使有机EL元件30不受机械冲击、外部环境的影响这样的保护的作用，所以只要将保护基板40配置成覆盖发光元件区域E即可。因此，保护基板40的外缘可以从元件基板10伸出，相反地元件基板的外缘也可以从保护基板40伸出。
而且，贴合元件基板10与保护基板40的方法也可以是在单体的元件基板10贴合单体的保护基板40的方法。
实施方式4
图16是表示第一无机密封层以及平坦化层的优选例的示意俯视图。图17是表示第二无机密封层的优选例的示意俯视图。在图16中，示出元件基板主体11、第一无机密封层34a、以及平坦化层34b，省略其他的构成元件的图示。在图17中示出元件基板主体11以及第二无机密封层34c，省略了其他的构成元件的图示。
图中所示的元件基板主体11的第一边9a、第二边9b、第三边9c、以及第四边9d与母基板11W中的断开线SL对应。此外，在第一无机密封层34a、平坦化层34b、以及第二无机密封层34c，用附图标记7a示出沿着第一边9a的外缘，用附图标记7b示出沿着第二边9b的外缘，用附图标记7c示出沿着第三边9c的外缘，用附图标记7d示出沿着第四边9d的外缘。
本发明具有用于抑制在断开母基板11W时，由于沿着断开线SL作用的应力、以断开的面为基点产生的缺陷(贝壳状的缺口、裂缝等)等而在密封层34产生新的缺陷的有效的构成。以下，参照图16以及图17，进行详细的说明。
第一无机密封层以及平坦化层的优选例
如图16(a)所示那样，按照第一无机密封层34a以及平坦化层34b的外缘7a、7b、7c、7d与元件基板主体11的外缘(第一边9a、第二边9b、第三边9c、第四边9d)一致的方式，在元件基板主体11配置第一无机密封层34a以及平坦化层34b。即，第一无机密封层34a以及平坦化层34b跨越在母基板11W的断开线SL，配置在除了端子区域T的元件基板主体11的整个面。
而且，在第一无机密封层34a以及平坦化层34b设置有在端子区域T露出端子101的开口部44(或者开口部45)。
如图16(b)所示那样，沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第一边9a的边7a配置在第一边9a与端子区域T之间。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第二边9b的边7b配置在第二边9b与发光元件区域E之间。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第三边9c的边7c配置在第三边9c与发光元件区域E之间。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第四边9d的边7d配置在第四边9d与发光元件区域E之间。
而且，在第一无机密封层34a以及平坦化层34b设置有在端子区域T露出端子101的开口部44(或者开口部45)。
如图16(c)所示那样，沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第一边9a的边7a跨越(横断)端子区域T而配置。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第二边9b的边7b配置在第二边9b与发光元件区域E之间。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第三边9c的边7c配置在第三边9c与发光元件区域E之间。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第四边9d的边7d配置在第四边9d与发光元件区域E之间。
此外，沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第一边9a的边7a为了露出端子101，而在端子区域T凹陷。
如图16(d)所示那样，沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第一边9a的边7a配置在端子区域T与发光元件区域E之间。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第二边9b的边7b配置在与第二边9b相同的位置。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第三边9c的边7c配置在与第三边9c相同的位置。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第四边9d的边7d配置在与第四边9d相同的位置。
如图16(e)所示那样，沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第一边9a的边7a配置在端子区域T与发光元件区域E之间。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第二边9b的边7b配置在第二边9b与发光元件区域E之间。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第三边9c的边7c配置在第三边9c与发光元件区域E之间。沿着第一无机密封层34a的外缘以及平坦化层34b的外缘的第四边9d的边7d配置在第四边9d与发光元件区域E之间。
第一无机密封层34a以及平坦化层34b只要具有上述的图16(a)～图16(e)的形状即可。此外，第一无机密封层34a可以比平坦化层34b大也可以比平坦化层34b小。例如，第一无机密封层34a可以是图16(a)的形状，平坦化层34b可以是图16(e)的形状。总之，重要的是第一无机密封层34a以及平坦化层34b覆盖发光元件区域E，比发光元件区域E更大得配置。
第一无机密封层34a以及平坦化层34b可以如图14(a)所示那样跨越母基板11W的断开线SL而配置，但优选地，如图14(b)、图14(e)所示那样，第一无机密封层34a以及平坦化层34b的外缘离开母基板11W的断开线SL。即，由于通过离开母基板11W的断开线SL地配置第一无机密封层34a以及平坦化层34b的外缘，能够不容易在断开母基板11W的断开时在第一无机密封层34a以及平坦化层34b产生新的缺陷，所以更加优选。
第二无机密封层的优选例
如图17(a)所示那样，沿着第二无机密封层34c的外缘的第一边9a的边7a配置在第一边9a与端子区域T之间。沿着第二无机密封层34c的外缘的第二边9b的边7b配置在第二边9b与发光元件区域E之间。沿着第二无机密封层34c的外缘的第三边9c的边7c配置在第三边9c与发光元件区域E之间。沿着第二无机密封层34c的外缘的第四边9d的边7d配置在第四边9d与发光元件区域E之间。
而且，在第二无机密封层34c设置有在端子区域T露出端子101的开口部44(或者开口部45)。
如图17(b)所示那样，沿着第二无机密封层34c的外缘的第一边9a的边7a跨越(横断)端子区域T而配置。沿着第二无机密封层34c的外缘的第二边9b的边7b配置在第二边9b与发光元件区域E之间。沿着第二无机密封层34c的外缘的第三边9c的边7c配置在第三边9c与发光元件区域E之间。沿着第二无机密封层34c的外缘的第四边9d的边7d配置在第四边9d与发光元件区域E之间。
此外，沿第着二无机密封层34c的外缘的第一边9a的边7a为了露出端子101，而在端子区域T凹陷。
如图17(c)所示那样，沿着第二无机密封层34c的外缘的第一边9a的边7a配置在端子区域T与发光元件区域E之间。沿着第二无机密封层34c的外缘的第二边9b的边7b配置在第二边9b与发光元件区域E之间。沿着第二无机密封层34c的外缘的第三边9c的边7c配置在第三边9c与发光元件区域E之间。沿着第二无机密封层34c的外缘的第四边9d的边7d配置在第四边9d与发光元件区域E之间。
第二无机密封层34c只要具有上述的图17(a)～图17(c)的形状即可。此外，第二无机密封层34c可以比第一无机密封层34a大，也可以比第一无机密封层34a小。此外，第二无机密封层34c与平坦化层34b相比其形成范围越小越好。但是，如图17(b)、(c)所示，通过在平坦化层34b的外缘7a与元件基板主体11的外缘9a之间、第二无机密封层34c的外缘7a与元件基板主体11的外缘9a之间配置端子区域T等，能够充分确保平坦化层34b的外缘以及第二无机密封层34c的外缘与断开线SL之间的距离的情况下，平坦化层34b的外缘与第二无机密封层34c的外缘也可以对齐。或者，第二无机密封层34c的外缘7a也可以位于平坦化层34b的外缘7a与元件基板主体11的外缘9a之间。总之，重要的是与第一无机密封层34a以及平坦化层34b同样地，第二无机密封层34c比发光元件区域E配置得更大，在无法充分确保第二无机密封层34c的外缘与断开线SL之间的距离的情况下，配置成第二无机密封层34c的外缘比平坦化层34b的外缘靠近内侧(发光元件区域E侧)。
实施方式5
电子设备
图18(a)是表示作为电子设备的头戴式显示器(HMD)的概要图。图18(b)是表示作为电子设备的数字照相机的概要图。以下，参照图18(a)以及图18(b)，对搭载有上述实施方式的任意一个涉及的有机EL装置的电子设备进行说明。
如图18(a)所示那样，头戴式显示器(HMD)1000具有与左右眼对应设置的两个显示部1001。观察者M通过将头戴式显示器1000像眼镜那样地佩戴于头部，能够观察到在显示部1001显示的文字、图像等。例如，只要在左右的显示部1001显示考虑了视差的图像，就能够观赏到立体的映像。
在显示部1001搭载有实施方式1的有机EL装置100、实施方式2的有机EL装置200、或者实施方式3的有机EL装置300。由于实施方式1的有机EL装置100、实施方式2的有机EL装置200、或者实施方式3的有机EL装置300抑制水分、氧等的外部环境气的影响，具有较高的可靠性，所以能够提供较高的可靠性的头戴式显示器1000。
如图18(b)所示那样，数字照相机2000具备具有拍摄元件等光学***的主体2001。在主体2001设置有显示拍摄到的图像等的监视器2002、用于视觉确认被拍摄体的电子取景器2003。在监视器2002以及电子取景器搭载有实施方式1的有机EL装置100、实施方式2的有机EL装置200、或者实施方式3的有机EL装置300。由于实施方式1的有机EL装置100、实施方式2的有机EL装置200、或者实施方式3的有机EL装置300抑制水分、氧等外部环境气的影响，具有较高的可靠性，所以能够提供较高的可靠性的数字照相机2000。
此外，搭载有上述有机EL装置100、上述有机EL装置200或者上述有机EL装置300的电子设备并不局限于上述的头戴式显示器1000、数字照相机2000。例如，可以举出个人计算机、便携式信息终端、导航、阅读器、具有平视显示器等的显示部的电子设备。
附图标记的说明：
1…有机EL面板；8…端面；9…表面；9a…第一边；9b…第二边；9c…第三边；9d…第四边；10…元件基板；11…元件基板主体；11W…母基板；11a…第一绝缘膜；11b…第二绝缘膜；12…扫描线；13…数据线；14…电源线；15…数据线驱动电路；16…扫描线驱动电路；17…检查电路；18…像素；20…像素电路；21…开关用TFT；22…积存电容；23…驱动用TFT；23a…半导体层；23g…栅电极；24…第一层间绝缘膜；25…反射层；26…第二层间绝缘膜；29…布线层；30…有机EL元件；31…像素电极；32…发光功能层；33…对置电极；34…密封层；34a…第一无机密封层；34b…平坦化层；34c…第二无机密封层；36…滤光器；36R；36G；36B…着色层；37…覆盖层；40…对置基板；42…透明树脂层；44；45…开口部；46…接触孔；100；200…有机EL装置；101…端子；103…布线层；105…FPC；110…驱动用IC。

Claims (14)

1.一种电光装置，其特征在于，具备：
基板，其具有第一面和与所述第一面交叉的端面；
发光元件，其配置在所述第一面上；
平坦化层，其覆盖所述发光元件；以及
第一无机密封层，其配置在所述平坦化层上，
所述第一无机密封层的外缘配置在所述平坦化层的外缘与配置有所述发光元件的第一区域之间。
2.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
在所述发光元件与所述平坦化层之间具备覆盖所述第一区域的第二无机密封层，
所述第二无机密封层的外缘配置在所述平坦化层的外缘与所述第一区域之间。
3.根据权利要求1或2所述的电光装置，其特征在于，
所述第一无机密封层的外缘从所述端面离开0.1mm以上。
4.根据权利要求2所述的电光装置，其特征在于，
所述第二无机密封层的外缘从所述端面离开0.1mm以上。
5.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述第一面具有第一边、与所述第一边交叉的第二边和第三边、以及与所述第一边对置的第四边，
在所述第一边与所述第一区域之间具备沿着所述第一边配置在所述第一面上的端子，
所述平坦化层的外缘配置在所述第一边与配置有所述端子的第二区域之间、所述第二边与所述第一区域之间、所述第三边与所述第一区域之间、以及所述第四边和所述第一区域之间，
所述平坦化层具有使所述端子露出的开口部，
所述第一无机密封层具有沿着所述第一边的外缘、沿着所述第二边的外缘、沿着所述第三边的外缘、以及沿着所述第四边的外缘，
所述第一无机密封层的沿着所述第一边的外缘配置在所述第一区域与所述第二区域之间，
所述第一无机密封层的沿着所述第二边的外缘、沿着所述第三边的外缘、以及沿着所述第四边的外缘配置在所述端面与所述第一区域之间。
6.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述第一面具有第一边、与所述第一边交叉的第二边和第三边、以及与所述第一边对置的第四边，
在所述第一边与所述第一区域之间具有沿着所述第一边配置在所述第一面上的端子，
所述平坦化层的外缘以及所述第一无机密封层的外缘配置在配置有所述端子的第二区域与所述第一区域之间、所述第二边与所述第一区域之间、所述第三边与所述第一区域之间、以及所述第四边与所述第一区域之间。
7.根据权利要求2或4所述的电光装置，其特征在于，
所述第一面具有第一边、与所述第一边交叉的第二边和第三边、以及与所述第一边对置的第四边，
在所述第一边与所述第一区域之间具有沿着所述第一边配置在所述第一面上的端子，
所述第二无机密封层的外缘配置在所述第一边与配置有所述端子的第二区域之间、所述第二边与所述第一区域之间、所述第三边与所述第一区域之间、以及所述第四边与所述第一区域之间，
所述第二无机密封层具有使所述端子露出的开口部。
8.根据权利要求2或4所述的电光装置，其特征在于，
所述第一面具有第一边、与所述第一边交叉的第二边和第三边、以及与所述第一边对置的第四边，
在所述第一边与所述第一区域之间具有沿着所述第一边配置在所述第一面上的端子，
所述第二无机密封层的外缘配置在所述第一区域与配置有所述端子的第二区域之间、所述第二边与所述第一区域之间、所述第三边与所述第一区域之间、以及所述第四边与所述第一区域之间。
9.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，具备：
保护基板，其在所述第一无机密封层的上方，被配置成覆盖所述第一区域；和
粘合层，其配置在所述第一无机密封层与所述保护基板之间，
所述第一无机密封层被所述粘合层覆盖。
10.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于
具备滤光器，所述滤光器在所述第一无机密封层上具有红色的着色层、绿色的着色层以及蓝色的着色层，
所述第一无机密封层被所述红色的着色层、所述的绿色着色层以及所述蓝色的着色层中的至少一个覆盖。
11.根据权利要求10所述的电光装置，其特征在于，具备：
保护基板，其在所述滤光器的上方，被配置成覆盖所述第一区域；和
粘合层，其配置在所述滤光器与所述保护基板之间。
12.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述平坦化层由通过聚硅氮烷或者溶胶凝胶法形成的金属氧化物、以及环氧树脂中的任意一个构成。
13.根据权利要求1所述的电光装置，其特征在于，
所述平坦化层的杨氏模量为100GPa以下，
所述第一无机密封层的杨氏模量在140GPa～200Gpa的范围内。
14.一种电子设备，其特征在于，
具有权利要求1～13中任一项所述的电光装置。
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