CN104124951B

CN104124951B - 用于驱动晶体管的电路

Info

Publication number: CN104124951B
Application number: CN201410176171.XA
Authority: CN
Inventors: 陈伟源; 杨祥修
Original assignee: MediaTek Singapore Pte Ltd
Current assignee: MediaTek Singapore Pte Ltd
Priority date: 2013-04-29
Filing date: 2014-04-29
Publication date: 2017-05-17
Anticipated expiration: 2034-04-29
Also published as: CN104124951A

Abstract

本发明实施例提供一种用于驱动晶体管的电路，其包括：驱动电路，具有第一特定节点，第二特定节点和第三特定节点，其中，所述第三特定节点与所述晶体管的控制节点耦接，所述驱动电路用于至少根据所述第一特定节点的电压以及所述第二特定节点的电压，将所述第一特定节点耦接到所述第三特定节点，以便对所述晶体管的控制节点充电；第一升压电路，耦接在所述第一特定节点与所述晶体管的连接节点之间，所述第一升压电路用于提升所述第一特定节点的电压；第二升压电路，耦接在所述第一特定节点与所述第二特定节点之间，所述第二升压电路用于提升所述第二特定节点的电压。使用该技术方案，能够为晶体管提供高的驱动电压。

Description

用于驱动晶体管的电路

技术领域

本发明总体涉及一种驱动电路，尤其涉及能够产生超过供电电压的稳定驱动电压的驱动电路。

背景技术

n沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管开关(NMOSFET开关或NMOS开关)的两个节点(例如，源极和漏极)之间具有相对小的电压降(voltage drop)，为了在n沟道金属-氧化物-半导体场效应晶体管开关的两个节点之间传递大电流，电荷泵(charge pump)技术可用于提高NMOS开关的栅极电压，从而减小其导通电阻(turn-on resistance)。

在电荷泵技术中，根据时钟信号的交替相位，电荷被倾注到NMOS开关的栅极。凭借防止电荷流进相反的方向的二极管或类似二极管的设备(例如与二极管连接的MOSFET，diode-connected MOSFET)，可以存储电荷并在栅极累积电荷，从而提高栅极电压。然而，二极管的使用伴随着二极管电压降之缺点，二极管电压降能够降低NMOS开关的栅极能被提升到的最大电压。这个电压降在供电电压通常为5V或者更低的片上实施(on-chipimplement)中是很重要的。

自举电容器(bootstrap capacitor)技术可以更适合于片上实施。自举电容器用来提高NMOS开关的栅极电压。由于自举电容器上的电荷随着时间泄漏，栅极电压将可能降低到NMOS开关关断(turn off)的点。所以，有必要建立能够产生高的且稳定的驱动电压的新驱动电路。

发明内容

根据本发明的示例性实施例，提供一种能够产生超过供电电压的稳定驱动电压的驱动电路，以解决上述问题。

根据本发明的一个实施例，揭示一种用于驱动晶体管的示例性电路。该示例性电路包括驱动电路，第一升压电路和第二升压电路。所述驱动电路具有第一特定节点，第二特定节点和第三特定节点，其中，所述第三特定节点与晶体管的控制节点耦接，所述驱动电路至少根据第一特定节点的电压以及第二特定节点的电压，将所述第一特定节点耦接到所述第三特定节点，以便对晶体管的控制节点充电。第一升压电路耦接在第一特定节点与晶体管的连接节点之间，并且用于提升第一特定节点的电压。所述第二升压电路耦接在所述第一特定节点与所述第二特定节点之间，并且用于提升第二特定节点的电压。

本申请提出的用于驱动晶体管的电路通过将第一特定节点耦接到第三特定节点来对晶体管的控制节点充电，以便提供高驱动电压。

附图说明

图1是依据本发明实施例示出的用于驱动晶体管的示例性电路的框图；

图2是示出用于驱动图1所示出的晶体管的电路的一种实现方式的示意图；

图3示出用于控制图2所示电路运作的控制信号以及使能信号的时序图；

图4示出在图3所示出的第一时间点，图2所示出的电路运作的示意图；

图5示出在图3所示出的第二时间点，图2所示出的电路运作的示意图；

图6示出在图3所示出的第三时间点，图2所示出的电路运作的示意图；

图7示出在图3所示出的第四时间点，图2所示出的电路运作的示意图；

图8示出用于驱动图1所示出的晶体管的电路的另一种实现方式的示意图；

图9示出用于控制图8所示电路运作的控制信号以及使能信号的时序图；

图10是根据本发明另一实施例示出的用于驱动晶体管的示例性电路的框图。

具体实施方式

在说明书及所附的权利要求书当中使用了某些词汇来指称特定的组件。本领域技术人员应可理解，制造商可能会用不同的名词来称呼同样的组件。本说明书及所附的权利要求书并不以名称的差异来作为区分组件的方式，而是以组件在功能上的差异来作为区分的准则。在通篇说明书及所附的权利要求书当中所提及的「包含」是为一开放式的用语，故应解释成「包含但不限定于」。另外，「耦接」一词在此包含任何直接及间接的电气连接手段。因此，若文中描述一第一装置耦接于一第二装置，则代表该第一装置可直接电气连接于该第二装置，或透过其他装置或连接手段间接地电气连接至该第二装置。

为了给开关装置(比如高端NMOS)提供大的驱动电流以及降低功率损耗，电荷共享概念以及多个升压电路(比如，自举电路)被用于通过导通开关装置一预定的时间间隔，给开关装置提供稳定的驱动电压(比如超过供电电压的电压)。

请参考图1，图1是根据本发明实施例示出的用于驱动晶体管的示例性电路的框图。在该实施例中，晶体管MN1可以但不限于是NMOS开关。晶体管MN1可以包括控制节点NC_N1以及多个连接节点NA_N1以及NB_N1。根据控制节点NC_N1上的电压VC，晶体管MN1被导通(turnon)或者关断(turn off)，以及根据输入电压(即连接节点NA_N1的电压VI)，在连接节点NB_N1产生输出电压(即，电压VO)。如图1所示，用于驱动晶体管MN1的电路100可以包括驱动电路110，第一升压电路120，第二升压电路130以及开关装置SW。驱动电路110可以具有第一特定节点N1,第二特定节点N2以及第三特定节点N3，其中，该第三特定节点N3与该晶体管MN1的控制节点NC_N1耦接。第一升压电路120耦接在第一特定节点N1和晶体管MN1的连接节点NA_N1之间，以及第二升压电路130耦接在第一特定节点N1以及第二特定节点N2之间。开关装置SW选择性的耦接在第三特定节点N3以及参考电压VR之间。

在该实施例中，根据开关装置SW的开关状态，电路100可以决定是否驱动晶体管MN1。通过该实施例但不限于该实施例，参考电压VR可以是低电压(比如地电压)。当开关装置SW被导通，第三特定节点N3可以被耦接到参考电压VR，以及控制节点NC_N1以及连接节点NB_N1之间的电压差可以少于预定值。晶体管MN1相应的被关断(turn off)。换句话说，电路100没有驱动晶体管MN1。当开关装置SW被关断，根据第一特定节点N1的电压V1以及第二特定节点N2的电压V2，驱动电路110可以将第一特定节点N1耦接到第三特定节点N3，使得对晶体管MN1的控制节点NC_N1充电(即提高电压VC)。换句话说，电路100将驱动晶体管MN1，其中，第一升压电路120以及第二升压电路130可以用于分别的调整/提升电压V1以及电压V2。

例如，当电压V1大于电压V2，驱动电路110可操作的将第一特定节点N1耦接到第三特定节点N3。在一个实施例中，当第一特定节点N1被耦接到第三特定节点N3，电压V1可以大于参考电压(例如供电电压)，以及电压V2不大于参考电压。所以，在第一特定节点N1以及第二特定节点N2之间存在大的电压差，所以允许驱动电路110快速有效的提高控制节点NC_N1的电压VC，以超过参考电压。当电压V1不大于电压V2，驱动电路110不将第一特定节点N1耦接到第三特定节点N3(即，存储在控制节点NC_N1上的电荷将不会通过驱动电路110流到第一特定节点N1)。在一个实施例中，当第一特定节点N1没有耦接到第三特定节点N3，电压V2大于参考电压(例如供电电压)。所以，确保了电压V2大于电压V1，以避免存储在控制节点NC_N1的电荷从第三特定节点N3流到第一特定节点N1(即，电压VC被保持稳定)。

为了方便理解本发明，下面给出示例性实施方式，以用于进一步描述所提出的用于驱动晶体管的电路。需要了解的是，使用图1中示出的结构的其他电路实施方式是可行的。请参考图2，图2示出用于驱动图1中晶体管MN1的电路100的实施方式。如图2所示，电路200可以包括图1示出的开关装置SW，驱动电路210，第一升压电路220，第二升压电路230以及控制电路240。图1中示出的驱动电路110，第一升压电路120以及第二升压电路130可以分别由驱动电路210，第一升压电路220以及第二升压电路230实施。

控制电路240与开关装置SW，驱动电路210，第一升压电路220以及第二升压电路230耦接，以及用于产生控制信号SC以及使能信号SEN来控制电路200的操作。在这个实施例中，当根据使能信号SEN开关装置SW被关断，电路200可以根据控制信号SC驱动晶体管MN1；当根据使能信号SEN开关装置SW被导通(turn on)，第三特定节点N3可以被耦接到参考电压(例如，地电压VSS)，以及，电路200相应的停止驱动晶体管MN1。

驱动电路210可以包括多个晶体管开关MP1以及MP2。晶体管开关MP1可以具有与第二特定节点N2耦接的控制节点NC_P1，连接节点NA_P1以及与第一特定节点N1耦接的连接节点NB_P1。晶体管开关MP2可以具有控制节点NC_P2，与晶体管MN1的控制节点NC_N1耦接的连接节点NA_P2，以及与晶体管开关MP1的连接节点NA_P1耦接的连接节点NB_P2。根据使能信号SEN，晶体管开关MP2的控制节点NC_P2被耦接到连接节点NA_N1的电压VI或者参考电压(例如，供电电压VDD)。

第一升压电路220可以包括电容器C1，其中，控制电路240可以控制电容器C1被耦接在第一特定节点N1以及晶体管MN1的连接节点NA_N1之间，或者通过第一特定节点N1被耦接在参考电压(即供电电压VDD)以及另一参考电压(即地电压VSS)之间。

第二升压电路230可以包括反相器I1，晶体管开关MN2以及电容器C2。反相器I1可以具有输入节点NP以及输出节点NQ，其中反相器I1从输入节点NP接收控制信号SC。晶体管开关MN2可以具有控制节点NC_N2，连接节点NA_N2以及连接节点NB_N2，其中，控制节点NC_N2被耦接到第一特定节点N1，以及连接节点NA_N2被耦接到第二特定节点N2。控制电路240可以控制连接节点NB_N2被耦接到电压VI或者参考电压(即供电电压VDD)。例如，控制电路240可以使用控制信号SC来控制连接节点NB_N2被耦接到电压VI或者供电电压VDD。电容器C2的一端被耦接到第二特定节点N2，以及电容器C2的另一端被耦接到输出节点NQ。

实践中，第一升压电路220可以进一步包括多个开关装置S1-S3，第二升压电路230可以进一步包括多个开关装置S4以及S5，以及驱动电路210可以进一步包括多个开关装置S6以及S7。当控制适当时，开关装置S1-S7可以被用于实现晶体管驱动电路，该晶体管驱动电路能够产生高的且稳定的驱动电压。请参考图3以及图4。图3是用于控制图2中电路200运作的控制信号SC以及使能信号SEN的时序图，以及图4是示出在图3所示出的第一时间点T1处，图2中示出的电路200运作的示意图。在第一时间点T1，使能信号SEN处于第一电平L1(比如高电平)，以及开关装置SW被关断(turn off)(即打开open)。所以，电路200可以根据控制信号SC驱动晶体管MN1。当使能信号SEN处于第一电平LI，开关装置S7被关断(turn off)以及开关装置S6被导通(turn on)(即关闭(close)),允许控制节点NC_P2被耦接到电压VI。此外，当控制信号SC处于第二电平L2(例如低电平)，根据控制信号SC，开关装置S1以及S4被关断，以及根据控制信号SC开关装置S2，S3以及S5被导通。所以，电容器C1的两端分别被耦接到供电电压VDD以及地电压VSS(即电容器C1的两端可以被分别充电到供电电压VDD以及地电压VSS)，以及控制节点NC_N2以及连接节点NB_N2可以被耦接到控制电压VDD。第二特定节点N2(即晶体管开关MN2的连接节点NA_N2)可以被充电至大约“供电电压VDD减去晶体管开关MP1的阈值电压Vth”(即VDD-Vth)。反相器I1可以在输出节点NQ输出电压(大约等于供电电压VDD)。换句话说，通过电容器C2的两端的电压降可以大约等于阈值电压Vth。

请参考图3以及图5，图5示出在图3所示出的第二时间点T2，图2所示出的电路200运作的示意图。在第二时间点T2，控制信号SC处于第一电平L1，其中，根据控制信号SC，开关装置S1以及S4可以被导通(turn on)，以及根据控制信号SC，开关装置S2,S3以及S5可以被关断(turn off)。所以，第一特定节点N1的电压可以被提升，以及第二特定节点N2可以通过晶体管开关MN2被耦接到电压VI，其中，电容器C1可以被作为自举电路中的自举电容器。电容器C1可以与晶体管MN1的控制节点NC_N1共享电荷。在控制信号SC的一个或者几个时钟周期之后，控制节点NC_N1的电压VC可以被提升到大约“供电电压VDD加上连接节点NA_N1的电压VI”(即，VDD+VI)。

在电压VC被提高之后，存储在控制节点NC_N1的电荷可以通过晶体管开关MP2泄漏。请参考图3以及图6。图6示出在图3所示的第三时间点T3上，图2示出的电路200运作的示意图。在该第三时间T3，控制信号SC的信号电平切换到第二电平L2。第一特定节点N1再次通过开关装置S3被耦接到供电电压VDD，以及连接节点NB_N2再次通过开关装置S5被耦接到供电电压VDD。第二特定节点N2的电压可以被提高(例如，到VDD+VI)。换句话说，电容器C2可以被看作自举电路中的自举电容器。当连接节点NB_P1的电压小于控制节点NC_P1的电压以及控制节点NC_N1的电压，晶体管开关MP1没有被导通(turn on)以及大容量源寄生二极管(bulk-source parasitic diode)(未在图6中示出)被反向偏置，保证了最少/没有电荷通过晶体管开关MP1和/或晶体管开关MP2泄漏。所以，晶体管MN1可以停留在导通状态一预定的时间间隔。

请参考图3以及图7。图7示出在图3所示的第四时间点T4，图2所示出的电路200运作的示意图。在第四时间点T4，使能信号SEN处于第二电平L2。所以，开关装置SW以及S7被导通(turn on)，以及开关装置S6被关断(turn off)。当晶体管开关MP2的控制节点NC_P2通过开关装置S7被耦接到供电电压VDD，晶体管开关MP2不导通(即第一特定节点N1没有被耦接到第三特定节点N3)。此外，晶体管MN1的控制节点NC_N1通过开关装置SW被耦接到地电压VSS。简单的说，在第四时间点T4从第一特定节点N1(或者供电电压VDD)到控制节点NC_N1没有导通路径。

需要注意的是，虽然图1中的升压电路120/130可以由自举电路(例如，图2中示出的升压电路220/230)实现，使用其他类型的电路来实现图1中的升压电路120/130也是可行的。在一个实施例中，图1中所示出的第一升压电路120可以由图2所示出的第一升压电路220实现，而图1中所示出的第二升压电路130可以由升压电路而不是自举电路(例如，图2所示出的第二升压电路230)来实现。在另一个实施例中，图1中所示出的第二升压电路130可以由图2中所示出的第二升压电路230来实现，而图1中所示出的第一升压电路120可以由升压电路而不是自举电路(比如，图2中所示出的第一升压电路220)来实现。此外，图1中所示出的由电路100(或者图2中所示出的电路200)驱动的晶体管不限于NMOS开关。进一步，图3所示出的信号电平仅仅是示例性的目的。例如，控制信号SC的高电平与使能信号SEN的高电平不同，和/或，控制信号SC的低电平与使能信号SEN的低电平不同。

根据非叠加控制信号开关装置S1-S5可以运作，以提高性能和/或可靠度。请参考图8，图8是用于驱动图1示出的晶体管MN1的电路100的另一实现方式的示意图。如图8所示，电路800可以包括图1所示出的开关装置SW，图2示出的驱动电路210，第一升压电路820，第二升压电路830以及控制电路840。电路800的结构是基于图2所示出的电路200的结构，其中，主要差异在于控制电路840可以产生多个控制信号SC₁以及SC₂。第一升压电路820以及第二升压电路830的每一个根据产生的控制信号SC₁以及SC₂运作。

请结合图8来参考图9。图9是用于控制图8中所示电路800的运作的控制信号SC₁以及SC₂以及使能信号SEN的时序图。正如图9所示，控制信号SC₁以及SC₂是不重叠的。关于第一升压电路820，当控制信号SC₁在一特定电平(比如高电平)，晶体管开关MN2的连接节点NB_N2被耦接到晶体管MN1的连接节点NA_N1的电压VI。此外，当控制信号SC₂处于该特定电平，晶体管开关MN2的连接节点NB_N2被耦接到第一参考电压(即，供电电压VDD)。换句话说，开关装置S4被控制信号SC₁控制，以及开关装置S5被控制信号SC₂控制。关于第一升压电路820，当控制信号SC₁处于特定电平(例如高电平)，电容器C1被耦接在第一特定节点N1以及晶体管MN1的连接节点NA_N1之间。此处，当控制信号SC₂处于特定电平(例如高电平)，电容器C1的一端通过第一特定节点N1被耦接到第一参考电压(即，供电电压VDD)，以及电容器C1的另一端被耦接到与第一参考电压不同的第二参考电压(即，地电压VSS)。换句话说，开关装置S1被控制信号SC₁控制，以及开关装置S2以及S3被控制信号SC₂控制。本领域技术人员在阅读完被指定到图1至图7的段落之后，应该容易理解图8示出的电路800的运作(其根据图9所示出的时序图运作)，此处为了简洁省略细节描述。

请再次参考图1以及图2。基于以上描述，根据第一特定节点N1的电压，第二特定节点N2的电压以及开关装置SW(或者使能信号SEN)的开关状态，驱动电路110/210可以将第一特定节点N1耦接到第三特定节点N3。当开关装置SW被关断，所提出的驱动机制可以由驱动电路110，第一升压电路120以及第二升压电路130实现。所以，当所提出的驱动机制运作时，开关装置SW是可选的。请参考图10，图10是根据本发明另一实施例示出的用于驱动晶体管的示例性电路的框图。该电路1000的结构是基于图1所示出的电路100的结构，其中主要差异在于电路1000没有包括图1所示出的开关装置SW。在阅读完被指定到图1-图9的段落之后，本领域技术人员应该理解，即使开关装置SW被省略，根据电压V1以及V2，驱动电路110仍可以将第一特定节点N1耦接到第三特定节点N3。所以，电路1000可以对控制节点NC_N1充电，以便为晶体管MN1提供高的以及稳定的驱动电压。为了简洁，此处不再重复相似的描述。

本申请提出的用于驱动晶体管的电路可以提供高驱动电压，以降低所述晶体管的导通电阻。该晶体管可以在预定的时间间隔内处于导通状态。此外，通过使用电荷共享(charge-sharing)机制，本申请提出的用于驱动晶体管的电路可以提供具有轻微波纹的驱动电压。

虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何本领域技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的更动与润饰，因此本发明的保护范围当以所附权利要求为准。

Claims

1.一种用于驱动晶体管的电路，其特征在于，包括：

驱动电路，具有第一特定节点，第二特定节点和第三特定节点，其中，所述第三特定节点与所述晶体管的控制节点耦接，所述驱动电路用于至少根据所述第一特定节点的电压以及所述第二特定节点的电压，将所述第一特定节点耦接到所述第三特定节点，以便对所述晶体管的控制节点充电，被充电后的所述晶体管处于导通状态；

第一升压电路，耦接在所述第一特定节点与所述晶体管的连接节点之间，所述第一升压电路用于提升所述第一特定节点的电压；

第二升压电路，耦接在所述第一特定节点与所述第二特定节点之间，所述第二升压电路用于提升所述第二特定节点的电压；

其中，当所述第一特定节点的电压不大于提升后的所述第二特定节点的电压时，所述驱动电路不将所述第一特定节点耦接到所述第三特定节点，以使得所述晶体管停留在导通状态一时间间隔。

2.根据权利要求1所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述第一升压电路以及所述第二升压电路中至少一个是自举电路。

3.根据权利要求1所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，当所述第一特定节点的电压大于所述第二特定节点的电压，所述驱动电路将所述第一特定节点耦接到所述第三特定节点。

4.根据权利要求3所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，当所述第一特定节点被耦接到所述第三特定节点时，所述第一特定节点的电压大于参考电压，以及所述第二特定节点的电压不大于所述参考电压。

5.根据权利要求1所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，当所述第一特定节点没有与所述第三特定节点耦接，所述第二特定节点的电压大于参考电压。

6.根据权利要求4或者5所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述参考电压是供电电压。

7.根据权利要求1所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述第二升压电路包括：

反相器，具有输入节点以及输出节点，其中，所述反相器从所述输入节点接收第一控制信号；

晶体管开关，具有控制节点，第一连接节点以及第二连接节点，其中，所述晶体管开关的控制节点与所述第一特定节点耦接，所述晶体管开关的第一连接节点与所述第二特定节点耦接；以及

第二电容器，其中所述第二电容器的一端与所述第二特定节点耦接，以及所述第二电容器的另一端与所述输出节点耦接；以及

所述用于驱动晶体管的电路进一步包括：

控制电路，与所述第二升压电路耦接，所述控制电路用于产生所述第一控制信号，以及控制所述晶体管开关的所述第二连接节点被耦接到所述晶体管的连接节点的电压或者第一参考电压。

8.根据权利要求7所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，当所述第一控制信号处于第一电平，所述晶体管开关的第二连接节点被耦接到所述晶体管的连接节点的电压，以及当所述控制信号处于与所述第一电平不同的第二电平，所述晶体管开关的第二连接节点被耦接到所述第一参考电压。

9.根据权利要求1、7或者8所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述第一升压电路包括第一电容器；当控制电路产生的第一控制信号处于第一电平，所述第一电容器耦接在所述第一特定节点与所述晶体管的连接节点之间；以及当所述第一控制信号处于第二电平，所述第一电容器的一端通过所述第一特定节点被耦接到第一参考电压，以及所述第一电容器的另一端被耦接到与所述第一参考电压不同的第二参考电压。

10.根据权利要求7所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述控制电路进一步产生第二控制信号，所述第二控制信号以及所述第一控制信号是非交叠的；以及当所述第一控制信号处于特定电平，所述晶体管开关的第二连接节点被耦接到所述晶体管的连接节点的电压，以及当所述第二控制信号处于所述特定电平，所述晶体管开关的第二连接节点被耦接到所述第一参考电压。

11.根据权利要求10所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述第一升压电路包括第一电容器；当所述第一控制信号处于所述特定电平，所述第一电容器被耦接在所述第一特定节点以及所述晶体管的连接节点之间；以及当所述第二控制信号处于所述特定电平，所述第一电容器的一端通过所述第一特定节点被耦接到所述第一参考电压；以及所述第一电容器的另一端被耦接到与所述第一参考电压不同的第二参考电压。

12.根据权利要求7所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述第一参考电压是供电电压。

13.根据权利要求1所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述第一升压电路包括电容器，所述电路进一步包括：

控制电路，与所述第一升压电路耦接，所述控制电路用于控制所述电容器被耦接在所述第一特定节点与所述晶体管的连接节点之间或者被耦接在第一参考电压与第二参考电压之间，所述第二参考电压与所述第一参考电压不同。

14.根据权利要求13所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述控制进一步产生第一控制信号；当所述第一控制信号处于第一电平，所述电容器被耦接在所述第一特定节点与所述晶体管的连接节点之间；以及当所述第一控制信号处于与第一电平不同的第二电平，所述电容器的一端通过所述第一特定节点与所述第一参考电压耦接，以及所述电容器的另一端与所述第二参考电压耦接。

15.根据权利要求13所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述控制进一步产生第一控制信号以及第二控制信号；所述第一控制信号以及所述第二控制信号是非交叠的；当所述第一控制信号处于特定电平，所述电容器耦接在所述第一特定节点与所述晶体管的连接节点之间；以及当所述第二控制信号处于所述特定电平，所述电容器的一端通过所述第一特定节点耦接到所述第一参考电压；以及所述电容器的另一端与所述第二参考电压耦接。

16.根据权利要求1所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，进一步包括：

控制电路，与所述驱动电路耦接，所述控制电路用于产生使能信号到所述驱动电路；

其中，所述驱动电路根据所述第一特定节点的电压，所述第二特定节点的电压以及所述使能信号，将所述第一特定节点耦接到所述第三特定节点。

17.根据权利要求16所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，当所述使能信号处于第一电平，所述驱动电路根据所述第一特定节点的电压以及所述第二特定节点的电压，将所述第一特定节点耦接到所述第三特定节点；当所述使能信号处于不同于第一电平的第二电平，所述驱动电路不将所述第一特定节点耦接到所述第三特定节点。

18.根据权利要求17所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，还包括：

开关装置，被所述使能信号控制，其中当所述使能信号处于所述第二电平，所述开关装置将所述第三特定节点与参考电压耦接。

19.根据权利要求17所述的用于驱动晶体管的电路，其特征在于，所述驱动电路包括：

第一晶体管开关，具有与所述第二特定节点耦接的控制节点，第一连接节点，以及与所述第一特定节点耦接的第二连接节点；以及第二晶体管开关，具有控制节点，与所述晶体管的控制节点的耦接的第一连接节点，以及与所述第一晶体管开关的第一连接节点耦接的第二连接节点，其中，当所述使能信号处于所述第一电平，所述第二晶体管开关的控制节点被耦接到所述晶体管的连接节点的电压，以及当所述使能信号处于所述第二电平，所述第二晶体管开关的控制节点被耦接到参考电压。