CN104129000A - 一种热交换法（hem）蓝宝石仔晶的加工方法 - Google Patents

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Abstract

本发明涉及一种热交换法（HEM）蓝宝石仔晶的加工方法，包括如下步骤：（1）在蓝宝石晶体上划出两条与C轴平行的仔晶晶碇开方线；（2）沿所划开方线进行开方；（3）清洁开方后的仔晶晶碇开方断面；（4）对仔晶晶碇进行表征，在仔晶晶碇开方断面上标识出缺陷区域；（5）将仔晶晶碇固定在立式数控加工中心的工作台上，掏取仔晶晶棒；（6）对照仔晶晶碇开方断面上的缺陷标识，将缺陷区域在仔晶晶棒上标识出来；（7）用金刚石单线切割机床将仔晶晶棒截断；（8）在平面磨床上将仔晶截断断面磨平，可大大提高晶体利用率，其晶体利用率可达60～80%，仔晶质量可控，加工过程操作简单，提高企业生产效率，降低企业成本。

Description

一种热交换法(HEM)蓝宝石仔晶的加工方法
技术领域
本发明涉及一种热交换法（HEM）蓝宝石仔晶的加工方法。
背景技术
蓝宝石晶体广泛用于高亮度LED衬底材料、各种光学元器件、各种窗口材料。目前热交换法（HEM）蓝宝石晶体生长所用仔晶主要从整颗蓝宝石晶体上掏取，存在两个缺点：1、晶体利用率偏低，只有30～40%; 2、掏取前不能对晶体质量进行表征，所得仔晶如果存在缺陷，将导致后续生长的整颗蓝宝石晶体报废。
发明内容
本发明所要解决的技术问题是针对以上弊端提供一种晶体利用率高，晶体利用率可达60～80%，仔晶质量可控，加工过程操作简单的热交换法（HEM）蓝宝石仔晶加工方法。
本发明的目的通过下述技术方案来实现：
（1）在蓝宝石晶体上划出两条与晶体C轴平行的仔晶晶碇开方线，两开方线间距Ｌ１为95～100mm；
（2）用金刚石单线切割机床沿所划开方线进行开方，开方速度0.1～0.5mm/min；
（3）用无水酒精清洁开方后的仔晶晶碇开方断面，去除油污及其它污染物；
（4）在暗室对仔晶晶碇进行表征，在仔晶晶碇开方断面上标识出缺陷区域；
（5）将仔晶晶碇固定在立式数控加工中心的工作台上，掏取仔晶晶棒，掏棒速度3～10mm/min；
（6）对照仔晶晶碇开方断面上的缺陷标识，将缺陷区域在仔晶晶棒上标识出来；
（7）用金刚石单线切割机床将仔晶晶棒截断，截断速度0.5～1.0mm/min，截断长度36～41mm；
（8）在平面磨床上将仔晶截断断面磨平，平面度误差±0.1mm，砂轮进给速度0.01mm/行程。
有益效果：本发明一种热交换法（HEM）蓝宝石仔晶的加工方法，使用该种加工方法卡大大提高晶体利用率，其晶体利用率可达60～80%，仔晶质量可控，加工过程操作简单，提高企业生产效率，降低企业成本。
附图说明
图1为本发明的蓝宝石晶体开方示意图。
具体实施方式
下面结合附图对本发明作进一步说明。
实施例
如图所示，一种热交换法（HEM）蓝宝石仔晶的加工方法，采用如下步骤加工蓝宝石仔晶：
（1）在蓝宝石晶体上划出两条与C轴平行的仔晶晶碇开方线Ａ、Ｂ，两开方线间距Ｌ１95～100mm；
（2）用金刚石单线切割机床沿所划开方线进行开方，开方速度0.1～0.5mm/min；
（3）用无水酒精清洁开方后的仔晶晶碇开方断面，去除油污及其它污染物；
（4）在暗室对仔晶晶碇进行表征，在仔晶晶碇开方断面上标识出缺陷区域；
（5）将仔晶晶碇固定在立式数控加工中心的工作台上，掏取仔晶晶棒，掏棒速度3～10mm/min；
（6）对照仔晶晶碇开方断面上的缺陷标识，将缺陷区域在仔晶晶棒上标识出来；
（7）用金刚石单线切割机床将仔晶晶棒截断，截断速度0.5～1.0mm/min，截断长度36～41mm；
（8）在平面磨床上将仔晶截断断面磨平，平面度误差±0.1mm，砂轮进给速度0.01mm/行程。
有益效果：本发明一种热交换法（HEM）蓝宝石仔晶的加工方法，使用该种加工方法可大大提高晶体利用率，其晶体利用率可达60～80%，仔晶质量可控，加工过程操作简单，提高企业生产效率，降低企业成本。
采用本发明技术，具有蓝宝石晶体利用率高，除仔晶晶碇外的其它晶体还可以加工其它规格的产品、所得仔晶内部无隐性缺陷、仔晶加工过程操作简单等技术特点。
以上所述，仅为本发明较佳的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到的变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围内。因此，本发明的保护范围应该以权利要求书的保护范围为准。

Claims (1)

1.一种热交换法（HEM）蓝宝石仔晶的加工方法，其特征在于，采用如下步骤加工蓝宝石仔晶：
（1）在蓝宝石晶体上划出两条与C轴平行的仔晶晶碇开方线Ａ、Ｂ，两开方线间距Ｌ１95～100mm；
（2）用金刚石单线切割机床沿所划开方线进行开方，开方速度0.1～0.5mm/min；
（3）用无水酒精清洁开方后的仔晶晶碇开方断面，去除油污及其它污染物；
（4）在暗室对仔晶晶碇进行表征，在仔晶晶碇开方断面上标识出缺陷区域；
（5）将仔晶晶碇固定在立式数控加工中心的工作台上，掏取仔晶晶棒，掏棒速度3～10mm/min；
（6）对照仔晶晶碇开方断面上的缺陷标识，将缺陷区域在仔晶晶棒上标识出来；
（7）用金刚石单线切割机床将仔晶晶棒截断，截断速度0.5～1.0mm/min，截断长度36～41mm；
（8）在平面磨床上将仔晶截断断面磨平，平面度误差±0.1mm，砂轮进给速度0.01mm/行程。
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