CN104201186B - 平板显示器及其制造方法 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种平板显示器及其制造方法。该平板显示器包括：导体；和设置在该导体的侧端上的钝化层图案。这样，该钝化层图案可以避免或减少导体的腐蚀和损坏。在一个实施例中，该导体包括由从铝和铝合金所组成的组中选择的材料形成的导电层。该钝化层图案可以由有机材料或无机材料形成。

Description

平板显示器及其制造方法
本申请是申请日为2006年12月8日、申请号为200610162075.5、发明名称为“平板显示器及其制造方法”的发明专利申请的分案申请。
相关申请的引用
本申请要求2005年12月9日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2005-120759以及2005年12月15日在韩国知识产权局递交的韩国专利申请No.10-2005-123994的优先权和权益，在此将其全部内容引入作为参考。
技术领域
本发明涉及平板显示器及其制造方法。
背景技术
诸如液晶显示器、有机发光显示器、无机发光显示器之类的平板显示器使用铝基金属来降低互连阻抗。
在制造过程中，铝基金属导体容易被蚀刻溶液损坏。
发明内容
本发明提供一种平板显示器及其制造方法，其能避免(或阻碍)诸如电极、互连部分等的导体在制造过程中受到腐蚀或侵蚀。更具体地说，本发明的一个方面提供一种平板显示器及其制造方法，其能避免(或减少)包括互连部分的导体的腐蚀和损坏。
在本发明的第一示例性实施例中，平板显示器包括：导体；和设置在该导体的侧端上的钝化层图案。
在本发明的第二示例性实施例中，平板显示器包括：有机发光二极管，其包括第一电极、第二电极和设置在第一电极和第二电极之间的有机层，该有机层具有发光层；电连接到有机发光二极管的互连部分(interconnection)；和设置在该互连部分的侧端的钝化层图案。
在本发明的第三示例性实施例中，平板显示器包括：活性层；与该活性层绝缘的栅电极；与该栅电极绝缘但与活性层电连接的源电极；与栅电极绝缘但与活性层电连接的漏电极；和设置在栅电极、源电极或漏电极中的至少之一的侧端上的钝化层图案。
在本发明的第四示例性实施例中，平板显示器包括：位于衬底上并具有源电极和漏电极的薄膜晶体管；置于衬底上且位于该衬底的非发光区中并与薄膜晶体管电连接的互连部分；设置在一平面化层上并将源电极和漏电极的至少之一的一部分暴露出来的钝化层图案，该钝化层图案进一步设置在互连部分的侧端上；和电连接到薄膜晶体管的有机发光二极管。
在本发明的第五示例性实施例中，提供一种制造平板显示器的方法。该方法包括：在衬底上形成具有源电极和漏电极的薄膜晶体管；在衬底上且该衬底的非发光区中形成互连部分，该互连部分电连接到位于衬底上的薄膜晶体管；在衬底上形成平面化层，以至少覆盖该薄膜晶体管和互连部分；图案化平面化层，以形成将源电极或漏电极的一部分暴露出来的通孔，和设置在该互连部分的侧端上的平面化层图案；以及形成电连接到源电极和漏电极的有机发光二极管。
附图说明
附图与申请文件一起图示了本发明的示例性实施例，并且与说明书一起用作解释本发明的原理。
图1是根据本发明示例性实施例的包括在平板显示器中的导体的截面图；
图2是根据本发明另一示例性实施例的包括在平板显示器中的导体的截面图；
图3是根据本发明示例性实施例的有机发光显示器的截面图；
图4A、4B、4C和4D是图示根据本发明示例性实施例的制造有机发光显示器的方法的截面图。
具体实施方式
在以下详细的描述中，仅简单地通过示例的方式，示出和描述了本发明特定的示例性实施例。本领域的技术人员应该理解，所描述的实施例可以按照各种不同的方式进行修改，而都不脱离本发明的精神或范围。因此，附图和描述本质上被视为示例性的而不是限制性的。并且，在本发明的上下文中，当一元件在另一元件“之上”时，它可以直接在另一元件上，也可以间接地在该另一元件上，之间***有一个或多个居间元件。在整个申请文件中，相似的附图标记指示相似的元件。
图1是根据本发明示例性实施例的包括在平板显示器中的导体10的截面图。
导体10可以是用于减少(或避免)其电压降的数据互连部分、扫描互连部分、电源互连部分和/或汇流互连部分。这里，导体10用在平板显示器中，或者用在薄膜晶体管或电容器的电极中，这将在以下进行更详细描述。导体10可以包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或者其组合之类的金属材料，和/或诸如ITO、IZO、ZnO、In2O3或其组合之类的透明的导电材料。此外，也可以使用导电浆，其包括导电有机材料和/或诸如Ag、Mg、Cu之类的导电粒子。
导体10的侧表面围绕有钝化层图案20。钝化层图案20由绝缘材料形成，并围绕导体10，从而保护导体10免于接触可能渗透到导体10的侧表面的蚀刻溶液、蚀刻剂等。
钝化层图案20可以由有机材料形成，其中有机材料包括从以下材料所组成的组中选择的至少之一：具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其组合。在一个实施例中，钝化层图案20由基于丙烯的材料形成。在一个实施例中，基于丙烯的材料是感光性的基于丙烯的材料，从而便于图案的形成。
钝化层图案20可以由无机材料形成，其中无机材料包括从以下材料所组成的组中选择的至少之一：SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST、PZT及其组合。
而且，如图2所示，根据本发明另一示例性实施例的导体10’形成有包括铝或铝合金的多层结构。
如图2所示，导体10’包括第一导电层11、第二导电层12和第三导电层13，它们彼此相邻地沉积(或依次沉积)。这里，第二导电层12可以由铝或铝合金形成，例如，Al、AlSi、AlNd、AlCu等。
当第二导电层12由铝基金属形成时，第一导电层11和第三导电层13的至少之一可以包括从以下材料组成的组中选择的至少之一：Cr、Cr合金、Mo、Mo合金、W和W合金。
作为一个示例，第一导电层11和第三导电层13可以由MoW形成，而第二导电层12可以由AlNd形成。然而，本发明并不局限于此。
而且，当第二导电层12由铝基金属形成时，第一导电层11和第三导电层13的至少之一可以包括从以下材料组成的组中选择的至少之一：Ti、Ti合金、Ta和Ta合金。
作为一个示例，第一导电层11和第三导电层13可以由Ti基金属形成，而第二导电层12可以由Al基金属形成。
然而，本发明并不局限于此，而且，除了这三层结构以外，可以增加单独的层，以形成多层结构。
即使在导体10’具有多层结构的情况下，钝化层图案20也可以由绝缘材料形成，并覆盖导电层10’的侧端。钝化层图案20可以由上述材料形成。也就是说，当钝化层图案20由有机材料形成时，有机材料可以包括从以下材料组成的组中选择的至少之一：具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其组合。在一个实施例中，钝化层图案20可以由基于丙烯的材料组成。在一个实施例中，基于丙烯的材料是感光性的基于丙烯的材料，从而便于图案的形成。当钝化层图案20由无机材料形成时，无机材料可以包括从以下材料所组成的组中选择的至少之一：SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST、PZT及其组合。
如上所述，当导体10’形成为多层结构时，可以由于第二导电层12是具有相对较高的导电性的铝基，而提高导体10的导电性，并且可以利用第一导电层11和第三导电层13保护第二导电层12。此外，可以利用形成在第二导电层12侧端的钝化层图案20来避免(或降低)由于蚀刻剂等的渗透而造成的铝基第二导电层12的腐蚀和侵蚀。
上述结构可以用在各种区域中，例如平板显示器的像素和发光区的外侧。
图3是根据本发明示例性实施例的有机发光显示器的截面图。
如图3所示，薄膜晶体管(TFT)40和有机发光二极管(OLED)设置在衬底31上。
衬底31可以由塑料形成，例如丙烯、聚酰亚胺、聚碳酸酯、聚酯、聚酯薄膜等。然而，本发明并不局限于此。例如，衬底可以由诸如SUS或钨之类的金属箔或玻璃材料形成。
诸如阻挡层和/或缓冲层的绝缘层32可以形成在衬底31上，以避免(或减少)杂质离子的扩散以及湿气或外部空气的渗透，并且平坦化衬底的表面。
薄膜晶体管40的活性层41使用半导体材料形成在绝缘层32上，并且栅极绝缘层33被形成为覆盖活性层41。活性层41可以由诸如非晶硅或多晶硅之类的无机半导体材料或者有机半导体材料形成，并且包括源极区412、漏极区413和设置在二者之间的沟道区411。
栅电极42设置在栅极绝缘层33，并且层间绝缘层34被形成为覆盖栅电极42。此外，源电极43和漏电极44设置在层间绝缘层34上，随后钝化层(或称钝化层图案)35被设置成覆盖源电极43和漏电极44。
栅极绝缘层33、层间绝缘层34和钝化层35可以由单层或多层结构的绝缘材料形成，也可以由有机材料、无机材料或有机/无机混合物形成。
上述薄膜晶体管40的沉积结构不局限于此，而是可以采用各种其它合适的结构。
仍然如图3所示，第一电极51是有机发光二极管OLED的电极，它形成在钝化层35上，而像素限定层37形成于第一电极51上。开口38形成在像素限定层37中，以便将第一电极51暴露出来，随后形成有机发光二极管OLED的有机层52。
有机发光二极管OLED根据电流的流动发射红、绿和蓝光，以显示图像信息。这里，有机发光二极管OLED包括通过通孔36接触漏电极44的第一电极51、用于覆盖整个像素的第二电极53、和具有发光层并设置在第一电极51和第二电极53之间以便发光的有机层52。
第一电极51和第二电极53由于有机层52而彼此绝缘，并且不同极性的电压施加到有机层52上，以便从有机层52发光。
有机层52使用低分子的有机层或聚合物有机层。当使用低分子的有机层时，空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、电子传输层(ETL)、电子注入层(EIL)等可以沉积成单层或多层结构。此外，可以采用各种有机材料，例如，铜酞菁(CuPc)、N,N-二(萘-1-基)-N,N’-二苯基-联苯胺(NPB)、三-8-羟基喹啉铝(Alq3)等。低分子的有机层可以用真空沉积方法形成。这里，空穴注入层、空穴传输层、电子传输层和电子注入层可以作为公共层被共同施加到红、绿和蓝像素上。因此，不像图3所示的实施例，根据一个实施例可以形成一公共层，以覆盖整个像素，类似于第二电极53。
聚合物有机层可以具有包括空穴传输层(HTL)和发光层(EML)的结构。这里，空穴传输层可以由PEDOT形成，而发光层可以由基于聚-亚苯基亚乙烯基(PPV)或基于聚芴的聚合物有机材料形成。空穴传输层和发光层可以用丝网印刷法、喷墨印刷法等形成。
然而，本发明的有机层并不局限于图3所示的有机层。
在图3中，第一电极51用作阳极电极，第二电极53用作阴极电极。可替换的，第一电极51用作阴极电极，第二电极53用作阳极电极。
如果图3的有机发光显示器是底发光型，那么第一电极51可以是透明电极，第二电极53可以是反射电极。这里，作为第一电极51的透明电极可以由具有相对较高的功函数的ITO、IZO、In2O3、ZnO等形成，而作为第二电极53的反射电极可以由诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca之类的金属或其混合物形成。
如果图3的有机发光显示器是顶发光型，那么第一电极51可以是反射电极，第二电极可以是透明电极。这里，作为第一电极51的反射电极可以通过使用Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其组合物形成反射层，随后使用具有相对较高的功函数的ITO、IZO、In2O3、ZnO等形成层来制成。此外，作为第二电极53的透明电极可以通过沉积具有相对较低的功函数的诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca之类的金属或其组合物，随后使用诸如ITO、IZO、In2O3、ZnO等的透明导电材料形成辅助电极层或汇流电极线来制成。
如果图3的有机发光显示器是双发光型，那么第一电极51和第二电极53都可以形成为透明电极。
第一电极51和第二电极53不局限于上述材料，并且除了上述材料以外，可以由导电有机材料或包括诸如Ag、Mg、Cu之类的导电粒子的导电浆形成。当使用导电浆时，电极51和53可以由喷墨印刷法印刷，随后被塑化。
在形成有机发光二极管OLED之后，其上部分被密封(或密闭地封住)，以避免有机发光二极管OLED接触外部空气。
此外，栅电极42、源电极43和漏电极44可以包括诸如Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca或其组合之类的金属材料，或者诸如ITO、IZO、In2O3、ZnO等的透明导电材料。此外，可以使用导电有机材料或包括诸如Ag、Mg、Cu之类的导电粒子的导电浆。
此外，如图2所示，电极可以形成为三层结构。
如图3所示，根据本发明的示例性实施例，栅电极42具有单层结构，源电极43和漏电极44具有三层结构，但是本发明并不局限于此。例如，上述结构的各种合适的组合可以用作电极。下文中，如图3所示，将更详细描述栅电极42具有单层结构并且源电极43和漏电极44具有三层结构的结构。
源电极43和漏电极44可以包括一结构，在该结构中第一导电层431和441、第二导电层432和442以及第三导电层433和443从图3的下侧依次沉积。这里，第二导电层432和442可以由铝或铝合金形成，例如Al、AlSi、AlNd、AlCu等。
如上所述，当第二导电层432和442由铝基金属形成时，第一导电层431和441或第三导电层433和443中的至少之一可以包括从以下材料组成的组中选择的至少之一：Cr、Cr合金、Mo、Mo合金、W和W合金。
例如，第一导电层431和441以及第三导电层433和443可以由MoW形成，第二导电层432和442可以由AlNd形成，相似于图2的导体。
当第二导电层432和442由铝基金属形成时，第一导电层431和441或第三导电层433和443中的至少之一可以包括从Ti、Ti合金、Ta和Ta合金所组成的组中选择的至少之一。
例如，第一导电层431和441以及第三导电层433和443可以由基于Ti的金属形成，第二导电层432和442可以由基于Al的金属形成。
然而，本发明并不局限于此，并且可以向三层结构中添加单独的层结构。
即使在源电极43和漏电极44具有多层结构的情况下，也可以使用绝缘材料形成钝化层图案45，使其覆盖源电极43和漏电极44的侧端。钝化层图案45可以由上面提及的材料形成。也就是说，当钝化层图案45由有机材料形成时，有机材料可以由从以下材料组成的组中选择的至少之一形成：具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其组合。在一个实施例中，钝化层图案45由基于丙烯的材料形成。在一个实施例中，基于丙烯的材料是感光性的基于丙烯的材料，从而便于图案的形成。当钝化层图案45由无机材料形成时，无机材料可以由从以下材料所组成的组中选择的至少之一形成：SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST、PZT及其组合。
如上所述，当源电极43和漏电极44形成多层结构时，有可能因为第二导电层432和442是具有相对较高的导电性的铝基，而提高源电极43和漏电极44的导电性，并且有可能利用第一导电层431和441以及第三导电层433和443保护第二导电层432和442。此外，有可能利用形成在第二导电层432和442侧端的钝化层图案45来避免(或降低)由于蚀刻剂等的渗透而造成的铝基第二导电层432和442的腐蚀和侵蚀。特别是，当第一电极51被图案化时，更有利于保护源电极43和漏电极44免于蚀刻剂的渗透。
此外，当形成源电极43和漏电极44时，可以进一步形成互连部分60。互连部分60可以是Vdd电源线，但不局限于此，并且各种合适的互连部分可以适于有机发光显示器的像素电路。与源电极43和漏电极44一起形成的互连部分60，也具有第一导电层601、第二导电层602和第三导电层603。第一导电层601、第二导电层602和第三导电层603可以由与上述导电层材料相同的材料形成。
即使在互连部分60的情况下，钝化层图案61也可以如上所述那样形成。也就是说，由于形成钝化层图案61的方式与形成源电极43和漏电极44方式基本相同，所以这里不提供其详细描述。
当形成源电极43和漏电极44时，可以形成像素中包括互连部分60的各种导体。例如，如图3所示，汇流线70可以与第二电极53接触地设置。与源电极43和漏电极44一起形成的汇流线70，也可以具有第一导电层701、第二导电层702和第三导电层703。第一导电层701、第二导电层702和第三导电层703可以由与上述导电层材料相同的材料形成。汇流线70通过形成在钝化层35中的通孔39与第二电极53接触，以允许将电力提供给第二电极53。
即使在汇流线70的情况下，钝化层图案71也可以按照与上述方式基本相同的方式形成。也就是说，由于形成钝化层图案71的方式与形成源电极43和漏电极44的方式基本相同，所以这里不提供其详细描述。
尽管钝化层图案可以具有覆盖导体的侧端的结构，但是本发明不局限于此。可替换的，钝化层图案可以具有覆盖整个导体的结构。
如上所述，本发明实施例的钝化层图案可以应用到平板显示器的各种导电结构中。也就是说，虽然上述实施例针对有机发光显示器进行描述，但是这些实施例除了用在有机发光显示器中以外，还可以用在各种其它合适的平板显示器中，例如液晶显示器等。
图4A至图4D是图示根据本发明示例性实施例的制造有机发光显示器的方法的截面图。
参见图4A，绝缘层32形成在衬底31上，以避免(或阻碍)诸如金属离子之类的杂质从衬底31扩散以及渗透到活性层41中。
在形成绝缘层32之后，非晶硅被沉积和晶化在绝缘层32上，以形成多晶硅层，随后，图案化多晶硅层以形成活性层41。
然后，栅极绝缘层33沉积在包括活性层41的衬底的整个表面上，并且在栅极绝缘层33上沉积栅极金属，并对其进行图案化以形成栅电极42。
在形成栅电极42之后，预定导电类型的杂质利用栅电极42作为掩模被掺杂到活性层41中，以形成源极区412和漏极区413。源极区412和漏极区413之间的区域没有掺杂杂质，用作薄膜晶体管的沟道区411。
在活性层41中形成源极区412和漏极区413之后，在衬底的整个表面上形成层间绝缘层34，包括在活性层41上，并且在层间绝缘层34中形成接触孔以便将源极区412和漏极区413的一部分暴露出来。
导电材料沉积在层间绝缘层34上，包括在接触孔上，随后，图案化导电材料，以便形成通过接触孔与源极区412和漏极区413相连的源电极43和漏电极44，从而完成包括活性层41、栅电极42、源电极43和漏电极44的薄膜晶体管。
在形成源电极43和漏电极44的同时，互连部分80形成在衬底31的非发光区中，以将外部电路模块和薄膜晶体管电连接起来。也就是说，互连部分80电连接到TFT和外部电路模块。
这里，为了改善互连部分80对外部环境的耐腐蚀性，源电极43、漏电极44和互连部分80可以由从以下材料所组成的组中选择的材料形成：Ti/Al，Ti/Al合金(AlSi、AlNd及其等效物)、Ti/Al/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti以及Ti/Al合金/Ti。
在形成源电极43、漏电极44和互连部分80之后，平面化层46形成在包括源电极43、漏电极44和互连部分80的衬底上，以完成TFT面板。这里，平面化层46可以由从以下材料所组成的组中选择的材料形成：丙烯、聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)、玻璃上硅酸盐(silicate-on-glass，SOG)及其等效物，以便可以填平较低结构的台阶。此外，平面化层46可以由旋涂和/或缝隙填涂所述材料形成。
参见图4B，形成平面化层46，随后对其进行图案化，以形成将源电极43和漏电极44之一的一部分暴露出来的通孔36，例如将漏电极44的一部分暴露出来。这里，在形成通孔36的同时，形成具有开口81a并设置在互连部分80的侧端的钝化层图案81，其中开口81a将互连部分80的一部分暴露出来。
参见图4C，在形成通孔36和钝化层图案81之后，形成电连接到源电极43和漏电极44之一，例如通过通孔36电连接到漏电极44的第一电极51。
在图4C中，第一电极51可以由透明或半透明的导电层形成。在一个实施例中，第一电极51可以包括由从以下材料组成的组中所选择的材料形成的一层或多层：ITO、IZO、ITZO及其等效物，即具有铟的金属氧化物。例如，第一电极51可以包括具有ITO(或IZO、ITZO)/Al(或Al合金)、ITO(或IZO、ITZO)/Al(或Al合金)/ITO(或IZO、ITZO)等的结构。
参见图4D，在形成第一电极51之后，像素限定层37沉积在包括第一电极51的衬底的整个表面上，并被图案化，以形成将第一电极51的一部分暴露出来的开口38。这里，还将位于衬底31的非发光区中的像素限定层37去除。
然后，包括发光层的有机层52形成在包括开口38的像素限定层37上。
有机层52根据其功能可以由各种层组成。在一个实施例中，有机层除了发光层之外，还包括空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)、发光层(EML)、空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和/或电子注入层(EIL)。
此外，在本发明的实施例中，有机层52通过形成空穴注入层(HIL)、空穴传输层(HTL)，接着在开口中形成发光层(EML)，并随后形成空穴阻挡层(HBL)、电子传输层(ETL)和电子注入层(EIL)来形成。
在形成有机层52之后，在有机层52上形成第二电极53，以完成包括第一电极51、有机层52和第二电极53的有机发光二极管。
然后，可以将封装衬底安装在有机发光二极管上，以利用密封剂封装衬底31，其中衬底31上形成有TFT和有机发光二极管，然而金属互连部分80电连接到外部电路模块，从而完成根据本发明示例性实施例的有机发光显示器。
根据本发明示例性实施例的有机发光显示器包括源电极43、漏电极44和互连部分80，并且它们由从以下材料所组成的组中选择的至少之一形成：Ti/Al、Ti/Al合金(AlSi、AlNd及其等效物)、Ti/Al/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti以及Ti/Al合金/Ti，从而改善互连部分80对外部环境的耐腐蚀性。
此外，第一电极51一般通过湿法蚀刻进行图案化而形成。由于如上所述互连部分80由沉积层形成，并且互连部分80的侧端由钝化层图案81保护，所以有可能避免(或减少)由湿法蚀刻所引起的互连部分80的损坏。
此外，通过将平面化层46的一部分去除，有可能减少除气作用的影响并增加有机发光二极管的寿命。
根据前述观点，本发明的实施例提供一种有机发光显示器及其制造方法，其能改善TFT面板非发光区中的金属互连部分的耐腐蚀性。
虽然已经结合特定的示例性实施例描述了本发明，但是本领域的技术人员应该理解，本发明并不局限于所公开的实施例，相反，本发明意欲覆盖包括在所附权利要求书及其等同替换的精神和范围内的各种修改。

Claims (33)

1.一种平板显示器，包括：
有机发光二极管，其包括第一电极、第二电极和置于该第一电极和第二电极之间的有机层，该有机层具有发光层；
电连接到所述有机发光二极管的互连部分；
仅设置在该互连部分的侧端和该互连部分的顶表面的第一部分上的钝化层图案，其中该互连部分的顶表面的第二部分因该钝化层图案而暴露；和
覆盖所述钝化层图案和通过所述钝化层图案暴露的所述第二部分的另一钝化层图案；
其中所述钝化层图案由绝缘材料形成。
2.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述互连部分包括由从铝和铝合金所组成的组中选择的材料形成的导电层。
3.根据权利要求2所述的平板显示器，其中所述互连部分包括第一导电层、第二导电层和第三导电层，其中所述第二导电层沉积于所述第一导电层和第三导电层之间，并且所述第二导电层由从铝和铝合金所组成的组中选择的材料形成。
4.根据权利要求3所述的平板显示器，其中所述第一导电层或第三导电层中的至少之一包括从由Cr、Cr合金、Mo、Mo合金、W和W合金所组成的组中选择的材料。
5.根据权利要求3所述的平板显示器，其中所述第一导电层或第三导电层中的至少之一包括从由Ti、Ti合金、Ta和Ta合金所组成的组中选择的材料。
6.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述钝化层图案由绝缘有机材料形成。
7.根据权利要求6所述的平板显示器，其中所述钝化层图案由从以下材料所组成的组中选择的材料形成：具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其组合。
8.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述钝化层图案由绝缘无机材料形成。
9.根据权利要求8所述的平板显示器，其中所述钝化层图案由从以下材料所组成的组中选择的材料形成：SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
10.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述互连部分电连接到所述有机发光二极管的第二电极。
11.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述互连部分为电连接到所述有机发光二极管的电源互连部分。
12.根据权利要求1所述的平板显示器，其中所述互连部分为电连接到所述有机发光二极管的信号互连部分。
13.一种平板显示器，包括：
活性层；
与该活性层绝缘的栅电极；
与该栅电极绝缘并与所述活性层电连接的源电极；
与所述栅电极绝缘并与所述活性层电连接的漏电极；
仅置于所述栅电极、源电极或漏电极中的至少之一的侧端和顶表面的第一部分上的钝化层图案，其中该栅电极、源电极或漏电极中的至少之一的顶表面的第二部分因该钝化层图案而暴露；和
覆盖所述钝化层图案和通过所述钝化层图案暴露的所述第二部分的另一钝化层图案；
其中所述钝化层图案由绝缘材料形成。
14.根据权利要求13所述的平板显示器，其中所述栅电极、源电极和漏电极中的至少之一由从铝和铝合金所组成的组中选择的材料形成。
15.根据权利要求14所述的平板显示器，其中所述栅电极、源电极和漏电极中的至少之一包括第一导电层、第二导电层和第三导电层，其中所述第二导电层沉积于所述第一导电层和第三导电层之间，并且所述第二导电层由从铝和铝合金所组成的组中选择的材料形成。
16.根据权利要求15所述的平板显示器，所述第一导电层或第三导电层中的至少之一包括从由Cr、Cr合金、Mo、Mo合金、W和W合金所组成的组中选择的材料。
17.根据权利要求15所述的平板显示器，所述第一导电层或第三导电层中的至少之一包括从由Ti、Ti合金、Ta和Ta合金所组成的组中选择的材料。
18.根据权利要求13所述的平板显示器，其中所述钝化层图案由绝缘有机材料形成。
19.根据权利要求18所述的平板显示器，其中所述钝化层图案由从以下材料所组成的组中选择的材料形成：具有苯酚基的聚合物衍生物、基于丙烯的聚合物、基于酰亚胺的聚合物、基于芳基醚的聚合物、基于酰胺的聚合物、基于氟的聚合物、基于p-silirene的聚合物、基于乙烯醇的聚合物及其组合。
20.根据权利要求13所述的平板显示器，其中所述钝化层图案由绝缘无机材料形成。
21.根据权利要求20所述的平板显示器，其中所述钝化层图案由从以下材料所组成的组中选择的材料形成：SiO2、SiNx、SiON、Al2O3、TiO2、Ta2O3、HfO2、ZrO2、BST和PZT。
22.一种平板显示器，包括：
位于衬底上并具有源电极和漏电极的薄膜晶体管；
置于所述衬底上且位于该衬底的非发光区中并电连接到所述薄膜晶体管的互连部分，其中所述互连部分包括第一导电层、位于所述第一导电层上的第二导电层、以及位于所述第二导电层上的第三导电层；
置于一平面化层上并将所述源电极或漏电极中的至少之一的一部分暴露出来的钝化层图案，该钝化层图案进一步仅置于所述互连部分的侧端和所述互连部分的所述第三导电层的顶表面的第一部分上，其中所述互连部分的所述第三导电层的顶表面的第二部分因所述钝化层图案而暴露；和
电连接到所述薄膜晶体管的有机发光二极管，
其中所述钝化层图案由绝缘材料形成。
23.根据权利要求22所述的平板显示器，其中所述源电极、漏电极和互连部分由从以下材料所组成的组中选择的材料形成：Ti/Al、Ti/Al合金、Ti/Al/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti以及Ti/Al合金/Ti。
24.根据权利要求23所述的平板显示器，其中所述Al合金包括从由AlSi和AlNd所组成的组中选择的材料。
25.根据权利要求22所述的平板显示器，其中所述平面化层和钝化层图案由从丙烯、聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)和玻璃上硅酸盐(SOG)组成的组中选择的材料形成。
26.根据权利要求22所述的平板显示器，其中所述有机发光二极管包括：
电连接到所述薄膜晶体管的源电极或漏电极的第一电极；
包括将所述第一电极的一部分暴露出来的开口的像素限定层；
包括发光层且置于由所述开口暴露出来的第一电极上的有机层；和
置于所述有机层上的第二电极。
27.根据权利要求26所述的平板显示器，其中所述第一电极由包括含有铟的金属氧化物的一层或多层形成。
28.根据权利要求22所述的平板显示器，其中所述薄膜晶体管进一步包括：
置于所述衬底上，并包括源极区、沟道区和漏极区的活性层；
置于所述衬底上以至少覆盖所述活性层的栅极绝缘层；
置于所述栅极绝缘层的对应于所述活性层的区域上的栅电极；和
置于所述衬底上以至少覆盖所述栅电极的层间绝缘层，
其中所述源电极和漏电极置于所述层间绝缘层上，且分别电连接到所述源极区和漏极区，并且其中所述互连部分与所述源电极和漏电极置于相同的层上。
29.一种制造平板显示器的方法，该方法包括：
在衬底上形成具有源电极和漏电极的薄膜晶体管；
在所述衬底上且该衬底的非发光区中形成互连部分，该互连部分电连接到位于所述衬底上的薄膜晶体管；
在所述衬底上形成平面化层，以至少覆盖所述薄膜晶体管和互连部分，其中所述互连部分包括第一导电层、位于所述第一导电层上的第二导电层、以及位于所述第二导电层上的第三导电层；
图案化所述平面化层，以形成将所述源电极或漏电极的一部分暴露出来的通孔，和仅设置在所述互连部分的侧端和所述互连部分的所述第三导电层的顶表面的第一部分上的由绝缘材料形成的钝化层图案，其中所述互连部分的所述第三导电层的顶表面的第二部分因所述钝化层图案而暴露；和
形成电连接到所述源电极和漏电极的有机放光二极管。
30.根据权利要求29所述的方法，其中所述源电极、漏电极和互连部分由从以下材料所组成的组中选择的材料形成：Ti/Al、Ti/Al合金、Ti/Al/Ti、Ti/TiN/Al/TiN/Ti、Ti/TiN/AlSi/TiN/Ti以及Ti/Al合金/Ti。
31.根据权利要求30所述的方法，其中所述Al合金包括从由AlSi和AlNd所组成的组中选择的材料。
32.根据权利要求29所述的方法，其中所述平面化层和钝化层图案由从丙烯、聚酰亚胺(PI)、苯并环丁烯(BCB)和玻璃上硅酸盐(SOG)组成的组中所选择的材料形成。
33.根据权利要求29所述的方法，其中所述平面化层通过旋涂或缝隙填涂形成。
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Families Citing this family (49)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100936874B1 (ko) * 2007-12-18 2010-01-14 삼성모바일디스플레이주식회사 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 박막 트랜지스터를구비하는 유기전계발광 표시 장치의 제조 방법
TWI529949B (zh) 2008-11-28 2016-04-11 半導體能源研究所股份有限公司 半導體裝置和其製造方法
KR101073552B1 (ko) * 2009-10-09 2011-10-17 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102334468B1 (ko) * 2009-10-30 2021-12-06 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼 반도체 장치
KR101094290B1 (ko) * 2010-01-18 2011-12-19 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 표시 장치
KR20110110589A (ko) * 2010-04-01 2011-10-07 삼성모바일디스플레이주식회사 유기 발광 소자
KR20120078954A (ko) 2011-01-03 2012-07-11 삼성모바일디스플레이주식회사 유기전계발광표시장치 및 그 제조방법
KR20120131753A (ko) * 2011-05-26 2012-12-05 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터, 박막 트랜지스터의 제조 방법 및 유기 발광 표시 장치
WO2013005251A1 (ja) 2011-07-05 2013-01-10 パナソニック株式会社 有機ｅｌ素子およびその製造方法
KR101811027B1 (ko) * 2011-07-07 2017-12-21 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 디스플레이 장치
US8912547B2 (en) * 2012-01-20 2014-12-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting device, display device, and semiconductor device
KR101306192B1 (ko) * 2012-02-10 2013-10-16 서울대학교산학협력단 유기 발광 소자의 제조 방법 및 그에 의한 유기 발광 소자
US20130207102A1 (en) * 2012-02-15 2013-08-15 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device
CN103367454A (zh) * 2012-03-31 2013-10-23 联胜（中国）科技有限公司 薄膜晶体管、其制作方法及应用其的主动矩阵显示面板
KR101959976B1 (ko) * 2012-05-16 2019-03-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 표시 장치의 단락 불량 검출 방법
KR102090703B1 (ko) * 2013-05-21 2020-04-16 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치 및 그 제조방법
KR102098741B1 (ko) * 2013-05-27 2020-04-09 삼성디스플레이 주식회사 증착용 기판 이동부, 이를 포함하는 유기층 증착 장치 및 이를 이용한 유기 발광 디스플레이 장치의 제조 방법
KR102199696B1 (ko) * 2013-11-25 2021-01-08 엘지디스플레이 주식회사 어레이 기판 및 이의 제조방법
KR102169013B1 (ko) * 2013-12-17 2020-10-23 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 어레이 기판, 유기 발광 표시 장치 및 박막트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
US10411078B2 (en) 2014-04-14 2019-09-10 Industrial Technology Research Institute Sensing display apparatus
TWM505004U (zh) * 2014-04-14 2015-07-11 Ind Tech Res Inst 觸控面板
KR20150137214A (ko) * 2014-05-28 2015-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 디스플레이 장치 및 그 제조방법
US10181573B2 (en) 2014-07-11 2019-01-15 Lg Display Co., Ltd. Organic light-emitting diode display device and method of fabricating the same
US20160018710A1 (en) * 2014-07-21 2016-01-21 Li Chai Display panel, array substrate and method for manufacturing the same
KR20160081101A (ko) 2014-12-30 2016-07-08 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치
KR102339284B1 (ko) * 2014-12-30 2021-12-15 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 의해 제조된 유기 발광 표시 장치
KR102411327B1 (ko) * 2015-01-02 2022-06-21 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
TWI651574B (zh) * 2015-01-12 2019-02-21 友達光電股份有限公司 顯示面板及其製造方法
KR102545253B1 (ko) * 2015-05-28 2023-06-19 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102561113B1 (ko) 2015-08-13 2023-07-28 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102571085B1 (ko) 2016-04-04 2023-08-28 삼성디스플레이 주식회사 디스플레이 장치
KR102493128B1 (ko) * 2016-04-12 2023-01-31 삼성디스플레이 주식회사 박막트랜지스터 기판, 이를 포함하는 표시 장치 및 그 제조 방법
KR102553981B1 (ko) * 2016-08-16 2023-07-12 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치용 백플레인 및 이의 제조 방법
KR102593455B1 (ko) * 2016-09-29 2023-10-25 엘지디스플레이 주식회사 유기전계발광표시장치
CN107957799B (zh) * 2016-10-14 2021-08-10 群创光电股份有限公司 触控显示面板
KR20180079503A (ko) 2016-12-30 2018-07-11 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴 및 이를 구비하는 표시 장치
KR20180078812A (ko) * 2016-12-30 2018-07-10 엘지디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치 및 그 제조 방법
KR101921627B1 (ko) 2017-06-16 2018-11-26 한국과학기술연구원 전계 효과 트랜지스터, 이를 구비한 바이오 센서, 전계 효과 트랜지스터의 제조방법 및 바이오 센서의 제조방법
JP2019070768A (ja) * 2017-10-11 2019-05-09 シャープ株式会社 アレイ基板およびその製造方法、並びに表示パネル
CN107658333A (zh) * 2017-10-31 2018-02-02 京东方科技集团股份有限公司 一种柔性显示面板及其制造方法、柔性显示装置
KR102503788B1 (ko) * 2017-11-21 2023-02-27 삼성디스플레이 주식회사 식각액 조성물 및 이를 이용한 디스플레이 장치의 제조방법
KR102637849B1 (ko) 2017-11-28 2024-02-19 삼성디스플레이 주식회사 도전 패턴, 이를 포함하는 표시장치 및 도전 패턴의 제조 방법
US11380872B2 (en) * 2018-03-29 2022-07-05 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and method for manufacturing display device
CN109100893B (zh) * 2018-06-29 2021-11-09 武汉华星光电技术有限公司 显示面板及其制备方法、阵列基板
CN109065455A (zh) * 2018-08-03 2018-12-21 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 薄膜晶体管的制备方法及采用该方法制备的薄膜晶体管
WO2020065710A1 (ja) * 2018-09-25 2020-04-02 シャープ株式会社 表示装置
CN110335886A (zh) * 2019-06-21 2019-10-15 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 阵列基板
KR102349278B1 (ko) * 2019-09-03 2022-01-11 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 소자
CN113644097B (zh) * 2021-07-27 2023-12-22 昆山国显光电有限公司 显示面板、电子设备和显示面板的制作方法

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1476281A (zh) * 2002-07-08 2004-02-18 Lg.������Lcd��ʽ���� 有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法

Family Cites Families (35)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5270751A (en) 1975-12-09 1977-06-13 Fujitsu Ltd Manufacture of electrode of gas discharge panel
JPS5761243A (en) 1980-09-30 1982-04-13 Fujitsu Ltd Plate-type display unit
JPS60181776A (ja) 1984-02-28 1985-09-17 富士通株式会社 デイスプレイパネルの製造方法
JP3088834B2 (ja) 1992-04-02 2000-09-18 株式会社半導体エネルギー研究所 アクティブマトリクス表示装置およびその駆動方法
US5737041A (en) * 1995-07-31 1998-04-07 Image Quest Technologies, Inc. TFT, method of making and matrix displays incorporating the TFT
JP3492204B2 (ja) 1997-08-13 2004-02-03 富士通株式会社 表示装置用電極及びその製造方法
US6493048B1 (en) 1998-10-21 2002-12-10 Samsung Electronics Co., Ltd. Thin film transistor array panel for a liquid crystal display and a method for manufacturing the same
JP2000243834A (ja) 1999-02-23 2000-09-08 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法並びに電気光学装置
JP4651773B2 (ja) 1999-04-06 2011-03-16 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
JP2001174794A (ja) 1999-12-15 2001-06-29 Toshiba Corp 液晶表示装置およびその製造方法
JP2001194676A (ja) 2000-01-07 2001-07-19 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP4758163B2 (ja) 2000-02-03 2011-08-24 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
JP2001230085A (ja) * 2000-02-17 2001-08-24 Denso Corp 有機電界発光素子
JP2001324725A (ja) * 2000-05-12 2001-11-22 Hitachi Ltd 液晶表示装置およびその製造方法
JP2002296609A (ja) * 2001-03-29 2002-10-09 Nec Corp 液晶表示装置及びその製造方法
US6900470B2 (en) * 2001-04-20 2005-05-31 Kabushiki Kaisha Toshiba Display device and method of manufacturing the same
JP4920140B2 (ja) 2001-05-18 2012-04-18 ゲットナー・ファンデーション・エルエルシー 液晶表示装置及びその製造方法
TW517392B (en) * 2001-07-23 2003-01-11 Au Optronics Corp Manufacturing method of thin film transistor flat panel display
KR100441434B1 (ko) 2001-08-01 2004-07-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 화합물 유도체 박막을 포함하는 유기 전계 발광 소자및 그 소자의 제조 방법
JP2003107523A (ja) * 2001-09-28 2003-04-09 Hitachi Ltd 液晶表示装置
JP2003133078A (ja) * 2001-10-26 2003-05-09 Seiko Epson Corp 有機ｅｌ素子とその製造方法ならびに表示装置
KR20030053673A (ko) 2001-12-22 2003-07-02 동부전자 주식회사 반도체소자 및 그 제조방법
US6815723B2 (en) * 2001-12-28 2004-11-09 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device, method of manufacturing the same, and manufacturing apparatus therefor
JP4166486B2 (ja) 2002-03-01 2008-10-15 シャープ株式会社 薄膜トランジスタ基板
TWI362128B (en) * 2002-03-26 2012-04-11 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
JP3672256B2 (ja) 2002-08-08 2005-07-20 インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーション エッチング液、薄膜トランジスタ・アレイ基板、薄膜トランジスタ・アレイ基板の製造方法および表示装置
KR100720445B1 (ko) 2002-08-23 2007-05-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 액정표시소자의 콘택 배선 및 그 형성방법
JP4036154B2 (ja) 2002-09-12 2008-01-23 セイコーエプソン株式会社 配線構造の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器
KR100611217B1 (ko) 2002-09-18 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 유기 보호막을 사용한 유기 전계 발광 표시 장치
TWI232991B (en) * 2002-11-15 2005-05-21 Nec Lcd Technologies Ltd Method for manufacturing an LCD device
KR100503129B1 (ko) * 2002-12-28 2005-07-22 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼패널타입 유기전계발광 소자 및 그 제조방법
JP4163567B2 (ja) 2003-07-09 2008-10-08 株式会社 日立ディスプレイズ 発光型表示装置
KR100551046B1 (ko) * 2003-08-28 2006-02-09 삼성에스디아이 주식회사 유기 이엘 소자
KR100500779B1 (ko) 2003-10-10 2005-07-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법
US7316756B2 (en) * 2004-07-27 2008-01-08 Eastman Kodak Company Desiccant for top-emitting OLED

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1476281A (zh) * 2002-07-08 2004-02-18 Lg.������Lcd��ʽ���� 有源矩阵型有机电致发光显示装置及其制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP2007164183A (ja) 2007-06-28
US8203264B2 (en) 2012-06-19
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