CN104124395A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

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张振华
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Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。本发明制备的有机电致发光器件的阴极材质为电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.05～0.2):(0.5～1)混合形成的混合材料，改善了器件的出光性能，使光能更有效地抵达导电阳极玻璃基底，从而提高器件的发光效率。本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。
有机电致发光器件的结构为三明治结构，在阴极和导电阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中，两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极发出。
在传统的发光器件中，一般都是以低功函数的金属或者合金作为阴极，这种结构中，低功函数的金属化学性质活泼，在空气中易于氧化，使器件的稳定性较差，并且阴极的电子注入能力不佳，导致器件的发光效率、出光性能较低。
发明内容
为了解决上述问题，本发明旨在提供一种具有较高出光效率的有机电致发光器件及其制备方法。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述阴极的材质为电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.05～0.2):(0.5～1)混合形成的混合材料，其中，所述电子传输材料为2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲和2,8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中的一种，所述功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属为铝、银、铂和金中的一种，所述噻吩小分子材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种。
优选地，导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）和铟锌氧化物玻璃（IZO）中的一种。更优选地，导电阳极玻璃基底为ITO。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的一种。更优选地，空穴注入层的材质为WO3。
优选地，空穴注入层的厚度为20～80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为35nm。
优选地，空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的一种。更优选地，空穴传输层的材质为NPB。
优选地，空穴传输层的厚度为20～60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为40nm。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二（β-萘基）蒽（ADN）、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的一种。更优选地，发光层的材质为Alq3。
优选地，发光层的厚度为5～40nm。更优选地，发光层的厚度为20nm。
电子传输层的材质为具有较高的电子迁移率，能有效传导电子的有机分子材料。
优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-***衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）中的一种。
更优选地，1,2,4-***衍生物为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）。更优选地，电子传输层的材质为Bphen。
优选地，电子传输层的厚度为40～200nm。更优选地，电子传输层的厚度为80nm。
优选地，电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）和氟化锂（LiF）中的一种。更优选地，第二电子注入层的材质为LiF。
优选地，电子注入层的厚度为0.5～10nm。更优选地，电子注入层的厚度为1nm。
阴极设置在电子注入层上。
阴极的材质为电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.05～0.2):(0.5～1)混合形成的混合材料。
优选地，阴极的材质为电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.1～0.2):(0.8～1)混合形成的混合材料。
具体地，电子传输材料为2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]（OXD-7）、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲（BCP）和2,8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩（PO15）中的一种，功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属为铝（Al）、银（Ag）、铂（Pt）和金（Au）中的一种，噻吩小分子材料为3-己基噻吩（3HT）、3-甲基噻吩（3AT）和3-十二烷基噻吩（3OT）中的一种。
本发明制备的阴极由电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料组成。其中，电子传输材料为具有良好的电子传输能力的结晶材料，HOMO能级在-6.5eV～-7.5eV范围内，玻璃化转变温度为50～100°C，容易结晶，结晶后链段排列整齐，膜层表面形成波纹状结构，改变光的方向，使垂直发射的光散射，从而不会与金属层的自由电子发生耦合，避免平行的自由电子会与垂直的光子耦合而产生的损耗，提高光子利用率。噻吩小分子材料可进一步提高结晶程度，使掺杂材料之间的电子陷阱减少，且容易成膜，加快电子的传输，提高传输速率。功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属可提高器件的导电性和光的反射率，使光回到底部出射，有效地提高了器件的发光效率。
优选地，阴极的厚度为100～300nm。
第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供清洁的导电阳极玻璃基底；
在所述导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述热阻蒸镀的条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，所述空穴注入层和电子注入层的蒸镀速率为1～10nm/s，所述空穴传输层、发光层和电子传输层的蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述电子注入层上热阻蒸镀制备阴极，具体操作为将电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.05～0.2):(0.5～1)混合得到混合材料，其中，所述电子传输材料为2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲和2,8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中的一种，所述功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属为铝、银、铂和金中的一种，所述噻吩小分子材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种；将所述混合材料通过热阻蒸镀在所述电子注入层上，蒸镀条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速率0.1～1nm/s，得到所述阴极；
以上步骤完成后，得到所述有机电致发光器件。
优选地，导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃（ITO）、铝锌氧化物玻璃（AZO）和铟锌氧化物玻璃（IZO）中的一种。更优选地，导电阳极玻璃基底为ITO。
优选地，将导电阳极玻璃基底进行光刻处理，然后剪裁成所需要的大小。
通过对导电阳极玻璃基底的清洗，除去表面的有机污染物。
具体地，导电阳极玻璃基底的清洁操作为：将导电阳极玻璃基底依次用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，去除表面的有机污染物，得到清洁的导电阳极玻璃基底。
通过热阻蒸镀的方法，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次蒸镀设置空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层。其中，热阻蒸镀的条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，空穴注入层和电子注入层的蒸镀速率为1～10nm/s，所述空穴传输层、发光层和电子传输层的蒸镀速率为0.1～1nm/s。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）和五氧化二钒（V2O5）中的一种。更优选地，空穴注入层的材质为WO3。
优选地，空穴注入层的厚度为20～80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为35nm。
优选地，空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）中的一种。更优选地，空穴传输层的材质为NPB。
优选地，空穴传输层的厚度为20～60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为40nm。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二（β-萘基）蒽（ADN）、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯（BCzVBi）和8-羟基喹啉铝（Alq3）中的一种。更优选地，发光层的材质为Alq3。
优选地，发光层的厚度为5～40nm。更优选地，发光层的厚度为20nm。
电子传输层的材质为具有较高的电子迁移率，能有效传导电子的有机分子材料。
优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-***衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）中的一种。
更优选地，1,2,4-***衍生物为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-***（TAZ）。更优选地，电子传输层的材质为Bphen。
优选地，电子传输层的厚度为40～200nm。更优选地，电子传输层的厚度为80nm。
优选地，电子注入层的材质为碳酸铯（Cs2CO3）、氟化铯（CsF）、叠氮铯（CsN3）和氟化锂（LiF）中的一种。更优选地，第二电子注入层的材质为LiF。
优选地，电子注入层的厚度为0.5～10nm。更优选地，电子注入层的厚度为1nm。
阴极通过热阻蒸镀的方法设置在电子注入层上。
热阻蒸镀条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速率0.1～1nm/s，。
具体操作为将电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.05～0.2):(0.5～1)混合得到混合材料，其中，电子传输材料为2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲和2,8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中的一种，功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属为铝、银、铂和金中的一种，噻吩小分子材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种；将混合材料通过热阻蒸镀设置在电子注入层上，得到阴极。
优选地，将电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.1～0.2):(0.8～1)混合得到混合材料。
本发明制备的阴极由电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料组成。其中，电子传输材料为具有良好的电子传输能力的结晶材料，HOMO能级在-6.5eV～-7.5eV范围内，玻璃化转变温度为50～100°C，容易结晶，结晶后链段排列整齐，膜层表面形成波纹状结构，改变光的方向，使垂直发射的光散射，从而不会与金属层的自由电子发生耦合，避免平行的自由电子会与垂直的光子耦合而产生的损耗，提高光子利用率。噻吩小分子材料可进一步提高结晶程度，使掺杂材料之间的电子陷阱减少，且容易成膜，加快电子的传输，提高传输速率。功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属可提高器件的导电性和光的反射率，使光回到底部出射，有效地提高了器件的发光效率。
优选地，阴极的厚度为100～300nm。
本发明具有如下有益效果：
（1）本发明制备的有机电致发光器件的阴极材料为电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料混合形成的混合材料，改善了器件的出光性能，使光能更有效地抵达导电阳极玻璃基底，从而提高器件的发光效率
（2）本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；
图2是本发明实施例1提供的有机电致发光器件与对比例提供的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
以下为具体实施例及对比例部分，其中，“/”表示层叠，“：”表示前者与后者的质量比。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将ITO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜***（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为8×10-5Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为WO3，厚度为35nm；空穴传输层的材质为NPB，厚度为40nm；发光层的材质为Alq3，厚度为20nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为80nm；电子注入层的材质为LiF，厚度为1nm；
其中，WO3和LiF的蒸镀速率为3nm/s，NPB、Alq3和Bphen的蒸镀速率为0.2nm/s；
（3）在压强为8×10-5Pa的条件下，在电子注入层上制备阴极：
具体地，将OXD-7、3HT和Ag按照质量比1:0.1:0.8混合得到混合材料，将该混合材料通过热阻蒸镀方法设置在电子注入层上，蒸镀速率为0.2nm/s，得到阴极，厚度为200nm；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：ITO/WO3/NPB/Alq3/Bphen/LiF/OXD-7:3HT:Ag(1:0.1:0.8)。
图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括依次层叠的导电阳极玻璃基底10、空穴注入层20、空穴传输层30、发光层40、电子传输层50、电子注入层60和阴极70。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将AZO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜***（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为2×10-3Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为MoO3，厚度为80nm；空穴传输层的材质为NPB，厚度为60nm；发光层的材质为ADN，厚度为5nm；电子传输层的材质为TAZ，厚度为200nm；电子注入层的材质为CsF，厚度为10nm；
其中，MoO3和CsF的蒸镀速率为10nm/s，NPB、ADN和TAZ的蒸镀速率为0.1nm/s；
（3）在压强为2×10-3Pa的条件下，在电子注入层上制备阴极：
具体地，将BCP、3AT和Al按照质量比1:0.2:1混合得到混合材料，将该混合材料通过热阻蒸镀方法设置在电子注入层上，蒸镀速率为0.1nm/s，得到阴极，厚度为80nm；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：AZO/MoO3/NPB/ADN/TAZ/CsF/BCP:3AT:Al(1:0.2:1)。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将IZO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜***（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为5×10-5Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为WO3，厚度为20nm；空穴传输层的材质为TAPC，厚度为30nm；发光层的材质为BCzVBi，厚度为40nm；电子传输层的材质为TPBi，厚度为60nm；电子注入层的材质为Cs2CO3，厚度为0.5nm；
其中，WO3和Cs2CO3的蒸镀速率为1nm/s，TAPC、BCzVBi和TPBi的蒸镀速率为1nm/s；
（3）在压强为5×10-5Pa的条件下，在电子注入层上制备阴极：
具体地，将PO15、3OT和Pt按照质量比1:0.05:0.5混合得到混合材料，将该混合材料通过热阻蒸镀方法设置在电子注入层上，蒸镀速率为1nm/s，得到阴极，厚度为300nm；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：IZO/WO3/TAPC/BCzVBi/TPBi/Cs2CO3/PO15:3OT:Pt(1:0.05:0.5)。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将IZO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜***（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为5×10-4Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为V2O5，厚度为30nm；空穴传输层的材质为TCTA，厚度为20nm；发光层的材质为DCJTB，厚度为5nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为40nm；电子注入层的材质为CsN3，厚度为1nm;
其中，V2O5和CsN3的蒸镀速率为5nm/s，TCTA、DCJTB和Bphen的蒸镀速率为0.2nm/s；
（3）在压强为5×10-4Pa的条件下，在电子注入层上制备阴极:
具体地，将OXD-7、3AT和Au按照质量比1:0.1:1混合得到混合材料，将该混合材料通过热阻蒸镀方法设置在电子注入层上，蒸镀速率为0.2nm/s，得到阴极，厚度为250nm；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：IZO/V2O5/TCTA/DCJTB/Bphen/CsN3/OXD-7:3AT:Au(1:0.1:1)。
对比例
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将ITO玻璃基底用洗洁精、去离子水各超声清洗15min，得到清洁的导电阳极玻璃基底；
（2）在高真空镀膜***（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为8×10-5Pa的条件下，在清洁的导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极；
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为WO3，厚度为35nm；空穴传输层的材质为NPB，厚度为40nm；发光层的材质为Alq3，厚度为20nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为80nm；电子注入层的材质为LiF，厚度为1nm；阴极的材质为Ag，厚度为150；
其中，WO3、LiF和Ag的蒸镀速率为3nm/s，NPB、Alq3和Bphen的蒸镀速率为0.2nm/s；
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：ITO/WO3/NPB/Alq3/Bphen/LiF/Ag。
利用美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试亮度和色度，光纤光谱仪（美国海洋光学公司，型号：USB4000）测试电致发光光谱。
图2是实施例1的有机电致发光器件与对比例的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图。其中，曲线1为实施例1的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图；曲线2为对比例提供的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图。
从图2中可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，实施例1的最大的流明效率为8.17lm/W，而对比例的仅为5.97lm/W，同时，随着电流密度的提高，实施例1的流明效率衰减更慢，这说明，本发明制备的阴极可避免平行的自由电子会与垂直的光子耦合而产生的损耗，提高器件的光子利用率，使掺杂材料之间的电子陷阱减少，提高器件的导电性和光的反射率，使光回到底部出射，有效地提高了器件的发光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (8)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的导电阳极玻璃基底、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层、电子注入层和阴极，所述阴极的材质为电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.05～0.2):(0.5～1)混合形成的混合材料，其中，所述电子传输材料为2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲和2,8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中的一种，所述功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属为铝、银、铂和金中的一种，所述噻吩小分子材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃和铟锌氧化物玻璃中的一种。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨和五氧化二钒中的一种；空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种；发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二（β-萘基）蒽、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯和8-羟基喹啉铝中的一种；电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-***衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种；电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯和氟化锂中的一种。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述阴极的材质为电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.1～0.2):(0.8～1)混合形成的混合材料。
5.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供清洁的导电阳极玻璃基底；
在所述导电阳极玻璃基底上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层，所述热阻蒸镀的条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，所述空穴注入层和电子注入层的蒸镀速率为1～10nm/s，所述空穴传输层、发光层和电子传输层的蒸镀速率为0.1～1nm/s；
在所述电子注入层上热阻蒸镀制备阴极，具体操作为将电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.05～0.2):(0.5～1)混合得到混合材料，其中，所述电子传输材料为2,2'-(1,3-苯基)二[5-(4-叔丁基苯基)-1,3,4-恶二唑]、2,9-二甲基-4,7-联苯-1,10-邻二氮杂菲和2,8-二（二苯膦氧基）二苯并[b,d]噻吩中的一种，所述功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属为铝、银、铂和金中的一种，所述噻吩小分子材料为3-己基噻吩、3-甲基噻吩和3-十二烷基噻吩中的一种；将所述混合材料通过热阻蒸镀在所述电子注入层上，蒸镀条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速率0.1～1nm/s，得到所述阴极；
以上步骤完成后，得到所述有机电致发光器件。
6.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述导电阳极玻璃基底为铟锡氧化物玻璃、铝锌氧化物玻璃和铟锌氧化物玻璃中的一种。
7.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述空穴注入层的材质为三氧化钼、三氧化钨和五氧化二钒中的一种；空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺和N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺中的一种；发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃、9,10-二（β-萘基）蒽、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯和8-羟基喹啉铝中的一种；电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉、1,2,4-***衍生物和1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯中的一种；电子注入层的材质为碳酸铯、氟化铯、叠氮铯和氟化锂中的一种。
8.如权利要求5所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，将所述电子传输材料、功函数为-4.0eV～-5.5eV的金属和噻吩小分子材料按照质量比1:(0.1～0.2):(0.8～1)混合得到混合材料。
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