CN104236722A - 太赫兹波检测装置、照相机、图像装置以及测量装置 - Google Patents

Abstract

本发明提供太赫兹波检测装置、照相机、图像装置以及测量装置。太赫兹波检测装置在检测太赫兹波时也能够精度良好地将太赫兹波转换为电信号。该太赫兹波检测装置具备底基板(2)、和在底基板(2)上排列的多个第一检测元件(9)，第一检测元件(9)具有：第一金属层(21)，其设置于底基板(2)；支承基板(26)，其与第一金属层(21)分离地设置；电介质层(31)，其设置于支承基板(26)，并且吸收太赫兹波而产生热量；转换部(35)，其层叠有第二金属层(32)、热电体层(33)、第三金属层(34)并设置于电介质层(31)，并且将在电介质层(31)产生的热量转换为电信号。

Description

太赫兹波检测装置、照相机、图像装置以及测量装置

技术领域

本发明涉及太赫兹波检测装置、照相机、图像装置以及测量装置。

背景技术

实际应用吸收光转换为热量并将热量转换为电信号的光传感器。而且，专利文献1公开了一种提高了针对特定波长的灵敏度的光传感器。根据专利文献1，光传感器具备吸收光并产生热量的吸收部、和将热量转换为电信号的转换部。

吸收部呈立方体的形状，在吸收部的一面以规定的周期格子状地设置有凹凸。照射至吸收部的光衍射或者散射而产生光的多重吸收。而且，吸收部吸收特定的波长的光。由此，吸收部能够对特定波长的光的光强度反应而将光转换为热量。在一个吸收部设置有一个转换部。而且，转换部将吸收部的温度的变化转换为电信号。该特定的波长采用4μm左右的波长，凹凸的周期为1.5μm左右。

近年来，具有100GHz以上30THz以下的频率的电磁波亦即太赫兹波备受关注。太赫兹波例如能够应用于图像、光谱测量等各种测量、非破坏检查等。

专利文献1：日本特开2013-44703号公报

太赫兹波为波长为30μm～1mm长的光。检测太赫兹波时在专利文献1的方式中光传感器变大。于是，吸收部的热容变大所以反应速度变慢，光传感器成为检测精度低的传感器。因此，期望检测太赫兹波时也能够将其精度良好地转换为电信号的太赫兹波检测装置。

发明内容

本发明是为了解决上述的课题而完成的，能够作为以下的方式或者应用例实现。

应用例1

本应用例所涉及的太赫兹波检测装置的特征在于，具备：基板；以及多个检测元件，上述多个检测元件在上述基板上排列，上述检测元件具有：第一金属层，其设置于上述基板；支承基板，其与上述第一金属层分离地设置；吸收部，其设置于上述支承基板，并且吸收太赫兹波并产生热量；以及转换部，其层叠有第二金属层、热电体层、以及第三金属层并设置于上述吸收部，并且将在上述吸收部产生的热量转换为电信号。

根据本应用例，太赫兹波检测装置具备基板，且在基板上隔着空洞而排列有检测元件。检测元件具备吸收部和转换部。吸收部吸收太赫兹波并产生热量。吸收部与照射于吸收部的太赫兹波的量对应地产生热量。转换部将在吸收部产生的热量转换为电信号。因此，转换部将与照射于吸收部的太赫兹波的量对应的电信号输出。

空洞、支承基板以及吸收部成为被第一金属层与第二金属层夹持的状态。在太赫兹波射入吸收部时，太赫兹波在吸收部以及空洞行进。太赫兹波被第一金属层与第二金属层反射。而且，被第一金属层与第二金属层反射的太赫兹波在吸收部的内部行进的过程中能量被吸收部吸收并转换为热量。因此，照射太赫兹波检测装置的太赫兹波被吸收部高效地吸收并将能量转换为热量。

吸收部成为被第一金属层与第二金属层夹持的状态。在太赫兹波射入吸收部时，太赫兹波在吸收部、支承基板以及支承基板与第一金属层之间的空间行进。太赫兹波被第一金属层与第二金属层反射。而且，被第一金属层与第二金属层反射的太赫兹波在吸收部的内部行进的过程中能量被吸收部吸收并转换为热量。因此，照射太赫兹波检测装置的太赫兹波高效地被吸收部吸收并将能量转换为热量。其结果，太赫兹波检测装置能够高效地吸收照射的太赫兹波并精度良好地将该太赫兹波转换为电信号。

应用例2

上述应用例所涉及的太赫兹波检测装置中，其特征在于，上述多个检测元件以使上述太赫兹波在邻接的上述转换部之间衍射的方式排列。

根据本应用例，排列有多个检测元件，所以也排列有多个转换部。而且，邻接的转换部之间作为狭缝发挥作用。因此，太赫兹波在邻接的转换部之间衍射并改变行进方向，从而进入第一金属层与第二金属层之间。其结果，太赫兹波检测装置能够高效地吸收照射的太赫兹波并精度良好地将该太赫兹波转换为电信号。

应用例3

上述应用例所涉及的太赫兹波检测装置中，其特征在于，上述第二金属层的排列的周期比在上述吸收部吸收的上述太赫兹波在真空中的波长短。

根据本应用例，第二金属层以比在吸收部吸收的太赫兹波在真空中的波长更小的周期配置。此时，由于邻接的第二金属层之间的间隔狭窄，所以太赫兹波容易衍射。因此，容易使太赫兹波进入第一金属层与第二金属层之间。

应用例4

上述应用例所涉及的太赫兹波检测装置中，其特征在于，上述检测元件具备支承部，该支承部包括与上述支承基板连接的柱状的臂部，并且以使上述支承基板与上述基板分离的方式支承上述支承基板，沿上述检测元件排列的方向上的上述第二金属层的长度以及上述吸收部的长度，比使上述吸收部吸收的上述太赫兹波在真空中的波长短并且比10μm长。

根据本应用例，吸收部被支承基板支承，且在支承基板连接有臂部。第二金属层的长度以及吸收部的长度比真空中的太赫兹波的波长短。由此，能够使吸收部减轻重量，所以能够使臂部变细。或者，能够使臂部变长。由于在臂部较细时或者臂部较长时，热量难以传导，所以检测元件能够容易检测热量。另外，第二金属层的长度比10μm长。由此，由于太赫兹波被第一金属层以及第二金属层多重反射，所以吸收部能够高效地吸收太赫兹波。其结果，检测元件能够灵敏度良好地检测太赫兹波。

应用例5

上述应用例所涉及的太赫兹波检测装置中，其特征在于，沿上述检测元件排列的方向上的上述第二金属层的长度以及上述吸收部的长度比被上述吸收部吸收的上述太赫兹波的振幅的两倍的长度短。

根据本应用例，吸收部被支承基板支承，且在支承基板连接有臂部。第二金属层的长度以及吸收部的长度比太赫兹波的振幅的两倍的长度短。另外，在太赫兹波为椭圆偏振光时，太赫兹波的振幅表示椭圆的长轴方向的振幅。由此，由于能够使吸收部减轻重量，所以能够使臂部变细。或者，能够使臂部变长。由于在臂部较细时或者臂部较长时，热量难以传导，所以检测元件能够容易检测热量。另外，第二金属层的长度比10μm长。由此，由于太赫兹波被第一金属层以及第二金属层多重反射，所以吸收部能够高效地吸收太赫兹波。其结果，检测元件能够灵敏度良好地检测太赫兹波。

应用例6

上述应用例所涉及的太赫兹波检测装置中，其特征在于，上述吸收部的材质包括氧化锆、钛酸钡、氧化铪、硅酸铪中的任一个。

根据本应用例，吸收部的材质包括氧化锆、钛酸钡、氧化铪、硅酸铪中的任一个。氧化锆、钛酸钡、氧化铪、硅酸铪为介电常数高的材质。因此，吸收部使太赫兹波产生介电损耗而能够高效地使太赫兹波的能量转换为热量。

应用例7

上述应用例所涉及的太赫兹波检测装置中，其特征在于，上述支承基板的主要材料为硅。

根据本应用例，支承基板的主要材料为硅。由于硅以及硅化合物是电介质，所以支承基板吸收太赫兹波而能够使热量产生。而且，由于硅以及硅化合物具有刚性，所以能够作为支承吸收部以及转换部的结构体发挥功能。

应用例8

本应用例所涉及的照相机的特征在于，具备：太赫兹波产生部，其产生太赫兹波；太赫兹波检测部，其对从上述太赫兹波产生部射出并透过对象物的上述太赫兹波或者被上述对象物反射的上述太赫兹波进行检测；以及存储部，其存储上述太赫兹波检测部的检测结果，上述太赫兹波检测部是上述任一项所述的太赫兹波检测装置。

根据本应用例，从太赫兹波产生部射出的太赫兹波照射对象物。太赫兹波透过对象物或者反射后，照射太赫兹波检测部。太赫兹波检测部将太赫兹波的检测结果输出至存储部，存储部存储检测结果。由此，照相机能够根据要求将从对象物行进的太赫兹波的数据输出。对于太赫兹波检测部使用上述所记载的太赫兹波检测装置。因此，本应用例的照相机能够形成为具备精度良好地将照射的太赫兹波转换为电信号的太赫兹波检测装置的装置。

应用例9

本应用例所涉及的图像装置的特征在于，具备：太赫兹波产生部，其产生太赫兹波；太赫兹波检测部，其对从上述太赫兹波产生部射出且透过对象物的上述太赫兹波或者被上述对象物反射的上述太赫兹波进行检测；以及图像形成部，其基于上述太赫兹波检测部的检测结果生成上述对象物的图像，上述太赫兹波检测部是上述任一项所述的太赫兹波检测装置。

根据本应用例，从太赫兹波产生部射出的太赫兹波照射对象物。太赫兹波透过对象物或者反射后，照射太赫兹波检测部。太赫兹波检测部将太赫兹波的检测结果输出至图像形成部，图像形成部利用检测结果而生成对象物的图像。太赫兹波检测部为上述所记载的太赫兹波检测装置。因此，本应用例的图像装置能够形成为具备能够精度良好地将照射的太赫兹波转换为电信号的太赫兹波检测装置的装置。

应用例10

本应用例所涉及的测量装置的特征在于，具备：太赫兹波产生部，其产生太赫兹波；太赫兹波检测部，其对从上述太赫兹波产生部射出且透过对象物的上述太赫兹波或者被上述对象物反射的上述太赫兹波进行检测；以及测量部，其基于上述太赫兹波检测部的检测结果测量上述对象物，上述太赫兹波检测部是上述任一项所述的太赫兹波检测装置。

根据本应用例，从太赫兹波产生部射出的太赫兹波照射对象物。太赫兹波透过对象物或者反射后，照射太赫兹波检测部。太赫兹波检测部将太赫兹波的检测结果输出至测量部，测量部利用检测结果而测量对象物。太赫兹波检测部为上述所记载的太赫兹波检测装置。因此，本应用例的测量装置能够形成为具备能够精度良好地将照射的太赫兹波转换为电信号的太赫兹波检测装置的装置。

附图说明

图1涉及第一实施方式，(a)图是表示太赫兹波检测装置的结构的示意俯视图，(b)图是表示像素的结构的主要部分放大图。

图2中，(a)图是用于说明第一检测元件的配置的示意俯视图，(b)图以及(c)图是用于说明太赫兹波的示意图。

图3中，(a)图是表示第一检测元件的结构的示意俯视图，(b)图是表示第一检测元件的结构的示意侧剖视图。

图4是用于说明第一检测元件的制造方法的示意图。

图5是用于说明第一检测元件的制造方法的示意图。

图6是用于说明第一检测元件的制造方法的示意图。

图7是用于说明第一检测元件的制造方法的示意图。

图8涉及第二实施方式，(a)图是表示图像装置的结构的框图，(b)图是表示对象物的太赫兹带的光谱的图表。

图9是表示对象物的物质A、B、以及C的分布的图像的图。

图10是表示第三实施方式所涉及的测量装置的结构的框图。

图11是表示第四实施方式所涉及的照相机的结构的框图。

图12中，(a)图以及(b)图是表示变形例所涉及的第一检测元件的结构的示意俯视图。

具体实施方式

在本实施方式中，根据图1～图12对太赫兹波检测装置的特征性的例子进行说明。以下，根据附图对实施方式进行说明。并且，由于使各附图中的各部件形成为在各附图上能够识别的程度的大小，所以以使每个各部件比例尺不同的方式进行图示。

第一实施方式

根据图1～图7对第一实施方式所涉及的太赫兹波检测装置进行说明。图1的(a)图是表示太赫兹波检测装置的结构的示意俯视图。如图1的(a)图所示，太赫兹波检测装置1具备四边形的作为基板的底基板2，在底基板2的周围设置有框部3。框部3具有保护底基板2的功能。在底基板2上格子状地排列有像素4。像素4的行数以及列数并没有特别限定。像素4的个数越多越能够精度良好地识别被检测物的形状。在本实施方式中，为了容易理解图使太赫兹波检测装置1为具备16行16列像素4的装置。

图1的(b)图是表示像素的结构的主要部分放大图。如图1的(b)图所示，像素4由第一像素5、第二像素6、第三像素7以及第四像素8构成。底基板2俯视(从底基板2的板厚方向观察)时第一像素5～第四像素8分别为四边形，且面积相同。而且，第一像素5～第四像素8配置于被通过像素4的重心的线分割为四份的位置。

在第一像素5格子状地排列有4行4列作为检测元件的第一检测元件9，在第二像素6格子状地排列有4行4列作为检测元件的第二检测元件10。在第三像素7格子状地排列有4行4列作为检测元件的第三检测元件11，在第四像素8格子状地排列有4行4列作为检测元件的第四检测元件12。第一检测元件9～第四检测元件12结构相同且俯视底基板2时的大小不同。第一检测元件9～第四检测元件12形成为：第二检测元件10比第一检测元件9大，第三检测元件11比第二检测元件10大，而且，第四检测元件12为比第三检测元件11大。

第一检测元件9～第四检测元件12在俯视底基板2时的大小和检测的太赫兹波的共振频率之间存在关联。大的检测元件能够检测比小的检测元件检测的波长长的太赫兹波。分别将第一检测元件9、第二检测元件10、第三检测元件11、第四检测元件12检测的太赫兹波的波长设为第一波长、第二波长、第三波长、第四波长。此时，第四波长在这些波长中为最长的波长，第三波长、第二波长依次变短，第一波长为这些波长中最短的波长。

在像素4排列有第一检测元件9～第四检测元件12四种检测元件。因此，太赫兹波检测装置1能够检测第一波长～第四波长四种波长的太赫兹波。第一检测元件9～第四检测元件12结构相同，所以对第一检测元件9的结构进行说明，并省略第二检测元件10～第四检测元件12的说明。

图2的(a)图是用于说明第一检测元件的配置的示意俯视图。图2的(b)图以及(c)图是用于说明太赫兹波的示意图。如图2的(a)图所示，在第一像素5中第一检测元件9排列为4行4列的格子状。在各行中第一检测元件9以恒定的周期排列。使该恒定的周期形成为作为周期的第一周期13。在各列中第一检测元件9以恒定的周期排列。使该恒定的周期形成为作为周期的第二周期14。太赫兹波15若相对于设置有第一检测元件9的底基板2的平面沿法线方向行进并到达第一检测元件9(具体而言是后述的转换部35)，则衍射并进入第一检测元件9的内部。相邻的第一检测元件9(转换部35)之间的部分变窄，针对太赫兹波15作为狭缝发挥作用。因此，照射的太赫兹波15的行进方向在第一检测元件9的端部变更为朝向第一检测元件9的内部的方向。

如图2的(b)图所示，太赫兹波15是在真空中维持恒定的波长15a行进的光。而且，太赫兹波15是通过第一像素5检测的光。此时，优选第一检测元件9排列的方向的周期亦即第一周期13以及第二周期14比波长15a短。由于第一周期13以及第二周期14比波长15a短的一方而使太赫兹波15容易衍射，所以第一检测元件9能够获取太赫兹波15并能够提高检测灵敏度。

如图2的(c)图所示，有太赫兹波15为偏振光的情况。偏振光中存在椭圆偏振光、直线偏振光。将此时的偏振光的长边方向设为偏振光方向15b。偏振光方向15b成为与太赫兹波15的行进方向正交的方向。而且，将偏振光方向15b的太赫兹波15的长度的一半的长度设为振幅15c。此时，优选第一周期13以及第二周期14比振幅15c的两倍的长度短。由于第一周期13以及第二周期14中短的一方而使太赫兹波15容易衍射，所以第一检测元件9获取太赫兹波15而能够提高检测灵敏度。

图3的(a)图是表示第一检测元件的结构的示意俯视图，图3的(b)图是表示第一检测元件的结构的示意侧剖视图。图3的(b)图是沿图3的(a)图的A-A′线的剖视图。如图3所示，在底基板2上设置有第一绝缘层16。底基板2的材质为硅，第一绝缘层16的材质并没有特别限定但能够使用氮化硅、碳氮化硅、二氧化硅等。在本实施方式中例如第一绝缘层16的材质使用二氧化硅。在底基板2的第一绝缘层16侧的面形成有布线、驱动电路等电路。第一绝缘层16通过覆盖底基板2上的电路防止预定外的电流的流动。

在第一绝缘层16上立起设置有第一柱部17以及第二柱部18。第一柱部17以及第二柱部18的材质为与第一绝缘层16相同的材质。第一柱部17以及第二柱部18的形状形成为使四角锥的顶点平坦的棱锥台的形状。在第一绝缘层16中除了与第一柱部17以及第二柱部18接触的位置以外的位置设置有第一金属层21。在第一金属层21的上侧、第一柱部17以及第二柱部18的侧面设置有第一保护层22。第一保护层22是保护第一金属层21、第一柱部17以及第二柱部18免受形成第一柱部17以及第二柱部18等时所使用的蚀刻液影响的层。第一柱部17、第二柱部18、第一金属层21以及第一绝缘层16对蚀刻液具有耐性时也可以省略第一保护层22的设置。

在第一柱部17上隔着第二保护层23而设置有作为臂部以及支承部的第一臂部24，在第二柱部18上隔着第二保护层23而设置有作为臂部以及支承部的第二臂部25。而且，支承基板26以与第一臂部24以及第二臂部25连接的方式配置，第一臂部24以及第二臂部25对支承基板26进行支承。由第一柱部17、第二柱部18、第一臂部24以及第二臂部25构成支承部27。支承基板26通过支承部27被支承为从底基板2离开。在支承基板26、第一柱部17以及第二柱部18中，在朝向底基板2的面设置有第二保护层23。第二保护层23是保护第一臂部24、第二臂部25以及支承基板26免受形成支承基板26、第一柱部17以及第二柱部18等时所使用的蚀刻液的影响的膜。

第一金属层21的材质是容易反射太赫兹波15的材质即可，且优选电阻率为10以上100以下的材质。并且，第一金属层21的材质优选薄膜电阻为10Ω/□(オーム/□)以上的材质。第一金属层21的材质例如能够使用金、铜、铁、铝、锌、铬、铅、钛等金属、镍铬合金等合金。第一保护层22以及第二保护层23的材质只要具有耐蚀刻性即可，并没有特别限定，但在本实施方式中，例如第一保护层22以及第二保护层23的材质使用氧化铝。第一臂部24、第二臂部25以及支承基板26对蚀刻液具有耐性时也可以省略第二保护层23的设置。

通过支承部27使支承基板26与底基板2以及第一金属层21分离，底基板2与支承基板26之间成为空洞28。第一臂部24以及第二臂部25的形状为使棱柱弯曲为直角的形状，且以一部分与支承基板26的边平行的方式配置。由此，第一臂部24以及第二臂部25变长，从而抑制热量从支承基板26传导至底基板2。

在底基板2的表面与第一臂部24的图中上侧的表面之间设置有贯通第一柱部17以及第一臂部24的第一贯通电极29。并且，在底基板2的表面与第二臂部25的表面之间设置有贯通第二柱部18以及第二臂部25的第二贯通电极30。

支承基板26的材质只要具有刚性、并使太赫兹波15透过吸收且能够加工即可，并没有特别限定。支承基板26的主要材质优选硅，在本实施方式中例如为二氧化硅、氮化硅、二氧化硅这样的三层构造。第一贯通电极29以及第二贯通电极30的材质只要具有导电性且能够形成微小的图案即可，并没有特别限定，但例如能够使用钛、钨、铝等金属。

在支承基板26上设置有在俯视底基板2时为四边形的作为吸收部的电介质层31。换言之，支承基板26对电介质层31以及后述的转换部35进行支承。电介质层31是吸收进入的太赫兹波15而产生热量的层。例如在本实施方式中，电介质层31的厚度为100nm以上1μm以下，电介质层31的相对介电常数为2以上100以下。电介质层31的电阻率优选10以上100以下，电介质层31的材质例如能够使用氧化锆、钛酸钡、氧化铪、铪硅酸盐、二氧化钛、聚酰亚胺、氮化硅、氧化铝、或者它们的层叠体。

在电介质层31上设置有依次层叠了第二金属层32、热电体层33、第三金属层34的转换部35。转换部35具有将热量转换为电信号的热电传感器的功能。第二金属层32的材质只要是导电性良好地反射太赫兹波15的金属即可，更优选为具有耐热性的金属。在本实施方式中，例如第二金属层32从支承基板26侧依次层叠铱、氧化铱、白金层。铱具备取向控制的功能、氧化铱具备还原气体阻隔的功能、白金具备作为籽晶层(シード層)的功能。另外，第二金属层32也可以在电介质层31侧配置与第一金属层21相同的材质的层。由此，第二金属层32能够使太赫兹波15高效地反射。

热电体层33的材质是能够发挥热电效应的电介质，能够根据温度变化而产生电极化量的变化。热电体层33的材质能够使用PZT(锆钛酸铅)或者在PZT添加了Nb(铌)而得的PZTN。

第三金属层34的材质只要是导电性良好的金属即可，更优选为具有耐热性的金属。在本实施方式中例如，第三金属层34的材质是从热电体层33侧依次层叠白金、氧化铱、铱层。白金具备取向整合的功能、氧化铱具备还原气体阻隔的功能、铱具备作为低电阻层的功能。并且，第三金属层34、第二金属层32的材质并不限定于上述的例子，例如也可以是金、铜、铁、铝、锌、铬、铅、钛等金属、镍铬合金等合金。

在转换部35的周围配置有第二绝缘层36。并且，在转换部35的第一臂部24侧通过第二绝缘层36而设置有斜坡，在电介质层31的第二柱部18侧也通过第二绝缘层36而设置有斜坡。而且，在第一臂部24上设置有连接第一贯通电极29与第三金属层34的第一布线37，且第一布线37设置在第二绝缘层36的斜坡上。在第二臂部25上设置有连接第二贯通电极30与第二金属层32的第二布线38，且第二布线38设置在第二绝缘层36的斜坡上。

转换部35所输出的电信号通过第一布线37、第一贯通电极29、第二布线38以及第二贯通电极30传递至底基板2上的电路。第一布线37从第一臂部24通过第二绝缘层36上与第三金属层34连接。由此，防止第一布线37与第二金属层32以及热电体层33接触。并且，也可以覆盖第一布线37以及第二布线38而设置有未图示的绝缘膜。能够防止在第一布线37以及第二布线38有预定外的电流流动。第二绝缘层36的材料能够使用硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜。在本实施方式中例如在第二绝缘层36使用氮化硅膜。

在底基板2格子状地排列有第一检测元件9，第二金属层32的周期为与第一周期13以及第二周期14相同的周期。而且，第二金属层32的周期以比太赫兹波15的真空的波长小的周期排列。由此，邻接的第一检测元件9之间的部分相对于太赫兹波15作为狭缝发挥作用。

在向第一检测元件9照射太赫兹波15时，太赫兹波15在通过邻接的第一检测元件9(第二金属层32)之间时进行衍射。而且，太赫兹波15的行进方向改变，一部分的太赫兹波15进入第一金属层21与第二金属层32之间。而且，太赫兹波15在第一金属层21与第二金属层32之间多重反射并在电介质层31、支承基板26以及空洞28行进。

在电介质层31以及支承基板26行进的太赫兹波15的能量转换为热量。电介质层31由于介电常数高所以高效地发热。而且，照射第一检测元件9的太赫兹波15的光强度越强，电介质层31以及支承基板26越被加热，从而使电介质层31以及支承基板26的温度越上升。电介质层31以及支承基板26的热量传导至转换部35。然后，转换部35的温度上升，转换部35将上升的温度转换为电信号而向第一贯通电极29以及第二贯通电极30输出。

蓄积于支承基板26以及转换部35的热量通过第三金属层34、第一布线37、第一臂部24以及第一柱部17传导至底基板2。并且，蓄积于支承基板26以及转换部35的热量通过第二金属层32、第二布线38、第二臂部25以及第二柱部18传导至底基板2。因此，照射第一检测元件9的太赫兹波15的光强度降低时，随着时间的经过支承基板26以及转换部35的温度降低。因此，第一检测元件9能够检测照射到第一检测元件9的太赫兹波15的光强度的变动。

电介质层31俯视时为正方形，且其一边的长度设为电介质层长31a。将第二金属层32俯视时为正方形，且其一边的长度设为第二金属层长32a。虽然没有特别限定，但在本实施方式中，例如电介质层长31a与第二金属层长32a为相同的长度。优选，电介质层长31a以及第二金属层长32a比太赫兹波15的真空中的波长15a短。另外，优选比振幅15c的两倍短。

通过缩短电介质层长31a以及第二金属层长32a，能够减轻电介质层31的重量。由此，能够使第一臂部24以及第二臂部25变细。而且，第一检测元件9能够提高第一臂部24以及第二臂部25的隔热性。其结果，由于难以从转换部35以及支承基板26释放出热量，所以能够使太赫兹波15的检测精度良好。另外，电介质层31小与电介质层31大时相比热容减小，所以相对于热量的产生温度变化增大。因此，电介质层31高效地吸收太赫兹波15并能够将产生的热量转换为温度。

优选电介质层长31a以及第二金属层长32a比10μm长。此时，能够高效地使电介质层31吸收太赫兹波15。由于在电介质层长31a以及第二金属层长32a比10μm短时，太赫兹波15通过电介质层31的概率变高，所以吸收太赫兹波15并使产生热量的效率降低。

覆盖转换部35、电介质层31以及支承基板26而设置有第三保护层41。第三保护层41防止在转换部35以及支承基板26附着灰尘。并且，防止转换部35以及支承基板26因氧、水分的进入而劣化的情况。第三保护层41的材料能够使用硅膜、氮化硅膜、氧化硅膜、各种树脂材料。在本实施方式中例如在第三保护层41使用氮化硅膜。第三保护层41也可以进一步覆盖第一臂部24以及第二臂部25。由此，第三保护层41能够防止在第一布线37以及第二布线38附着灰尘、流动有预定外的电流的情况。

在排列的各第一检测元件9中第二金属层32相对于外形的位置为相同的位置。因此，各第一检测元件9的周期亦即第一周期13以及第二周期14与第二金属层32的周期长度相同。而且，通过将第二金属层32的周期设定为比波长15a短，能够缩短邻接的第二金属层32的间隔。由此，使太赫兹波15高效地衍射并使太赫兹波15能够朝向支承基板26的内部行进。

接下来，使用图4～图7，对第一检测元件9的制造方法进行说明。第二检测元件10～第四检测元件12的制造方法与第一检测元件9的制造方法相同，省略说明。图4～图7是用于说明第一检测元件的制造方法的示意图。如图4的(a)图所示，在底基板2上形成第一绝缘层16。第一绝缘层16例如通过CVD(Chemical Vapor Deposition：化学气相沉积)法形成。接下来，在第一绝缘层16上使用光刻法以及蚀刻法进行图案化来形成第一贯通孔29a以及第二贯通孔30a。以下，使用光刻法以及蚀刻法进行图案化。接下来，分别在第一贯通孔29a以及第二贯通孔30a形成第一贯通电极29以及第二贯通电极30。第一贯通电极29以及第二贯通电极30例如通过电镀法、溅射法形成。

如图4的(b)图所示，对第一绝缘层16进行图案化，形成第一柱部17以及第二柱部18。在第一柱部17以及第二柱部18的形成中，通过使用干式蚀刻法且调整制造条件，能够使侧面倾斜。接下来，在除了第一柱部17以及第二柱部18的位置以外的第一绝缘层16上设置第一金属层21。第一金属层21例如通过溅射法形成并进行图案化。另外，也可以在第一柱部17以及第二柱部18的侧面形成第一金属层21。

如图4的(c)图所示，在第一金属层21、第一柱部17以及第二柱部18上形成第一保护层22。利用CVD法形成氧化铝膜，并将该膜作为第一保护层22。由此，第一绝缘层16、第一柱部17以及第二柱部18成为被氧化铝膜覆盖的状态。

接下来，在第一保护层22上使用CVD法形成由二氧化硅构成的牺牲层42。此时，在超过第一柱部17以及第二柱部18的高度形成二氧化硅膜，牺牲层42的膜厚形成为比第一柱部17以及第二柱部18的高度厚。接下来，使用CMP法(Chemical Mechanical Polishing：化学机械抛光)使牺牲层42的上表面平坦地形成，使第一柱部17以及第二柱部18的上表面与牺牲层42的面形成为同一个面。并且，除去在第一柱部17以及第二柱部18的上表面残留的第一保护层22以及牺牲层42。

如图4的(d)图所示，在牺牲层42上形成第二保护层23。第二保护层23通过CVD法、溅射法形成。接下来，在第二保护层23上形成支承基板层26a。支承基板层26a是成为第一臂部24、第二臂部25以及支承基板26的基础的层。支承基板层26a例如通过CVD法、溅射法形成。

接下来，对第二保护层23以及支承基板层26a进行图案化，从而形成第一贯通孔29a以及第二贯通孔30a。第一贯通孔29a以及第二贯通孔30a以分别使在前一个工序形成的第一贯通电极29以及第二贯通电极30露出的方式形成。接下来，在第一贯通孔29a填充第一贯通电极29的材料，在第二贯通孔30a填充第二贯通电极30的材料。第一贯通电极29以及第二贯通电极30例如通过电镀法、溅射法来形成。通过以上的工序，形成从支承基板层26a的表面与底基板2连接的第一贯通电极29以及第二贯通电极30。

如图5的(a)图所示，在支承基板层26a配置电介质层31的材料。电介质层31的材料例如通过CVD法成膜并通过图案化而形成。接下来，通过对已配置的电介质层31的材料进行烧制而形成电介质层31。此时的烧制温度并没有特别限定，但在本实施方式中例如在约700℃下进行。

如图5的(b)图所示，在电介质层31上依次层叠并形成第二金属层32、热电体层33、以及第三金属层34。由此，形成转换部35。第二金属层32、第三金属层34例如利用溅射法成膜并进行图案化来形成。热电体层33例如通过利用溅射法、溶胶-凝胶法成膜后进行图案化来形成。接下来，烧结热电体层33。烧结热电体层33的温度并没有特别限定，但在本实施方式中例如在约400℃下烧结热电体层33。该温度为不会对电介质层31产生影响的温度。

接下来，如图5的(c)图所示，在电介质层31以及转换部35的周围形成第二绝缘层36。第二绝缘层36例如通过溅射法、CVD法成膜并进行图案化而形成。通过调整图案化条件在配置第一布线37以及第二布线38的位置形成斜坡。

如图6的(a)图所示，在支承基板层26a上以及第二绝缘层36上形成第一布线37而将第三金属层34与第一贯通电极29电连接。并且，在支承基板层26a上形成第二布线38而将第二金属层32与第二贯通电极30电连接。第一布线37以及第二布线38例如通过电镀法、溅射法成膜并进行图案化而形成。

如图6的(b)图所示，覆盖转换部35以及电介质层31而形成第三保护层41。第三保护层41例如通过CVD法成膜并进行图案化而形成。第三保护层41也可以进一步以覆盖第一布线37以及第二布线38的方式形成。

如图7的(a)图所示，支承基板层26a以及第二保护层23被图案化。由此，支承基板26形成为四边形，第一臂部24以及第二臂部25形成为棱柱状。第一臂部24连结电介质层31与第一柱部17，第二臂部25连结电介质层31与第二柱部18。

如图7的(b)图所示，除去牺牲层42。将不进行蚀刻的位置掩蔽后进行蚀刻并除去牺牲层42。然后，在蚀刻后除去掩蔽物并进行清洗。第一柱部17以及第二柱部18由于被第一保护层22保护，所以以没有被蚀刻的方式形成。由于支承基板26的底基板2侧的面也被第二保护层23保护，所以支承基板26以没有被蚀刻的方式形成。由此，形成第一柱部17、第二柱部18以及空洞28。另外，可以与第一柱部17以及第二柱部18同时地形成框部3。另外，与第一检测元件9同时地形成第二检测元件10～第四检测元件12。通过以上的工序完成太赫兹波检测装置1。

如上述那样，根据本实施方式，具有以下的效果。

(1)根据本实施方式，第一检测元件9具备电介质层31和转换部35。电介质层31吸收太赫兹波15而产生热量。电介质层31与照射于电介质层31的太赫兹波15的量对应地产生热量。转换部35将由电介质层31产生的热量转换为电信号。因此，转换部35能够输出与照射于电介质层31的太赫兹波15的量对应的电信号。

(2)根据本实施方式，太赫兹波检测装置1具备底基板2，在底基板2上隔着空洞28而排列有第一检测元件9。由于支承基板26被支承部27支承，所以支承基板26以及电介质层31的热量难以传导至底基板2。因此，由于通过在电介质层31产生的热量使转换部35的温度响应性良好地上升，所以第一检测元件9能够灵敏度良好地检测太赫兹波15。另外，第二检测元件10～第四检测元件12的构造是与第一检测元件9相同的构造，从而能够灵敏度良好地检测太赫兹波15。

(3)根据本实施方式，支承基板26以及电介质层31成为被第一金属层21与第二金属层32夹持的状态。在太赫兹波15射入电介质层31时太赫兹波15在电介质层31、支承基板26行进。太赫兹波15被第一金属层21与第二金属层32多重反射。而且，被第一金属层21与第二金属层32反射的太赫兹波15在电介质层31的内部行进的过程中，能量被电介质层31吸收而转换为热量。因此，第一检测元件9能够使电介质层31高效地吸收照射太赫兹波检测装置1的太赫兹波15并将能量转换为热量。

(4)根据本实施方式，由于第一检测元件9隔开地排列有多个，所以转换部35也隔开地排列有多个。而且，在邻接的转换部35之间作为狭缝发挥作用。因此，太赫兹波15在转换部35发生衍射并改变行进方向而进入电介质层31。其结果，太赫兹波检测装置1能够高效地吸收照射的太赫兹波15并精度良好地将该太赫兹波15转换为电信号。

(5)根据本实施方式，第二金属层32以比被电介质层31吸收的太赫兹波15在真空中的波长更小的周期排列。此时，由于邻接的第二金属层32之间的间隔变窄，所以太赫兹波15变得容易衍射。因此，能够使太赫兹波15容易进入第一金属层21与第二金属层32之间。

(6)根据本实施方式，第二金属层32的长度以及电介质层31的长度比被电介质层31吸收的太赫兹波15在真空中的波长短。并且，第二金属层32的长度以及电介质层31的长度比被电介质层31吸收的太赫兹波15的振幅的两倍的长度短。由此，能够电介质层31减轻重量，所以能够使第一臂部24以及第二臂部25变细。或者，能够使第一臂部24以及第二臂部25变长。在第一臂部24以及第二臂部25较细时或者第一臂部24以及第二臂部25较长时支承基板26的热量难以传导至底基板2，所以第一检测元件9能够容易检测热量。

(7)根据本实施方式，第二金属层32的长度比10μm长。由此，由于太赫兹波15被第一金属层21以及第二金属层32多重反射，所以电介质层31能够高效地吸收太赫兹波15。其结果，第一检测元件9能够灵敏度良好地检测太赫兹波15。

(8)根据本实施方式，电介质层31包含氧化锆、钛酸钡、氧化铪、硅酸铪中的任一个。氧化锆、钛酸钡、氧化铪、硅酸铪为介电常数高的材质。因此，电介质层31使太赫兹波15产生介电损耗并能够高效地将太赫兹波的能量转换为热量。

(9)根据本实施方式，支承基板26的材质具备二氧化硅。由于硅以及硅化合物为电介质，所以支承基板26能够吸收太赫兹波15而产生热量。而且，由于硅以及硅化合物具有刚性，所以能够作为支承电介质层31以及转换部35的结构体发挥功能。

第二实施方式

接下来，使用图8以及图9对使用了太赫兹波检测装置的图像装置的一个实施方式进行说明。图8的(a)图是表示图像装置的结构的框图。图8的(b)图是表示对象物的太赫兹带的光谱的图表。图9是表示对象物的物质A、B、以及C的分布的图像的图。

如图8的(a)图所示，图像装置45具备太赫兹波产生部46、太赫兹波检测部47以及图像形成部48。太赫兹波产生部46向对象物49射出太赫兹波15。太赫兹波检测部47检测透过了对象物49的太赫兹波15或者被对象物49反射的太赫兹波15。图像形成部48基于太赫兹波检测部47的检测结果，生成对象物49的图像的数据亦即图像数据。

太赫兹波产生部46例如能够采用使用了量子级联激光器、光电导天线和短脉冲激光器的方式、使用了非线形光学结晶的差频产生方式。太赫兹波检测部47使用上述记载的太赫兹波检测装置1。

太赫兹波检测部47具备第一检测元件9～第四检测元件12，各检测元件检测波长不同的太赫兹波15。因此，太赫兹波检测部47能够检测四种波长的太赫兹波15。图像装置45是使用四个检测元件中的第一检测元件9以及第二检测元件10检测两种波长的太赫兹波15来分析对象物49的装置。

成为光谱成像的对象的对象物49由第一物质49a、第二物质49b、以及第三物质49c构成。图像装置45进行该对象物49的光谱成像。太赫兹波检测部47检测被对象物49反射的太赫兹波15。并且，分析所使用的波长的种类也可以为三个种以上。由此能够分析更多种类的对象物49。

将第一检测元件9检测的太赫兹波15的波长设为第一波长，将第二检测元件10检测的波长设为第二波长。将被对象物49反射的太赫兹波15的第一波长的光强度设为第一强度，将第二波长的光强度设为第二强度。以能够在第一物质49a、第二物质49b和第三物质49c对第一强度与第二强度的差分彼此进行显著区别的方式设定第一波长以及第二波长。

在图8的(b)图中，纵轴表示检测出的太赫兹波15的光强度，图中上侧为比下侧更强的强度。横轴表示检测出的太赫兹波15的波长且图中右侧为比左侧长的波长。第一特性线50是表示第一物质49a反射的太赫兹波15的波长与光强度之间的关系的特性的线。同样地，第二特性线51表示第二物质49b的太赫兹波15的特性，第三特性线52表示第3物质49c的太赫兹波15的特性。在横轴明示出第一波长53以及第二波长54的位置。

将对象物49为第一物质49a时被对象物49反射的太赫兹波15的第一波长53的光强度设为第一强度50a，将第二波长54的光强度设为第二强度50b。第一强度50a是第一特性线50在第一波长53下的值，第二强度50b是第一特性线50在第二波长54下的值。从第二强度50b减去第一强度50a的值亦即第一波长差为正值。

同样地，将对象物49为第二物质49b时被对象物49反射的太赫兹波15的第一波长53的光强度设为第一强度51a，将第二波长54的光强度设为第二强度51b。第一强度51a是第二特性线51在第一波长53下的值，第二强度51b是第二特性线51在第二波长54下的值。从第二强度51b减去第一强度51a的值亦即第二波长差为零。

将对象物49为第三物质49c时被对象物49反射的太赫兹波15的第一波长53的光强度设为第一强度52a，将第二波长54的光强度设为第二强度52b。第一强度52a是第三特性线52在第一波长53下的值，第二强度52b是第三特性线52在第二波长54下的值。从第二强度52b减去第一强度52a的值亦即第三波长差为负值。

图像装置45进行对象物49的光谱成像时，首先，太赫兹波产生部46使太赫兹波15产生。而且，太赫兹波产生部46向对象物49照射太赫兹波15。然后，太赫兹波检测部47对被对象物49反射的太赫兹波15或者透过对象物49的太赫兹波15的光强度进行检测。将该检测结果从太赫兹波检测部47送出至图像形成部48。另外，针对位于检查的区域的所有的对象物49进行太赫兹波15朝向对象物49的照射以及被对象物49反射的太赫兹波15的检测。

图像形成部48使用太赫兹波检测部47的检测结果从第二波长54的光强度减去第一波长53的光强度。而且，将减法的结果为正值的部位判断为第一物质49a。同样地，将减法的结果为零的部位判断为第二物质49b，将减法的结果为负值的部位判断为第三物质49c。

如图9所示，另外，在图像形成部48中，生成表示对象物49的第一物质49a、第二物质49b、以及第三物质49c的分布的图像的图像数据。该图像数据从图像形成部48输出给未图示的显示器，显示器显示表示第一物质49a、第二物质49b、以及第三物质49c的分布的图像。例如，按照颜色的不同，将第一物质49a分布的区域显示为黑色、第二物质49b分布的区域显示为灰色、第三物质49c分布的区域显示为白色。如以上那样，在图像装置45中能够同时地进行构成对象物49的各物质的鉴定、和该各物质的分布测定。

并且，图像装置45的用途并不限定于上述。例如，针对人物照射太赫兹波15并检测透过人或者反射的太赫兹波15。在图像形成部48中进行检测出的太赫兹波15的检测结果的处理，从而也能够辨别该人是否持有***、刀、违法的药物等。太赫兹波检测部47使用上述记载的太赫兹波检测装置1。因此，图像装置45能够具有较高的检测灵敏度。

第三实施方式

接下来，使用图10对使用了太赫兹波检测装置的测量装置的一个实施方式进行说明。图10是表示测量装置的结构的框图。如图10所示，测量装置57具备产生太赫兹波的太赫兹波产生部58、太赫兹波检测部59以及测量部60。太赫兹波产生部58向对象物61照射太赫兹波15。太赫兹波检测部59检测透过了对象物61的太赫兹波15或者被对象物61反射的太赫兹波15。太赫兹波检测部59使用上述记载的太赫兹波检测装置1。测量部60基于太赫兹波检测部59的检测结果测量对象物61。

接下来，对测量装置57的使用例进行说明。通过测量装置57进行对象物61的光谱测量时，首先，通过太赫兹波产生部58使太赫兹波15产生，并使该太赫兹波15照射于对象物61。然后，太赫兹波检测部59对透过了对象物61的太赫兹波15或者被对象物61反射的太赫兹波15进行检测。将检测结果从太赫兹波检测部59输出至测量部60。另外，针对位于测量范围内的所有的对象物61进行该太赫兹波15朝向对象物61的照射以及透过了对象物61的太赫兹波15或者被对象物61反射的太赫兹波15的检测。

测量部60根据检测结果输入构成各像素4的第一检测元件9～第四检测元件12中检测出的太赫兹波15各自的光强度并进行对象物61的成分及其分布等的分析。另外，也可以测量对象物61的面积、长度。太赫兹波检测部59使用上述所记载的太赫兹波检测装置1。因此，测量装置57能够具有较高的检测灵敏度。

第四实施方式

接下来，使用图11对使用了太赫兹波检测装置的照相机的一个实施方式进行说明。图11是表示照相机的结构的框图。如图11所示，照相机64具备太赫兹波产生部65、太赫兹波检测部66、存储部67以及控制部68。太赫兹波产生部65向对象物69照射太赫兹波15。太赫兹波检测部66检测被对象物69反射的太赫兹波15或者透过了对象物69的太赫兹波15。太赫兹波检测部66使用上述记载的太赫兹波检测装置1。存储部67存储太赫兹波检测部66的检测结果。控制部68控制太赫兹波产生部65、太赫兹波检测部66以及存储部67的动作。

照相机64具备壳体70，太赫兹波产生部65、太赫兹波检测部66、存储部67以及控制部68收纳于壳体70。照相机64具备使被对象物69反射的太赫兹波15在太赫兹波检测部66成像的透镜71。并且，照相机64具备用于使太赫兹波产生部65射出的太赫兹波15向壳体70的外部射出的窗部72。透镜71、窗部72的材质由使太赫兹波15透过并折射的硅、石英、聚乙烯等构成。并且，窗部72也可以构成为如狭缝那样仅设置开口。

接下来，对照相机64的使用例进行说明。拍摄对象物69时，首先，控制部68使太赫兹波产生部65射出太赫兹波15。该太赫兹波15照射对象物69。然后，被对象物69反射的太赫兹波15通过透镜71在太赫兹波检测部66成像，太赫兹波检测部66检测对象物69。检测结果从太赫兹波检测部66输出至存储部67并被存储。并且，针对位于拍摄范围内的所有的对象物69进行向对象物69的太赫兹波15的照射以及被对象物69反射的太赫兹波15的检测。另外，照相机64也可以向例如个人计算机等外部装置发送检测结果。个人计算机能够基于检测结果进行各种处理。

照相机64的太赫兹波检测部66使用上述记载的太赫兹波检测装置1。因此，照相机64能够具有较高的检测灵敏度。

并且，本实施方式并不限定于上述的实施方式，还能够在本发明的技术的思想内通过在本领域中具有常规知识的技术人员施加各种变更、改进。可以是实际上与上述实施方式所说明的结构功能相同、方法以及结果相同的结构、或者目的以及效果相同的结构。另外，也可以是替换了上述实施方式所说明的结构的非本质的部分的结构。以下记述变形例。

变形例1

在上述第一实施方式中，在底基板2上第一检测元件9配置为纵横排列的格子状。第一检测元件9的排列也可以为格子状以外的排列图案。图12的(a)图是表示第一检测元件的结构的示意俯视图。如图12的(a)图所示，例如，也可以使作为检测元件的第一检测元件75的平面形状形成为六边形而排列为蜂巢状。另外，第一检测元件9的排列也可以为除此以外的重复图案。此时，能够使邻接的检测元件之间成为狭缝使太赫兹波15衍射而进入检测元件。

变形例2

在上述第一实施方式中，设置了第一检测元件9～第四检测元件12四种检测元件。检测元件的种类可以是1～3种也可以是五种以上。也可以与欲检测的太赫兹波15的波长的数目配合。

变形例3

在上述第一实施方式中，电介质层31以及第二金属层32的形状为正方形。图12的(b)图表示第一检测元件的结构的示意俯视图。如图12的(b)图所示，例如，作为吸收部的电介质层76以及第二金属层77的形状也可以为三角形。另外，电介质层31以及第二金属层32的形状可以为长方形，也可以为包含多边形、圆弧的形状。此时，优选排列的方向上的电介质层长以及第二金属层长比太赫兹波15在真空中的波长短。另外，优选排列的方向上的电介质层长以及第二金属层长比振幅的两倍短。由此，能够使第一臂部24以及第二臂部25变细或者变长，所以能够灵敏度良好地检测太赫兹波15。

变形例4

在上述第一实施方式中，形成为从转换部35侧朝向底基板2行进的太赫兹波15在转换部35衍射的方式。也可以在第一金属层21设置狭缝。而且，也可以形成为从底基板2侧朝向转换部35行进的太赫兹波15在第一金属层21衍射的方式。该方式时太赫兹波15也在第一金属层21与第二金属层32之间反复反射所以支承基板26能够高效地吸收太赫兹波15。

附图标记说明：

1…太赫兹波检测装置；2…作为基板的底基板；9、75…作为检测元件的第一检测元件；10…作为检测元件的第二检测元件；11…作为检测元件的第三检测元件；12…作为检测元件的第四检测元件；13…作为周期的第一周期；14…作为周期的第二周期；15…太赫兹波；15a…波长；15c…振幅；17…作为支承部的第一柱部；18…作为支承部的第二柱部；21…第一金属层；24…作为臂部以及支承部的第一臂部；25…作为臂部以及支承部的第二臂部；26…支承基板；27…支承部；28…空洞；31、76…作为吸收部的电介质层；32、77…第二金属层；33…热电体层；34…第三金属层；35…转换部；45…图像装置；46、58、65…太赫兹波产生部；47、59、66…太赫兹波检测部；48…图像形成部；49、61、69…对象物；57…测量装置；60…测量部；64…照相机；67…存储部。

Claims (10)

1.一种太赫兹波检测装置，其特征在于，具备：

基板；以及

多个检测元件，所述多个检测元件排列在所述基板上，

所述检测元件具有：

第一金属层，其设置于所述基板；

支承基板，其与所述第一金属层分离地设置；

吸收部，其设置于所述支承基板，吸收太赫兹波并产生热量；以及

转换部，其层叠有第二金属层、热电体层、以及第三金属层并设置于所述吸收部，并且将在所述吸收部产生的热量转换为电信号。

2.根据权利要求1所述的太赫兹波检测装置，其特征在于，

所述多个检测元件以使所述太赫兹波在邻接的所述转换部之间衍射的方式排列。

3.根据权利要求1或2所述的太赫兹波检测装置，其特征在于，

所述第二金属层的排列的周期比被所述吸收部吸收的所述太赫兹波在真空中的波长短。

4.根据权利要求1～3中任一项所述的太赫兹波检测装置，其特征在于，

所述检测元件具备支承部，该支承部包括与所述支承基板连接的柱状的臂部，并且以使所述支承基板与所述基板分离的方式支承所述支承基板，

沿所述检测元件排列的方向上的所述第二金属层的长度以及所述吸收部的长度，比使所述吸收部吸收的所述太赫兹波在真空中的波长短并且比10μm长。

5.根据权利要求4所述的太赫兹波检测装置，其特征在于，

沿所述检测元件排列的方向上的所述第二金属层的长度以及所述吸收部的长度比被所述吸收部吸收的所述太赫兹波的振幅的两倍的长度短。

6.根据权利要求1～5中任一项所述的太赫兹波检测装置，其特征在于，

所述吸收部的材质包括氧化锆、钛酸钡、氧化铪、硅酸铪中的任一个。

7.根据权利要求4～6中任一项所述的太赫兹波检测装置，其特征在于，

所述支承基板的主要材料为硅。

8.一种照相机，其特征在于，具备：

太赫兹波产生部，其产生太赫兹波；

太赫兹波检测部，其对从所述太赫兹波产生部射出并透过对象物的所述太赫兹波或者被所述对象物反射的所述太赫兹波进行检测；以及

存储部，其存储所述太赫兹波检测部的检测结果，

所述太赫兹波检测部是权利要求1～7中任一项所述的太赫兹波检测装置。

9.一种图像装置，其特征在于，具备：

太赫兹波产生部，其产生太赫兹波；

太赫兹波检测部，其对从所述太赫兹波产生部射出且透过对象物的所述太赫兹波或者被所述对象物反射的所述太赫兹波进行检测；以及

图像形成部，其基于所述太赫兹波检测部的检测结果生成所述对象物的图像，

所述太赫兹波检测部是权利要求1～7中任一项所述的太赫兹波检测装置。

10.一种测量装置，其特征在于，具备：

太赫兹波产生部，其产生太赫兹波；

太赫兹波检测部，其对从所述太赫兹波产生部射出且透过对象物的所述太赫兹波或者被所述对象物反射的所述太赫兹波进行检测；以及

测量部，其基于所述太赫兹波检测部的检测结果测量所述对象物，

所述太赫兹波检测部是权利要求1～7中任一项所述的太赫兹波检测装置。