CN104155814A - 液晶显示装置及其制造方法 - Google Patents
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Abstract
本发明提供一种液晶显示装置及其制造方法,该液晶显示装置包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板以及设置在该第一基板与该第二基板之间的液晶层。该第二基板朝向该液晶层的一侧依次设置有第一电极、绝缘层图案和第二电极,该第二电极包括多个条状子电极。该绝缘层图案设置在该第一电极与该第二电极之间,该绝缘层图案包括多个与该多个条状子电极一一对应的条状部分。该液晶显示装置可在满足穿透率的前提下降低液晶面板的驱动电压,从而实现降低功耗的目的。
Description
技术领域
本发明涉及显示技术领域,特别涉及一种液晶显示装置及其制造方法。
背景技术
由于液晶显示装置具有轻薄、节能、无辐射等诸多优点,目前广泛应用于电视、个人电脑、平板电脑、个人数字助理(PDA)、手机、数码相机等电子设备中。对于平板电脑、手机、数码相机等便携式电子设备,人们可以据以随时随地进行拨打电话、收发信息、上网、玩游戏或者拍照等,因此,这些便携式电子设备极大地方便和丰富了人们的日常生活,但是,由于便携式电子设备的电池容量有限,在难以充电的情形之下,不能满足使用者对使用时间的需求,因此便携式电子设备对其零部件,尤其是对其所采用的中小尺寸的液晶显示装置的功耗要求越来越高。
目前,降低液晶显示装置功耗的方法主要是通过降低液晶面板的驱动电压来实现,然而,液晶面板的驱动电压降低容易导致穿透率也随之降低,从而影响显示效果。
发明内容
本发明的目的包括提供一种液晶显示装置以实现在满足穿透率的前提下降低液晶面板的驱动电压的目的。
具体地,本发明实施例提供一种液晶显示装置,该液晶显示装置包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板以及设置在该第一基板与该第二基板之间的液晶层。该第二基板朝向该液晶层的一侧依次设置有第一电极、绝缘层图案和第二电极,该第二电极包括多个条状子电极。该绝缘层图案设置在该第一电极与该第二电极之间,该绝缘层图案包括多个与该多个条状子电极一一对应的条状部分。
优选地,该绝缘层图案与该第二电极的形状、大小相同。
优选地,该绝缘层图案的多个条状部分分别与该多个条状子电极的形状、大小相同。
优选地,该液晶显示装置进一步包括一配向膜,该配向膜设置在该液晶层与该第二电极之间,用于为该液晶层的液晶分子配向。
优选地,该第二电极通过该配向膜与该第一电极连接。
优选地,该第一基板朝向该液晶层的一侧设置有第三电极。
优选地,该第三电极与该第二电极为公共电极,该第一电极为像素电极。
优选地,该第一电极为面状电极,覆盖在该第二基板的对应该液晶显示装置的一像素单元的透光区域的表面。
优选地,该第三电极与该第一电极为公共电极,该第二电极为像素电极。
优选地,该第三电极为面状电极,覆盖在该第一基板的对应该液晶显示装置的显示区域的表面。
优选地,该液晶层的液晶分子为负性液晶分子。
本发明实施例还提供一种上述液晶显示装置的制造方法,该制造方法包括以下步骤:提供一形成有第一电极的第二基板;在该第二基板的形成有该第一电极的一侧上形成一绝缘层;在该第二基板的形成有该绝缘层的一侧上形成具有多个条状子电极的第二电极;以及用该绝缘层形成一具有多个条状部分的绝缘层图案,其中,该多个条状部分与该多个条状子电极一一对应。
优选地,用该绝缘层形成具有多个条状部分的绝缘层图案包括以下步骤:在该第二基板的形成有该第二电极的一侧上形成一光致抗蚀剂层,并在该第二基板的背面照光,以该第二基板上的金属材质层作为掩模对该光致抗蚀剂层进行一道曝光显影工艺而形成光致抗蚀剂图案;以及在该第二基板的形成有该光致抗蚀剂图案的一侧照光,以该光致抗蚀剂图案和该第二电极作为掩模蚀刻该绝缘层以形成该绝缘层图案。
优选地,该第二基板上的金属材质层包括薄膜晶体管的栅极所在的金属材质层以及源极和漏极所在的金属材质层。
优选地,该绝缘层形成具有多个条状部分的绝缘层图案包括以下步骤:形成该第二电极之后,直接以该第二电极作为掩模蚀刻该绝缘层以去除该绝缘层未被第二电极覆盖的部分并保留被第二电极覆盖的部分,从而形成该绝缘层图案。
优选地,该绝缘层形成具有多个条状部分的绝缘层图案包括以下步骤:形成该第二电极之后,以用来形成该第二电极的光致抗蚀剂图案作为掩模,进一步对该绝缘层进行蚀刻以去除该绝缘层未被该第二电极覆盖的部分并保留被该第二电极覆盖的部分,从而形成该绝缘层图案。
根据本发明实施例以及本发明的制造方法所提供的液晶显示装置,由于该液晶显示装置的绝缘层图案设置在该第一电极与该第二电极之间,并且该绝缘层图案包括多个与该多个条状子电极一一对应的条状部分,因此,该绝缘层图案并未完全覆盖该第一电极,仅覆盖了该第一电极与该第二电极对应的部分,因此减少了对第一电极与第二电极之间的用来显示的电场强度,可通过降低驱动电压来实现降低功耗,并且也在一定程度上提升了穿透率。
上述说明仅是本发明技术方案的概述,为了能够更清楚了解本发明的技术手段,而可依照说明书的内容予以实施,并且为了让本发明的上述和其他目的、特征和优点能够更明显易懂,以下特举较佳实施例,并配合附图,详细说明如下。
附图说明
图1是本发明第一实施例提供的一种液晶显示装置的部分剖面结构示意图。
图2a至图2g是图1所示的液晶显示装置在本发明所提供的一种制造方法按照第一实施例的制造过程中的部分剖面结构示意图。
图3是作为图1所示的液晶显示装置的比较对象的另一液晶显示装置的部分剖面结构示意图。
图4是图1所示的液晶显示装置与图3所示的液晶显示装置分别在不同条件下的穿透率与驱动电压之间的关系曲线示意图。
图5是图3所示的液晶显示装置在操作过程中的部分剖面结构示意图。
图6是图1所示的液晶显示装置在操作过程中的部分剖面结构示意图。
图7是本发明第二实施例提供的一种液晶显示装置的部分剖面结构示意图。
图8是图7所示的液晶显示装置在本发明所提供的一种制造方法按照第二实施例的一步骤中的部分剖面结构示意图。
图9是图7所示的液晶显示装置在本发明所提供的一种制造方法按照第三实施例的一步骤中的部分剖面结构示意图。
具体实施方式
为更进一步阐述本发明为达成预定发明目的所采取的技术手段及功效,以下结合附图及较佳实施例,对依据本发明提出的液晶显示装置其具体实施方式、方法、步骤、结构、特征及功效,详细说明如后。
有关本发明的前述及其他技术内容、特点及功效,在以下配合参考图式的较佳实施例详细说明中将可清楚的呈现。通过具体实施方式的说明,当可对本发明为达成预定目的所采取的技术手段及功效得以更加深入且具体的了解,然而所附图式仅是提供参考与说明之用,并非用来对本发明加以限制。
请参考图1,图1是本发明第一实施例提供的一种液晶显示装置的部分剖面结构示意图。如图1所示,该液晶显示装置10包括第一基板11、与第一基板11相对设置的第二基板12以及设置在第一基板11与第二基板12之间的液晶层13。第二基板12朝向液晶层13的一侧依次设置有第一电极120、绝缘层图案122、第二电极124以及配向膜126。第一基板11朝向液晶层13的一侧依次设置有第三电极110、钝化层112以及配向膜114。
第一电极120、第二电极124以及第三电极110均为透明导电材料制成,如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)等。第三电极110为面状电极,覆盖在第一基板11的对应液晶显示装置10的显示区域的表面。第二电极124包括多个条状子电极1240,该多个条状子电极1240可相互平行。在本实施例中,第三电极110与第二电极124均为公共电极,第一电极120为像素电极。第一电极120为面状电极,覆盖在第二基板12的对应液晶显示装置10的一像素单元的透光区域的表面。在其它实施方式中,第一电极120也可为公共电极,而第二电极124也可为像素电极。
绝缘层图案122设置在第一电极120与第二电极124之间,绝缘层图案122包括多个与该多个条状子电极1240一一对应的条状部分1220。该绝缘层图案122的多个条状部分1220分别与该多个条状子电极1240的形状、大小相同或者相近。
请一并参考图2a至图2g,图2a至图2g是液晶显示装置10在本发明所提供的一种制造方法按照第一实施例的制造过程中的部分剖面结构示意图。该制造方法主要以在第二基板12上形成各功能层为例进行说明,包括以下步骤:
步骤一:如图2a所示,提供第二基板12,在第二基板12上依次形成有薄膜晶体管14、覆盖在该薄膜晶体管14以及从该薄膜晶体管14内延伸出来的栅极绝缘层140上的第一绝缘层15,第一绝缘层15上形成有通孔150。薄膜晶体管14包括栅极141、源极142和漏极143,该栅极141、源极142和漏极143均为金属材质。在第二基板12上形成薄膜晶体管14、第一绝缘层15、通孔150的方法可采用目前已知的制造工艺,在此不再赘述。
步骤二:如图2b所示,形成第一电极120。在本步骤中,先在第二基板12的形成有具有通孔150的第一绝缘层15的一侧上形成一第一透明导电层,然后图案化该第一透明导电层以形成该第一电极120,在本实施例中,第一电极120为像素电极,并通过通孔150与薄膜晶体管14的漏极143连接。
举例来说,图案化第一透明导电层的步骤包括先在该第一透明导电层上全面形成光致抗蚀剂层;接着利用一掩模对光致抗蚀剂层进行一道曝光显影工艺,以形成光致抗蚀剂图案;再利用光致抗蚀剂图案作为掩模以蚀刻该第一透明导电层以形成第一电极120。此外,需去除光致抗蚀剂图案,再进行清洗与干燥等蚀刻后续工艺。
步骤三:如图2c所示,形成第二绝缘层121。其中,第二绝缘层121可通过低温化学气相沉积法或旋转涂布法形成在第二基板12的形成有第一电极120的一侧上,但不限于此。
步骤四:如图2d所示,形成第二电极124。在本步骤中,先在第二基板12的形成有第二绝缘层121的一侧上形成一第二透明导电层,然后图案化该第二透明导电层以形成具有多个条状子电极1240的第二电极124。图案化该第二透明导电层的步骤与上述图案化第一透明导电层的步骤相似,在此不再赘述。
步骤五:如图2e所示,在第二基板12的形成有第二电极124的一侧上形成一光致抗蚀剂层16,并在该第二基板12的背面照光,以该第二基板12上的金属材质层,如该薄膜晶体管14的栅极141所在的金属材质层以及源极142和漏极143所在的金属材质层作为掩模对该光致抗蚀剂层16进行一道曝光显影工艺而形成光致抗蚀剂图案160(见图2f)。
步骤六:如图2f所示,在第二基板12的形成有光致抗蚀剂图案160的一侧照光,以该光致抗蚀剂图案160和该第二电极124作为掩模蚀刻第二绝缘层121以形成如图2g所示的绝缘层图案122。然后,去除该光致抗蚀剂图案160,再进行清洗与干燥等蚀刻后续工艺。
由于该制造方法在步骤五中以第二基板12上的金属材质层作为掩模对该光致抗蚀剂层16进行背面曝光而形成了光致抗蚀剂图案160,在步骤六中直接以该光致抗蚀剂图案160和第二电极124作为掩模蚀刻该绝缘层121以形成该绝缘层图案122,因此,无需额外的掩模,步骤简单,成本低。并且在步骤六的形成该绝缘层图案122的过程中可通过该光致抗蚀剂图案160保护薄膜晶体管14不受蚀刻的伤害,从而保护薄膜晶体管14的电性不受影响。
从图2g可知,因为绝缘层图案122是采用光致抗蚀剂图案160和第二电极124作为掩模蚀刻而成的,因此通过上述制造方法形成的绝缘层图案122除了具有与该第二电极124对应的多个条状部分1220,还具有与该第二基板12上的作为形成该光致抗蚀剂图案160的掩模的金属材质层,比如薄膜晶体管14的栅极141所在的金属材质层以及源极142和漏极143所在的金属材质层对应的其他部分1222。
为了更加直观地说明该液晶显示装置10能实现在满足穿透率的前提下降低液晶面板的驱动电压的目的,以下将说明该液晶显示装置10与另一液晶显示装置分别通过TechWiz软件进行模拟后的比较结果。请参考图3,图3是作为该液晶显示装置10的比较对象的一液晶显示装置20的部分剖面结构示意图。该液晶显示装置20与液晶显示装置10相似,不同之处主要在于,设置在第一电极220与第二电极224之间的绝缘层221并没有被图案化,而是一完整面结构。请参阅下表,下表为液晶显示装置20与液晶显示装置10分别在不同厚度的绝缘层221和绝缘层图案122的条件下以及在液晶面板最大驱动电压和4V驱动电压时的穿透率。
如上表所示,液晶显示装置20在绝缘层221的厚度为的条件下,液晶面板的最大驱动电压需要5V,此时,该液晶显示装置20的穿透率为3.591%;当驱动电压下降至4V时,该液晶显示装置20的穿透率下降至3.379%。液晶显示装置20在绝缘层221的厚度为的条件下,液晶面板的最大驱动电压需要4.6V,此时,该液晶显示装置20的穿透率为3.588%;当驱动电压下降至4V时,该液晶显示装置20的穿透率下降至3.493%。而液晶显示装置10在绝缘层图案122的厚度分别为和的条件下,液晶面板的最大驱动电压均为4.4V,此时,该液晶显示装置10的穿透率分别为3.614%、3.615%和3.615%,绝缘层图案122厚度的变化几乎对穿透率没有影响;当驱动电压下降至4V时,该液晶显示装置10在绝缘层图案122的厚度分别为和的条件下的穿透率分别下降至3.600%、3.598%和3.595%,也就是说,在绝缘层图案122的厚度为时,该液晶显示装置10在驱动电压4V的驱动下的穿透率最高。
对比液晶显示装置10与液晶显示装置20,在绝缘层图案122与绝缘层221的厚度均为以及驱动电压均为4V的条件下,液晶显示装置10的穿透率为3.600%,而液晶显示装置20的穿透率为3.493%,液晶显示装置10的穿透率比液晶显示装置20提升了3%。而在绝缘层图案122的厚度为绝缘层221的厚度均为以及驱动电压均为4V的条件下,液晶显示装置10的穿透率为3.600%,而液晶显示装置20的穿透率为3.379%,该液晶显示装置10的穿透率比该液晶显示装置20提升了6.5%。进一步地,在绝缘层图案122与绝缘层221的厚度均为的条件下,该液晶显示装置10在驱动电压4V的驱动下的穿透率为3.600%,而该液晶显示装置20在最大驱动电压4.6V的驱动下的穿透率为3.588%,此时,液晶显示装置10的穿透率还略高于液晶显示装置20。
由此可见,当驱动电压下降至4V之后,液晶显示装置10的穿透率可以保持甚至高于液晶显示装置20在最大驱动电压下的穿透率,因此采用该液晶显示装置10的架构可通过降低驱动电压的方式最终实现降低功耗的目的。
请一并参考图4,图4是液晶显示装置10与液晶显示装置20分别在不同条件下的穿透率与驱动电压之间的关系曲线示意图,其中,曲线①表示液晶显示装置20在绝缘层221的厚度为的条件下穿透率与驱动电压之间的关系曲线,曲线②表示液晶显示装置20在绝缘层221的厚度为的条件下穿透率与驱动电压之间的关系曲线,曲线③表示液晶显示装置10在绝缘层图案122的厚度为的条件下穿透率与驱动电压之间的关系曲线,曲线④表示液晶显示装置10在绝缘层图案122的厚度为的条件下穿透率与驱动电压之间的关系曲线,以及曲线⑤表示液晶显示装置10在绝缘层图案122的厚度为的条件下穿透率与驱动电压之间的关系曲线。
从图4也可看出,液晶显示装置10在绝缘层图案122的厚度不同时,穿透率与驱动电压之间的关系曲线几乎重叠,也就是说,绝缘层图案122厚度的变化几乎对穿透率与驱动电压之间的关系曲线没有影响,而当驱动电压小于4V时,在同样的驱动电压下,液晶显示装置10的穿透率均高于液晶显示装置20的穿透率。因此,液晶显示装置10不仅可通过降低驱动电压来实现降低功耗的目的,并且也在一定程度上提升了穿透率。
此外,在本实施方式中,液晶层13内的液晶分子采用负性液晶分子,由于负性液晶分子沿与电场方向垂直方向旋转,由此,在电场中负性液晶分子的短轴方向与电场方向平行,因此在液晶显示装置10中施加显示用的电场时,液晶层13内的负性液晶分子会在与第一基板11、第二基板12平行的平面内转动,并且短轴方向与电场方向平行,使液晶层13的透光性更佳。
请再一并参考图3和图5,其中,图5是液晶显示装置20在操作过程中的部分剖面结构示意图。如图3和图5所示,当液晶显示装置20进行反转驱动时,在第一电极220与第二电极224(像素电极与公共电极)上施加电压使在液晶层23上所形成的电场方向交替变化,而当所施加电压的平均值不为零时,液晶层23内的杂质离子会趋向第一电极220或者第二电极224运动,直到吸附到配向膜226与液晶层23的接触面,吸附到该接触面上的带电杂质离子与极性相反的第一电极220或者第二电极224形成电场,该电场会影响液晶层23的液晶分子的转动,即使在该第一电极220和第二电极224上未施加电压时,液晶分子的排列也会因为该电场的存在改变其初始状态,从而导致该液晶显示装置20在显示时发生残影现象,影响显示效果。
请再一并参考图1和图6,其中,图6是液晶显示装置10在操作过程中的部分剖面结构示意图。如图1和图6所示,配向膜126用于为液晶层13中的液晶分子配向,设置在液晶层13与第二电极124之间,并且覆盖第二电极124、绝缘层图案122的侧面部分、第二基板12上的其它功能层上未被第一电极120覆盖的部分以及第一电极120未被绝缘层图案122覆盖的部分,也就是说,配向膜126形成在第二基板12的形成有第二电极124的一侧。由于绝缘层图案122的存在,配向膜126不仅覆盖第二电极124,而且还直接覆盖在第一电极120上未被绝缘层图案122覆盖的部分,因此第二电极124可通过配向膜126连接第一电极120。在液晶显示装置10的操作过程中,第一电极120与第二电极124之间的电压差会使得配向膜126内形成微小的电流,该电流可为在配向膜226与液晶层23的接触面上的带电杂质离子提供一释放通道,减弱甚至消除带电杂质离子与第一电极120或者第二电极124所形成的电场对液晶分子转动的影响,因此可以有效改善液晶显示装置10在显示时所发生的残影现象。
综上所述,由于液晶显示装置10的绝缘层图案122在像素单元的透光区域并未完全覆盖第一电极120,仅覆盖了该第一电极120与该第二电极124对应的部分,因此减少了对第一电极120与第二电极124之间、或者说公共电极与像素电极之间的电场强度的影响,不仅可以通过降低驱动电压来实现降低功耗的目的,并且在一定程度上提升了穿透率。进一步地,由于第二电极124可通过配向膜126连接第一电极120,在液晶显示装置10的操作过程中,配向膜126内可形成微小的电流,该电流可减弱甚至消除带电杂质离子与第一电极120或者第二电极124之间所形成的电场对液晶分子转动的影响,因此可以有效改善液晶显示装置10在显示时所发生的残影现象。
请参考图7,图7是本发明第二实施例提供的一种液晶显示装置的部分剖面结构示意图。如图7所示,液晶显示装置30与本发明第一实施例所提供的液晶显示装置10相似,不同之处在于,液晶显示装置30的绝缘层图案322仅与第二电极324对应,或者说,绝缘层图案322与第二电极324的形状、大小相同或者相近。
请参考图8,图8是液晶显示装置30在本发明所提供的一种制造方法根据第二实施例的一步骤中的部分剖面结构示意图。该制造方法与上述第一实施例所提供的制造方法相似,区别在于形成绝缘层图案322的步骤不同。如图8所示,在该制造方法中,形成绝缘层图案322的步骤为:在形成具有多个条状子电极3240的第二电极324之后,直接以第二电极324作为掩模蚀刻绝缘层321以去除绝缘层321未被第二电极324覆盖的部分并保留被第二电极324覆盖的部分,从而形成如图7所示的具有多个条状部分3220的绝缘层图案322,不仅绝缘层图案322的多个条状部分3220分别与第二电极324的多个条状子电极3240的形状、大小相同或者相近,而且绝缘层图案322在整体上也与第二电极324的形状、大小相同或者相近。由于该制造方法直接以第二电极324作为掩模蚀刻该绝缘层321以形成绝缘层图案322,因此,无需额外的掩模,步骤简单,成本低。
请参考图9,图9是液晶显示装置30在本发明所提供的一种制造方法根据第三实施例的一步骤中的部分剖面结构示意图。该制造方法与上述第一实施例所提供的制造方法相似,区别在于形成该绝缘层图案322的步骤不同。如图4所示,在形成具有多个条状子电极3240的第二电极324之后,先不去除用来形成该第二电极324的光致抗蚀剂图案325,而是接着再以该光致抗蚀剂图案325作为掩模,进一步对绝缘层321进行蚀刻以去除该绝缘层321未被该第二电极324覆盖的部分并保留被该第二电极324覆盖的部分,从而形成如图7所示的具有多个条状部分3220的绝缘层图案322,不仅该绝缘层图案322的多个条状部分3220分别与该第二电极324的多个条状子电极3240的形状、大小相同或者相近,而且该绝缘层图案322在整体上也与该第二电极324的形状、大小相同或者相近。在形成该绝缘层图案322之后,再去除该光致抗蚀剂图案325,进行清洗与干燥等蚀刻后续工艺。由于该制造方法直接以形成该第二电极324的光致抗蚀剂图案325作为掩模蚀刻该绝缘层321以形成该绝缘层图案322,因此,无需额外的掩模,步骤简单,成本低。
在理想条件下,通过上述第二、第三实施例所提供的制造方法所形成的该绝缘层图案322应与该第二电极324的形状、大小相同,但在实际制造过程中,由于工艺条件的限制,实际上形成的绝缘层图案322的形状、大小可能与第二电极324的形状、大小之间存在一定的误差,因此绝缘层图案322的形状、大小可能略大或者略小于该第二电极324的形状、大小,同样,在上述第一、第二、第三实施例所提供的制造方法所形成的该绝缘层图案122、322的多个条状部分1220、3220的形状、大小也可能分别与对应的条状子电极1240、3240的形状、大小之间存在一定的误差。因此,需要说明的是,本发明所指的该绝缘层图案122、322的多个条状部分1220、3220分别与该多个条状子电极1240、3240的形状、大小相同以及该绝缘层图案322与该第二电极324的形状、大小相同、其中的“相同”应是允许有一定误差的“相同”,而并非绝对意义上的“相同”。
本实施例中的液晶显示装置30的绝缘层图案322在像素单元的透光区域并未完全覆盖第一电极320,仅覆盖了第一电极320与第二电极324对应的部分,因此减少了对第一电极320与第二电极324之间、或者说公共电极与像素电极之间的电场强度的影响,不仅可以通过降低驱动电压来实现降低功耗的目的,并且在一定程度上提升了穿透率。进一步地,由于第二电极324可通过配向膜326连接第一电极320,在液晶显示装置30的操作过程中,配向膜326内可形成微小的电流,该电流可减弱甚至消除带电杂质离子与第一电极320或者第二电极324之间所形成的电场对液晶分子转动的影响,因此可以有效改善液晶显示装置30在显示时所发生的残影现象。
以上仅是本发明的较佳实施例而已,并非对本发明作任何形式上的限制,虽然本发明已以较佳实施例揭露如上,然而并非用以限定本发明,任何熟悉本专业的技术人员,在不脱离本发明技术方案范围内,当可利用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例,但凡是未脱离本发明技术方案内容,依据本发明的技术实质对以上实施例所作的任何简单修改、等同变化与修饰,均仍属于本发明技术方案的范围内。
Claims (16)
1.一种液晶显示装置,包括第一基板、与该第一基板相对设置的第二基板以及设置在该第一基板与该第二基板之间的液晶层,其特征在于,该第二基板朝向该液晶层的一侧依次设置有第一电极、绝缘层图案和第二电极,该第二电极包括多个条状子电极,该绝缘层图案设置在该第一电极与该第二电极之间,该绝缘层图案包括多个与该多个条状子电极一一对应的条状部分。
2.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,该绝缘层图案与该第二电极的形状、大小相同。
3.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,该绝缘层图案的多个条状部分分别与该多个条状子电极的形状、大小相同。
4.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,该液晶显示装置进一步包括一配向膜,该配向膜设置在该液晶层与该第二电极之间,用于为该液晶层的液晶分子配向。
5.根据权利要求4所述的液晶显示装置,其特征在于,该第二电极通过该配向膜与该第一电极连接。
6.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,该第一基板朝向该液晶层的一侧设置有第三电极。
7.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,该第三电极与该第二电极为公共电极,该第一电极为像素电极。
8.根据权利要求7所述的液晶显示装置,其特征在于,该第一电极为面状电极,覆盖在该第二基板的对应该液晶显示装置的一像素单元的透光区域的表面。
9.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,该第三电极与该第一电极为公共电极,该第二电极为像素电极。
10.根据权利要求6所述的液晶显示装置,其特征在于,该第三电极为面状电极,覆盖在该第一基板的对应该液晶显示装置的显示区域的表面。
11.根据权利要求1所述的液晶显示装置,其特征在于,该液晶层的液晶分子为负性液晶分子。
12.一种如权利要求1所述的液晶显示装置的制造方法,其特征在于,该制造方法包括以下步骤:
提供一形成有第一电极的第二基板;
在该第二基板的形成有该第一电极的一侧上形成一绝缘层;
在该第二基板的形成有该绝缘层的一侧上形成具有多个条状子电极的第二电极;以及
用该绝缘层形成一具有多个条状部分的绝缘层图案,其中,该多个条状部分与该多个条状子电极一一对应。
13.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,用该绝缘层形成具有多个条状部分的绝缘层图案包括以下步骤:
在该第二基板的形成有该第二电极的一侧上形成一光致抗蚀剂层,并在该第二基板的背面照光,以该第二基板上的金属材质层作为掩模对该光致抗蚀剂层进行一道曝光显影工艺而形成光致抗蚀剂图案;以及
在该第二基板的形成有该光致抗蚀剂图案的一侧照光,以该光致抗蚀剂图案和该第二电极作为掩模蚀刻该绝缘层以形成该绝缘层图案。
14.根据权利要求13所述的制造方法,其特征在于,该第二基板上的金属材质层包括薄膜晶体管的栅极所在的金属材质层以及源极和漏极所在的金属材质层。
15.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,该绝缘层形成具有多个条状部分的绝缘层图案包括以下步骤:
形成该第二电极之后,直接以该第二电极作为掩模蚀刻该绝缘层以去除该绝缘层未被第二电极覆盖的部分并保留被第二电极覆盖的部分,从而形成该绝缘层图案。
16.根据权利要求12所述的制造方法,其特征在于,该绝缘层形成具有多个条状部分的绝缘层图案包括以下步骤:
形成该第二电极之后,以用来形成该第二电极的光致抗蚀剂图案作为掩模,进一步对该绝缘层进行蚀刻以去除该绝缘层未被该第二电极覆盖的部分并保留被该第二电极覆盖的部分,从而形成该绝缘层图案。
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